KR20050113200A - 복합 백색 광원 및 그 제조 방법 - Google Patents

복합 백색 광원 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20050113200A
KR20050113200A KR1020057015844A KR20057015844A KR20050113200A KR 20050113200 A KR20050113200 A KR 20050113200A KR 1020057015844 A KR1020057015844 A KR 1020057015844A KR 20057015844 A KR20057015844 A KR 20057015844A KR 20050113200 A KR20050113200 A KR 20050113200A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light source
light emitter
submount
region
Prior art date
Application number
KR1020057015844A
Other languages
English (en)
Inventor
제임스 이벳슨
에릭 타르사
Original Assignee
크리, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 크리, 인코포레이티드 filed Critical 크리, 인코포레이티드
Publication of KR20050113200A publication Critical patent/KR20050113200A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

발광기는 광원과, 변환 입자가 구비되어 있는 개별적으로 형성된 변환 물질 영역을 포함한다. 광원은 광의 적어도 일부가 변환 입자에 의해 흡수될 수 있는 변환 물질 영역을 통해 연장하는 복수 개의 광 경로를 따라 광을 방출할 수 있다. 광원에서 나온 광과 변환 입자로부터 재방출된 광은 소망하는 칼라의 광을 제공하도록 조합된다. 각각의 광 경로는 실질적으로 유사한 양의 변환 입자를 통해 연장하기 때문에, 소망하는 칼라의 광은 각각의 광 경로를 따라 실질적으로 균일한 칼라와 강도를 지닌다.

