CN205092269U - 一种led光源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种LED光源,所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片;所述基板为氮化铝陶瓷基板;所述LED晶片的底部覆有合金层,所述合金层为金-锡合金层;所述金-锡合金层分为正、负极两部分;所述氮化铝陶瓷基板上设有电路;所述金-锡合金层与所述电路进行电性连接。与现有技术相比,氮化铝陶瓷基板与金-锡合金层共晶焊接后产生的共晶层,该共晶层导热系数高,热稳定性好,在固晶的同时,满足了大功率LED芯片的散热需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及照明技术领域,具体来说是一种LED光源。
背景技术
与传统光源一样,半导体发光二极体(LED)在工作期间也会产生热量,其多少取决于整体的发光效率。其电光转换效率大约只有20~30%左右,也就是说大约70%的电能都变成了热能。
然而,LED芯片的特点是在极小的体积内产生极高的热量,而LED本身的热容量很小,所以,必须以最快的速度把这些热量传导出去,否则就会产生很高的结温,为了尽可能的把热量引出到芯片外,人们在LED的芯片结构上进行了很多改进。
为了改善LED芯片本身的散热,其最主要的改进就是采用导热系数高的衬底材料。对于一些大功率的LED,一般采用共晶焊接技术固晶。所以,共晶层的导热系数直接影响芯片的散热情况。所以,各大LED生产商,都在不断研究如何提高合金层的导热系数。在兼顾成本与产品质量的情况下,一种经济有效的衬底是各大LED生产厂家迫切需要的。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中共晶层导热系数不高的缺陷,提供一种LED光源来解决上述问题。
本实用新型是通过以下技术方案来实现上述技术目的:
一种LED光源,所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片;所述基板为氮化铝陶瓷基板;所述LED晶片的底部覆有合金层,所述合金层为金-锡合金层;所述金-锡合金层中的金锡比重为7:3;所述金-锡合金层分为正、负极两部分;所述氮化铝陶瓷基板上设有电路;所述金-锡合金层与所述电路进行电性连接。
优选的,所述LED晶片通过共晶焊接与所述氮化铝陶瓷基板溶合形成共晶层。
优选的,所述共晶焊接的焊接温度为280°。
优选的,所述LED晶片还包括发光层;所述发光层处于所述金-锡合金层的上部。
优选的,所述发光层的上部覆有荧光层。
本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:
氮化铝陶瓷基板与金-锡合金层共晶焊接后产生的共晶层,该共晶层导热系数高,热稳定性好,在固晶的同时,满足了大功率LED芯片的散热需求。
附图说明
图1为本实用新型一种LED光源的结构示意图。
具体实施方式
为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识,用以较佳的实施例及附图配合详细的说明,说明如下:
如图1所示,一种LED光源,LED光源包括基板1以及固定在基板1上的LED晶片2;基板1为氮化铝陶瓷基板;LED晶片2自下向上依次包括合金层21、发光层22和荧光层23。合金层21为金-锡合金层。本实用新型听过的金-锡合金层中的金锡比重为7:3。金-锡合金层分为正极211、负极212两部分,氮化铝陶瓷基板1上设有电路(图中未示出)。通过共晶焊接技术,焊接温度为280°,将金-锡合金层21、电路以及氮化铝陶瓷基板1进行电性连接并将LED晶片2固定在氮化铝陶瓷基板1上。共晶焊接后形成共晶层,该共晶层导热系数高,热稳定性好。
当然,为了达到某种颜色的光效,可在发光层22的上部覆有不同颜色的荧光层23。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (3)
1.一种LED光源,其特征在于:所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片;所述基板为氮化铝陶瓷基板;所述LED晶片的底部覆有合金层,所述合金层为金-锡合金层;所述金-锡合金层分为正、负极两部分;所述氮化铝陶瓷基板上设有电路;所述金-锡合金层与所述电路进行电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种LED光源,其特征在于:所述LED晶片还包括发光层;所述发光层处于所述金-锡合金层的上部。
3.根据权利要求2所述的一种LED光源,其特征在于:所述发光层的上部覆有荧光层。
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