JPH0511718A - 発光装置 - Google Patents
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- JPH0511718A JPH0511718A JP3189374A JP18937491A JPH0511718A JP H0511718 A JPH0511718 A JP H0511718A JP 3189374 A JP3189374 A JP 3189374A JP 18937491 A JP18937491 A JP 18937491A JP H0511718 A JPH0511718 A JP H0511718A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F13/00—Illuminated signs; Luminous advertising
- G09F13/20—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts
- G09F13/22—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts electroluminescent
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光ダイオードを高集積度に設置でき、指向
性に優れて広い範囲にわたり高輝度域を形成でき、小型
化が容易な発光装置を得ること。 【構成】 多数の凹部（１１）を有する絶縁金属基板
（１）の各凹部に複数の発光ダイオード（３）を設置し
てなり、前記凹部の側壁面が光を反射するように形成さ
れている（２）発光装置。 【効果】 異色発光の発光ダイオードを至近距離に設置
できて光源の渾然一体性に優れ、混合色の均一性に優れ
る発光装置が得られる。また放熱性に優れて温度上昇に
よる輝度低下を生じにくい。
性に優れて広い範囲にわたり高輝度域を形成でき、小型
化が容易な発光装置を得ること。 【構成】 多数の凹部（１１）を有する絶縁金属基板
（１）の各凹部に複数の発光ダイオード（３）を設置し
てなり、前記凹部の側壁面が光を反射するように形成さ
れている（２）発光装置。 【効果】 異色発光の発光ダイオードを至近距離に設置
できて光源の渾然一体性に優れ、混合色の均一性に優れ
る発光装置が得られる。また放熱性に優れて温度上昇に
よる輝度低下を生じにくい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁金属基板に設けた
多数の凹部に複数の発光ダイオードを設置してなり、表
示装置や照明装置等の形成に好適なヒートシンク型の発
光装置に関する。
多数の凹部に複数の発光ダイオードを設置してなり、表
示装置や照明装置等の形成に好適なヒートシンク型の発
光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多数の凹部を有する絶縁金属基板
の各凹部に１個の発光ダイオードを設置してなる凹部側
壁反射型の照明装置が知られていた。しかしながら、高
輝度化に伴い面積が大判化する問題点、凹部側壁での反
射による高輝度を維持しつつ、指向性を広くすることが
困難な問題点があつた。また発光色を混合して色調を変
化させることも困難な問題点があった。
の各凹部に１個の発光ダイオードを設置してなる凹部側
壁反射型の照明装置が知られていた。しかしながら、高
輝度化に伴い面積が大判化する問題点、凹部側壁での反
射による高輝度を維持しつつ、指向性を広くすることが
困難な問題点があつた。また発光色を混合して色調を変
化させることも困難な問題点があった。
【０００３】一方、樹脂モールド型のＬＥＤランプをガ
ラス・エポキシ基板に配列してなる屋外用の発光装置も
知られていた。しかしながら、蓄熱によるＬＥＤランプ
の破壊問題から集積化の制約が大きく、小型で高輝度の
ものを得ることが困難な問題点があつた。また複数の発
光色を混合して色調を変化させた場合に、光源が渾然一
体化した状態に見える距離が遠く、至近距離では複数の
光源として認識される問題点もあった。
ラス・エポキシ基板に配列してなる屋外用の発光装置も
知られていた。しかしながら、蓄熱によるＬＥＤランプ
の破壊問題から集積化の制約が大きく、小型で高輝度の
ものを得ることが困難な問題点があつた。また複数の発
光色を混合して色調を変化させた場合に、光源が渾然一
体化した状態に見える距離が遠く、至近距離では複数の
光源として認識される問題点もあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、小型でも高
輝度を達成でき、発光色を混合して容易に色調変化させ
ることができて光源の渾然一体性に優れ、指向性に優れ
る発光装置を得ることを課題とする。
輝度を達成でき、発光色を混合して容易に色調変化させ
ることができて光源の渾然一体性に優れ、指向性に優れ
る発光装置を得ることを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、多数の凹部を
有する絶縁金属基板の各凹部に複数の発光ダイオードを
設置してなり、前記凹部の側壁面が光を反射するように
形成されていることを特徴とする発光装置を提供するも
のである。
有する絶縁金属基板の各凹部に複数の発光ダイオードを
設置してなり、前記凹部の側壁面が光を反射するように
形成されていることを特徴とする発光装置を提供するも
のである。
【０００６】
【作用】多数の凹部を有する絶縁金属基板の各凹部に複
数の発光ダイオードを設置する方式とすることにより、
絶縁金属基板のヒートシンク性も手伝って発光ダイオー
ドを高集積度、ないし高密度に配置できて小型化や高輝
度化をはかることができる。ちなみにヒートシンク性
（放熱性）について、図６にＡl基板を用いたもの（図
２の如くレンズ板を装着したもの）と、樹脂モールド型
のＬＥＤランプにおけるパルスを印加した場合の過渡熱
抵抗曲線を示した。横軸がパルス時間ＰＴ（sec）、縦
軸が熱抵抗θｔｈ（℃／Ｗ）である。測定条件は、電
流：Ｉj＝５０mA、電圧：Ｖj＝２.２Ｖ、電力：Ｐ＝０.