Description

복합 백색 광원 및 그 제조 방법{COMPOSITE WHITE LIGHT SOURCE AND METHOD FOR FABRICATING}
본 발명은 발광기(light emitter)에 관한 것으로, 보다 구체적으로 말하면 발광된 광의 적어도 일부의 파장이 변환 물질 영역(conversion material region)에 의해 또 다른 파장으로 변환되는 발광기에 관한 것이다.
발광 다이오드(LEDs)는 전기 에너지를 광 에너지로 변환시키면서 주로 2개의 대향하는 도핑층 사이에서 샌드위치 모양으로 사이에 끼워진 반도체 물질의 활성층을 포함하는 주요한 부류의 고체 소자(solid-state device)이다. 도핑층을 가로질러 바이어스가 인가되면, 정공과 전자는 활성층으로 주입되고 이 활성층에서 광을 생성하도록 재결합한다. 광은 통상적으로 활성층에서 그리고 LED의 표면에서 전(全)방향성으로 발광한다.
조명용으로 사용되는 종래의 발광 다이오드가 지닌 문제점은 발광 다이오드의 활성층으로부터 백색광을 생성할 수 없다는 점이다. 단일의 청색 발광 LED로 하여금 백색광을 방출하도록 만들기 위한 하나의 방법으로는 그 LED를 황색의 인광체, 폴리머(polymer) 혹은 염료로 에워싸는 방법이 있다[Nichia Corp. 백색 LED, 부품 번호 NSPW300BS, NSPW312BS 등 참조; 또한 하이던(Hayden)에 허여된 제목 "인광체 LED 소자의 멀티플 엔캡슐레이션"의 미국 특허 제5,959,316호 참조]. 에워싸기 물질은 광의 적어도 일부의 파장을 하강 변환(downconvert)시켜 그 칼라를 바꾼다. 예컨대, 청색 발광 LED가 황색 인광체에 의해 에워싸일 경우, 청색광의 일부는 그 나머지의 광이 황색으로 하강 변환되는 동안 변화 없이 인광체를 통과하게 된다. 그러므로 LED는 청색 및 황색광 양자를 발광하고, 이들은 백색광을 형성하도록 결합된다.
변환 물질 영역에 의해 에워싸인 LED를 제조하기 위한 종래의 한 방법은 바이어스를 LED에 인가시키기 위해 필요로 하는 전기 연결 수단을 이용하여 컵 모양의 서브마운트(submount)에 LED를 장착하는 것이다. 시린지 메커니즘(syringe mechanism)은 변환 물질이 혼합되어 있는 광학적으로 깨끗하고 경화성 물질(예컨대, 에폭시, 실리콘, 솔 겔 등)로 충전되는데, 여기서 변환 물질은 통상적으로 인광체 입자(phosphor particlae)를 포함한다. 시린지 혼합물은 그 다음 서브마운트로 주입되어 LED를 피복하고 서브마운트를 부분적으로 충전시킨다. 깨끗한 물질이 먼저 컵으로 주입될 때, 변환 입자들은 일반적으로 상기 물질의 전체에 걸쳐 균일한 혼합/부유를 행하게 된다. 깨끗한 물질은 그 다음 경화되어 변환 물질 영역을 형성하고, 전체 어셈블리가 깨끗한 에폭시에 담기게 된다.
이러한 제조 방법의 단점 중 하나는 어떤 상황 하에서 변환 입자들이 경화된 상태로 불균일하게 분포될 수 있다는 점이다. 깨끗한 물질의 혼합물이 컵 속으로 주입된 후 그것이 경화하기 이전에 시간 지연(time delay)이 일어날 수 있다. 이러한 시간 지연 동안, 변환 입자들은 컵의 베이스를 향해 그리고 LED 위로 침전될 수 있기 때문에 변환 물질 영역 전체에 걸쳐 상이한 농도의 입자들이 존재하게 된다. 이러한 침전 문제는 경화 공정 동안 탈수되는 깨끗한 물질 내에서 더욱 심각해질 수 있고, 이는 변환 입자들을 더욱 빨리 침전시키게 만든다. 상기 침전된 변환 물질 영역은 상이한 각도로 보았을 때 발광기에서 나온 광이 상이한 칼라 및/또는 강도를 갖는 것으로 보이게 하는 결과를 초래할 수 있는데, 그 이유는 방출된 광이 상이한 양의 변환 물질과 부닥치기 때문이다.
상기 방법의 또 다른 단점은 시린지로부터의 광학적으로 깨끗한 물질의 주입이 각각의 발광기마다 변환 입자의 농도에 변화를 야기하여 발광기의 일관된 재현성을 저하시킬 수 있다는 것이다. 시린지가 충전될 때 깨끗한 물질의 혼합물로 주입된 발광기는 후에 변환 물질로 형성된 발광기보다 더 높은 농도의 변환 물질을 지닐 수 있도록 상기 변환 입자는 시린지에서 침전될 수 있다. 시린지로부터 컵으로 주사된 깨끗한 물질의 양은 또한 제어하기 어려울 수 있고, 상이한 양의 깨끗한 물질의 혼합물은 상이한 발광기에 침전될 수 있다. 이는 또한 상이한 발광기 내에 상이한 양의 변환 입자를 초래할 수 있다. 또한 상이한 LED 에서 나온 광이 상이한 양의 깨끗한 물질과 입자를 통과하도록 경화된 물질의 단부 표면 형상이 변할 수 있다. 이러한 문제점은 일관된 발광 특성을 갖는 발광기를 제조할 능력을 저하시킨다.
종래의 발광기 제조 방법의 또 다른 단점으로는 발광기가 요구되는 방출 표준을 충족시키지 못할 때 생기는 폐기물에 있다. 만약 발광기 혹은 변환 물질 영역 중 어느 하나에 결함이 있을 경우, 두 가지를 분리할 수 있는 실질적인 방법이 존재하지 않아서 전체 발광기를 버려야만 한다. 그러므로 LED는 양호한 데 반해 변환 물질 영역에 결합이 있을 경우 2개 모두를 사용할 수 없게 된다. 발광기 전체를 폐기함으로써 양호한 LED까지 과도하게 폐기시켜야 하기 때문에 전체 제조비를 추가로 증가시킬 것이다.
도 1은 LED와 서브마운트로부터 개별적으로 제조되어 있는 반구형 인광체 함유 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광기의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 2는 개별적인 조각들이 서로 접합되어 있는 도 1의 발광기의 단면도이다.
도 3은 돔형 인광체 함유 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광기의 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 4는 개별적인 조각들이 서로 접합되어 있는 도 3의 발광기의 단면도이다.
도 5는 돔형 인광체 함유 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광기의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 6은 개별적인 조각들이 서로 접합되어 있는 도 5의 발광기의 단면도이다.
도 7은 돔형 인광체 함유 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광기의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 8은 개별적인 조각들이 서로 접합되어 있는 도 7의 발광기의 단면도이다.
도 9는 인광체 함유층과 분산 입자로 이루어진 반구형 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광기의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 10은 개별적인 조각들이 서로 접합되어 있는 도 9의 발광기의 단면도이다.
도 11은 인광체 함유층을 지닌 일반적으로 반구형 렌즈를 구비하는 본 발명에 따른 발광기의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 12는 개별적인 조각들이 서로 접합되어 있는 도 11의 발광기의 단면도이다.
도 13은 인광체 장전 캡(phosphor loaded cap)을 구비하는 본 발명에 따른 발광기의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 14는 개별적인 조각들이 서로 접합되어 있는 도 13의 발광기의 단면도이다.
도 15는 천공된 인광체 장전 캡을 구비하는 본 발명에 따른 발광기의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 16은 개별적인 조각들이 서로 접합되어 있는 도 15의 발광기의 단면도이다.
도 17 및 도 18은 본 발명에 따른 발광기의 제조 방법을 도시하는 플로차트이다.
본 발명은 종래의 발광기 및 그 제조 방법의 단점을 해소한 개량된 LED계 발광기 및 그것의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 발광기의 일 실시예는 제1 광 스펙트럼을 방출하는 광원을 포함한다. 상기 광원으로부터 개별적으로 형성되는 동시에 변환 입자를 지닌 변환 물질 영역을 포함한다. 상기 변환 물질 영역은 광원에 근접하게 위치 설정되어 있기 때문에 광원에서 나온 광의 적어도 일부는 변환 물질 영역을 통과한다. 상기 변환 입자는 변환 물질 영역을 통과하여 제2 광 스펙트럼을 방출하는 광원에서 나온 광의 적어도 일부를 흡수한다.
본 발명에 따른 발광기의 또 다른 실시예는 제1 광 스펙트럼을 방출하는 광원과 상기 광원으로부터 개별적으로 형성된 변환 물질 영역을 포함한다. 변환 물질 영역은 광원에 근접하게 위치 설정되어 있고, 광원에 의해 방출된 광의 적어도 일부를 흡수하고 제2 광 스펙트럼으로 광을 재방출하도록 배열되어 있다. 발광기는 제1 및 제2 광 스펙트럼의 조합을 균일한 제3 광 스펙트럼으로 방출한다.
본 발명에 따른 발광기 제조 방법의 일 실시예는 광원을 제공하는 단계와, 변환 입자를 포함하는 개별적으로 형성된 변환 물질 영역을 제공하는 단계를 포함한다. 그 다음 변환 물질 영역을 광원에 근접하게 접합시킨다. 변환 물질 영역은 광원으로부터 상이한 각으로 방출된 광의 적어도 일부가 상기 변환 물질 영역과 실질적으로 동일한 양의 변환 입자를 통해 흐르도록 위치 설정된다.
본 발명의 전술한 및 다른 추가적인 특징 및 장점들은 당업자들이 첨부 도면을 참조하여 설명한 아래의 상세한 설명을 읽음으로써 명백해질 것이다.
도 1 및 도 2에는 본 발명에 따른 발광기(10)의 일 실시예가 도시되어 있다. 발광기(10)는 소정 범위의 각도를 통해 균일한 칼라 및/또는 강도의 광을 방출하고자 하는 디스플레이 시스템에 설치하는 것과 같은 다양한 응용에 사용될 수 있다. 상기 시스템은 단일의 발광기 혹은 발광기 어레이를 포함할 수 있으며, 본 명세서에서는 도시의 간략화와 설명을 용이하게 하기 위해 발광기 1개만이 도시되어 있다.
발광기(10)는 컵 모양의 서브마운트(14)의 표면(11) 상에 위치 설정된 광원(12)을 포함한다. 이 광원(12)은 공지의 접합 방법을 이용하여 상기 표면(11) 상에 장착될 수 있다. 상기 표면(11) 상에는 충전 물질(19)이 배치되어 있으며, 상기 충전 물질(19)은 컵 내의 체적을 채우도록 광원(12)을 에워싸고 있다. 인광체를 포함하는 반구형 렌즈(16)는 서브마운트(14)에 인접하게 위치 설정되어 있다. 상기 렌즈(16)는 전체에 걸쳐 분포된 변환 입자(22)를 포함하기 때문에 상기 렌즈(16)와 상기 입자(22)는 변환 물질 영역(21)을 형성한다. 상기 표면(11)은 관심 대상의 파장에서 반사성이 있기 때문에 광원(12)에 의해 방출된 광은 상기 표면(11)으로부터 반사되고 발광기(10)의 광 방출에 기여한다. 상기 변환 입자(22)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 렌즈(16) 내에 도트 형태로 표시되어 있고, 본 명세서에 도시된 나머지 도면에도 그렇게 표시되어 있다는 것에 주목해야 한다.
렌즈(16)의 표면(13)은 충전 물질(19)에 접합되어 서브마운트(14)에 대해 정위치에 유지된다. 따라서 상기 렌즈(16)는 광원(12)에 의해 방출된 광의 일부가 상기 렌즈(16)를 통해 상기 표면(13)에서 또 다른 표면(15)으로 통과하도록 위치 설정되어 있다. 그러나 충전 물질(19)은 선택 사항이며, 렌즈(16)가 서브마운트(14)의 표면(17)에 직접 접합되어도 좋다. 충전 물질(19)은 에폭시 혹은 서브 마운트(14)에 렌즈(16)를 접합시킬 수 있다는 다른 충전 물질을 포함할 수 있다. 상기 렌즈(16)와 충전 물질(19)은 관심 대상의 파장에 대해 투명한 물질을 포함할 수 있다. 상기 변환 입자(22)는 인광체, 현광 염료, 혹은 발광성 반도체 물질 등의 하나 또는 그 이상의 형광성 혹은 인광성 물질을 포함할 수 있다.
