JP4715227B2 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、青色発光素子と、赤色発光素子とを含む半導体発光装置に関し、特に青色発光素子から出射された光の一部を波長変換して黄色に発色する蛍光体を含有して、透過した青色と蛍光体が発色する黄色とが混色して白色となる蛍光体層を備えた半導体発光装置およびその製造方法に関する。

青色発光素子からの青色の光を波長変換して黄色を発色する蛍光体を含有して、透過した青色と蛍光体が発色する黄色とが混色して白色となる蛍光体層を備えた半導体発光装置がある。この半導体発光装置は、安価に白色を発光させることができるが、発光する光に赤色成分が少ないため演色性が悪い。

演色性を向上させるために赤色発光素子を加えたものが特許文献１に記載されている。この特許文献１に記載の半導体発光装置を図１０および図１１に示す。

図１０に示す従来の半導体発光装置２０は、電極２１が設けられた基板２２に、青色発光素子２３と、赤色発光素子２４とが並べて実装されている。青色発光素子２３は、蛍光体２５を含有する蛍光体層２６で被覆され白色系ＬＥＤ部２７を構成し、赤色発光素子２４は、蛍光体２５を含有しない透明樹脂層２８で被覆されて、赤色ＬＥＤ部２９を構成している。

また図１１に示す従来の半導体発光装置３０は、蛍光体層２６が青色発光素子２３と赤色発光素子２４の両方を被覆している。
特開２００４−５５７７２号公報

しかし、図１０に示す従来の半導体発光装置２０は、蛍光体層２６が青色発光素子２３のみを被覆し、透明樹脂層２８が赤色発光素子２４のみを被覆しているので、蛍光体層２６および透明樹脂層２８を形成するには、基板２２に青色発光素子２３と赤色発光素子２４とを搭載した状態で、樹脂を２回塗布する必要があり、工程が煩雑である。

また図１１に示す従来の半導体発光装置３０は、青色発光素子２３のみならず赤色発光素子２４をも蛍光体層２６が被覆しているので、赤色発光素子２４から出射された全ての光は、蛍光体層２６に含有される蛍光体２５により、その進行が阻害されるので大幅に輝度が低下する。そうなると、輝度を高めるために消費電力の大きい赤色発光素子とする必要があり、電池で駆動される装置には不向きな半導体発光装置となってしまう。

そこで本発明は、演色性を維持しつつ、赤色発光素子の輝度低下が少ない半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の半導体発光装置は、青色に発光する青色発光素子と赤色に発光する赤色発光素子とが搭載面に搭載され、前記青色発光素子から出射された光の一部を波長変換して黄色に発光する波長変換層を設けた半導体発光装置において、前記波長変換層は、前記青色発光素子を被覆し、かつ前記赤色発光素子の前記搭載面側とは反対側となる主光取り出し面のみが露出するように形成されていることを特徴とする。

また、本発明の半導体発光装置の製造方法は、青色に発光する青色発光素子と赤色に発光する赤色発光素子とが搭載面に搭載され、前記青色発光素子から出射された光の一部を波長変換して黄色に発光する波長変換層が設けられている半導体発光装置の製造方法において、前記赤色発光素子と、前記赤色発光素子より高さが低い前記青色発光素子とを略平面とした搭載面に搭載する搭載工程と、前記波長変換層の厚みを、前記搭載面から前記赤色発光素子の主光取り出し面までとして形成する波長変換層形成工程とを備えたことを特徴とする。

波長変換層が、青色発光素子を被覆し、かつ赤色発光素子の主光取り出し面のみが露出するように形成されているので、演色性を維持しつつ、赤色発光素子の輝度低下が少ない半導体発光装置とすることができる。

本願の第１の発明は、青色に発光する青色発光素子と赤色に発光する赤色発光素子とが搭載面に搭載され、青色発光素子から出射された光の一部を波長変換して黄色に発光する波長変換層を設けた半導体発光装置において、波長変換層は、青色発光素子を被覆し、かつ赤色発光素子の搭載面側とは反対側となる主光取り出し面のみが露出するように形成されていることを特徴としたものである。

