CN204577460U - 采用多层氮化铝基板的led封装结构 - Google Patents
采用多层氮化铝基板的led封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204577460U CN204577460U CN201520263359.8U CN201520263359U CN204577460U CN 204577460 U CN204577460 U CN 204577460U CN 201520263359 U CN201520263359 U CN 201520263359U CN 204577460 U CN204577460 U CN 204577460U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminium base
- nitride multilayer
- multilayer aluminium
- encapsulation structure
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种采用多层氮化铝基板的LED封装结构,包括:多层氮化铝基板、LED芯片、金线、混有荧光粉的封装胶及光学透镜,多层氮化铝基板包括:氮化铝层、绝缘层及电路层,氮化铝层上设有固焊部,LED芯片固定于固焊部中,金线用于将LED芯片与电路层电性连接,混有荧光粉的封装胶填充于固焊部中,光学透镜设于混有荧光粉的封装胶上。本实用新型采用多层氮化铝基板,可提高对LED芯片发亮时产生的热量的传导,满足大功率LED的散热要求,提高灯珠整体的发光效率和使用寿命;氮化铝材料热膨胀系数与LED芯片的热膨胀系数接近,减小了LED芯片与基板之间产生的应力,提高了大功率LED的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED照明技术领域,尤其涉及一种采用多层氮化铝基板的LED封装结构。
背景技术
一般情况下,高亮度LED在正常发亮时,只有25%的能量转换成光,其余能量会以热量的形式散发,同时,温度越高,LED芯片的发光效率越低,所以在同等封装条件下,提高LED芯片的整体散热效果,是提高LED亮度最直接,最快捷的方式。因此,在高功率的LED中,考虑到散热特性,采用氧化铝基板和高导热铜基板的封装结构是目前LED封装的主流形式。但是,由于氧化铝基板和铜基板的反射率、尺寸精度及导热率均较低,在封装LED芯片时缺乏可靠性,所以,急需提供一种能满足LED芯片高导热封装结构是必然要求。
因此,现有技术存在缺陷,需要改进。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术的不足,提供一种采用多层氮化铝基板的LED封装结构,以提高LED芯片的整体散热效果,降低LED芯片的光衰,提高产品寿命。
本实用新型的技术方案如下:本实用新型提供一种采用多层氮化铝基板的LED封装结构,包括:多层氮化铝基板、LED芯片、金线、混有荧光粉的封装胶以及光学透镜,所述多层氮化铝基板包括:氮化铝层、形成于所述氮化铝层上的绝缘层以及形成于所述绝缘层上的电路层,所述氮化铝层上设有固焊部,所述LED芯片固定于所述固焊部中,所述金线用于将LED芯片与电路层电性连接,所述混有荧光粉的封装胶填充于所述固焊部中,所述光学透镜设于所述混有荧光粉的封装胶上。
所述LED芯片为蓝光芯片,所述蓝光芯片的波长范围为440-460nm。
所述光学透镜的出光面呈球面状。
所述光学透镜的材质为石英玻璃。
所述光学透镜的材质为硅胶。
所述氮化铝层为导热系数为170-230W/(m·k)、抗弯强度>310MPa、表面粗糙度在0.1-0.5μm、线性膨胀系数为4.6X10-6 cm /°C的氮化铝层。
所述绝缘层为高分子绝缘层。
所述固焊部为一凹部。
所述混有荧光粉的封装胶的顶部与电路层平齐设置。
采用上述方案,本实用新型的采用多层氮化铝基板的LED封装结构,采用多层氮化铝基板,可提高对LED芯片发亮时产生的热量的传导,满足大功率LED的散热要求,提高灯珠整体的发光效率和使用寿命;氮化铝材料热膨胀系数与LED芯片的热膨胀系数接近,减小了LED芯片与基板之间产生的应力,提高了大功率LED的可靠性;表面覆盖半球形的光学透镜,提高了光源的发光角度,均匀出光,提高产品亮度。
附图说明
图1为本实用新型采用多层氮化铝基板的LED封装结构的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例,对本实用新型进行详细说明。
请参阅图1,本实用新型提供一种采用多层氮化铝基板的LED封装结构,包括:多层氮化铝基板2、LED芯片4、金线6、混有荧光粉的封装胶8以及光学透镜10。所述多层氮化铝基板2包括:氮化铝层(ALN)22、形成于所述氮化铝层22上的绝缘层24以及形成于所述绝缘层24上的电路层26,其中,氮化铝层22能维持在3000°时不分解,保证灯珠的耐热性。所述氮化铝层22上设有固焊部,所述LED芯片4固定于所述固焊部中,所述金线6用于将LED芯片4与电路层26电性连接,所述混有荧光粉的封装胶8填充于所述固焊部中,具体采用喷雾工艺来形成。所述光学透镜10设于所述混有荧光粉的封装胶8上。本实用新型采用多层氮化铝基板2,可提高对LED芯片4发亮时产生的热量的传导,满足大功率LED灯的散热要求,提高灯珠整体的发光效率和使用寿命;氮化铝材料热膨胀系数与LED芯片4的热膨胀系数接近,减小了LED芯片4与多层氮化铝基板2之间产生的应力,提高了大功率LED的可靠性。
所述LED芯片4为蓝光芯片,所述蓝光芯片的波长范围为440-460nm。
所述光学透镜10的出光面呈球面状,如通过整个光学透镜呈半球形来实现,在表面覆盖半球形的光学透镜10,提高了灯珠的发光角度,均匀出光,提高产品亮度。所述光学透镜10由透明材质制成,如:石英玻璃或硅胶。
所述氮化铝层22为导热系数为170-230W/(m·k)、抗弯强度>310MPa、表面粗糙度在0.1-0.5μm、线性膨胀系数为4.6X10-6 cm /°C的氮化铝层。所述绝缘层24为高分子绝缘层。所述金线6中金(Au)纯度为99.99%以上,线径在0.8-1.2mil之间,其中包含了微量的Ag/Cu/Si/Ca/Mg等微量元素。
所述固焊部为一凹部,所述混有荧光粉的封装胶8的顶部与电路层26平齐设置,有利于保持产品的美观。