도시된 바와 같이, 광원(12)은 단일의 발광 다이오드(LED)를 포함한다. 그러나 광원(12)은 고체 레이저, 레이저 다이오드, 유기 발광 다이오드 등의 다른 발광기를 포함할 수 있다. 관심 대상의 소망하는 파장은 통상적으로 적외선에서 자외선 대역의 범위에 속하며, 그 범위 이외의 파장을 사용해도 좋다. 더욱이 광원(12)은 동일하거나 상이한 파장의 광을 방출하는 복합 광원을 포함할 수 있다.
종래의 LED 및 다른 발광기의 작동 및 제조와 관련한 상세 내용은 잘 알려져 있기 때문에 이하에서는 간략하게 설명될 것이다. 종래의 LED는 화학 증착법(CVD)에 의한 적절한 방법을 포함하는 공지의 방법에 의해 다수의 물질계로 제조될 수 있다. 다른 적한 방법으로는 분자선 에피텍셜 증착법(molecular beam epitaxy; MBE)과 금속 유기 화학 증착법(MOCVD)이 포함될 수 있다.
LED는 통상적으로 p형 혹은 n형 중 어느 하나로 도핑 처리되어 있는 2개의 대향하는 도핑층 사이에서 샌드위치 모양으로 사이에 끼워진 활성 영역을 포함한다. LED의 상층은 보통 p형이고 하층은 보통 n형이며, 상기 층들의 도전성을 역전시키더라도 LED는 또한 작동한다. p형 및 n형 층들은 각각 접점을 구비하고 이 접점 양단에 전기 신호가 인가될 수 있기 때문에, 광 방출이 일어나도록 전류가 활성 영역으로 공급된다.
서브마운트(14)는 발광용 전력을 공급하기 위한 전기 회로 등의 광원(12)에 결합된 전기 회로(도시 생략)를 포함할 수 있다. 이 서브마운트(14)는 또한 정전기 쇼크 등의 큰 전기 신호로부터 광원(12)을 보호하기 위한 부품 및 회로를 포함할 수 있다.
작동에 있어서, 광원(12)은 소망의 파장으로 광을 방출하며 여기서 방출된 광은 광원으로부터 직접으로 혹은 상기 표면(11)으로부터의 반사에 의해 간접적으로 렌즈(16)를 통과한다. 광원(12)에 의해 방출된 광의 일부는 렌즈(16)를 통과하고 변환 입자(22)에 의해 흡수된다.
흡수된 광의 일부는 흡수된 파장과 주로 상이한 하나 혹은 그 이상의 파장 스펙트럼으로 재방출되며, 재방출된 광은 통상적으로 흡수된 광보다 더 긴 파장을 지닌다. 방출된 광과 재방출된 광의 조합으로 인해 상기 발광기(10)는 원래의 방출 광에 대해 상이한 파장의 광을 방출하도록 해준다. 예컨대, 광원(12)은 청색광을 방출할 수 있고, 변환 입자(22)는 청색광의 일부를 흡수하여 그것을 황색광으로 변환시킬 수 있다. 그 다음 발광기(10)는 청색 및 황색광의 조합인 백색광을 방출한다. (Gd,Y)3(Al,Ga)5O12 : Ce계를 주성분으로 하는 인광체를 포함하는 변환 입자를 사용함으로써 광범위한 황색 스펙트럼의 방출이 이루어질 수 있다. 또 다른 예에 따르면, 변환 입자(22)는 녹색광을 재방출할 수 있으며, 적절한 녹색 발광 물질은 Sr:트리오글레이트(triogallate) 인광체이다. 또한 청색광을 흡수하고 광의 상이한 파장을 재방출하는 다른 변환 입자를 사용할 수 있다. 또한, 다른 변환 입자가 자외선 광을 흡수하고 상이한 파장에서는 광을 방출하는 입자와 같은 상이한 파장의 광을 흡수하고 상이한 파장으로 광을 재방출하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 방출된 광의 칼라와 강도가 광범위한 시야각 전체에 걸쳐 균일해지도록 변환 입자(22)를 렌즈(16) 전체에 걸쳐 균일하게 분포시키는 것이 바람직하다. 결과적으로, 렌즈(16)는 서브마운트(14)와 광원(12)으로부터 개별적으로 제조된다. 따라서 렌즈(16)를 형성하는 깨끗한 물질의 혼합물을 서브마운트(14)로 주입하는 대신에, 사출 성형 혹은 종래의 시린지 제조 공정 등의 공지의 방법을 이용하여 렌즈를 대량 생산하기 위한 물질을 사용할 수 있다. 서브마운트(14)와 광원(12)으로부터 개별적으로 렌즈(16)를 제조함으로써, 종래의 발광기 제조 방법과 관련되는 문제점을 극복한 여러 장점들이 실현된다.
상기 제조 공정에 의해 실현되는 하나의 장점은 종래 기술에 비해 덜 비싼 렌즈를 제공할 수 있다는 점이다. 상기 공정이 덜 비싼 이유 중 하나는 렌즈(16)를 서브마운트(14) 위로 접합하기 이전에 광원(12)을 테스트할 수 있기 때문에 발광기(10)의 성형에 있어서 발생되는 폐기물의 양을 줄일 수 있다는 데 있다. 만약 발광기(10)가 표준 이하의 발광 혹은 그 밖의 결함이 있을 경우, 광원(12)이나 렌즈(16)에 결함이 있다는 것으로 판단할 수 있다. 결함이 있는 부품을 폐기하거나 또는 새로운 부품으로 대체할 수 있다. 상기 교체 공정은 발광이 표준 이하일 경우 발광기 전체를 버려야 하는 종래의 제조 공정에서 초래되는 낭비를 막을 수 있다.
또 다른 장점으로는 상기 발광기를 보다 융통성을 발휘하는 제조 공정에 의해 형성할 수 있다는 데 있다. 예컨대, 서브마운트(14)와 광원(12)의 기하학적 모양이 서로 맞게 되도록 다른 렌즈들을 사용할 수 있다. 또한, 상이한 광의 조합을 생성하도록 상이한 형태의 변환 입자를 포함하는 렌즈를 사용함으로써 특정의 발광기(10)에 의해 발광된 칼라를 바꿀 수 있다. 렌즈를 바꾸는 작업은 렌즈의 상이한 공급을 간단히 교체시킴으로써 조립 라인에서 행해질 수 있다.
렌즈(16)를 성형하기 위해 광범위한 물질의 선택을 적용할 수 있기 때문에 제조 공정에 있어서의 융통성이 또한 달성된다. 예컨대, 종래의 실린지 방법으로 깨끗한 물질이 LED 상에 직접 주입되기 때문에, 상대적으로 낮은 융점/경화 온도를 지닌 물질만을 사용할 수 있다. 더 높은 온도의 융점을 지닌 물질을 사용할 경우, 광원(12) 혹은 서브마운트(14)는 깨끗한 물질의 혼합물과 접촉할 때 손상될 수 있다.
렌즈(16)는 광원(12)과 서브마운트(14)로부터 개별적으로 제조된 다음 전술한 바와 같이 서브마운트(14)에 접합된다. 그 결과, 종래의 실린지 공정에서 손상을 야기하였던 물질을 이제 사용할 수 있게 되었으며, 이들 물질 중 하나는 유리일 수 있다. 유리 등의 울퉁불퉁한 물질 내에서 변환 입자(22)를 에워쌈으로써, 이 입자와(22)와 바람직하지 못하게 반응하여 발광기(10)의 사용 가능한 수명을 줄이게 되는 주변의 분위기에 존재하는 오염물로부터 변환 입자(22)를 더욱 양호하게 보호하게 된다. 상기 렌즈(16)는 유리 이외에 예컨대, 에폭시 혹은 플라스틱 등의 다른 물질로 구성될 수 있으며, 본 발명은 전술한 물질로 구성된 특정의 렌즈만을 한정하는 것이 아니라는 것에 주목해야 한다.
상기 제조 공정은 또한 종래 제조 기술에 의한 것보다 더욱 균일한 칼라, 강도 및 온도를 지닌 상태로 광이 방출된다는 장점을 지닌다. 더 양호한 균질성을 얻을 수 있는 이유 중 하나는 렌즈들은 전체의 변환 물질 영역(21)에 걸쳐 실질적으로 균일하게 분포되어 있기 때문에 광원(12)으로부터 상이한 각도에서 방출된 광이 유사한 두께의 렌즈(16)를 통해, 나아가 실질적으로 유사한 양의 변환 입자(22)를 통해 통과하기 때문이다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 광 경로(1, 2, 3)들은 실질적으로 동일한 두께의 렌즈(16)를 통해 그리고 실질적으로 동일한 양의 변환 입자들을 통해 진행한다.
변환 입자(22)의 균일성은 렌즈(16)가 독립적으로 형성되어 있기 때문에 더 양호하게 제어된다. 상기 물질의 혼합물이 몰드로 주입되고 난 후 그 혼합물을 신속하게 경화시킴으로써 또는 경화 도중에 사출 몰드에 진동을 가함으로써 변환 입자(22)의 침전을 피할 수 있다.
또 다른 장점은 변환 물질 영역(21)이 일반적으로 광원(12)과 접촉하지 않기 때문에 광원(12)의 표면에서 혹은 그 형상에서의 변화가 발광기(10)의 성능에 지대한 영향을 끼치지 않는다는 데 있다. 더욱이 열은 변환 물질 영역(21)이 광원(12)에 너무 가까이 위치할 경우 변환 입자(22)를 손상시킬 수 있다.
도 3 및 도 4에는 본 발명에 따른 발광기(30)의 일 실시예가 도시되어 있다. 발광기(30)는 도 1 및 도 2에 도시된 부품들과 유사한 부품들을 포함하는 것에 주목해야 한다. 유사한 구성 요소들 간의 도면 부호는 동일하게 병기될 것이고, 전술한 발광기(10)와 관련한 설명은 상기 발광기(30) 및 이하에서 설명될 다른 실시예들에도 동일하게 적용될 것이다.
발광기(30)는 서브마운트(14)에 장착된 광원(12)을 포함한다. 충전 물질(19)은 광원(12)을 에워싸도록 표면(11) 상에 위치지만, 본 명세서에서는 도시의 간략화와 설명을 용이하게 하기 위해 그것을 고려하지 않기로 한다. 상기 발광기(30)는 표면(17)에 장착된 렌즈(36)를 포함한다. 이 렌즈(36)는 변환 입자(22)를 지닌 내층(38)과 외층(40)을 포함하며, 이들 층(38, 40)은 전반에 걸쳐 균일한 두께를 갖는 것이 바람직하다. 상기 렌즈(36)는 돔 형상이고 표면(17) 상에 위치하고 있기 때문에 광원(12)으로부터 방출된 광의 일부가 렌즈(36)를 통해 표면(33)에서 표면(35)으로 통과한다.
변환 입자(22)는 변환 물질 영역(21)의 전체에 걸쳐 분포되어 있다. 그러나 상기 변환 물질 영역(21)은 단지 렌즈(36)의 일부를 포함한다. 특히, 변환 입자(22)는 내층(38)의 전체에 걸쳐 분포되어 있고 외층(40)에는 분포되지 않는 것이 바람직하다. 따라서 내층(38)은 변환 입자(22)와 혼합된 깨끗한 물질을 포함할 수 있고, 외층(40)은 깨끗한 물질을 포함할 수 있다. 이러한 구조에 있어서, 광원(12)에서 상이한 각도로 방출된 광은 거의 동일한 두께의 렌즈(36)와 동일한 양의 변환 입자(22)를 통과한다(즉 광 경로(1, 2, 3)들은 동일함).
렌즈(36)를 돔 형상으로 형성함으로써, 광원(12)과 내층(38) 및 변환 입자(22) 사이에 내측 간격(42)이 유지될 수 있으며(도 4 참조), 이 간격(42)은 특정한 광원(12)과 서브마운트(14)에 대해 최적으로 되어 있다. 상기 간격(42)과 두께(44)의 최적의 값은 광원(12)과 서브마운트(14)의 타입과 치수에 따라 결정된다. 상기 간격(42)은 광원(12)이 변환 입자(22)에 손상을 입힐 수 있는 과도한 열을 발생하지 않고 더 높은 강도의 광을 제공하는 것을 허용하도록 선택된다. 이러한 열은 변환 물질 영역(21)이 광원(12)에 너무 가깝게 위치할 경우, 변환 입자(22)를 손상시킬 수 있다.
상기 간격(42)은 또한 발광기(30)의 광 효율에 영향을 미칠 수 있다. 광원(12)에서 나온 지향성 광이 내층(38)을 통과하여 광원(12)을 향해 다시 향하게 될 때, 지향성 광의 일부는 변환 입자(22)에 의해 흡수되어 전방향으로 재방출될 수 있다. 만약 상기 간격(42)이 너무 좁거나 변환 입자(22)가 광원(12) 상에 직접 위치 될 경우, 재방출된 광의 일부는 광원으로 다시 향하게 되어 광원(12)에 의해 흡수된다. 이러한 광의 흡수는 광원(12)의 온도를 증가시킬 수 있기 때문에 발광기(30) 전체의 광 효율을 감소시킬 수 있다. 상기 간격(42)이 너무 클 경우, 두께(44)는 변환 입자(22)에서 나온 광이 전체의 내부 반사에 의해 렌즈(36) 내에 갇히게 되는 점까지 줄어들 수 있으며, 이는 또한 발광기(30)의 전체 효율을 감소시킨다.
