TWI358800B - - Google Patents

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TWI358800B TW096136526A TW96136526A TWI358800B TW I358800 B TWI358800 B TW I358800B TW 096136526 A TW096136526 A TW 096136526A TW 96136526 A TW96136526 A TW 96136526A TW I358800 B TWI358800 B TW I358800B
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Description

1358800 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種高散熱封裝載板,尤指一種適用於 類鑽权薄膜(DLC ’ Diamond-Like carbon)及複數個通孔所形 5成之高散熱封裝載板結構,以及一種高散熱封裝載板之製 造方法。 【先前技術】 • 現今常使用之晶片如LED由於發光亮度夠高,因此廣 10 泛應用於顯示器背光源、小型投影機、以及照明等各種電 子裝置中。然而,由於目前LED的輸入功率有將近8〇%的能 |會轉換成熱能’當無法適時有效地散熱時,會使led晶 片界面溫度升高,進一步影響發光強度及產品壽命週期。 因此,欲改善此問題,須在載板封裝階段便優先解決散熱 15 等問題’其中最重要的就是改善傳統散熱基板散熱結構以 及傳統絕緣層之熱傳導不良狀況。 # 如圖1所示,TW 543921號揭露一種利用曲面凹杯54與 通風散熱孔51以形成高散熱功能之發光元件。然而在此前 . 案中,係使用了傳統絕緣層52,其散熱效應已無法有效提 .20 升’即像再與通風散熱孔結合後,其散熱效果仍有限,無 法達到全方位之散熱效應。 US 6372628揭露了 一種使用類鑽碳薄膜與蝕刻孔洞内 植佈線路所形成之半導體元件,但是在US 6372628的钮 刻孔洞内具有植佈銅線以用於導電,且底層具有石夕基板, 5 1358800 衫響了孔洞散熱效應。JP 2005292700利用DLC薄膜與孔洞 形成之發光元件,然而僅將DLC絕緣薄膜形成於基板表 面,此方式仍無法將封裝載板中,電子元件所產生之熱有 效導出。 5 前案JP-2178979揭示一種在發光元件之發光層(light emitting iayer)中形成孔洞,作為垂直方向散熱之用途。然 而,JP-2178979係在發光層之表面形成一絕緣層,而非如 本案使用類鑽碳薄膜層,其散熱效果仍然有限。一般而言, 如以類錯碳薄膜層取代習知絕緣層時,以高功率發光二極 1〇體之電路板而言,可有效降低其晶片表面溫度約15。(: ^本 案係使用至少一類鑽碳薄膜層及複數個通孔,對封裝載板 之三維空間散熱具更顯著功效。Jp2〇〇3_215163揭露一種探 針卡(probe card),包括有類鑽碳薄膜與孔洞之結構。由於 在半導體微結構中,會有熱不均勻現象而提高探針尖端與 15電極之間的碰撞。因此該案之孔洞是用以固定其探針,使 奴針之定位準確,以解決導板(guideplate)中因局部熱不均 勻之現象,且該案所形成之類鑽碳薄膜形成在其控制板之 表面。然而,JP2003-215163仍未解決封裝載板散熱之問題。 因此,本發明為解決上述問題,目前亟需一種具全方 2〇位间導熱效率之高散熱封裝載板,來解決習知散熱基板散 熱結構以及傳統絕緣層之熱傳導不良狀況,用以解決電子 元件散熱^問題。 【發明内容】 6 類鑽in之主要目的為提供—種高散熱封裝載板,利用 敌涛膜(DLC ’ Diam〇nd_Uke carb〇n)及複數個通孔提供 〜空間散熱,用以解決電子元件散熱之問題。 本發明為一種高散熱封裝載板,用以封裝—晶片,包 載板本體,包括有—上表面、及—下表面;一界 於成於載板本體之上表面;一類鑽碳薄膜層形成 ' 屬層上,一鍍覆層形成於類鑽碳薄膜層上·以及 形成於載板本體之下表面;其中,封裝載板並形 成有複數個通孔,其係貫穿於鑛覆層、類鑽碳薄膜層、界 面金屬層、載板本體、以及電極層。 根據本發明之高散熱封裝載板,該複數個通孔内更包 =-金屬形成金屬填充結構;其中,金屬填充之金屬材 料’又有限制,較佳係為銅或銀。 *根據本發明之高散熱封裝載板,其更包括另一類鑽碳 薄膜層,形成於載板本體之下表面與電極層之間。 根據本發明之面散熱封裝載板,其中 厚度為〇.1_至_卿;較佳厚度為_至1()师。#膜層之 根據本發明之高散熱封裝載板,其複數個通孔孔徑大 小約為Ιμιη至ΐ〇〇〇μιη,且該些複數個通孔之截面積佔封裝 載板截面積沒有限制,較佳為佔封裝載板截面積約為10% 至70%;更佳佔封裝載板截面積約為2〇%至4〇〇/。 根據本發明之載板本體,其使用材料為矽、FR4樹酯、 FR5M 自日 ΒΤ樹 S旨(Blsmaleimide triazine)、銅、鋁及陶兗 材料其中之-者,界面金屬層為—金屬猪層,其使用材料 1358800 • 為銅、銀、金、及铭其中之一者;至於鍍覆層之使用材料 為銀、欽、及鉻其中之一者,其中該鍍覆層亦可作為一電 . 極層;以及電極層之使用材料為銅、銀、及金其中之一者。 另外,本發明提供一種高散熱封裝載板之製造方法, 5主要包括下列步驟,⑷提供一包括有一上表面、及一下表 面之載板本體;(b)形成一界面金屬層於載板本體之上表 面;⑷形成-類鑽碳薄膜層4於界面金屬層上;⑷形成一 鍛覆層於類鑽碳薄膜層上;⑷形成一電極層於載板本體之 ^ 了表面;以及⑴形成複數個通孔於前述步驟⑷至⑷所形成 10之結構·,在前述步驟中,步驟⑷係可選擇緊接於步驟⑷、 步驟(b)、步驟(C)、或步驟(d)之後實施。 另外,本發明高散熱封裝載板之製造方法中,於步驟 ⑷之前可選擇性地包括—步驟(el),於步驟(ei)中形成另一 類鑽碳薄膜層於載板本體之下表面,其後再形成一電極層 15 於類鑽碳薄膜層上β θ 根據本發明高散熱封裝載板之製造方法,其中,步驟 • (b)之界面金屬層係藉由接合、壓合、及貼合之其中之_者 所形成於載板本體之上表面;步驟⑷之類鑽碳薄膜層係為 .鑛覆及>儿積之其中之一者所形成;該步棘⑷之鑛覆層係為 20 =鑛及電鑛之其中之一者所形成;步驟⑷之電極層係為鍛 覆所形成,以及步驟(f)之複數個通孔係以一般化學 機械鑽孔之其中之一者所形成,且該步驟⑴係可選擇緊 於步驟⑷、步驟⑻、步驟⑷、或步驟⑷之後實施,亦即,. 1358800 根據本發明所形成之複數個通孔可為全部貫通或部分貫通 . .之結構。 . &據本發明南散熱封裝載板之製造方法 ,其中,於步 驟⑴之後可選擇性地包括-步驟(g),於步驟(〇形成之通孔 5内形成一金屬填充結構,並可因此提高導熱性與具有導電 功效’其中’該金屬之材料沒有限制較佳係為銅或銀。 根據本發明高散熱封裝載板之製造方法,其中載板本 體使用材料為石夕、FR4樹g旨、FR5樹酯、BT樹酿(Bismaleimide • tnaZme)、銅、及鋁其中之一者;界面金屬層為一金屬箔層, 1〇其使用材料為銅、銀、金、及銘其中之-者;至於鑛覆層 t使用材料為銀、鈦、及鉻其中之一者,其中該鍍覆層亦 可作為一電極層;以及電極層之使用材料為銅、銀、及金 其中之一者。
、綜上所述’本發明高散熱封裝載板結構及其製造方 法係提供了一種具至少一類鑽碳薄膜及複數個通孔之封 裝載板結構,可有效地提供三維空間散熱,並解決電子元 件散熱之問題。 【實施方式】 . 以下,將對本發明作詳細描述。 本發月用以封裝—晶片7之高散熱封裝載板i⑽如圖2 及圖5所示’其中圖2為本發明高散熱封裝載板之剖視圖, 圖5為立體俯視圖;該封裝載板1〇包括:一載板本體2,包 括有-上表面21、及一下表面22; 一界面金屬層3,係形成 9 1358800 於載板本體2之該上表面21 類鑽碳薄縣4係形成於界 ' 面金屬層3上,一鍍覆層5係形成於類鑽碳薄膜層4上,其中 .該鍍覆層5亦可作為—電極層;以及-電極層1形成於該載 板本體2之該下表面22;其中,封裝载板1〇形成有複數個通 5孔6,其貫穿於鍍覆層5、類鑽碳薄膜層4、界面金屬層3、 載板本體2、以及電極層 實施例1 請參閱圖3a至3f為本發明製造高散熱封裝載板1〇結構 隹之較佳具體實施例,其製造方法步驟(a)至(f)為: 10 首先,(a)係如圖3a所示,提供一具有一上表面21及一 下表面22之載板本體2 ; (b)如圖3b,於載板本體2之上表面 21以接合、壓合、或貼合之方式形成一界面金屬層3 ; 如圖3c,以鍍覆或沉積一厚度為邛瓜之類鑽碳薄膜層4於界 面金屬層3上;(d)之後如圖3d,以濺鍍或電鍍形成一鍍覆層 15 5該類鑽碳薄膜層4上;(e)再以鍍覆方式形成一電極層丨於載 板本體2之該下表面22,如圖3e ;以及(f)以一般化學姓刻或 擊機械鑽孔形成複數個通孔6於前述步驟(a)至所形成之結 構’如圖3f所示高散熱封裝載板10之結構。 ·. 於步驟⑺之後可選擇性地包括一步驟(g),於步驟⑺形 2〇 成之通孔内形成一銅或銀金屬填充結構(圖未示),藉此提高 導熱性並具有導電功效。 在本實施例中,其中步驟(e)係可選擇緊接於該步驟 (a)、該步驟(b)、該步驟(c)、或該步驟(d)之後實施皆可達成 本實施例中如圖3f所示之結構。 1358800 實施例2
If參閱圖4a至4f為本發明製造高散熱封裝載㈣結構 之另-較佳具體實施例,其製造方法步驟(&)至_實施例 1,但於該步驟⑷之前更包括-步驟(el),如圖4e,所示,以 5鐘覆方式形成另-類鑽碳薄膜層8於該载板本體2之該下表 面22,其後再形成-電極層!於該類鑽碳薄膜層8上。 於步驟⑴之後可選擇性地包括—步驟⑷,於步驟⑴形 成之通孔内形成-銅或銀金屬填充結構(圖未示),藉此提高 導熱性並具有導電功效。 1〇 在本實施例中,其中步驟⑷及⑷)係可選擇緊接於該步 驟⑷、該步驟⑻、該步驟⑷、或該步驟⑷之後實施皆可達 成本實施例中如圖4f所示之結構。 上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所 主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限 15 於上述實施例。 【圖式簡單說明】 圖1係為習知之高散熱封裝載板結構^ 圖2係本發明高散熱封裝触結構之剖視圖。 圖3a至3鴻為本發明—較 ^至4f係為本發明另—較佳實施例之流程圖 圖5係本發明高散熱封裝载板結構之立體圖。 【主要元件符號說明】 • 20 1358800 1 電極層 2 載板本體 3 4 類鑽碳薄膜層 5 鍍覆層 6 7 晶片 8 類鑽碳薄膜層 10 21 上表面 22 下表面 51 52 絕緣層 54 曲面凹杯 界面金屬層 通孔 高散熱封裝載板 風散熱孔
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Claims (1)

1358800 g 96136S26 號,100 年 8 月修7F百 /_方月8 修(更)正本 十、申請專利範圍: ~~ 1.一種高散熱封裝載板,用以封裝一晶片,該封裝載板 包括: 一載板本體’包括有一上表面、及一下表面; 5 一界面金屬層,係形成於該載板本體之該上表面; 一類鑽碳薄膜層係形成於該界面金屬層上; 一鑛覆層係形成於該類鑽碳薄膜層上;以及 • '電極層係形成於該載板本體之該下表面; 其中’該封裝载板並形成有複數個通孔,其係全部或 .10部分貫穿於該鍍覆層、該類鑽碳薄膜層、該界面金屬層、 該載板本體、以及該電極層,藉由該類鑽碳薄膜層以及該 複數個通孔,以提供該封裝載板三維空間之散熱。 2.如申請專利範圍第1項所述之高散熱封裝載板,立 中,該複數個通孔内更包括有一金屬形成金屬填充結構。 15 3.如令請專利範圍第2項所述之高散熱封裝載板,其 中’該金屬之材料為銅或銀。 4·如申請專利範圍第1項所述之高散熱封裝載板,其更 • ㈣另-類鑽碳薄膜層,其係形成於該載板本體之該下表 面與該電極層之間。 20 5.如申請專利範圍第i項所述之高散熱封裝載板 該類鑽碳薄膜層之厚度為〇.1 至1 〇〇 如申請專利範圍第i項所述之高散熱封裝載板" 該類鑽碳薄膜層之厚度較佳為1μιη至'、 其中 13 1358800 7. 如申請專利範圍第丨項所述之高散熱封裝載板,其中 該複數個通孔之孔徑為1 μπι至1 ΟΟΟμπι。 8. 如申請專利範圍第1項所述之高散熱封裝載板,其中 該複數個通孔之截面積佔該封裝載板截面積為1〇%至7〇%。 9. 如申請專利範圍第1項所述之高散熱封裝載板,其中 該複數個通孔之截面積佔該封裝載板戴面積較佳為2〇%至 40%。 10 15 10. 如申請專利範圍第1項所述之高散熱封裝載板,其中 該載板本體材料係為矽、FR4樹酯、FR5樹酯、βτ樹酯 (Bismaleimide tdazine)、銅、鋁、及陶瓷材料其中之一者。 11. 如申請專利範圍第丨項所述之高散熱封裝載板,其中 該界面金屬層為一金屬箔層,其材料係為鋼銀、金及 鋁其中之一者。 