CN105161595B - 大功率发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种大功率发光二极管，包括：导电基板，其上设置有散热片，所述散热片和所述导电基板之间设置有过渡族金属氮化物薄膜层，所述散热片上设置有一层不规则厚度的低温氧化膜；发光芯片，其焊接在所述导电基板上，所述发光芯片上设置有封装构件，所述封装构件将所述发光芯片包覆，封装材料表面涂覆有光学薄膜；电极，其设置在发光芯片上，所述电极通过金线与所述导电基板连接。本发明的有益效果是散热性能好，亮度高，透光性好，有效降低光电效率衰减延长使用寿命。

Description

大功率发光二极管
技术领域
本发明涉及一种大功率发光二极管。
背景技术
半导体明是指用全固态发光器件作为光源的照明技术，包括使用半导体发光二极管或有机半导体发光二极管来作为光源。利用发光二极管照明是节能的“富矿”同样亮度下耗电仅为普通白炽灯的1/10，使用寿命也延长。随着LED技术的快速进步和新的应用不断出现，节能效果已经显现。LED光源具有抗震性、耐候性、密封性好以及热辐射低的特点可应用与防爆、野外作业，矿山，军事行动等特殊工作场所或恶劣工作环境之中。所以目前LED有着巨大的市场需求。但目前LED存在光电效率衰减和芷片材料与散热材料之问容易因热膨胀失配造成电极引线断裂的问题，影响LED的使用寿命。
发明内容
本发明的目的是为了克服以上不足，提供一种大功率发光二极管，本发明散热性能好，亮度高，透光性好，有效降低光电效率衰减延长使用寿命。
本发明提供的技术方案为：
一种大功率发光二极管，其特征在于，包括：
导电基板，其上设置有散热片，所述散热片和所述导电基板之间设置有过渡族金属氮化物薄膜层，所述散热片上设置有一层不规则厚度的低温氧化膜；
发光芯片，其焊接在所述导电基板上，所述发光芯片上设置有封装构件，所述封装构件将所述发光芯片包覆，封装材料表面涂覆有光学薄膜；
电极，其设置在发光芯片上，所述电极通过金线与所述导电基板连接。
优选的是，在所述的大功率发光二极管中，所述过渡族金属氮化物薄膜层通过非平衡磁控溅射的方法涂覆在所述导电基板上。
优选的是，在所述的大功率发光二极管中，所述过渡族金属氮化物薄膜层为氮化铬或氮化锆。
优选的是，在所述的大功率发光二极管中，所述低温氧化膜为两层。
优选的是，在所述的大功率发光二极管中，所述低温氧化膜第一层的厚度为2-3μm。
优选的是，在所述的大功率发光二极管中，所述低温氧化膜第二层的厚度为6-10μm。
优选的是，在所述的大功率发光二极管中，所述封装构件由透明压电材料制成。
优选的是，在所述的大功率发光二极管中，所述光学薄膜为丙烯酸酯/二氧化硅杂化光学增透膜。
优选的是，在所述的大功率发光二极管中，所述散热片由Cu/W或Cu/Mo合金材料制成。
本发明的技术方案较现有技术有突出优点，本发明散热性能好，亮度高，透光性好，有效降低光电效率衰减延长使用寿命。
附图说明
图1为本发明的结构图；
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
结合图1，一种大功率发光二极管，其特征在于，包括：
导电基板1，其上设置有散热片7，所述散热片7和所述导电基板1之间设置有过渡族金属氮化物薄膜层6，所述散热片上设置有一层不规则厚度的低温氧化膜5；发光芯片2，其焊接在所述导电基板1上，所述发光芯片上设置有封装构件4，所述封装构件4将所述发光芯片2包覆，封装材料表面涂覆有光学薄膜；电极3，其设置在发光芯片2上，所述电极3通过金线8与所述导电基板1连接。其中过渡族金属氮化物薄膜层6通过非平衡磁控溅射的方法涂覆在导电基板上，过渡族金属氮化物薄膜层6为氮化铬或氮化锆。低温氧化膜5为两层，第一层的厚度为2-3μm，第二层的厚度为6-10μm。封装构件由透明压电材料制成，光学薄膜为丙烯酸酯/二氧化硅杂化光学增透膜，散热片7由Cu/W或Cu/Mo合金材料制成。使用本发明作照明光源时，散热性能好，亮度高，透光性好，有效降低光电效率衰减延长使用寿命。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。

Claims (5)

1.一种大功率发光二极管，其特征在于，包括：
导电基板，其上设置有散热片，所述散热片和所述导电基板之间设置有过渡族金属氮化物薄膜层，所述散热片上设置有一层不规则厚度的低温氧化膜；
发光芯片，其焊接在所述导电基板上，所述发光芯片上设置有封装构件，所述封装构件将所述发光芯片包覆，封装材料表面涂覆有光学薄膜；
电极，其设置在发光芯片上，所述电极通过金线与所述导电基板连接；
所述过渡族金属氮化物薄膜层为氮化铬或氮化锆；
所述低温氧化膜为两层；
所述低温氧化膜第一层的厚度为2-3μm；
所述低温氧化膜第二层的厚度为6-10μm。
2.如权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述过渡族金属氮化物薄膜层通过非平衡磁控溅射的方法涂覆在所述导电基板上。
3.如权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述封装构件由透明压电材料制成。
4.如权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述光学薄膜为丙烯酸酯/二氧化硅杂化光学增透膜。
5.如权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于，所述散热片由Cu/W或Cu/Mo合金材料制成。
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