도 5 및 도 6에는 본 발명에 따른 발광기(50)가 도시되어 있으며, 이 발광기(50)는 평탄한 서브마운트(54)를 포함한다. 이 실시예에 있어서, 돔 형상의 렌즈(56)는 광원(12) 위로 배치되어 서브마운트(54)의 표면(51)에 장착되어 있으며, 광원(12)은 렌즈(56)의 내측면(53)과 서브마운트(54) 사이에 마련된 공간에 배치되어 있다(도 6 참조). 광원(12)과 내측면(53)은 변환 물질 영역(22)으로부터 재방출된 광의 광원(12)에 의한 흡수가 최소가 되도록 간격을 두고 떨어질 수 있다. 렌즈(56)는 이 렌즈(56)의 전체에 걸쳐 분포된 변환 입자를 포함하기 때문에 광원(12)에서 방출된 광이 렌즈(56)를 통과 할 때, 그것의 일부는 상기 변환 입자(22)에 의해 흡수되고 상이한 파장으로 재방출된다.
도 7 및 도 8에는 본 발명에 따른 또 다른 발광기(70)의 실시예가 도시되어 있다. 이 실시예에 있어서, 방출기(70)는 서브마운트(54)의 표면(51)에 장착된 돔 형상의 렌즈(76)를 포함한다. 상기 렌즈(76)는 변환 입자(22)와 혼합된 깨끗한 물질을 지닌 내층(78)과, 어떠한 변환 입자가 없는 것이 바람직한 깨끗한 물질을 지닌 외층(80)을 포함한다. 광은 광원(12)으로부터 렌즈(76)를 통해 표면(73)에서 표면(75)으로 통과한다.
도 3 및 도 4와 관련하여 전술한 바와 같이, 내측 간격(82)은 변환 입자(22)에서 광원(12)으로의 재방출된 광의 흡수를 최소화시키기 위해 광원(12)과 내층(78) 사이에서 선택된다. 상기 간격(82)과 두께(84)는 발광기(50)의 광 효율이 최적이 되도록 선택될 수 있는데, 여기서 광 효율은 재방출된 광의 흡수를 최소화시킴으로써 그리고 전술한 바와 같이 전체의 내부 반사를 줄임으로써 최적으로 된다.
도 9 및 도 10에는 본 발명에 따른 발광기(90)의 실시예가 도시되어 있으며, 이 발광기(90)는 서브마운트(14)의 표면(11)에 장착된 광원(12)을 포함한다. 이 실시예에 있어서, 반구형 렌즈(96)는 표면(17)에 장착되어 있으며, 여기서 렌즈(96)는 변환 입자(22)를 지닌 하층(98)을 포함한다. 그러나 상기 층(98)의 전체에 걸쳐 분포되어 있는 변환 입자(22)에 추가하여, 상기 층(98)은 또한 광의 일부의 방향을 고치기 위해 분산 입자(100)를 포함한다.
상기 층(98)에서 변환 입자(22)에 의해 흡수 및 재방출된 광의 일부는 화살표(99)로 도시된 바와 같이 층(98)을 따라 향하게 된다(도 10 참조). 이러한 재방출된 광은 표면(95)에서 멀어지는 방향으로 향할 수 있다. 따라서 분산 입자(100)가 상기 층(98)에 포함되는 이유 중 하나는 상기 표면(95)을 향하도록 광의 방향을 고쳐 발광기(90)의 발광 효율을 증가시키기 때문이다.
변환 입자(22)의 변환 및 분산 효율은 광의 파장과 변화 입자의 크기에 따라 좌우될 수 있다. 변환 물질 영역(21)은 입자(22)의 변환 효율이 이들의 크기가 감소함에 따라 감소하기 때문에 통상적으로 광을 효과적으로 분산시키지 않는다. 그 결과, 직경이 대략 1미크론 미만인 높은 변환 효율을 지닌 입자를 얻기가 어렵다. 광을 효과적으로 분산시키기 위해, 분산 입자(100)의 직경은 대략 분산될 광의 파장의 절반이 되어야 한다. 공기 중에서, 이것은 입자(100)의 직경이 약 0.2 내지 0.25 미크론이 되도록 하는 결과를 초래한다. 이러한 직경 범위는 자유 공간에서 보다 예컨대 에폭시 혹은 더 큰 굴절률을 지닌 다른 물질과 같은 상이한 매체에서 상기 입자에 대해 더 작게 된다. 그 결과 인광체 입자는 보통 너무 크기 때문에 광을 효과적으로 분산시키지 못한다.
도 11 및 도 12에는 본 발명에 따른 발광기(110)의 실시예가 도시되어 있으며, 여기서 발광기(110)는 서브마운트(114)의 표면에 장착된 광원(12)을 포함한다. 이 실시예에 있어서, 렌즈(116)는 서브마운트(114)의 표면(117) 상에 위치되며, 이 렌즈(116)는 변환 입자(22)를 포함하는 하층(118)을 구비한다. 광은 광원(12)으로부터 렌즈(116)를 통해 표면(103)에서 표면(105)으로 통과한다.
서브마운트(114)는 변환 입자(22)로부터 방출된 광을 표면(105)을 다시 향하도록 고치기 위해 배향되어 있는 표면(101)과 표면(115)을 포함한다. 따라서 하층(118)은 변환 입자(22)로부터 재방출된 광을 분산시키기 위해 전술한 분산 입자(100)와 유사한 분산 입자를 포함할 필요가 없다. 그러나 분산 입자(100)는 여전히 상기 하층(118)에 포함될 수 있지만 본 실시예에서는 도시의 간략화와 설명을 용이하게 하기 위해 생략한 것에 주목해야 한다.
상기 표면(101, 115)의 형상은 상기 하층(118)을 따라 향하는 광이 표면(101) 및/또는 표면(117)에 반사되고 하층(118)을 통해 표면(105)으로 지나는 광원(12)으로부터 방출된 광과 조합되도록 형성되어 있다. 상기 표면(101, 115)에서 반사된 광은 발광기(110)에 의해 방출된 광에 영향을 미칠 수 있다. 따라서 발광기(110)의 발광 효율은 서브마운트(114) 내에 표면(101, 115)을 포함시킴으로써 증가된다.
도 13 및 도 14에는 본 발명에 따른 발광기(130)의 실시예가 도시되어 있으며, 여기서 발광기(130)는 소정의 모양을 취할 수 있는 LED(152)를 포함한다. 이 실시예에 있어서, 발광기(130)는 이전의 실시예와 같은 서브마운트를 포함하지 않는다. 대신에, 발광기(130)는 LED(152)의 하측에 배열된 접점(134,135)를 포함한다. 따라서 LED(152)는 접점(134, 135)들이 마련되어 있는 금속 캡 내에 장착될 수 있으며, 상기 접점들은 LED(152)의 조명을 위한 전력을 공급하기 위해 상기 캡에서 바이어스 공급원에 전기적으로 연결되어 있다.
상기 발광기(130)는 렌즈를 구비하는 대신에 LED(152)와 동일한 기본 형상을 지니는 동시에 주로 일관된 두께를 지니는 것이 바람직한 인광체 장전 캡(136; phosphor loaded cap)을 포함한다. 상기 캡(136)은 전술한 렌즈의 구성 물질과 유사한 물질로 구성될 수 있으며, 전체에 걸쳐 분포된 변환 입자를 포함할 수 있다. 상기 캡(136)은 전술한 렌즈를 제조하는 방법과 동일한 방법에 의해 LED(152)과는 독립적으로 제조될 수 있으며, 그 방법 중 하나는 사출 성형법이 있다. 캡(136)은 에폭시 혹은 다른 유사한 물질을 이용하여 LED(152) 위의 정위치에 장착될 수 있다.
작동에 있어서, 상이한 각도에서 LED(152)에서 방출하는 광은 유사한 두께의 캡(136)을 통과할 것이며, 이에 따라 광은 상이한 각에서 보았을 때 발광기(130)가 동일한 칼라 및 광 강도를 제공하도록 허용해주는 유사한 량의 변환 입자(22)와 충돌하게 될 것이다.
도 15 및 도 16에는 본 발명에 따른 발광(150)의 실시예가 도시되어 있으며, 이 발광기(150)는 LED(152)와 인광체 장전 캡(154)을 포함한다. 그러나 이 실시예에 있어서 LED(152)는 2개의 하측 접점을 포함하는 대신에 하나의 하측 접점(156)과 하나의 상측 접점(158)을 구비한다. 캡(154)은 상측 접점(158)보다 약간 더 큰 상측 구멍(160)을 구비하므로 캡(154)이 LED(152)에 접합될 때, 상기 상측 접점(158)은 상측 구멍(160) 내에서 배열되어 이 구멍을 통해 접근할 수 있다. 상기 구멍(160)은 인광체 캡을 따라 어느 위치에서라도 자리할 수 있지만, 본 명세서에서는 도시의 간략화와 설명을 용이하게 하기 위해 상측 중심에 있는 것으로 도시되어 있다.
상측 접점(158)의 배치는 전기 신호가 하측 및 상측 접점(156, 158)을 각각 통해 LED(152)로 공급되도록 이루어져 있다. 도 16에 도시된 바와 같이 LED(150)에 있어서, 전기 신호는 접점(158)에 와이어 결합되어 있는 컨덕터(162)를 통해 상측 접점(158)에 제공된다. 상기 전기 신호는 또한 컨덕터(도시 생략)를 통해 또는 금속 컵을 통해 하측 접점(156)으로 공급될 수 있다.
제조 방법
도 17에는 본 발명에 따른 발광기의 제조 방법(170)의 일 실시예를 나타내는 플로차트가 도시되어 있으며, 여기서 발광기의 부품들은 개별적으로 제조되어 서로 접합되어 있다. 단계 172에서, LED는 MOCVD 반응기에서 제조되는 것과 같은 공지의 임의의 방법을 사용하여 제조된다. 단계 174에서는 서브마운트가 제조되고, 단계 176에서는 공지의 접합 방법을 이용하여 LED가 서브마운트의 베이스에 접합된다. 단계 178에서는, 변환 물질 영역을 지닌 렌즈가 사출 성형 등과 같은 공지의 제조 방법을 이용하여 제조된다. 최종 단계 180에서는, 렌즈와 서브마운트/LED 사이의 공간을 에폭시 혹은 또 다른 충전 물질로 충전시키고, 렌즈를 정위치에 붙들도록 렌즈의 내측면을 접촉시키는 양호한 방법을 이용함으로써, 상기 렌즈가 LED 위로 서브마운트에 접합된다.
변형례에 따른 중간 단계(도시 생략)에서는, 렌즈를 서브마운트에 접합하기 이전에 서브마운트 상의 정위치에 있는 렌즈를 이용하여 발광기를 테스트할 수 있다. 발광기의 발광이 표준 이하일 경우, LED 혹은 렌즈 중 어느 하나에 결합이 있는 것으로 판단할 수 있다. 결함이 있는 부품을 폐기 처분한 다음 새로운 부품으로 교체한다. 발광기가 효과적으로 작동할 때 까지 테스팅 공정을 반복한 이후에 접합 단계(180)를 행할 수 있다.
도 18에는 본 발명에 따른 발광기의 제조 방법(190)의 또 다른 실시예를 나타내는 플로차트가 도시되어 있다. 단계 192에서, LED는 MOCVD 반응기에서 제조되는 것과 같은 공지의 임의의 방법을 사용하여 제조되며, LED의 형상은 무작위의 모양을 지닐 수 있다. 단계 194에서는 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 공지의 방법을 이용하여 LED 상에 접점이 형성된다. 단계 196에서는 사출 성형 등의 공지의 방법을 이용하여 인광체 장전 캡이 제조된다. 단계 198에서는, LED에서 나온 광의 일부가 캡을 통해 지나가도록 LED에 캡이 장착된다. 상기 캡은 에폭시 혹은 또 다른 접합 물질을 이용하여 LED에 장착될 수 있다. 하나의 방법으로 LED의 바닥면과, 캡 커버의 LED의 상부 및 측면에 접점을 침착시키는 것이 있다. 또 다른 방법으로, LED의 바닥면에 접점을 침착시키고 또 다른 접점을 LED의 상측면 상에 침착시킨다. 상기 캡의 상측면에는 구멍이 천공되어 있고, 캡을 LED에 접합할 때 상측 접점은 그 구멍 속에 내장되어 그 구멍에 접근할 수 있게 된다.
상기 방법은 또한 캡을 LED에 접합하기 이전에 발광기를 테스트하는 중간 단계를 포함할 수 있다. 캡 혹은 LED 중 어느 하나에 결함이 발견될 경우, 결함이 있는 부품을 폐기하고 다른 부품으로 교체할 수 있다. 상기 테스팅은 캡을 LED에 접합하기 이전에 소정 범위의 시야각에 걸쳐 발광기가 충분한 칼라와 강도를 갖는 광을 방출할 때까지 반복될 수 있다.
비록 본 발명은 본 발명의 몇 몇 양호한 실시예를 참조하여 상당히 상세하게 설명하였지만 다른 변형도 가능하다. 전술한 방법에서의 단계 순서를 달리 할 수 있다. 본 발명에 따른 다른 방법은 전술한 다소의 단계들을 사용하고 또 상이한 단계들을 사용할 수 있다. 전술한 렌즈와 캡은 많은 상이한 형상 및 층을 취할 수 있고, 또 많은 상이한 형태의 변환 입자를 포함할 수 있다. 상기 렌즈와 캡의 형상은 특정의 용례에 맞도록 그 모양이 정해질 수 있고 방출된 광을 초점을 맞추도록 그 모양이 정해질 수 있다. 전술한 렌즈와 캡 각각은 또한 그것의 전체에 걸쳐 혹은 상이한 위치에 분포된 분산 입자를 포함할 수 있다.
따라서 본 명세서 설명한 본 발명의 실시예들은 단지 예시적인 것이며, 다양한 수정, 변형 및 재배열이 실질적으로 등가적인 결과를 도출하도록 용이하게 실현될 수 있고, 이들 모두는 첨부된 청구의 범위에서 한정하고 있는 본 발명의 범주 및 정신 내에서 속하는 것으로 의도한다.