１１Ｗ、Ａl基板の凹部内、及びＬＥＤランプの樹脂モ
ールド内のＬＥＤチップ：ＧaＡsＰ（λｐ＝６３０nm）
赤色ＬＥＤ２個である。図示のグラフより明らかなごと
く、Ａl基板を用いたものでは熱抵抗θｔｈが２６０℃
／Ｗで、ジャンクション温度上昇△Ｔjが２９℃であ
り、樹脂モールド型のＬＥＤランプでは熱抵抗θｔｈが
３９５℃／Ｗで、ジャンクション温度上昇△Ｔjが４３
℃であり、Ａl基板を用いたものの方がジャンクション
部での温度上昇が１４℃も低くて、良好なヒートシンク
性を示す。
数の発光ダイオードを設置する方式とすることにより、
絶縁金属基板のヒートシンク性も手伝って発光ダイオー
ドを高集積度、ないし高密度に配置できて小型化や高輝
度化をはかることができる。ちなみにヒートシンク性
（放熱性）について、図６にＡl基板を用いたもの（図
２の如くレンズ板を装着したもの）と、樹脂モールド型
のＬＥＤランプにおけるパルスを印加した場合の過渡熱
抵抗曲線を示した。横軸がパルス時間ＰＴ（sec）、縦
軸が熱抵抗θｔｈ（℃／Ｗ）である。測定条件は、電
流：Ｉj＝５０mA、電圧：Ｖj＝２.２Ｖ、電力：Ｐ＝０.
１１Ｗ、Ａl基板の凹部内、及びＬＥＤランプの樹脂モ
ールド内のＬＥＤチップ：ＧaＡsＰ（λｐ＝６３０nm）
赤色ＬＥＤ２個である。図示のグラフより明らかなごと
く、Ａl基板を用いたものでは熱抵抗θｔｈが２６０℃
／Ｗで、ジャンクション温度上昇△Ｔjが２９℃であ
り、樹脂モールド型のＬＥＤランプでは熱抵抗θｔｈが
３９５℃／Ｗで、ジャンクション温度上昇△Ｔjが４３
℃であり、Ａl基板を用いたものの方がジャンクション
部での温度上昇が１４℃も低くて、良好なヒートシンク
性を示す。
【０００７】また、発光色を混合する場合にも複数の発
光源を小さい領域に配置でき、光源の渾然一体性を向上
させることができる。さらに、凹部側壁による反射によ
り指向性を容易に高めることができ、絶縁金属基板の前
面にレンズ板を配置することにより指向性をさらに高め
ることができる。
光源を小さい領域に配置でき、光源の渾然一体性を向上
させることができる。さらに、凹部側壁による反射によ
り指向性を容易に高めることができ、絶縁金属基板の前
面にレンズ板を配置することにより指向性をさらに高め
ることができる。
【０００８】
【実施例】図１、図３、図４に本発明のそれぞれ他の発
光装置を例示した。図１のＢは、図１のＡにおける凹部
１１部分の拡大図、図２はその側面の拡大断面図（拡大
率は相違する）、図５は図４に示したものの側面の拡大
断面図（拡大率は相違する）である。図中、１が絶縁金
属基板、３，３１，３２が発光ダイオードである。ま
た、１１，１４が絶縁金属基板に設けた凹部、２，２
１，２２，２３が凹部の側壁における反射板を兼ねる裏
面電極層である。なお、４，４１，４２，４３，４４，
４５はリード電極、５はワイヤボンディング、７はレン
ズ板である。
光装置を例示した。図１のＢは、図１のＡにおける凹部
１１部分の拡大図、図２はその側面の拡大断面図（拡大
率は相違する）、図５は図４に示したものの側面の拡大
断面図（拡大率は相違する）である。図中、１が絶縁金
属基板、３，３１，３２が発光ダイオードである。ま
た、１１，１４が絶縁金属基板に設けた凹部、２，２
１，２２，２３が凹部の側壁における反射板を兼ねる裏
面電極層である。なお、４，４１，４２，４３，４４，
４５はリード電極、５はワイヤボンディング、７はレン
ズ板である。
【０００９】図２に例示の如く絶縁金属基板１として
は、金属基板１２の上に絶縁層１３を設けたものが用い
られる。金属基板には、例えばアルミニウ、銅、鉄、ス
テンレス、ニッケルなどの適宜な金属からなるものが用
いられる。金属基板の厚さは任意であるが、一般には５
mm以下とされ、凹部の絞り加工等による加工性の点より
は２mm以下が好ましい。
は、金属基板１２の上に絶縁層１３を設けたものが用い
られる。金属基板には、例えばアルミニウ、銅、鉄、ス
テンレス、ニッケルなどの適宜な金属からなるものが用
いられる。金属基板の厚さは任意であるが、一般には５
mm以下とされ、凹部の絞り加工等による加工性の点より
は２mm以下が好ましい。
【００１０】絶縁層は、例えば絶縁性材料を塗布する方
式や、そのフィルムを接着する方式などの適宜な方式で
