JP4622253B2 - 発光デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、本発明に係る発光デバイスでは、半導体発光素子の側面が遮光膜によって覆われているので、半導体発光素子の側面に配置された蛍光体が半導体発光素子により励起されることはほとんどなく、半導体発光素子の一方又は他方の主面(光出射面)上に配置された蛍光体のみが励起されて発光に寄与する。
従って、本発明に係る発光デバイスでは、比較的管理が容易な半導体発光素子の光出射面となる一方又は他方の主面上に配置された蛍光体の量及び層の厚さのみを管理することにより、色むらの発生を防止できる。
実施の形態1.
本発明に係る実施の形態1の発光デバイスは、パッケージ10の凹部の底部にサブマウント32を介して実装された半導体発光素子3を、蛍光体層6で覆い、透光性樹脂15で封止することによって構成されている。
ここで、蛍光体層6は、例えば、バインダー樹脂に蛍光体F6が分散された樹脂をポッティング等により塗布して硬化させることにより形成する。
また。蛍光体層6を形成する際、水平となる半導体発光素子の主面を覆う蛍光体層の厚さの管理及びその蛍光体層6aに含まれる蛍光体の量の管理(蛍光体層6a内における蛍光体の面内分布を均一に保つこと)することは比較的容易であるのに対して、半導体発光素子の側面を覆う蛍光体層6bの厚さ及びその蛍光体層6bに含まれる蛍光体の量の一定に管理することは樹脂の硬化前における変形及び蛍光体の沈降等により困難である。
従って、本実施の形態1に係る発光デバイスでは、比較的管理が容易な半導体発光素子3の主面上に形成される蛍光体層6aの厚さとそこに含まれる蛍光体の面内分布のみを管理することにより、色むらの発生を防止できる。
しかしながら、本実施の形態1の発光デバイスでは、半導体発光素子3の側面が遮光膜5によって覆われているので、半導体発光素子の側面に配置された蛍光体が半導体発光素子により励起されることはほとんどなく、大量生産時における発光デバイス間の色調バラツキを低減することもできる。
本方法では、まず、通常の方法で半導体発光素子を作製した後、図2Aに示すように、粘着シート7の上に半導体発光素子3を並べて配置する。
遮光膜材料層5aを形成した後、半導体発光素子3の光出射面に形成された遮光膜材料層5aを研磨により除去した後(図2C)、半導体発光素子3を粘着シート7から分離する。
以上の方法で、側面に遮光膜5が形成された半導体発光素子3が作製される。
すなわち、半導体発光素子3をフリップチップ実装して、半導体層が形成された面とは反対側の主面を光出射面とし、かつ遮光膜5をAlで形成しているので、遮光膜5が反射膜としても機能し、側面で反射した光が光出射面から出射されるので、光の取り出し効率を高くできる。
また、半導体発光素子3をフリップチップ実装しているので、発光素子の発光面から出た光を遮ったり、乱反射させたりするワイヤーが発光面の前方には存在しない。これにより、ワイヤーに起因した色むらの発生をなくせるので、より色むらの少ない発光素子とでき、さらにワイヤーに起因した取り出し効率の劣化もないので、取り出し効率も高くできる。
<半導体発光素子>
本発明において、半導体発光素子は、種々の窒化物半導体を用いて構成することができる。具体的には、有機金属気相成長法(MOCVD)、ハイドライド気相成長法(HVPE)などにより基板上に成長されたInxAlyGa1−x−yN(0≦x,0≦y,x+y≦1)で表わされる複数の層により構成されたものが好適に用いられる。
より具体的な例として、単一または多重量子井戸構造のInGaNを発光層を有する青色LED、AlInGaN、GaNまたはAlGaNを発光層とする公知の単一または多重量子井戸構造の近紫外LEDを挙げることができる。
本発明において半導体発光素子3は、正電極3aを有するp型半導体層2bと、n電極3bを有するn型半導体層2bとを有する半導体発光素子である。正電極3aは少なくとも反射機能を備えた層からなることが好ましい。
また、第二の層は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、白金(Pt)、ロジウム(Rh)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)からなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む金属、合金あるいは酸化物からなることが好ましい。
この多層構造とする場合、第一の層の膜厚は、100Å〜10000Åであることが好ましく、第二の層の膜厚は、200Å〜10000Åであることが好ましい。
負電極の膜厚は、材料によっても異なるが、好ましくは100Å以上、より好ましくは150Å、以上とする。また、膜厚の上限は、製造効率を考慮すると10000Å以下であることが好ましい。
さらに、本発明において、半導体発光素子は、上述したような反射率の高い正電極及び/または上述したような負電極を用いることにより、発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。
本発明においては、半導体発光素子3によって励起され、その励起光とは異なる波長の光を発光する種々の蛍光体を用いることができる。
本発明に用いる蛍光体は、平均粒径が3μm以上であり、かつ粒度分布測定で2μm以下の粒径の粒子が体積分布で10%以下である蛍光体粒子から構成されることが好ましい。より好ましくは平均粒径が5μm以上15μm以下、さらに好ましくは平均粒径が10μm以上12μm以下である。蛍光体層を形成する際の形成ばらつきを抑えることが可能となり、配向ばらつきの少ない高輝度を得ることができる。
破断面を有する破断粒子から構成され、青緑色領域の発光を行う(Sr、Ca、Ba)Al2O4:Euまたは(Sr、Ca、Ba)4Al14O25:Euで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類アルミネート系蛍光体が挙げられる。
