JP2013042191A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、基板を含まない、発光層を含む半導体層であって、第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有する半導体層と、前記半導体層に設けられたn側電極及びp側電極と、前記n側電極に接続されたn側配線層と、前記p側電極に接続されたp側配線層と、前記n側配線層と前記p側配線層との間に、前記n側配線層及び前記p側配線層に接するように設けられた樹脂と、前記半導体層の外側に設けられた遮光材と、を備えている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。
Claims (16)
- 基板を含まない、発光層を含む半導体層であって、第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有する半導体層と、
前記半導体層に設けられたn側電極及びp側電極と、
前記n側電極に接続されたn側配線層と、
前記p側電極に接続されたp側配線層と、
前記n側配線層と前記p側配線層との間に、前記n側配線層及び前記p側配線層に接するように設けられた樹脂と、
前記半導体層の外側に設けられた遮光材と、
を備えた半導体発光装置。 - 前記遮光材は、金属を含む請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記遮光材は、樹脂を含む請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線層と前記p側配線層との間に設けられた前記樹脂は、前記発光層が発する光に対して不透明である請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線層は、前記n側電極上に設けられたn側配線と、前記n側配線上に設けられたn側金属ピラーとを有し、
前記p側配線層は、前記p側電極上に設けられたp側配線と、前記p側配線上に設けられたp側金属ピラーとを有する請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記n側配線の一部が、前記半導体層の側面にまで延在して前記遮光材として設けられている請求項5記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線、前記p側配線、前記n側金属ピラー及び前記p側金属ピラーは、銅を含む請求項5または6に記載の半導体発光装置。
- 前記第1の主面に対向して設けられた蛍光体層をさらに備えた請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線層及び前記p側配線層は、前記半導体層側に設けられたシード金属を有し、前記シード金属の一部が前記遮光材として設けられている請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂は、前記n側配線層の周囲及び前記p側配線層の周囲を覆っている請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂は、前記発光層が発する光に対して不透明であり、前記遮光材として設けられている請求項10記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線層上及び前記p側配線層上に設けられた外部端子をさらに備えた請求項1〜11のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記外部端子は、はんだボールまたは金属バンプである請求項12記載の半導体発光装置。
- 前記半導体層は、基板の上に形成され、前記基板が除去された請求項1〜13のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記n側電極上及び前記p側電極上に設けられ、前記n側電極に達する第1の開口と前記p側電極に達する第2の開口とを有する絶縁膜をさらに備え、
前記第1の開口内には前記n側配線層が設けられ、前記第2の開口内には前記p側配線層が設けられた請求項1〜14のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記n側金属ピラーの厚さ、前記p側金属ピラーの厚さ、および前記n側金属ピラーと前記p側金属ピラーとの間に設けられた前記樹脂の厚さは、前記半導体層の厚さよりも厚い請求項5記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012263232A JP2013042191A (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2012263232A JP2013042191A (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体発光装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009220434A Division JP2011071272A (ja) | 2009-09-25 | 2009-09-25 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014100839A Division JP5834109B2 (ja) | 2014-05-14 | 2014-05-14 | 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013042191A true JP2013042191A (ja) | 2013-02-28 |
Family
ID=47890229
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JP2012263232A Pending JP2013042191A (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013042191A (ja) |
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