形成してよい。絶縁性材料としても例えば、エポキシ樹
脂、ガラス繊維入りエポキシ樹脂、ポリエチレン、架橋
ポリエチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステル、ポリウレタンなどの適宜なものを用いることが
できる。
式や、そのフィルムを接着する方式などの適宜な方式で
形成してよい。絶縁性材料としても例えば、エポキシ樹
脂、ガラス繊維入りエポキシ樹脂、ポリエチレン、架橋
ポリエチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステル、ポリウレタンなどの適宜なものを用いることが
できる。
【００１１】絶縁金属基板は必要に応じ、端辺の折り曲
げ加工等により断面コ字形等の耐捩じれ構造などとされ
る。断面コ字形構造は、その折り曲げ辺を電源との接続
回路の付設辺等として利用できて、発光ダイオードを設
けた部分の占有割合が大きい面を形成できる利点なども
ある。
げ加工等により断面コ字形等の耐捩じれ構造などとされ
る。断面コ字形構造は、その折り曲げ辺を電源との接続
回路の付設辺等として利用できて、発光ダイオードを設
けた部分の占有割合が大きい面を形成できる利点なども
ある。
【００１２】図１のＡに例示の如く絶縁金属基板１に
は、例えば絞り加工方式などにより、多数の凹部１１が
形成される。凹部は、複数の発光ダイオードが設置でき
る大きさとされる。
は、例えば絞り加工方式などにより、多数の凹部１１が
形成される。凹部は、複数の発光ダイオードが設置でき
る大きさとされる。
【００１３】凹部の形態は任意である。一般に形成され
る凹部の平面形態は、図１のＢや図３に例示の如く、２
個の発光ダイオードを設置する場合には楕円形の凹部１
１、４個の発光ダイオードを設置する場合には角部を円
形化した正方形の凹部１４などである。
る凹部の平面形態は、図１のＢや図３に例示の如く、２
個の発光ダイオードを設置する場合には楕円形の凹部１
１、４個の発光ダイオードを設置する場合には角部を円
形化した正方形の凹部１４などである。
【００１４】凹部の好ましい断面形態は、一定面積内に
多数の発光ダイオードを設置して集積度を上げたり、あ
るいは反射光率の向上や、発光ダイオードの取付け作業
性の向上などの点より、図２に例示の如く平坦な底部を
有する断面逆台形状の形態である。なお、反射効率の点
より凹部の側壁面の傾斜角度は、３０〜６５度が好まし
い。ただし、底部から側壁面に変化する部分、及び側壁
面から絶縁金属基板の上面に変化する部分は、曲線化さ
せて絶縁層の剥離等を予防することが好ましい。凹部の
側壁部に段差を設けてステップを有する構造とし、リー
ド電極がそのステップ上を通るようにしてワイヤボンデ
ィング等を凹部内で接続して保護してもよい。
多数の発光ダイオードを設置して集積度を上げたり、あ
るいは反射光率の向上や、発光ダイオードの取付け作業
性の向上などの点より、図２に例示の如く平坦な底部を
有する断面逆台形状の形態である。なお、反射効率の点
より凹部の側壁面の傾斜角度は、３０〜６５度が好まし
い。ただし、底部から側壁面に変化する部分、及び側壁
面から絶縁金属基板の上面に変化する部分は、曲線化さ
せて絶縁層の剥離等を予防することが好ましい。凹部の
側壁部に段差を設けてステップを有する構造とし、リー
ド電極がそのステップ上を通るようにしてワイヤボンデ
ィング等を凹部内で接続して保護してもよい。
【００１５】凹部の形成は、例えば掘削方式や化学エッ
チングなど、適宜な方式で行ってよい。成形型を介して
絶縁金属基板をプレス加工する方式等の絞り加工方式が
多数の凹部を画一的に能率よく形成できて好ましい。
チングなど、適宜な方式で行ってよい。成形型を介して
絶縁金属基板をプレス加工する方式等の絞り加工方式が
多数の凹部を画一的に能率よく形成できて好ましい。
【００１６】本発明においては、発光ダイオードが発し
た光を効率よく利用するため、凹部はその側壁面が光を
反射するように形成される。図例では、図２、図５に示
した如く、アルミニウ、銅、金、ニッケル等の適宜な導
電性金属からなる裏面電極層２（２１，２２，２３）が
反射板を兼ねて、凹部１１（１４）の側壁面及び底面で
光が反射するようになっている。
た光を効率よく利用するため、凹部はその側壁面が光を