12. 如申請專利範圍第!項所述之高散熱封裝載板其 中該鍍覆層材料係為銀、鈦、及鉻其中之_者。 、 13. 如申請專利範圍第丨項所述之高散熱封裝載板其中 該電極層材料係為銅、銀、及金其中之—者。 、 14. 一種高散熱封裝載板之製造方法,包括下列步驟, (a) 提供一載板本體,其包括有一上表面 '及一下表面’ (b) 形成一界面金屬層於該載板本體之該上表面; , (c) 形成一類鑽碳薄膜層於該界面金屬層上; (d) 形成一鍍覆層於該類鑽碳薄膜層上: (e) 形成一電極層於該載板本體之該下表面;以及 (f) 形成複數個通孔於前述步驟(3)至(6)所形成之結構 20 1358800 /碎皮月δ曰修(文)正本 • — ...... 其中’該步驟⑷係可選擇緊接於該步驟^)、該步驟 (b)、該步驟(c)、或該步驟(d)之後實施;且該步驟⑴係可選 . 擇緊接於步驟(a)、步驟(b)、步驟(c)、或步驟(d)之後實施, 藉由該類鑽碳薄膜層以及該複數個通孔,以提供該封裝載 5 板三維空間之散熱。 15.如申請專利範圍第14項所述之高散熱封裝載板之製 造方法,於該步驟(e)之前更包括一步驟(el)形成另一類鑽 碳薄臈層於該載板本體之該下表面,其後再形成一電極層 ® 於該類鑽碳薄膜層上。 10 16.如申請專利範圍第14項所述之高散熱封裝載板之製 造方法,其中,該步驟〇>)之該界面金屬層係為接合、壓合、 及貼合之其中之一者所形成。 ^ 17.如申請專利範圍第14項所述之高散熱封裝載板之製 造方法,其中,該步驟(c)之該類鑽碳薄膜層係為鍍覆及沉 15 積之其中之一者所形成。 生18.如申請專利範圍第14項所述之高散熱封裝載板之製 籲过方法’其中’該步驟⑷之該鍍覆層係為減鑛及電鍵之其 中之一者所形成。 土 19·如申請專利範圍第14項所述之高散熱封裝載板之製 '2〇这方法,其中,該步驟(e)之該電極層係為鍍覆所形成。 a扣’如申請專利範圍第14項所述之高散熱封裝載板之製 造方法,其中,該步驟(f)之該複數個通孔係以一般化學蝕 刻及機械鑽孔之其中之一者所形成。 15 (W年分月^日修(史)正本 21.如申請專利範圍第14項所述之高散熱封裝載板之製 造方法,其中,於步驟⑴之後更包括一步驟(g),於步驟⑴ 形成之複數個通孔内形成一金屬填充結構。 22·如申請專利範圍第21項所述之高散熱封裝載板之製 造方法,其中’該金屬之材料為銅或銀。 23·如申請專利範圍第14項所述之高散熱封裝載板之製 造方法,其中該載板本鱧材料係為矽、FR4樹酯、fr5樹酯、 BT樹醋(Bismaleimide tHazine)、銅、銘、及陶竟材料 之一者。 、 从如申請專利範圍第14項所述之高散熱封裝載板之製 造方法,其中該界面金屬層為-金職層,其材料係為鋼、 銀、金、及鋁其中之一者。 25.如申請專利範圍第14項料之高散熱封 之 象造方法,其中該鍍覆層材料係為銀、鈦、及鉻其中之一 者。 、 如中請專利範㈣14項所述之高散熱封裝載板之製 μ方法,其中該電極層材料係為銅、銀、及金其中之一者。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9166137B2 (en) 2012-12-13 2015-10-20 Industrial Technology Research Institute Structure of thermoelectric film

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008006745B3 (de) * 2008-01-30 2009-10-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur
US8410371B2 (en) * 2009-09-08 2013-04-02 Cree, Inc. Electronic device submounts with thermally conductive vias and light emitting devices including the same
US8507940B2 (en) 2010-04-05 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat dissipation by through silicon plugs