波長変換層が、青色発光素子を被覆し、かつ赤色発光素子の主光取り出し面のみが露出するように形成されているので、青色発光素子から出射された光の波長を変換しても、赤色発光素子の主光取り出し面から出射された光を阻害しないので、赤色発光素子の輝度低下を少ないものとすることができる。

波長変換層を形成する際には、波長変換層の厚みを、赤色発光素子の主光取り出し面に合わせて調整するだけで、青色発光素子を被覆しても、赤色発光素子の主光取り出し面のみが露出する波長変換層が、容易に形成できる。

本願の第２の発明は、青色発光素子と赤色発光素子とが略平面とした搭載面に搭載した状態で、赤色発光素子の方が青色発光素子より高く形成されていることを特徴とする。

赤色発光素子の方が青色発光素子より高く形成されているので、搭載面が略平面としても、波長変換層の厚みを赤色発光素子の主光取り出し面に合わせて調整するだけで、青色発光素子を被覆し、かつ赤色発光素子の主光取り出し面のみが露出する波長変換層を形成することができる。

本願の第３の発明は、青色発光素子と赤色発光素子とは、発光させる端子がそれぞれ個別に設けられていることを特徴としたものである。

発光させる端子を、青色発光素子と赤色発光素子とそれぞれ個別に設けているので、赤色発光素子は、白色発光の際の演色性向上に寄与するだけでなく、赤色発光素子のみを点灯や点滅させることができる。従って赤色発光素子を、例えば携帯電話などの装置に実装したときに点灯や点滅に意味を持たせることで、報知手段として機能させることもできる。その場合でも波長変換層が赤色発光素子の主光取り出し面から出射される光を阻害しないため、輝度の低下を少ないものとすることができる。

本願の第４の発明は、青色に発光する青色発光素子と赤色に発光する赤色発光素子とが搭載面に搭載され、青色発光素子から出射された光の一部を波長変換して黄色に発光する波長変換層が設けられている半導体発光装置の製造方法において、赤色発光素子と、赤色発光素子より高さが低い青色発光素子とを略平面とした搭載面に搭載する搭載工程と、波長変換層の厚みを、搭載面から赤色発光素子の主光取り出し面までとして形成する波長変換層形成工程とを備えたことを特徴とする。

略平面とした搭載面に搭載した状態で、赤色発光素子より低くなる青色発光素子とし、波長変換層の厚みを、搭載面から赤色発光素子の主光取り出し面までとすることで、青色発光素子を被覆しても、赤色発光素子の主光取り出し面のみが露出する波長変換層を設けた半導体発光装置を製造することができる。従って、波長変換層が、青色発光素子を被覆し、かつ赤色発光素子の主光取り出し面のみが露出するように形成されているので、青色発光素子から出射された光の波長を変換しても、赤色発光素子の主光取り出し面から出射された光を阻害しないので、赤色発光素子の輝度低下を少ないものとすることができる。

本願の第５の発明は、青色発光素子は、透過性基板にｎ型半導体とｐ型半導体とを積層させ、ｎ型半導体にはｎ側電極、ｐ型半導体にはｐ側電極が設けられ、ｎ側電極およびｐ側電極を搭載面側として搭載面に搭載する発光素子であり、搭載工程にて発光素子を搭載面に搭載した後、透過性基板の主光取り出し面となる面を研磨して高さを調整したものに、波長変換層形成工程にて波長変換層を形成することを特徴としたものである。

青色発光素子を、透過性基板にｎ型半導体とｐ型半導体とを積層させ、ｎ型半導体にはｎ側電極、ｐ型半導体にはｐ側電極が設けられたフリップチップ型の発光素子とすると、透明基板を研磨することで、平面とした搭載面に搭載したときに赤色発光素子よりも高さの低い青色発光素子とすることができる。また、この研磨により、青色発光素子から出射された光が波長変換層を通過する距離を調整することができるので、より白色に近い色味とすることができる。