Claims (43)

  1. 제1 광 스펙트럼을 방출하는 광원과;
    상기 광원으로부터 개별적으로 형성되는 동시에 변환 입자를 포함하는 변환 물질 영역
    을 포함하는 발광기로서,
    상기 변환 물질 영역은 상기 광원에서 나온 광의 적어도 일부가 상기 변환 물질 영역을 통과하도록 상기 광원에 근접하게 위치 설정되며, 상기 변환 입자는 상기 변환 물질 영역을 통과하여 제2 광 스펙트럼을 방출하는 상기 광원의 적어도 일부를 흡수하는 것인 발광기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광원은 상기 변환 물질 영역을 통해 연장하는 복수 개의 광 경로를 따라 상기 제1 광 스펙트럼을 방출하며, 광 경로 각각은 실질적으로 동일한 양의 변환 입자를 통해 연장하는 것인 발광기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 변환 입자는 상기 변환 입자가 균일한 칼라와 강도로 상기 제2 광 스펙트럼을 방출하도록 상기 변환 물질 영역 내에 분포되어 있는 것인 발광기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 변환 입자는 균일한 칼라와 강도로 상기 제2 광 스펙트럼을 방출하는 것인 발광기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 발광 물질 영역은 상기 제1 및 제2 광 스펙트럼의 적어도 일부를 다시 향하도록 고치는 분산 입자를 포함하는 것인 발광기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 변환 물질 영역은 유리 렌즈를 포함하는 것인 발광기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 유리 렌즈는 상기 광원으로부터 개별적으로 형성되며 상기 광원에 근접하게 접합되는 것인 발광기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 변환 물질 영역은 인광체 장전 캡을 포함하는 것인 발광기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 인광체 장전 캡은 상기 인광체 캡을 통과하는 상기 광원에서 나오는 광이 실질적으로 동일한 양의 상기 변환 입자를 통과하도록 상기 발광기의 하나 또는 그 이상의 표면 위로 밀접하게 끼워질 수 있는 모양으로 되어 있는 것인 발광기.
  10. 제8항에 있어서, 상기 인광체 장전 캡은 상기 광원에 전기 접점을 수납하기 위한 구멍을 포함하는 것인 발광기.
  11. 제10항에 있어서, 상기 구멍은 하나 이상의 변환 입자와 분산 입자들로 적어도 부분적으로 충전되는 것인 발광기.
  12. 제8항에 있어서, 상기 인광체 장전 캡은 상기 광원으로부터 개별적으로 형성되며, 상기 광원의 표면들 중 하나 이상의 표면에 근접하게 접합되는 것인 발광기.
  13. 제1항에 있어서, 서브마운트를 더 포함하며, 상기 광원은 상기 서브마운트에 장착되고, 상기 변환 물질 영역도 상기 서브마운트에 장착되는 것인 발광기.
  14. 제1항에 있어서, 상기 변환 물질 입자는 반구형 모양을 지니며, 상기 광원은 상기 변환 물질 영역의 베이스를 향해 그리고 상기 변환 물질 영역을 통해 광을 방출하도록 배열되어 있는 것인 발광기.
  15. 제1항에 있어서, 상기 광원은 발광 다이오드인 것인 발광기.
  16. 제1항에 있어서, 방출되는 광 스펙트럼은 상기 제1 및 제2 광 스펙트럼의 조합인 것인 발광기.
  17. 제1항에 있어서, 상기 변환 물질 영역은 상기 광원과의 사이에 공간이 존재하도록 상기 광원에 대해 위치 설정되는 것인 발광기.
  18. 제1 광 스펙트럼을 방출하는 광원과;
    상기 광원으로부터 개별적으로 형성되는 동시에 상기 광원에 근접하게 위치 설정된 변환 물질 영역
    을 포함하는 발광기로서,
    상기 변환 물질 영역은 상기 광원에 의해 방출된 광의 적어도 일부를 흡수하고 제2 광 스펙트럼으로 광을 재방출하도록 배열되어 있으며, 상기 발광기는 상기 제1 및 제2 광 스펙트럼의 조합을 균일한 제3 광 스펙트럼으로 방출하는 것인 발광기.
  19. 제18항에 있어서, 상기 변환 물질 영역은 상기 광원에 인접하는 상기 위치로부터 분리 가능한 것인 발광기.
  20. 제18항에 있어서, 서브마운트를 더 포함하며, 상기 광원은 상기 서브마운트의 제1의 표면 상에 위치하고, 상기 변환 물질 영역은 상기 서브마운트의 제2의 표면 상에 위치하는 것인 발광기.
  21. 제18항에 있어서, 상기 서브마운트는 상기 제1 및 제2 광 스펙트럼의 일부를 반사하도록 구성되는 것인 발광기.
  22. 제20항에 있어서, 상기 변환 물질 영역은 렌즈를 포함하며, 상기 렌즈는 상기 서브마운트의 상기 제2의 표면에 접합되고, 상기 제2의 표면은 상기 제1의 표면 위에 있는 것인 발광기.
  23. 제20항에 있어서, 상기 서브마운트 표면들 중 상기 적어도 하나 이상의 표면은 상기 렌즈에 제1 및 제2 광 스펙트럼의 일부를 반사하는 것인 발광기.
  24. 제20항에 있어서, 상기 서브마운트는 컵 모양의 서브마운트와 평탄한 서브마운트 중 하나를 포함하는 것인 발광기.
  25. 제22항에 있어서, 상기 렌즈는 상기 변환 물질 영역과 깨끗한 물질 영역을 포함하는 것인 발광기.
  26. 제22항에 있어서, 상기 렌즈는 상기 서브마운트 내에 끼워질 수 있는 모양으로 되어 있는 것인 발광기.
  27. 제18항에 있어서, 상기 변환 물질 영역은 인광체 장전 캡을 포함하는 것인 발광기.
  28. 제27항에 있어서, 상기 인광체 장전 캡의 형상은 상기 광원의 형상에 알맞은 모양으로 되어 있는 것인 발광기.
  29. 제27항에 있어서, 상기 인광체 장전 캡은 상기 광원으로부터 개별적으로 형성되며, 상기 광원에 근접하게 접합되는 것인 발광기.
  30. 제18항에 있어서, 상기 변환 물질 영역은 상기 광원과의 사이에 공간이 존재하도록 상기 광원에 대해 위치 설정되며, 상기 공간은 상기 제3 광 스펙트럼의 실질적으로 균일한 방출을 얻도록 선택되는 것인 발광기.
  31. 제18항에 있어서, 상기 변환 물질 영역은 상기 광원과의 사이에 공간이 존재하도록 상기 광원에 대해 위치 설정되며, 상기 공간은 소망하는 칼라와 강도 중 적어도 하나 이상으로 상기 제3 광 스펙트럼을 제공하도록 선택되는 것인 발광기.
  32. 발광기를 제조하는 방법으로서:
    광원을 제공하는 단계와;
    개별적으로 형성되는 동시에 변환 입자를 포함하는 변환 물질 입자를 제공하는 단계와;
    상기 변환 물질 영역을 상기 광원에 근접하게 접합하는 단계
    를 포함하며, 상기 변환 물질 영역은 상이한 각도로 상기 광원으로부터 방출된 광의 적어도 일부가 상기 변환 물질 영역을 통해 그리고 실질적으로 동일한 변환 물질을 통해 흐르도록 위치 설정되어 있는 것인 방법.
  33. 제32항에 있어서, 서브마운트를 제공하는 단계를 더 포함하며, 상기 광원은 상기 서브마운트의 제1의 표면에 접합되어 있는 것인 방법.
  34. 제32항에 있어서, 상기 변환 입자는 상기 발광기가 동일한 칼라와 강도 중 하나 이상의 광을 방출하도록 상기 변환 물질 영역의 전체에 걸쳐 분포되는 것인 방법.
  35. 제32항에 있어서, 상기 변환 물질 영역을 제공하는 단계는 상기 변환 물질 영역을 포함하는 렌즈를 제공하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  36. 제33항에 있어서, 상기 변환 물질 영역을 상기 광원에 근접하게 접합하는 단계는 상기 렌즈를 상기 서브마운트의 상기 제1의 표면과 제2의 표면 중 하나에 접합하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  37. 제35항에 있어서, 상기 렌즈를 제공하는 단계는 상기 광원을 적어도 부분적으로 에워싸도록 구성된 개구를 지닌 렌즈를 제공하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  38. 제33항에 있어서, 상기 서브마운트를 제공하는 단계는 평탄한 서브마운트와 컵 모양의 서브마운트 중 하나를 제공하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  39. 제33항에 있어서, 상기 서브마운트는 상기 변환 물질 영역으로부터 재방출된 광의 적어도 일부를 반사시키도록 구성된 제3의 측면으로 지닌 컵 모양의 서브마운트를 포함하는 것인 방법.
  40. 제32항에 있어서, 상기 변환 물질 영역을 제공하는 단계는 상기 변환 물질 영역을 포함하는 인광체 장전 캡을 제공하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  41. 제40항에 있어서, 상기 인광체 장전 캡을 제공하는 단계는 상기 광원을 적어도 부분적으로 에워싸도록 형성되어 있는 인광체 장전 캡을 제공하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  42. 제40항에 있어서, 상기 인광체 장전 캡을 제공하는 단계는 접점과 맞물리는 구멍을 구비한 인광체 장전 캡을 제공하는 단계를 포함하는 것인 방법.
  43. 제42항에 있어서, 상기 구멍을 변환 입자와 분산 입자들 중 적어도 하나 이상으로 충전시키는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
KR1020057015844A 2003-02-26 2004-02-24 복합 백색 광원 및 그 제조 방법 KR20050113200A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US45106703P 2003-02-26 2003-02-26
US60/451,067 2003-02-26