TWI396267B (zh) 2010-08-12 2013-05-11 Ind Tech Res Inst 電子封裝、用於電子裝置的散熱結構及其製造方法
US8552554B2 (en) 2010-08-12 2013-10-08 Industrial Technology Research Institute Heat dissipation structure for electronic device and fabrication method thereof
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
CN102740591A (zh) * 2012-07-09 2012-10-17 苏州热驰光电科技有限公司 超高导热双面铝基线路板及其制备方法
JP6171921B2 (ja) 2013-12-24 2017-08-02 日亜化学工業株式会社 配線基板及び発光装置
CN113471639B (zh) * 2020-03-30 2024-03-19 东莞新能德科技有限公司 电芯及具有该电芯的电池

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521844B1 (en) * 1999-10-29 2003-02-18 International Business Machines Corporation Through hole in a photoimageable dielectric structure with wired and uncured dielectric
TW490820B (en) * 2000-10-04 2002-06-11 Advanced Semiconductor Eng Heat dissipation enhanced ball grid array package
JP3817453B2 (ja) * 2001-09-25 2006-09-06 新光電気工業株式会社 半導体装置
JP3875867B2 (ja) * 2001-10-15 2007-01-31 新光電気工業株式会社 シリコン基板の穴形成方法
US6713792B2 (en) * 2002-01-30 2004-03-30 Anaren Microwave, Inc. Integrated circuit heat sink device including through hole to facilitate communication
US7345350B2 (en) * 2003-09-23 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Process and integration scheme for fabricating conductive components, through-vias and semiconductor components including conductive through-wafer vias
US7101792B2 (en) * 2003-10-09 2006-09-05 Micron Technology, Inc. Methods of plating via interconnects
US7316063B2 (en) * 2004-01-12 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating substrates including at least one conductive via

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9166137B2 (en) 2012-12-13 2015-10-20 Industrial Technology Research Institute Structure of thermoelectric film

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