反射するように形成される。図例では、図２、図５に示
した如く、アルミニウ、銅、金、ニッケル等の適宜な導
電性金属からなる裏面電極層２（２１，２２，２３）が
反射板を兼ねて、凹部１１（１４）の側壁面及び底面で
光が反射するようになっている。
【００１７】凹部への反射板を兼ねる裏面電極層の付設
は、例えば絶縁層の上に金属箔を接着後、それをパター
ンエッチング方式等で処理して不要部分を除去し、所定
の裏面電極パターンを形成した後、その部分に絞り加工
等により凹部を形成する方法などにより行うことができ
る。かかるパターンエッチング方式によれば、図示した
如き裏面電極層２（２１，２２，２３）の形成と、リー
ド電極４，４１（４２，４３，４４，４５）の形成を同
時に行うことができる利点がある。
は、例えば絶縁層の上に金属箔を接着後、それをパター
ンエッチング方式等で処理して不要部分を除去し、所定
の裏面電極パターンを形成した後、その部分に絞り加工
等により凹部を形成する方法などにより行うことができ
る。かかるパターンエッチング方式によれば、図示した
如き裏面電極層２（２１，２２，２３）の形成と、リー
ド電極４，４１（４２，４３，４４，４５）の形成を同
時に行うことができる利点がある。
【００１８】凹部の側壁面における光の反射は、前記の
裏面電極層による方法のほか、例えば発光ダイオードを
設置した裏面電極層の上に反射層を設ける方法など、適
宜な方法で行ってよい。裏面電極層の上に反射層を設け
る方法は、絶縁層の形成材料や裏面電極層のパターンを
幅広く選択できる利点がある。ちなみに、ポリイミドか
らなる絶縁層とすることにより、耐熱性や耐電圧強度に
優れるものとすることができ、通常の接着剤による各種
の金属基板への接着処理も容易に行うことができる。
裏面電極層による方法のほか、例えば発光ダイオードを
設置した裏面電極層の上に反射層を設ける方法など、適
宜な方法で行ってよい。裏面電極層の上に反射層を設け
る方法は、絶縁層の形成材料や裏面電極層のパターンを
幅広く選択できる利点がある。ちなみに、ポリイミドか
らなる絶縁層とすることにより、耐熱性や耐電圧強度に
優れるものとすることができ、通常の接着剤による各種
の金属基板への接着処理も容易に行うことができる。
【００１９】裏面電極層上への反射層の付設は例えば、
発光ダイオード面には反射層が形成されないよう、裏面
電極層の上に光反射性のワニス、ペイント、白色レジス
ト等を塗布する方式や、金属蒸着膜を付設する方式など
の適宜な方式で行うことができる。凹部側壁等における
光の反射面には、必要に応じ光沢研磨や、ニッケル、ク
ロム、金などによる光沢メッキを付与してもよい。
発光ダイオード面には反射層が形成されないよう、裏面
電極層の上に光反射性のワニス、ペイント、白色レジス
ト等を塗布する方式や、金属蒸着膜を付設する方式など
の適宜な方式で行うことができる。凹部側壁等における
光の反射面には、必要に応じ光沢研磨や、ニッケル、ク
ロム、金などによる光沢メッキを付与してもよい。
【００２０】なお絶縁金属基板の上に、その凹部に対応
してパラボラ状、円錐状、シリンダ状等の孔を有する補
助反射板を付加して、凹部の深さ増大と等価の効果を発
生させて光の取出し効率や、指向性などを高めることも
できる。
してパラボラ状、円錐状、シリンダ状等の孔を有する補
助反射板を付加して、凹部の深さ増大と等価の効果を発
生させて光の取出し効率や、指向性などを高めることも
できる。
【００２１】図１のＡに例示の如く絶縁金属基板におけ
る各凹部には複数の発光ダイオードが設置される。各凹
部に設置する発光ダイオードの個数は２個以上の任意数
であり、凹部の大きさなどにより適宜に決定してよい。
一般には、１０個以下とされる。
る各凹部には複数の発光ダイオードが設置される。各凹
部に設置する発光ダイオードの個数は２個以上の任意数
であり、凹部の大きさなどにより適宜に決定してよい。
一般には、１０個以下とされる。
【００２２】凹部に設置する発光ダイオードの組合せも
任意である。図１ないし図２の実施例においては、２個
の同じ発光ダイオード３が設置されている。図３の実施
例においては、４個の同じ発光ダイオード３が設置され
ている。図４ないし図５の実施例においては、異色に発
光する発光ダイオードの２個の組合せ３１，３２で設置
されている。ちなみに、赤と緑に発光する発光ダイオー