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117028750A Division KR20110137403A (ko) 2003-02-26 2004-02-24 복합 백색 광원 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050113200A true KR20050113200A (ko) 2005-12-01

Family

ID=32927698

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117028750A KR20110137403A (ko) 2003-02-26 2004-02-24 복합 백색 광원 및 그 제조 방법
KR1020057015844A KR20050113200A (ko) 2003-02-26 2004-02-24 복합 백색 광원 및 그 제조 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117028750A KR20110137403A (ko) 2003-02-26 2004-02-24 복합 백색 광원 및 그 제조 방법

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9142734B2 (ko)
EP (2) EP1597777B1 (ko)
JP (3) JP2006519500A (ko)
KR (2) KR20110137403A (ko)
CN (1) CN1777999B (ko)
CA (1) CA2517009A1 (ko)
MY (1) MY142684A (ko)
TW (2) TW201225339A (ko)
WO (1) WO2004077580A2 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100783794B1 (ko) * 2006-03-31 2007-12-07 (주)씨티엘 복층 에폭시 수지 구조의 발광 다이오드 패키지
KR20110099102A (ko) * 2008-11-13 2011-09-06 메이번 옵트로닉스 인터네셔널 리미티드 인광체-변환 발광 장치들에 대한 인광체-코팅 광 추출 구조들
KR101450929B1 (ko) * 2006-11-20 2014-10-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 Ｌｅｄ 광원용 광학 접합 조성물

Families Citing this family (163)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100468791C (zh) 2002-08-30 2009-03-11 吉尔科有限公司 具有改良效率的镀膜led
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2006519500A (ja) 2003-02-26 2006-08-24 クリー　インコーポレイテッド 合成白色光源及びその製造方法
US20050006659A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-13 Ng Kee Yean Light emitting diode utilizing a discrete wavelength-converting layer for color conversion
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
JP5301153B2 (ja) * 2004-05-05 2013-09-25 レンゼラー ポリテクニック インスティテュート 固体発光体およびダウンコンバージョン材料を用いる高効率光源
US7315119B2 (en) * 2004-05-07 2008-01-01 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
JP3875247B2 (ja) * 2004-09-27 2007-01-31 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材
JP4756841B2 (ja) * 2004-09-29 2011-08-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
JP2006156837A (ja) 2004-11-30 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7358543B2 (en) * 2005-05-27 2008-04-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device
US7980743B2 (en) * 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US7319246B2 (en) * 2005-06-23 2008-01-15 Lumination Llc Luminescent sheet covering for LEDs
KR20080030038A (ko) * 2005-06-23 2008-04-03 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 장치 및 그 설계 방법
AU2006262152B2 (en) * 2005-06-23 2011-04-21 Rensselaer Polytechnic Institute Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
JP4552798B2 (ja) * 2005-07-26 2010-09-29 パナソニック電工株式会社 Ｌｅｄ照明装置
KR100665222B1 (ko) * 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US20070023762A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Luxo Asa And Oec Ag White light emitting LED-powered lamp
US7329907B2 (en) * 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
DE102006020529A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN100594623C (zh) 2005-09-20 2010-03-17 松下电工株式会社 发光二极管照明器具
JP4204058B2 (ja) * 2005-09-20 2009-01-07 パナソニック電工株式会社 Ｌｅｄ照明器具
JP4678389B2 (ja) * 2005-09-20 2011-04-27 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP3963188B2 (ja) * 2005-09-20 2007-08-22 松下電工株式会社 発光装置
EP1928029B1 (en) * 2005-09-20 2018-10-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting diode package
JP3952075B2 (ja) * 2005-09-20 2007-08-01 松下電工株式会社 発光装置
JP4678388B2 (ja) * 2005-09-20 2011-04-27 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP3948483B2 (ja) * 2005-09-20 2007-07-25 松下電工株式会社 発光装置
KR20070033801A (ko) * 2005-09-22 2007-03-27 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP3992059B2 (ja) * 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
KR100649765B1 (ko) 2005-12-21 2006-11-27 삼성전기주식회사 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트유닛
TWI396814B (zh) * 2005-12-22 2013-05-21 克里公司 照明裝置
JP2009530798A (ja) 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄから光を導くための独立した光学デバイス
JP4863357B2 (ja) * 2006-01-24 2012-01-25 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材
US7928462B2 (en) * 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US20070258241A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with non-bonded converging optical element
US20070257271A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with encapsulated converging optical element
US7525126B2 (en) * 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US20070257270A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US7390117B2 (en) * 2006-05-02 2008-06-24 3M Innovative Properties Company LED package with compound converging optical element
DE102006029203B9 (de) * 2006-06-26 2023-06-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierende Vorrichtung
US20080012034A1 (en) * 2006-07-17 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
KR100851636B1 (ko) * 2006-07-27 2008-08-13 삼성전기주식회사 표면실장형 발광다이오드 소자
WO2008016908A2 (en) * 2006-07-31 2008-02-07 3M Innovative Properties Company Led source with hollow collection lens
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
CN101513120A (zh) * 2006-08-03 2009-08-19 英特曼帝克司公司 包含发光磷光体的发光二极管照明布置
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7842960B2 (en) 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
JP2010510671A (ja) * 2006-11-17 2010-04-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Ｌｅｄ光源用の光学接着組成物
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
KR100851183B1 (ko) * 2006-12-27 2008-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 패키지
DE102007006349A1 (de) * 2007-01-25 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
US20080237618A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Feng-Fu Ko Light emitting diode module and manufacturing method thereof
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
JP5158472B2 (ja) 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
WO2008149265A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system, collimator and spotlight
WO2009014590A2 (en) 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
DE102007049799A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8783887B2 (en) 2007-10-01 2014-07-22 Intematix Corporation Color tunable light emitting device
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
JP4479805B2 (ja) 2008-02-15 2010-06-09 ソニー株式会社 レンズ、光源ユニット、バックライト装置及び表示装置
DE102008021436A1 (de) * 2008-04-29 2010-05-20 Schott Ag Optik-Konverter-System für (W)LEDs
DE102008025756B4 (de) * 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
US9634203B2 (en) 2008-05-30 2017-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, surface light source, liquid crystal display device, and method for manufacturing light emitting device
GB2462807A (en) * 2008-08-14 2010-02-24 Glory Science Co Ltd A uniform intensity light emitting unit
US9425172B2 (en) * 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US7928655B2 (en) * 2008-11-10 2011-04-19 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
DE102008057140A1 (de) 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102009017946A1 (de) * 2009-04-17 2010-10-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Linse, optoelektronisches Bauelement aufweisend eine Linse und Verfahren zur Herstellung einer Linse
TWM374650U (en) * 2009-04-20 2010-02-21 Hsin I Technology Co Ltd LED packaging structure
US10422503B2 (en) 2009-10-30 2019-09-24 Ideal Industries Lighting Llc One-piece multi-lens optical member and method of manufacture
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8724054B2 (en) * 2009-05-27 2014-05-13 Gary Wayne Jones High efficiency and long life optical spectrum conversion device and process
US20100301728A1 (en) * 2009-06-02 2010-12-02 Bridgelux, Inc. Light source having a refractive element
JP2011009572A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US20110062469A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Molded lens incorporating a window element
US9385285B2 (en) 2009-09-17 2016-07-05 Koninklijke Philips N.V. LED module with high index lens
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US9163802B2 (en) * 2009-12-02 2015-10-20 Abl Ip Holding Llc Lighting fixtures using solid state device and remote phosphors to produce white light
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
CN102157670A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 亿光电子工业股份有限公司 发光装置
US8330373B2 (en) * 2010-02-15 2012-12-11 Abl Ip Holding Llc Phosphor-centric control of color characteristic of white light
US8517550B2 (en) 2010-02-15 2013-08-27 Abl Ip Holding Llc Phosphor-centric control of color of light
US20130313965A1 (en) * 2010-02-18 2013-11-28 Walsin Lihwa Corporation Light Emitting Diode Unit
CN102770796A (zh) * 2010-03-01 2012-11-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明装置
US8350453B2 (en) * 2010-05-25 2013-01-08 Nepes Led Corporation Lamp cover including a phosphor mixed structure for light emitting device
US20130070168A1 (en) * 2010-05-26 2013-03-21 Sharp Kabushiki Kaisha Led light source, led backlight, liquid crystal display device and tv reception device
DE102010022561A1 (de) * 2010-06-02 2011-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonversionselement, optoelektronisches Bauelement mit einem Wellenlängenkonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements
JP5395761B2 (ja) * 2010-07-16 2014-01-22 日東電工株式会社 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法
US8896005B2 (en) * 2010-07-29 2014-11-25 Cree, Inc. Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters
DE102010034923A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht
KR101742615B1 (ko) * 2010-09-20 2017-06-01 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 모듈
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
KR20130139938A (ko) 2010-10-05 2013-12-23 인터매틱스 코포레이션 포토루미네센스 파장 변환을 구비한 고체상태 발광 디바이스 및 표지판
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US9140429B2 (en) 2010-10-14 2015-09-22 Cree, Inc. Optical element edge treatment for lighting device
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
US8491140B2 (en) 2010-11-05 2013-07-23 Cree, Inc. Lighting device with multiple emitters and remote lumiphor
KR20120050282A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20120082655A (ko) * 2011-01-14 2012-07-24 삼성전자주식회사 엘이디 플래시 렌즈 유닛 및 그 제조방법
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10490712B2 (en) 2011-07-21 2019-11-26 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
WO2013078463A1 (en) 2011-11-23 2013-05-30 Quarkstar Llc Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
JP5450680B2 (ja) * 2012-02-01 2014-03-26 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
CN104160212B (zh) * 2012-03-01 2018-10-12 飞利浦灯具控股公司 Led照明布置
DE102012203791A1 (de) * 2012-03-12 2013-09-12 Zumtobel Lighting Gmbh LED-Modul
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US9383496B2 (en) * 2012-06-05 2016-07-05 Rambus Delaware Llc Edge lit lighting assembly with spectrum adjuster
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
KR20150023014A (ko) * 2012-06-28 2015-03-04 인터매틱스 코포레이션 발광 인광체를 포함하는 솔리드-스테이트 선형 조명 장치
US8876330B2 (en) * 2012-11-15 2014-11-04 Illinois Tool Works Inc. Illumination device
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
KR102029802B1 (ko) * 2013-01-14 2019-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
JP2014139999A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
US10400984B2 (en) * 2013-03-15 2019-09-03 Cree, Inc. LED light fixture and unitary optic member therefor
WO2014151263A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Intematix Corporation Photoluminescence wavelength conversion components
US9587790B2 (en) 2013-03-15 2017-03-07 Cree, Inc. Remote lumiphor solid state lighting devices with enhanced light extraction
US9920901B2 (en) 2013-03-15 2018-03-20 Cree, Inc. LED lensing arrangement
JP5698808B2 (ja) * 2013-07-26 2015-04-08 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
CN105900251A (zh) * 2013-11-13 2016-08-24 纳米技术有限公司 包含量子点荧光体的led盖
CN104716244A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 白光led封装结构
US9669756B2 (en) * 2014-09-29 2017-06-06 Nissan North America, Inc. Under vehicle illumination
US10495268B1 (en) * 2014-10-31 2019-12-03 The Regents Of The University Of California High intensity solid state white emitter which is laser driven and uses single crystal, ceramic or polycrystalline phosphors
JP6755090B2 (ja) * 2014-12-11 2020-09-16 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR102408618B1 (ko) * 2015-02-16 2022-06-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
US10488018B2 (en) * 2015-08-17 2019-11-26 Infinite Arthroscopy, Inc. Limited Light source
TWI657293B (zh) 2016-03-29 2019-04-21 友達光電股份有限公司 背光模組
DE102016117189A1 (de) 2016-09-13 2018-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CA3053471C (en) 2017-02-15 2022-05-10 Infinite Arthroscopy, Inc. Limited Wireless medical imaging system comprising a head unit and a light cable that comprises an integrated light source
TW201929290A (zh) * 2017-11-29 2019-07-16 美商康寧公司 用於led顯示器之量子點led背光模組
USD938584S1 (en) 2020-03-30 2021-12-14 Lazurite Holdings Llc Hand piece
USD972176S1 (en) 2020-08-06 2022-12-06 Lazurite Holdings Llc Light source
US11367810B2 (en) 2020-08-14 2022-06-21 Creeled, Inc. Light-altering particle arrangements for light-emitting devices