本願の第６の発明は、波長変換層形成工程は、搭載面から赤色発光素子の主光取り出し面までとした厚みに形成され、青色発光素子および赤色発光素子が搭載面に搭載された位置に、青色発光素子および赤色発光素子が収容される収容部を設けたスクリーンマスクを、青色発光素子および赤色発光素子に収容部を合わせて搭載面に載置し、収納部に波長変換層となる樹脂を充填し、スクリーンマスクの表面を均して波長変換層を形成することを特徴としたものである。

波長変換層形成工程は、スクリーン印刷法を用いて行うことができる。その際に、スクリーンマスクとして、搭載面から赤色発光素子の主光取り出し面までとした厚みに形成され、青色発光素子および赤色発光素子が搭載面に搭載される位置に、青色発光素子および赤色発光素子が収容される収容部を設けたものを使用することで、青色発光素子を被覆し、かつ赤色発光素子の主光取り出し面のみが露出した波長変換層を容易に形成することができる。これは従来の半導体発光装置の樹脂変換層を形成する際に用いるスクリーンマスクに、搭載面から赤色発光素子の主光取り出し面までの厚みとするだけで、工程の追加などは必要がない。

本願の第７の発明は、波長変換層形成工程の後に、スクリーンマスクに樹脂を充填して形成した波長変換層の表面を研磨することを特徴としたものである。

更に、波長変換層を形成した後に、赤色発光素子の主光取り出し面を研磨することで、波長変換層をスクリーン印刷法で形成するときに、赤色発光素子の主光取り出し面に僅かながらでも付着した樹脂を除去することができ、より赤色発光素子の輝度の低下を防止することができる。

（実施の形態）
本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の構成を図１から図５に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る半導体発光装置を説明する平面図である。図２は、本発明の実施の形態に係る半導体発光装置を説明する垂直断面図である。図３は、発光部を説明する平面図である。図４は、蛍光体層を説明する垂直断面図である。図５は、発光素子を説明する正面図である。

図１および図２に示すように、半導体発光装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２に搭載された発光部３と、リードフレーム２および発光部３とを導通接続するワイヤ４と、発光部３を覆う樹脂パッケージ５とを備えている。

リードフレーム２は、それぞれＣｕ合金等にＮｉ／Ａｇめっき処理等を行った板状材で形成されており、樹脂パッケージ５の一方の側面から突出する第１の電極部２ａおよび第２の電極部２ｂと、他方の側面から突出する第３の電極部２ｃおよび第４の電極部２ｄと、発光部３を搭載する搭載部２ｅを備えている。

第１の電極部２ａから第４の電極部２ｄは、樹脂パッケージ５のそれぞれ側方に突出して、半導体発光装置１の裏面側に屈曲され、更にその先部を外側に屈曲させて、外側に伸びるように形成されている。

発光部３は、搭載部２ｅに銀ペーストにより固着されている。ここで発光部３について図３および図４に基づいて詳細に説明する。

図３および図４に示すように、発光部３は、サブマウント素子３ａと、３個の青色発光素子３ｂと、１個の赤色発光素子３ｃと、蛍光体層８とで構成され、青色発光素子３ｂと赤色発光素子３ｃとが、サブマウント素子にフリップチップ実装されている。

サブマウント素子３ａは、セラミックで形成されており、その上面である搭載面に、青色発光素子３ｂおよび赤色発光素子３ｃに設けられた電極と接続して両端部へ引き出す配線パターン３ａ−１が設けられている。本実施の形態ではサブマウント素子３ａを、青色発光素子３ｂおよび赤色発光素子３ｃからの光を反射させやすいセラミックとしたが、ｎ型半導体とｐ型半導体とでツェナーダイオードを構成したものとしてもよい。

配線パターン３ａ−１は、それぞれの青色発光素子３ｂと赤色発光素子３ｃに設けられたアノードとカソードに対応させて個々に設けられている。そして図１に示すようにワイヤ４が、個々に設けられている配線パターン３ａ−１と、第１の電極部２ａから第４の電極部２ｄとをそれぞれ接続している。従って、第１の電極部２ａから第３の電極部２ｃにそれぞれ電圧を印加すると、それぞれの青色発光素子３ｂが点灯し、第４の電極部２ｄへ電圧を印加すると、赤色発光素子３ｃが点灯する。