ドの組合せで、各発光色が混合してオレンジ色に色調を
変化させることができる。異色発光の２個の発光ダイオ
ードの組合せで発光装置の全体において均整のとれた混
合発光色を得るには、上下及び左右の両方向において異
色発光の２個の発光ダイオードを交互に配置することが
好ましい。
任意である。図１ないし図２の実施例においては、２個
の同じ発光ダイオード３が設置されている。図３の実施
例においては、４個の同じ発光ダイオード３が設置され
ている。図４ないし図５の実施例においては、異色に発
光する発光ダイオードの２個の組合せ３１，３２で設置
されている。ちなみに、赤と緑に発光する発光ダイオー
ドの組合せで、各発光色が混合してオレンジ色に色調を
変化させることができる。異色発光の２個の発光ダイオ
ードの組合せで発光装置の全体において均整のとれた混
合発光色を得るには、上下及び左右の両方向において異
色発光の２個の発光ダイオードを交互に配置することが
好ましい。
【００２３】裏面電極層に対する発光ダイオードの固定
は、例えば導電性接着剤などにより行うことができる。
図１のＢに例示の如く、凹部１１に設置された発光ダイ
オード３は、ワイヤボンディング５などを介してリード
電極４，４１と接続され、各発光ダイオード３に対して
通電可能とされる。ワイヤボンディングによる接続で
は、ボンディング箇所に金属メッキ等を施すことが好ま
しい。通電回路には例えば図１のＡに例示の如く、抵抗
６を設けて印加電圧の変動を抑制することが発光輝度の
安定化に有利である。
は、例えば導電性接着剤などにより行うことができる。
図１のＢに例示の如く、凹部１１に設置された発光ダイ
オード３は、ワイヤボンディング５などを介してリード
電極４，４１と接続され、各発光ダイオード３に対して
通電可能とされる。ワイヤボンディングによる接続で
は、ボンディング箇所に金属メッキ等を施すことが好ま
しい。通電回路には例えば図１のＡに例示の如く、抵抗
６を設けて印加電圧の変動を抑制することが発光輝度の
安定化に有利である。
【００２４】図３の実施例では前記のリード電極４１に
代わるリード電極４２とリード電極４３を介して各発光
ダイオード３に対して通電可能とされる。図４の実施例
では前記のリード電極４１に代わるリード電極４４とリ
ード電極４５を介して、各発光ダイオード３１，３２に
対して通電可能とされる。なお、図４の実施例では裏面
電極層２２と裏面電極層２３は不連続に形成されて絶縁
状態とされており、リード電極４４とリード電極４５を
介して、発光ダイオード３１の系列と、発光ダイオード
３２の系列に対し、その発光ダイオードの相違に応じた
電圧を印加できるようになっている。
代わるリード電極４２とリード電極４３を介して各発光
ダイオード３に対して通電可能とされる。図４の実施例
では前記のリード電極４１に代わるリード電極４４とリ
ード電極４５を介して、各発光ダイオード３１，３２に
対して通電可能とされる。なお、図４の実施例では裏面
電極層２２と裏面電極層２３は不連続に形成されて絶縁
状態とされており、リード電極４４とリード電極４５を
介して、発光ダイオード３１の系列と、発光ダイオード
３２の系列に対し、その発光ダイオードの相違に応じた
電圧を印加できるようになっている。
【００２５】通電可能とされた発光ダイオードに対して
は必要に応じ、透明なカバー層が設けられる（図示せ
ず）。カバー層はワイヤボンディングを含む状態、ある
いは絶縁金属基板の全面に設けてもよい。カバー層の形
成には、例えばポリカーボネート、シリコン樹脂、エポ
キシ樹脂、アクリル樹脂などの光透過性に優れるポリマ
ーが好ましく用いられる。
は必要に応じ、透明なカバー層が設けられる（図示せ
ず）。カバー層はワイヤボンディングを含む状態、ある
いは絶縁金属基板の全面に設けてもよい。カバー層の形
成には、例えばポリカーボネート、シリコン樹脂、エポ
キシ樹脂、アクリル樹脂などの光透過性に優れるポリマ
ーが好ましく用いられる。
【００２６】図２に例示の如く、本発明においては必要
に応じ発光ダイオードを設置した絶縁金属基板の前面に
レンズ板７が配置される。レンズ板は、絶縁金属基板の
各凹部に対応させて多数のレンズ部を形成したものであ
る。レンズ板の配置は、図２に矢印で例示した如く光の
指向性の向上に有効であり、その各レンズ部の形態は適