Family Cites Families (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2127239A5 (ko) 1971-03-01 1972-10-13 Radiotechnique Compelec
US4476620A (en) * 1979-10-19 1984-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making a gallium nitride light-emitting diode
JPS60106175A (ja) 1983-11-14 1985-06-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置の製造方法
JPS61144890A (ja) 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプのレンズの製造方法
JPS62143942A (ja) 1985-12-18 1987-06-27 Taihoo Kogyo Kk 防曇材
JPH01230274A (ja) 1987-11-13 1989-09-13 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード
US5094185A (en) * 1987-11-24 1992-03-10 Lumel, Inc. Electroluminescent lamps and phosphors
JPH01139664A (ja) 1987-11-27 1989-06-01 Sanken Kagaku Kk 溶剤型粘着剤
JPH01287973A (ja) 1988-05-13 1989-11-20 Takiron Co Ltd ドットマトリックス発光表示体
JPH04555A (ja) 1990-04-17 1992-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd データ処理装置
JPH0428269A (ja) 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
JPH0646038A (ja) 1991-04-26 1994-02-18 Nec Corp オンライン機能確認方法
JPH058494A (ja) 1991-07-04 1993-01-19 Canon Inc 記録装置
JPH05298384A (ja) 1992-04-20 1993-11-12 Mitsubishi Electric Corp シンボル配置方法
JPH06275866A (ja) 1993-03-19 1994-09-30 Fujitsu Ltd ポーラス半導体発光装置と製造方法
JPH05327012A (ja) 1992-05-15 1993-12-10 Sanyo Electric Co Ltd 炭化ケイ素発光ダイオード
JP3269668B2 (ja) 1992-09-18 2002-03-25 株式会社日立製作所 太陽電池
JPH0769328B2 (ja) 1992-10-30 1995-07-26 株式会社生体科学研究所 代謝解析方法
JPH06177427A (ja) 1992-12-03 1994-06-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオードランプ
JPH06214481A (ja) 1993-01-19 1994-08-05 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
JPH07193281A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Materials Corp 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
JP3127195B2 (ja) 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
JPH0983018A (ja) 1995-09-11 1997-03-28 Nippon Denyo Kk 発光ダイオードユニット
JPH09138402A (ja) 1995-11-15 1997-05-27 Kouha:Kk 液晶表示装置照明用ｌｅｄバックライト装置
JP3311914B2 (ja) 1995-12-27 2002-08-05 株式会社シチズン電子 チップ型発光ダイオード
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR100702740B1 (ko) 1996-06-26 2007-04-03 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP3065263B2 (ja) 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたｌｅｄ表示器
JPH10233532A (ja) 1997-02-21 1998-09-02 Houshin Kagaku Sangiyoushiyo:Kk 発光ダイオード
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6784463B2 (en) 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
JPH1126808A (ja) 1997-07-09 1999-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびその製造方法
US6346771B1 (en) 1997-11-19 2002-02-12 Unisplay S.A. High power led lamp
JPH11177129A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Rohm Co Ltd チップ型ｌｅｄ、ｌｅｄランプおよびｌｅｄディスプレイ
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP2607796Y2 (ja) 1998-02-09 2002-07-08 株式会社ケンウッド スピーカ用磁気回路
JP3704941B2 (ja) 1998-03-30 2005-10-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2000031548A (ja) 1998-07-09 2000-01-28 Stanley Electric Co Ltd 面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
JP3486345B2 (ja) 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6355508B1 (en) * 1998-09-02 2002-03-12 Micron Technology, Inc. Method for forming electrostatic discharge protection device having a graded junction
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
JP3469484B2 (ja) 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
JP2000208822A (ja) 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP4680334B2 (ja) 1999-01-13 2011-05-11 株式会社朝日ラバー 発光装置
JP2000223749A (ja) 1999-01-29 2000-08-11 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプとその製造方法、チップ型発光ダイオード素子及びドットマトリクス型発光ダイオードユニット
US6521916B2 (en) 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6222207B1 (en) 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
JP2001148514A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Matsushita Electric Works Ltd 照明光源
US7202506B1 (en) 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
KR100700993B1 (ko) * 1999-12-03 2007-03-30 크리, 인코포레이티드 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP2001177153A (ja) 1999-12-17 2001-06-29 Sharp Corp 発光装置
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6504860B2 (en) 2001-01-29 2003-01-07 Cymer, Inc. Purge monitoring system for gas discharge laser
JP3696021B2 (ja) 2000-01-20 2005-09-14 三洋電機株式会社 光照射装置
CN1225801C (zh) * 2000-02-09 2005-11-02 日本光源股份有限公司 光源装置
JP4406490B2 (ja) 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
CN1189951C (zh) * 2000-04-24 2005-02-16 罗姆股份有限公司 侧发射型半导体光发射器件及其制造方法
JP2001345485A (ja) 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
GB0015898D0 (en) 2000-06-28 2000-08-23 Oxley Dev Co Ltd Light
JP2002076443A (ja) 2000-08-29 2002-03-15 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄチップ用反射カップ
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002141556A (ja) * 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
JP3466144B2 (ja) 2000-09-22 2003-11-10 士郎 酒井 半導体の表面を荒くする方法
US6998281B2 (en) * 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US20020063520A1 (en) * 2000-11-29 2002-05-30 Huei-Che Yu Pre-formed fluorescent plate - LED device
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
JP5110744B2 (ja) 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
JP2002217450A (ja) 2001-01-22 2002-08-02 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
TW516247B (en) * 2001-02-26 2003-01-01 Arima Optoelectronics Corp Light emitting diode with light conversion using scattering optical media
JP2002261333A (ja) 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4430264B2 (ja) 2001-03-19 2010-03-10 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光装置
JP2002289923A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
JP2002344029A (ja) 2001-05-17 2002-11-29 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの色調調整方法
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP4789350B2 (ja) 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2003017756A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
JP2003037297A (ja) 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd 光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置
JP2003036707A (ja) 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd 照明装置とその製造方法
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP4122737B2 (ja) 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
DE10137641A1 (de) * 2001-08-03 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hybrid-LED
JP2003051622A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Rohm Co Ltd 白色系半導体発光装置
TW506145B (en) 2001-10-04 2002-10-11 United Epitaxy Co Ltd High Luminescence LED having transparent substrate flip-chip type LED die
US6610598B2 (en) 2001-11-14 2003-08-26 Solidlite Corporation Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens
TW511782U (en) 2001-11-29 2002-11-21 Wen-Chin Lin Improved structure of light-emitting diode
TW524391U (en) 2001-12-27 2003-03-11 Solidlite Corp Connection type SMT LED
CA2466141C (en) 2002-01-28 2012-12-04 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
JP2003234509A (ja) 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6891330B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
JP2003347601A (ja) 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード照明装置
JP3707688B2 (ja) * 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4197109B2 (ja) 2002-08-06 2008-12-17 静雄 藤田 照明装置
TW546859B (en) 2002-09-20 2003-08-11 Formosa Epitaxy Inc Structure and manufacturing method of GaN light emitting diode
US6784460B2 (en) 2002-10-10 2004-08-31 Agilent Technologies, Inc. Chip shaping for flip-chip light emitting diode
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP4277508B2 (ja) 2002-10-28 2009-06-10 パナソニック電工株式会社 半導体発光装置
JP2004238441A (ja) 2003-02-04 2004-08-26 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂
JP2006519500A (ja) 2003-02-26 2006-08-24 クリー　インコーポレイテッド 合成白色光源及びその製造方法
JP2004266124A (ja) 2003-03-03 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP4504662B2 (ja) 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
CN100483612C (zh) 2003-06-04 2009-04-29 刘明哲 用于制造垂直结构的复合半导体器件的方法
JP4374913B2 (ja) 2003-06-05 2009-12-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3878579B2 (ja) 2003-06-11 2007-02-07 ローム株式会社 光半導体装置
JP4085899B2 (ja) 2003-06-30 2008-05-14 日立エーアイシー株式会社 発光デバイス用基板および発光デバイス
DE102004001312B4 (de) 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4360858B2 (ja) 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
JP2005109212A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
WO2005031882A1 (ja) 2003-09-30 2005-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置
JP2005123238A (ja) 2003-10-14 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置
US20050082562A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Epistar Corporation High efficiency nitride based light emitting device
JP2005166941A (ja) 2003-12-02 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置およびその製造方法、並びにその発光装置を用いた照明モジュールと照明装置
JP2005166937A (ja) 2003-12-02 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP4622253B2 (ja) 2004-01-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光デバイス及びその製造方法
JP4530739B2 (ja) 2004-01-29 2010-08-25 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2005268770A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 白色発光素子及び白色光源
US20050205874A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Ru-Shi Liu Phosphor material and white light-emitting device using the same
US7009285B2 (en) 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
JP4228303B2 (ja) 2004-04-12 2009-02-25 住友電気工業株式会社 半導体発光素子搭載部材と、それを用いた半導体発光装置
CA2563418A1 (en) 2004-04-15 2005-11-03 Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
JP4665209B2 (ja) 2004-04-15 2011-04-06 スタンレー電気株式会社 平面照射型ｌｅｄ
US7315119B2 (en) * 2004-05-07 2008-01-01 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
KR100586968B1 (ko) 2004-05-28 2006-06-08 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치용 백라이트어셈블리
JP2005353816A (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Olympus Corp 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスを用いた照明装置、及び、プロジェクタ
US7255469B2 (en) * 2004-06-30 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector
JP2006036930A (ja) 2004-07-27 2006-02-09 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂
JP4817629B2 (ja) 2004-09-15 2011-11-16 京セラ株式会社 発光素子およびその発光素子を用いた照明装置
US7633097B2 (en) 2004-09-23 2009-12-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates
JP2006114909A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Agilent Technol Inc フラッシュ・モジュール
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7858408B2 (en) 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
KR100638666B1 (ko) 2005-01-03 2006-10-30 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP2006216717A (ja) 2005-02-02 2006-08-17 Harvatek Corp ウエハーレベル電気光学半導体組立構造およびその製造方法
JP4715227B2 (ja) 2005-02-21 2011-07-06 パナソニック株式会社 半導体発光装置の製造方法
EP1861876A1 (en) 2005-03-24 2007-12-05 Tir Systems Ltd. Solid-state lighting device package
JP2006278675A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Toshiba Corp 半導体発光装置
US7244630B2 (en) 2005-04-05 2007-07-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc A1InGaP LED having reduced temperature dependence
JP5364368B2 (ja) * 2005-04-21 2013-12-11 エイオーネックス・テクノロジーズ・インコーポレイテッド 基板の製造方法
JP2006339362A (ja) 2005-06-01 2006-12-14 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
KR100638868B1 (ko) 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
JP2007005091A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Mitsubishi Rayon Co Ltd 線状発光素子アレイ
JP2007080885A (ja) 2005-09-09 2007-03-29 New Japan Chem Co Ltd 光半導体用封止剤、光半導体及びその製造方法
JP4863682B2 (ja) 2005-10-17 2012-01-25 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シート
US7514721B2 (en) 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
US7915619B2 (en) 2005-12-22 2011-03-29 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
JP2007180430A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
JP5357379B2 (ja) 2006-02-23 2013-12-04 パナソニック株式会社 発光装置
US7682850B2 (en) 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
JP2007273763A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
TWI306674B (en) 2006-04-28 2009-02-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
KR100809210B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP4458116B2 (ja) 2007-05-30 2010-04-28 住友電気工業株式会社 エピタキシャル層成長用ｉｉｉ族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイス
JP5298384B2 (ja) 2008-08-07 2013-09-25 船井電機株式会社 マイクロホンユニット