综上所述,本实用新型提供一种采用多层氮化铝基板的LED封装结构,采用多层氮化铝基板,可提高对LED芯片发亮时产生的热量的传导,满足大功率LED的散热要求,提高灯珠整体的发光效率和使用寿命;氮化铝材料热膨胀系数与LED芯片的热膨胀系数接近,减小了LED芯片与基板之间产生的应力,提高了大功率LED的可靠性;表面覆盖半球形的光学透镜,提高了光源的发光角度,均匀出光,提高产品亮度。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种采用多层氮化铝基板的LED封装结构,其特征在于,包括:多层氮化铝基板、LED芯片、金线、混有荧光粉的封装胶以及光学透镜,所述多层氮化铝基板包括:氮化铝层、形成于所述氮化铝层上的绝缘层以及形成于所述绝缘层上的电路层,所述氮化铝层上设有固焊部,所述LED芯片固定于所述固焊部中,所述金线用于将LED芯片与电路层电性连接,所述混有荧光粉的封装胶填充于所述固焊部中,所述光学透镜设于所述混有荧光粉的封装胶上。
2.根据权利要求1所述的采用多层氮化铝基板的LED封装结构,其特征在于,所述LED芯片为蓝光芯片,所述蓝光芯片的波长范围为440-460nm。
3.根据权利要求1所述的采用多层氮化铝基板的LED封装结构,其特征在于,所述光学透镜的出光面呈球面状。
4.根据权利要求3所述的采用多层氮化铝基板的LED封装结构,其特征在于,所述光学透镜的材质为石英玻璃。
5.根据权利要求3所述的采用多层氮化铝基板的LED封装结构,其特征在于,所述光学透镜的材质为硅胶。
6.根据权利要求1所述的采用多层氮化铝基板的LED封装结构,其特征在于,所述氮化铝层为导热系数为170-230W/(m·k)、抗弯强度>310MPa、表面粗糙度在0.1-0.5μm、线性膨胀系数为4.6X10-6 cm /°C的氮化铝层。
7.根据权利要求1所述的采用多层氮化铝基板的LED封装结构,其特征在于,所述绝缘层为高分子绝缘层。
8.根据权利要求1所述的采用多层氮化铝基板的LED封装结构,其特征在于,所述固焊部为一凹部。
9.根据权利要求1所述的采用多层氮化铝基板的LED封装结构,其特征在于,所述混有荧光粉的封装胶的顶部与电路层平齐设置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201520263359.8U CN204577460U (zh) | 2015-04-28 | 2015-04-28 | 采用多层氮化铝基板的led封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201520263359.8U CN204577460U (zh) | 2015-04-28 | 2015-04-28 | 采用多层氮化铝基板的led封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN204577460U true CN204577460U (zh) | 2015-08-19 |
Family
ID=53870060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201520263359.8U Expired - Fee Related CN204577460U (zh) | 2015-04-28 | 2015-04-28 | 采用多层氮化铝基板的led封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN204577460U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108826105A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-16 | 浙江德清进成照明有限公司 | 一种柔光节能吊顶灯 |
-
2015
- 2015-04-28 CN CN201520263359.8U patent/CN204577460U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108826105A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-16 | 浙江德清进成照明有限公司 | 一种柔光节能吊顶灯 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN201539737U (zh) | 一种led灯具 | |
CN101182919A (zh) | 大功率led灯 | |
CN201868429U (zh) | 一种内嵌式发光二极管封装结构 | |
CN203517379U (zh) | 一种基于倒装led芯片与透明陶瓷基板的灯泡 | |
CN204118067U (zh) | 直接封装于散热器的led芯片封装架构 | |
CN201187741Y (zh) | 阵列式led封装结构 | |
CN201373367Y (zh) | 一种利用半导体制冷的大功率led光源模块 | |
CN202013881U (zh) | 垂直结构led芯片集成封装结构 | |
CN201910445U (zh) | 一种led封装结构 | |
CN204577460U (zh) | 采用多层氮化铝基板的led封装结构 | |
CN204464318U (zh) | 一种条形单面发光led光源及其发光装置 | |
CN201443693U (zh) | 一种led光源模块 | |
CN202349668U (zh) | 高光效高散热led光源 | |
CN202003993U (zh) | 一种大功率led封装结构 | |
CN203225277U (zh) | 大功率led封装结构 | |
CN203560754U (zh) | 一种led球泡灯 | |
CN202678310U (zh) | 基于cob技术封装的大功率led集成阵列照明光源 | |
TWM332942U (en) | LED with bi-directional shining and heat-radiation | |
CN101847684B (zh) | 加强散热的封装电路板及其制造方法 | |
CN201638812U (zh) | 一种新型大功率led封装结构 | |
CN203312364U (zh) | 一种方形陶瓷cob封装结构 | |
CN204592990U (zh) | 用于led光源的多芯阵列集成结构 | |
CN104733587B (zh) | 一种系统级封装的led器件 | |
CN202501250U (zh) | 一种直接对外壳散热的大功率led光源 | |
CN202349760U (zh) | 高散热大功率led射灯 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150819 Termination date: 20170428 |