宜に決定してよい。広指向性の点よりは、一般に例えば
非球面レンズ系などのレンズ部とすることが好ましい。
に応じ発光ダイオードを設置した絶縁金属基板の前面に
レンズ板７が配置される。レンズ板は、絶縁金属基板の
各凹部に対応させて多数のレンズ部を形成したものであ
る。レンズ板の配置は、図２に矢印で例示した如く光の
指向性の向上に有効であり、その各レンズ部の形態は適
宜に決定してよい。広指向性の点よりは、一般に例えば
非球面レンズ系などのレンズ部とすることが好ましい。
【００２７】レンズ板は、ガラスや光透過性ポリマーな
どの適宜な材料で形成することができる。光透過性ポリ
マーとしては、例えばポリカーボネート、アクリル樹
脂、ポリアミド、ポリクロロトリフルオロエチレン、エ
チレンテトラフルオロエチレン共重合体、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、４−メチルペンテン−１、ＣＲ
３９ポリマー、シリコンポリマー、フッ化エチレンプロ
ピレン共重合体、ポリエステルなどが一般に用いられ
る。
どの適宜な材料で形成することができる。光透過性ポリ
マーとしては、例えばポリカーボネート、アクリル樹
脂、ポリアミド、ポリクロロトリフルオロエチレン、エ
チレンテトラフルオロエチレン共重合体、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、４−メチルペンテン−１、ＣＲ
３９ポリマー、シリコンポリマー、フッ化エチレンプロ
ピレン共重合体、ポリエステルなどが一般に用いられ
る。
【００２８】本発明の発光装置は、看板等の発光表示装
置、車載用のストップランプやヘッドランプ、壁面埋設
型ライト等の照明装置など、発光を利用する種々の装置
の形成に用いることができる。
置、車載用のストップランプやヘッドランプ、壁面埋設
型ライト等の照明装置など、発光を利用する種々の装置
の形成に用いることができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、発光ダイオードを高集
積度に設置でき、異色発光の発光ダイオードを至近距離
に設置できて光源の渾然一体性に優れ、混合色の均一性
に優れる発光装置を得ることができる。また、指向性に
優れて広い範囲にわたり高輝度域を形成する小型の発光
装置を得ることができる。さらに、放熱性に優れて温度
上昇による輝度低下を生じにくい。
積度に設置でき、異色発光の発光ダイオードを至近距離
に設置できて光源の渾然一体性に優れ、混合色の均一性
に優れる発光装置を得ることができる。また、指向性に
優れて広い範囲にわたり高輝度域を形成する小型の発光
装置を得ることができる。さらに、放熱性に優れて温度
上昇による輝度低下を生じにくい。
【図１】図１のＡは実施例の正面図、図１のＢはその凹
部部分の拡大図である。
部部分の拡大図である。
【図２】図１のＢに示した部分を含む倍率相違の側面拡
大断面図である。
大断面図である。
【図３】他の実施例の凹部部分の拡大図である。
【図４】さらに他の実施例の凹部部分の拡大図である。
【図５】図４に示した部分の倍率相違の側面拡大断面図
である。
である。
【図６】過渡熱抵抗の変化を示したグラフである。
１：絶縁金属基板
１１，１４：凹部
２，２１，２２，２３：反射板を兼ねる裏面電極層
３，３１，３２：発光ダイオード
７：レンズ板
Claims (3)
- 【請求項１】 多数の凹部を有する絶縁金属基板の各凹
部に複数の発光ダイオードを設置してなり、前記凹部の
側壁面が光を反射するように形成されていることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項２】 凹部に設置した複数の発光ダイオードが
異色発光体、又は同色発光体の組合せからなる請求項１
に記載の発光装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の、凹部に発光ダ
イオードを設置した絶縁金属基板の前面にレンズ板を配
置してなることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3189374A JPH0511718A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3189374A JPH0511718A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511718A true JPH0511718A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16240251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3189374A Pending JPH0511718A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511718A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06301350A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄランプの指向性制御方法及び光空間伝送装置 |
| EP1059667A2 (en) * | 1999-06-09 | 2000-12-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device |
| JP2001044512A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
| JP2001057446A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
| JP2002510846A (ja) * | 1998-04-08 | 2002-04-09 | テレダイン・ライティング・アンド・ディスプレイ・プロダクツ・インコーポレーテッド | 非放射ディスプレイ用照明装置 |
| JP2004259841A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Noritsu Koki Co Ltd | Ｌｅｄ光源装置 |
| JP2007005003A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Du Pont Toray Co Ltd | Ｌｅｄ照明装置 |
| JP2007179967A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置 |
| KR100822363B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2008-04-17 | 주식회사 이노렉스테크놀러지 | 크롬 도금층을 갖는 자동차의 스탑 램프용 엘이디 기판의 제조방법 |
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| JP2013141002A (ja) * | 2013-02-18 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | Ｌｅｄ光源及び液晶表示装置 |
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| KR20170098714A (ko) * | 2016-02-22 | 2017-08-30 | 발레오 비젼 | 광원의 서브매트릭스를 구비하는 광빔 투사 장치 및 이러한 장치를 구비한 헤드라이트 모듈 |
| JP2020523788A (ja) * | 2017-06-07 | 2020-08-06 | フルエンス・バイオエンジニアリング・インコーポレイテッドＦｌｕｅｎｃｅ Ｂｉｏｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｉｎｃ． | 照明器具のためのシステム及び方法 |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP3189374A patent/JPH0511718A/ja active Pending
Cited By (20)
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