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100783794B1 (ko) * 2006-03-31 2007-12-07 (주)씨티엘 복층 에폭시 수지 구조의 발광 다이오드 패키지
KR101450929B1 (ko) * 2006-11-20 2014-10-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 Ｌｅｄ 광원용 광학 접합 조성물
KR20110099102A (ko) * 2008-11-13 2011-09-06 메이번 옵트로닉스 인터네셔널 리미티드 인광체-변환 발광 장치들에 대한 인광체-코팅 광 추출 구조들
US9210763B2 (en) 2008-11-13 2015-12-08 Maven Optronics Corp. Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices
US10038123B2 (en) 2008-11-13 2018-07-31 Maven Optronics International, Ltd. Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
TW200423438A (en) 2004-11-01
US9142734B2 (en) 2015-09-22
JP2013093595A (ja) 2013-05-16
TW201225339A (en) 2012-06-16
JP2006519500A (ja) 2006-08-24
KR20110137403A (ko) 2011-12-22
WO2004077580A2 (en) 2004-09-10
EP2262006A3 (en) 2012-03-21
US20050093430A1 (en) 2005-05-05
CN1777999A (zh) 2006-05-24
JP5559013B2 (ja) 2014-07-23
JP2011061230A (ja) 2011-03-24
EP2262006A2 (en) 2010-12-15
CA2517009A1 (en) 2004-09-10
EP1597777B1 (en) 2013-04-24
WO2004077580A3 (en) 2005-03-10
CN1777999B (zh) 2010-05-26
MY142684A (en) 2010-12-31
EP1597777A2 (en) 2005-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050113200A (ko) 복합 백색 광원 및 그 제조 방법
US8889439B2 (en) Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs
US8013352B2 (en) Chip coated light emitting diode package and manufacturing method thereof
KR101298406B1 (ko) 발광소자
CN107223285B (zh) 发光元件以及发光二极管
JP2013016868A (ja) Ｌｅｄパッケージにおけるテクスチャード加工された封止体表面
US20040228115A1 (en) High-brightness LED-phosphor coupling
US9105818B2 (en) Method and apparatus for fabricating phosphor-coated LED dies
US9035334B2 (en) Method and apparatus for fabricating phosphor-coated LED dies
JP2009540616A (ja) 再発光半導体構造物を有するｌｅｄ装置及び集束光学要素
US9048395B2 (en) Light emitting device package, lighting module and lighting system
JP2002232018A (ja) 紫外光源の作製方法および紫外光源部品並びに光学装置の作製方法
US9246068B2 (en) Method and apparatus for fabricating phosphor-coated LED dies
KR102252474B1 (ko) 발광소자
US20230343757A1 (en) Emission height arrangements in light-emitting diode packages and related devices and methods
US20230317686A1 (en) Light-emitting diode packages with directional emission intensity and color uniformity

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20111031

Effective date: 20120924

WITB Written withdrawal of application