青色発光素子３ｂと赤色発光素子３ｃとは、透過性基板にｎ型半導体とｐ型半導体とを積層させ、ｎ型半導体にはｎ側電極、ｐ型半導体にはｐ側電極を設けたものである。ここで青色発光素子３ｂと赤色発光素子３ｃについて図５に基づいて詳細に説明する。なお、図５においては青色発光素子３ｂと、赤色発光素子３ｃとは、基本的な構成は同じなので便宜上、発光素子と称して説明する。

図５に示すように発光素子７は、サファイヤなどの透明基板７ａに、ｎ型半導体で形成されたｎ型半導体層７ｂと、発光する発光層７ｃと、ｐ型半導体で形成されたｐ型半導体層７ｄとを順次積層し、発光層７ｃおよびｐ型半導体層７ｄの一部をエッチングにて除去してｎ型半導体層７ｂを露出させ、露出したｎ型半導体層７ｂにｎ側電極７ｅを、ｐ型半導体層７ｄにｐ側電極７ｆを設けたものである。この発光素子７は、ｎ側電極７ｅおよびｐ側電極７ｆを搭載面側とし、その反対側となる透明基板７ａの上面が主光取り出し面Ｓ１となるように、サブマウント素子３ａに搭載される。発光素子７の高さは、赤色発光素子３ｃの場合は約１５０μｍ程度に形成され、青色発光素子３ｂの場合は、約６０μｍ程度に形成されている。

図４に戻って、蛍光体層８は、青色発光素子３ｂからの光を波長変換して黄色を発色する蛍光体（図示せず）を含有させた樹脂で形成された波長変換層である。蛍光体層８は、サブマウント素子３ａの搭載面上に、青色発光素子３ｂを被覆し、かつ赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１のみが露出するように、平面視して矩形状に形成されている。従って、蛍光体層８の厚みは、サブマウント素子３ａの搭載面から赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１までとなるので、約１５０μｍに形成されている。

図１および図２に示すように、樹脂パッケージ５は、例えば透明エポキシ等の樹脂で形成されている。樹脂パッケージ５は、平面視して矩形状に形成され、一方の側面から第１の電極部２ａおよび第２の電極部２ｂが、他方の側面から第３の電極部２ｃおよび第４の電極部２ｄが突出した基台部５ａと、略半球状に形成されたレンズ部５ｂとを備えている。

以上のように構成される本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法を図１から図８に基づいて説明する。図６から図８は、本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明する図である。

まず青色発光素子３ｂと赤色発光素子３ｃとを準備する。図６に示すように、３個ずつ青色発光素子３ｂを、図３で示される配置となるように合わせて、サブマウント素子３ａの元となる平板状の集合基板１０にＡｕバンプを介して搭載する。

集合基板１０に搭載した青色発光素子３ｂの透明基板７ａ（図５参照）の主光取り出し面Ｓ１の研磨を行い、サブマウント素子３ａの搭載面となる面からそれぞれの青色発光素子３ｂの高さが均一となるように調整する。白色の色度は、青色発光素子３ｂを蛍光体層８に被覆したときに、光が蛍光体層８内を通過する距離によって決定される。例えば青色発光素子３ｂのｎ側電極７ｅおよびｐ側電極７ｆの先端から、透明基板７ａの主光取り出し面Ｓ１までが短いと、蛍光体層８に被覆されたときに、光が透明基板７ａから出射され蛍光体層８内を通過する距離が長くなってしまい、蛍光体の励起が多く発生することで黄色が強い白色となる。従って、青色発光素子３ｂを複数準備したときに、白色の色度を合わせるため、青色発光素子３ｂの透明基板７ａの主光取り出し面Ｓ１を研磨することで、それぞれの青色発光素子３ｂの高さを均一とし、光が蛍光体層８内を通過する距離を合わせている。この研磨により、青色発光素子３ｂは、製造当初約９０μｍであったものが、この研磨により約６０μｍ程度となる。