紫外線照射により緑色発光が可能なものとして、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行う(Mg、Ca、Sr、Ba)Si2O2N2:Euで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド系蛍光体、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行う(Ba、Ca、Sr)2SiO4:Euで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類マグネシウムシリケート系蛍光体が挙げられる。
アルミニウム・ガーネット系蛍光体とは、Alを含み、かつY、Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu及びSmから選択された少なくとも一つの元素と、Ga及びInから選択された一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体であり、半導体発光素子から発光された可視光や紫外線で励起されて発光する蛍光体である。例えば、上述したYAG系蛍光体の他、Tb2.95Ce0.05Al5O12、Y2.90Ce0.05Tb0.05Al5O12、Y2.94Ce0.05Pr0.01Al5O12、Y2.90Ce0.05Pr0.05Al5O12等が挙げられる。
アルカリ土類金属塩蛍光体として、上述したアルカリ土類金属珪酸塩の他、ユウロピウムおよび/またはマンガンで付活されたアルカリ土類金属アルミン酸塩やY(V,P,Si)O4:Eu、または式Me(3−x−y)MgSi2O3:xEu,yMn(式中、0.005<x<0.5、0.005<y<0.5、Meは、Baおよび/またはSrおよび/またはCaを示す。)で示されるアルカリ土類金属−マグネシウム−二珪酸塩を用いることもできる。
本発明において、蛍光体層を形成するためのバインダー樹脂は、例えば、シリコーン樹脂を用いることができる。
本発明において、透光性樹脂は、外部環境からの外力や水分などから蛍光体層やLEDチップを保護すると共に発光素子からの光を効率よく外部に放出させるための部材である。具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂が挙げられる。また、本発明では、金属アルコキシドなどを出発原料としゾルゲル法により生成される透光性無機部材、ガラスなどを用いることもできる。熱衝撃による導電性ワイヤーの断線などを考慮しエポキシ樹脂、シリコーン樹脂やそれらの組み合わせたものなどを使用することがより好ましい。
本発明に係る実施の形態2の発光デバイスは、蛍光体層6に代えて半導体発光素子3の光出射面のみを覆う蛍光体層36を形成した以外は、実施の形態1の発光デバイスと同様に構成される。
このように形成された蛍光体層36を備えた実施の形態2の発光デバイスは、実施の形態1の発光デバイスに比較してよりいっそう効果的に色むらを抑制できる。
また、シリコン基板を用いてサブマウント用マザー基板32aを構成することもでき、その場合には、サブマウントに一体化された保護素子(ツェナーダイオード)を形成することも可能になる。
最後に、パーティングラインに沿って各半導体発光素子がそれぞれサブマウント32に載置されるようにサブマウント用マザー基板32aをカットする。
以上の工程を経て、サブマウント32上にフリップチップボンディングされた状態の、蛍光体層36が半導体発光素子3の光出射面のみに形成された半導体発光素子3が得られる。
尚、本実施の形態2の発光デバイスは、実施の形態1と同様、半導体発光素子3の側面が遮光膜5によって覆われているので、実施の形態1で説明した効果は全て得られる。
2 半導体層
3 発光素子
5 遮光膜
5a 遮光膜材料層
6,6a,6b,36 蛍光体層
7 粘着シート
10 パッケージ
13a、13b リードフレーム
15 透光性樹脂
31 配線電極
32 サブマウント
32a サブマウント用マザー基板
33 バンプ
34a スクリーン版
35 スキージ
36a 蛍光体ペースト
37 接着剤
44 導電性ワイヤ
Claims (6)
- 透光性基板と該透光性基板の一方の主面上に積層された半導体層とを含んでなる半導体発光素子と、前記半導体発光素子の光出射面と側面とを覆い前記半導体発光素子が発光する第1の光の一部を吸収してその第1の光とは異なる波長の第2の光を発光する蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記蛍光体に吸収された一部を除く第1の光と、前記第2の光とが混合された混色光を出射する発光デバイスにおいて、
前記半導体発光素子の側面が遮光膜を介して前記蛍光体層によって覆われたことを特徴とする発光デバイス。 - 前記遮光膜は、半導体発光素子で発光した光を反射させる反射膜である請求項1記載の発光デバイス。
- 前記透光性基板の他方の主面を、前記半導体発光素子の光出射面とした請求項1又は2記載の発光デバイス。
- 前記透光性基板の他方の主面上に設けられた蛍光体の厚さが略一定である請求項3記載の発光デバイス。
- 前記遮光膜は、Al又はAgからなる金属膜である請求項1〜4のうちのいずれか1つに記載の発光デバイス。
- 透光性基板と該透光性基板の一方の主面上に積層された半導体層とを含んでなる半導体発光素子と、前記半導体発光素子の光出射面を覆い前記半導体発光素子が発光する第1の光の一部を吸収してその第1の光とは異なる波長の第2の光を発光する蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記蛍光体に吸収された一部を除く第1の光と、前記第2の光とが混合された混色光を出射する発光デバイスの製造方法において、
前記半導体発光素子の実装面に対向して粘着シートに複数の半導体発光素子を配置し、前記複数の半導体発光素子の側面及び光出射面となる発光素子の透光性基板の他方の主面上に、遮光膜材料層を形成する工程と、
前記複数配置された発光素子を研磨して、前記透光性基板の他方の主面上の遮光膜を除去する工程と、
前記半導体発光素子をサブマウントに実装して、前記半導体発光素子の光出射面及び側面に蛍光体層を形成する工程と、を有する発光デバイスの製造方法。
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