JP4719323B2 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
分離溝31には、絶縁膜15が充填されていることが好ましいが、充填されていなくとも、基板1の主面上で半導体層12aの周辺近傍に絶縁膜15が設けられていれば、上記の屈折率差によるレーザ光Lの波面屈曲は抑えられ、強度分布が安定化し剥離条件が安定化しやすいという効果を得られる。
このとき、重なったレーザ光Lの部分には、絶縁膜15が設けられているので、分離溝31が空洞になっているものに比べて、屈折率差によるレーザ光Lの波面屈曲は抑えられ、強度分布が安定化し剥離条件が安定化しやすいという効果が得られる。
Claims (9)
- 基板の主面上に、発光層を有し、分離溝によって複数に分離された半導体層と、前記半導体層及び前記分離溝の底面を覆い、前記半導体層に比べて柔軟性があり、且つ厚い絶縁膜とを含む積層体を形成する工程と、
レーザ光の照射範囲の縁部が前記分離溝に隣接する前記半導体層の縁部近傍に位置するように、前記基板における前記主面の反対面側から前記半導体層にレーザ光を照射して、前記半導体層と前記基板とを分離する工程と、
前記半導体層と前記基板とを分離した後、前記絶縁膜における前記分離溝の前記底面とは反対側の面を露出させた状態で、前記分離溝の位置で前記絶縁膜を切断して前記積層体を個片化する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記絶縁膜を形成する工程は、
前記分離溝の前記底面を覆う第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜とは異なる材料からなる樹脂層を前記第1の絶縁膜上に形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記半導体層における前記基板に対する反対側の面に、電極を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜を貫通して前記電極に達するコンタクト部を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、前記コンタクト部を介して前記電極と電気的に接続された配線層を形成する工程と、
前記配線層における前記第1の絶縁膜に対する反対側の面に金属ピラーを形成する工程と、
をさらに備え、
前記金属ピラーを形成した後、前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項2記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記樹脂層は、前記配線層及び前記金属ピラーの周囲を覆うことを特徴とする請求項3記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記レーザ光の照射範囲の縁部が、前記分離溝に位置するように前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記レーザ光の照射範囲の縁部が、前記分離溝よりも前記半導体層側に位置するように前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜として樹脂を前記分離溝に充填することを特徴とする請求項2〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記基板における前記分離溝に対向する部分に溝を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記分離溝の少なくとも一部に前記第1の絶縁膜が設けられない空所を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項2〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
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