JP5834109B2 - 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 146
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 43
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 32
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- -1 and cracks Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Led Devices (AREA)
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。
Claims (9)
- 第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含む第1の半導体部と、
前記第1の半導体部に設けられたn側電極及びp側電極と、
前記n側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するn側金属と、
前記p側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するp側金属と、
前記n側金属と前記p側金属との間に設けられた樹脂と、
前記第1の主面側に設けられた蛍光体層と、
前記第1の半導体部の外側に設けられた第2の半導体部と、
前記第1の半導体部と前記第2の半導体部とを分離し、前記第1の半導体部における前記第1の主面に続く側面から、前記第2の半導体部の前記第1の半導体部の前記側面側の側面に連続して設けられた金属膜と、
を備えた半導体発光装置。 - 前記第1の半導体部の前記第1の主面側に基板が設けられず、
前記蛍光体層は、前記第1の主面側に、基板を介することなく設けられた請求項1記載の半導体発光装置。 - 前記樹脂は、前記n側金属と前記p側金属を支え、前記n側金属と前記p側金属とともに前記第1の半導体部を保つことが可能である請求項2記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂は、前記n側金属の周囲及び前記p側金属の周囲を覆っている請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記n側電極上及び前記p側電極上に設けられ、前記n側電極に達する第1の開口と前記p側電極に達する第2の開口とを有する絶縁膜をさらに備え、
前記第1の開口内には前記n側金属が設けられ、前記第2の開口内には前記p側金属が設けられた請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に設けられたn側電極及びp側電極と、をそれぞれが有し、分離された複数の発光素子を、基板上に形成する工程と、
前記半導体層を、第1の半導体部と、前記第1の半導体部よりも外側に設けられた第2の半導体部と、に分離する工程と、
第1の半導体部と前記第2の半導体部とを分離する溝の側面および底面に金属膜を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記n側電極に接続されたn側金属を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記p側電極に接続されたp側金属を形成する工程と、
前記n側金属の周囲と前記p側金属の周囲に樹脂を形成する工程と、
前記n側金属、前記p側金属および前記樹脂に前記半導体層が支えられた状態で前記基板を除去する工程と、
前記半導体層の前記基板が除去された面側に蛍光体層を形成する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。 - 前記樹脂は、前記複数の発光素子の間にも形成され、
前記複数の発光素子の間の前記樹脂の領域でダイシングされて複数の半導体発光装置に個片化される請求項6記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記n側金属を形成する工程は、前記n側電極上にn側配線を形成する工程と、前記n側配線上にn側金属ピラーを形成する工程と、を有し、
前記p側金属を形成する工程は、前記p側電極上にp側配線を形成する工程と、前記p側配線上にp側金属ピラーを形成する工程と、を有する請求項6または7に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置の前記端部を外部回路に接続させる発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014100839A JP5834109B2 (ja) | 2014-05-14 | 2014-05-14 | 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014100839A JP5834109B2 (ja) | 2014-05-14 | 2014-05-14 | 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012263232A Division JP2013042191A (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015208113A Division JP6072192B2 (ja) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014160870A JP2014160870A (ja) | 2014-09-04 |
JP5834109B2 true JP5834109B2 (ja) | 2015-12-16 |
Family
ID=51612301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014100839A Active JP5834109B2 (ja) | 2014-05-14 | 2014-05-14 | 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5834109B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6555907B2 (ja) | 2015-03-16 | 2019-08-07 | アルパッド株式会社 | 半導体発光装置 |
KR102474695B1 (ko) * | 2015-04-02 | 2022-12-06 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3322300B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2002-09-09 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子と受光素子 |
JP4529319B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2010-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体チップとその製造方法 |
JP4214704B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2009-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子 |
JP4622253B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光デバイス及びその製造方法 |
US7179670B2 (en) * | 2004-03-05 | 2007-02-20 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode device without sub-mount |
JP4786886B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2011-10-05 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5347219B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2013-11-20 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP5526782B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2014-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-05-14 JP JP2014100839A patent/JP5834109B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014160870A (ja) | 2014-09-04 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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