次に、図７に示すように、赤色発光素子３ｃをそれぞれの所定の位置に、Ａｕバンプを介して集合基板１０に搭載して搭載工程を完了する。

搭載工程が完了すると、波長変換層である蛍光体層８を形成する波長変換層形成工程を行う。この工程は、スクリーン印刷法を用いて行われる。まず図８に示すように、赤色発光素子３ｃと青色発光素子３ｂとを搭載した集合基板１０の上方にスクリーンマスク９を配置する。

スクリーンマスク９は、サブマウント素子３ａとなる集合基板１０の搭載面から赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１までとした厚みに形成され、青色発光素子３ｂおよび赤色発光素子３ｃが搭載面に搭載された位置に収容部９ａを設けた板である。

このスクリーンマスク９を、収容部９ａに赤色発光素子３ｃおよび青色発光素子３ｂを収容するように、サブマウント素子３ａ上に載置する。そして収容部９ａに蛍光体を含有する樹脂を充填して、スクリーンマスク９の上面をスキージなどで均す。蛍光体を含有する樹脂が硬化すると蛍光体層８となる。

スクリーンマスク９として、サブマウント素子３ａの搭載面から赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１までとした厚みに形成され、青色発光素子３ｂおよび赤色発光素子３ｃが搭載面に搭載される位置に収容部９ａを設けたものを使用することで、青色発光素子３ｂを被覆し、かつ赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１のみが露出した蛍光体層８を容易に形成することができる。

更に、スクリーンマスク９の収容部９ａに樹脂を充填して形成した蛍光体層８の表面を研磨する。蛍光体層８の表面を研磨することで、露出した赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１が研磨されることとなる。そうすることで蛍光体層８をスクリーン印刷法で形成するときに、赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１に僅かながらでも付着した樹脂を除去することができ、より赤色発光素子３ｃの輝度の低下を防止することができる。

蛍光体層８の研磨が完了すると、集合基板１０をダイシングして、青色発光素子３ｂと赤色発光素子３ｃとを搭載したサブマウント素子３ａの個片とする。

そして、蛍光体層８が設けられ、個片としたサブマウント素子３ａをＡｇペースト等の接着剤を介してリードフレーム２の搭載部２ｅに搭載する。サブマウント素子３ａの配線パターン３ａ−１と、リードフレーム２の第１の電極部２ａから第４の電極部２ｄまでとを、それぞれワイヤ４で接続する。最後に、トランスファー成形法にて、樹脂パッケージ５を成形する。

次に、本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の使用状態を説明する。

まず白色発光させるときは、第１の電極部２ａから第４の電極部２ｄへそれぞれ所定の電圧を印加する。電圧を印加することで、１個の赤色発光素子３ｃおよび３個の青色発光素子３ｂへそれぞれ電流が流れ発光する。青色発光素子３ｂから出射された光は蛍光体層８内を通過するときに、蛍光体層８に含有される蛍光体が励起して黄色に発光する光と、そのまま通過した青色の光とが混色して白色となり樹脂パッケージ５へ入射する。蛍光体層８は、青色発光素子３ｂの周囲だけでなく、赤色発光素子３ｃの周囲を囲うように形成されているので、青色発光素子３ｂの周囲だけでなく、赤色発光素子３ｃの周囲も白色に発光しているように見える。そして、赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１から出射された光は、主光取り出し面Ｓ１が蛍光体層８から露出しているので、光の進行の阻害なしに樹脂パッケージ５内へ入射させることができる。従って、主光取り出し面Ｓ１から出射された光は、蛍光体層８による輝度の低下がないので、赤色発光素子３ｃの側方の周囲に蛍光体層８が形成されているものの、主光取り出し面Ｓ１を蛍光体層８から露出させることで、照明装置として演色性を維持しつつ、赤色発光素子の輝度低下を少ないものとすることができる。

また、半導体発光装置１の使用状態としては、例えば、演色性の高い照明装置として使用できる他に、赤色発光素子３ｃに対応する第４の電極部２ｄのみに電圧を印加することで、この半導体発光装置１は赤色発光素子３ｃのみ点灯することができるので、報知手段として機能させることができる。その場合でも蛍光体層８が赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１から出射される光を阻害しないため、輝度の低下を少ないものとすることができる。

