CN202003993U - 一种大功率led封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型为一种大功率LED封装结构,包括陶瓷基板,陶瓷基板上表面内嵌镀铜片,镀铜片上安装LED芯片,所有LED芯片的正极通过金线连接到正导电极,所有LED芯片的负极通过金线连接到负导电极,所有LED芯片和金线位于一体化的灌封胶内部成型为封闭基体,封闭基体位于陶瓷基板上表面,LED芯片通过灌封胶定位,固化在陶瓷基板的镀铜片上,灌封胶由硅胶和荧光粉混合制得,正导电极和负导电极采用铜基镀银材料制作,LED芯片呈多行多列均匀分布;本实用新型具备良好的散热效果,发光强度大,且结构紧凑、工艺简单。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体照明光源的封装技术,尤其涉及一种大功率LED封装结构。
背景技术
传统的单体大功率LED光源是由一个或者几个芯片封装而成,为了满足LED大面积照明对发光强度的需求,采用传统的单体大功率LED封装结构将使芯片功率做得很大,众所周知,LED功率越大,其产生的热量就越大,而单个大功率芯片工作时产生的热量不容易散发,因此造成自身热量的积聚,使芯片的工作温度越来越高,导致光衰甚至死灯。为了利用大功率LED作大面积照明而达到所需要的亮度,照明灯具常采用多个大功率LED组合,这种方式在制作灯具时装配繁琐,提高了LED照明灯具的生产成本,且投射面积与光线均匀度不好控制,而为了达到所需的发光投射面积与光线均匀度,所须的光学透镜设计相当复杂。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种大功率LED封装结构,其具备良好的散热效果,发光强度大,且结构紧凑工艺简单。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种大功率LED封装结构,包括陶瓷基板6,陶瓷基板6上表面内嵌镀铜片4,镀铜片4上安装LED芯片1,所有LED芯片1的正极通过金线2连接到正导电极3,所有LED芯片1的负极极通过金线2连接到负导电极7,所有LED芯片1和金线2位于一体化的灌封胶5内部成型为封闭基体,封闭基体位于陶瓷基板6上表面。
所有LED芯片1通过灌封胶5定位,固化在陶瓷基板6的镀铜片4上。
所述灌封胶5由硅胶和荧光粉混合制得。
所述正导电极3和负导电极7采用铜基镀银材料制作。
所有LED芯片1呈多行多列均匀分布。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点:
1)散热效果好。
2)发光强度大。
3)结构简单便于工艺实现。
附图说明
图1为本实用新型的横截面示意图。
图2为本实用新型的纵截面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步详细说明。
如图1、图2所示,本实用新型为一种大功率LED封装结构,包括陶瓷基板6,陶瓷基板6上表面内嵌镀铜片4,镀铜片4上安装LED芯片1,所有LED芯片1的正极通过金线2连接到正导电极3,所有LED芯片1的负极极通过金线2连接到负导电极7,所有LED芯片1和金线2位于一体化的灌封胶5内部成型为封闭基体,封闭基体位于陶瓷基板6上表面。所有LED芯片1通过灌封胶5定位,固化在陶瓷基板6的镀铜片4上。所述灌封胶5由硅胶和荧光粉混合制得。所述正导电极3和负导电极7采用铜基镀银材料制作。所有LED芯片1呈多行多列均匀分布。
本发明采用上述结构后,因为陶瓷基板上的镀铜片和正、负导电极均采用铜基镀银材料制作,LED芯片通过和铜基镀银的金属片完全接触,而且此镀铜片完全嵌入陶瓷基板散热块上,这样,LED芯片产生的热量通过镀铜片传导至陶瓷基板散热块,再由散热块将热量传导空间,同时,陶瓷基板的面积和热容量都是精确计算确定的,使其散热效果与LED芯片功率相匹配,所以本发明的散热效率高散热效果好。另外,可以根据使用需要集成不同数量的LED芯片,生产发光强度不同的多规格LED灯。与传统照明灯具相比,本发明结构紧凑、工艺简单、使用方便,特别是利用本发明装配灯具时,其中的光学透镜设计、发光角度、投射面积和光的均匀度更容易调整控制。
Claims (4)
1.一种大功率LED封装结构,包括陶瓷基板(6),陶瓷基板(6)上表面内嵌镀铜片(4),镀铜片(4)上安装LED芯片(1),其特征在于,所有LED芯片(1)的正极通过金线(2)连接到正导电极(3),所有LED芯片(1)的负极通过金线(2)连接到负导电极(7),所有LED芯片(1)和金线(2)位于一体化的灌封胶(5)内部成型为封闭基体,封闭基体位于陶瓷基板(6)上表面。
2.根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构,其特征在于,所有LED芯片(1)通过灌封胶(5)定位,固化在陶瓷基板(6)的镀铜片(4)上。
3.根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构,其特征在于,所述正导电极(3)和负导电极(7)采用铜基镀银材料制作。
4.根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构,其特征在于,所有LED芯片(1)呈多行多列均匀分布。
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