なお、本実施の形態では、図４に示すようにサブマウント素子３ａの搭載面から蛍光体層８の表面までの高さが赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１までの高さと略等しくなるように形成されているが、図９に示すように赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１より低くなるように蛍光体層１１を形成してもよい。そうした場合でも、赤色発光素子３ｃの主光取り出し面Ｓ１から出射される光は、蛍光体層１１で阻害されないので、演色性を維持しつつ、赤色発光素子３ｃの輝度低下を少ないものとすることができる点では変わりはない。

本発明は、演色性を維持しつつ、赤色発光素子の輝度低下を少ないものとすることができるので、青色発光素子と、赤色発光素子とを含む半導体発光装置に関し、特に青色発光素子から出射された光を波長変換する蛍光体を含有して、透過した青色と蛍光体が発色する黄色とが混色して白色となる蛍光体層を備えた半導体発光装置に好適である。

本発明の実施の形態に係る半導体発光装置を説明する平面図 本発明の実施の形態に係る半導体発光装置を説明する垂直断面図 本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の発光部を説明する平面図 本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の蛍光体層を説明する垂直断面図 本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の発光素子を説明する正面図 本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明する図 本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明する図 本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明する図 本発明の他の実施の形態に係る半導体発光装置の蛍光体層を説明する垂直断面図 従来の半導体発光装置を説明する図 従来の半導体発光装置を説明する図

符号の説明

１ 半導体発光装置
２ リードフレーム
２ａ 第１の電極部
２ｂ 第２の電極部
２ｃ 第３の電極部
２ｄ 第４の電極部
２ｅ 搭載部
３ 発光部
３ａ サブマウント素子
３ａ−１ 配線パターン
３ｂ 青色発光素子
３ｃ 赤色発光素子
４ ワイヤ
５ 樹脂パッケージ
５ａ 基台部
５ｂ レンズ部
７ 発光素子
７ａ 透明基板
７ｂ ｎ型半導体層
７ｃ 発光層
７ｄ ｐ型半導体層
７ｅ ｎ側電極
７ｆ ｐ側電極
８ 蛍光体層
９ スクリーンマスク
９ａ 収容部
１０ 集合基板
１１ 蛍光体層
Ｓ１ 主光取り出し面

Claims (4)

1. 青色に発光する青色発光素子と赤色に発光する赤色発光素子とが搭載面に搭載され、前記青色発光素子から出射された光の一部を波長変換して黄色に発光する波長変換層が設けられている半導体発光装置の製造方法において、
   前記赤色発光素子と、前記赤色発光素子より高さが低い前記青色発光素子とを略平面とした搭載面に搭載する搭載工程と、
   前記波長変換層の厚みを、前記搭載面から前記赤色発光素子の主光取り出し面までとして形成する波長変換層形成工程とを備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
2. 前記青色発光素子は、透過性基板にｎ型半導体とｐ型半導体とを積層させ、前記ｎ型半導体にはｎ側電極、前記ｐ型半導体にはｐ側電極が設けられ、前記ｎ側電極および前記ｐ側電極を搭載面側として前記搭載面に搭載された発光素子であり、
   前記搭載工程にて前記発光素子を前記搭載面に搭載した後、前記透過性基板の主光取り出し面となる面を研磨して高さを調整したものに、前記波長変換層形成工程にて前記波長変換層を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。
3. 前記波長変換層形成工程は、前記搭載面から前記赤色発光素子の主光取り出し面までとした厚みに形成され、前記青色発光素子および前記赤色発光素子が前記搭載面に搭載された位置に、前記青色発光素子および前記赤色発光素子が収容される収容部を設けたスクリーンマスクを、前記青色発光素子および前記赤色発光素子に前記収容部を合わせて前記搭載面に載置し、前記収納部に前記波長変換層となる樹脂を充填し、前記スクリーンマスクの表面を均して前記波長変換層を形成することを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置の製造方法。
4. 前記波長変換層形成工程の後に、前記スクリーンマスクに樹脂を充填して形成した前記波長変換層の表面を研磨することを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置の製造方法。

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