JP2008251644A - 半導体発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】蛍光体層によって放射光が波長変換されないＬＥＤチップに蛍光体材料が付着することを防止することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光装置は、蛍光体材料を塗布及び硬化させて形成される蛍光体層によって放射光が波長変換される第１ＬＥＤチップと前記蛍光体層によって放射光が波長変換されない第２ＬＥＤチップを基体上に備え、第１ＬＥＤチップ及び第２ＬＥＤチップは、第２ＬＥＤチップの発光層が第１ＬＥＤチップの上面よりも前記基体上の高い位置にあるように配置される。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光装置（以下、「ＬＥＤ」と称する。）に関する。
図４（ａ）〜（ｃ）を用いて、複数のＬＥＤチップを有する従来のＬＥＤについて説明する（例えば、特許文献１及び２を参照。）。図４（ａ）は、従来のＬＥＤの構造を示す平面図であり、図４（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図４（ａ）中のＩ−Ｉ断面図，ＩＩ−ＩＩ断面図である。
図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、従来のＬＥＤは、基体１上に青色の光を放射する青色ＬＥＤチップ３Ｂ、緑色の光を放射する緑色ＬＥＤチップ３Ｇ及び赤色の光を放射する赤色ＬＥＤチップ３Ｒを備えている。基体１は、それぞれのＬＥＤチップ３ごとに第１及び第２端子１ａ及び１ｂを有する。各ＬＥＤチップ３は、第１端子１ａ上に配置されている。また、各ＬＥＤチップ３は、２つの電極を有しており、そのうちの一方の電極と第１端子１ａとが第１導電ワイヤ５ａで電気的に接続されており、他方の電極と第２端子１ｂとが第２導電ワイヤ５ｂで電気的に接続されている。ＬＥＤチップ３Ｂ，３Ｇ及び３Ｒは、透明樹脂封止層７で封止されている。第１端子１ａと第２端子１ｂの間に電圧が印加されると、ＬＥＤチップ３Ｂ，３Ｇ，３Ｒは、それぞれ、青色、緑色、赤色の光Ｌを放射する。
このようなＬＥＤでは、青色、緑色、赤色の光を混ぜることにより任意の色、例えば白色の光が得られることが知られている。
特開２００６−３１０６１３号公報 特開２００４−２７４０２７号公報
しかし、ＬＥＤチップ３Ｂ，３Ｇ及び３Ｒからの光Ｌを混ぜて得られる白色光のスペクトルは、図５に示すように、幅が狭い３つのピークを有しており、このような白色光は、演色性が良くない。
演色性を改善するために、図６に示すように緑色ＬＥＤチップ３Ｇの代わりに蛍光体を励起するための光（例えば青色光）を放射する励起ＬＥＤチップ３Ｅを設け、励起ＬＥＤチップ３Ｅに対して蛍光体を含む流動性材料（以下、「蛍光体材料」と呼ぶ。）を塗布して硬化させることによって蛍光体層９を形成する技術が知られている。蛍光体として緑色蛍光体を用いたとき、及び黄色蛍光体と緑色蛍光体の両方と用いたときに得られる白色光のスペクトルをそれぞれ図７（ａ）及び（ｂ）に示す。図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、何れの場合でも真ん中のピークの幅が広くなっており、励起ＬＥＤチップ３Ｅと蛍光体層９との組み合わせによって演色性が改善されることが分かる。
蛍光体材料は、流動性を有しているため、励起ＬＥＤチップ３Ｅに対して蛍光体材料を塗布する際、図８に示すように蛍光体材料が広がって、蛍光体材料を塗布しないＬＥＤチップ３に付着することがある。この場合、輝度の低下や色温度制御が困難になる等の問題が生じる場合がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、蛍光体層によって放射光が波長変換されないＬＥＤチップに蛍光体材料が付着することを防止することができるＬＥＤを提供するものである。
課題を解決するための手段及び発明の効果
本発明のＬＥＤは、蛍光体材料を塗布及び硬化させて形成される蛍光体層によって放射光が波長変換される第１ＬＥＤチップと前記蛍光体層によって放射光が波長変換されない第２ＬＥＤチップを基体上に備え、第１ＬＥＤチップ及び第２ＬＥＤチップは、第２ＬＥＤチップの発光層が第１ＬＥＤチップの上面よりも前記基体上の高い位置にあるように配置される。
本発明によれば、第２ＬＥＤチップの発光層が第１ＬＥＤチップの上面よりも前記基体上の高い位置にあるように第１ＬＥＤチップ及び第２ＬＥＤチップが配置されているので、第１ＬＥＤチップに蛍光体材料を塗布する際に蛍光体材料が広がっても第２ＬＥＤチップに付着しない。従って、蛍光体材料を塗布しない第２ＬＥＤチップに蛍光体材料が付着することが防止される。
以下、種々の実施形態を例示する。
前記基体上に透明樹脂層をさらに備え、第１ＬＥＤチップは、その一部又は全部が前記透明樹脂層中に埋められており、前記蛍光体層は、前記透明樹脂層上に設けられてもよい。図８に示すように蛍光体材料が広がった場合等には第１ＬＥＤチップの上方に存在する蛍光体材料の量が少なくなり、その結果、形成される蛍光体層９の厚さが第１ＬＥＤチップの上方で薄くなり、第１ＬＥＤチップから上向きに放射された光が十分に波長変換されないという問題が生じ得る。本実施形態では、第１ＬＥＤチップの一部又は全部が透明樹脂層中に埋められているので、第１ＬＥＤチップの周囲が嵩上げされた状態になって蛍光体材料の多くが第１ＬＥＤチップよりも高い位置に配置される。従って、本実施形態によれば、第１ＬＥＤチップの上方での蛍光体層の厚さが比較的厚くなり、第１ＬＥＤチップからの光がより確実に波長変換される。
前記透明樹脂層の表面は、第１ＬＥＤチップの上面と実質的に同一平面であってもよい。この場合、蛍光体材料の全部が第１ＬＥＤチップよりも高い位置に配置され、第１ＬＥＤチップの上方での蛍光体層の厚さが厚くなりやすい。また、透明樹脂層が不必要に厚すぎると、その分だけ第２ＬＥＤチップを高い位置に配置する必要があるという問題が生じ得るが、本実施形態では、そのような問題が生じない。
第２ＬＥＤチップは、嵩上げ部を介して前記基体上に配置されてもよい。嵩上げ部を用いると、第２ＬＥＤチップの発光層の位置を第１ＬＥＤチップの上面の位置よりも高くするのが容易である。
また、第２ＬＥＤチップは、第２ＬＥＤチップの発光層よりも下側の部分の高さが、第１ＬＥＤチップの高さよりも高くてもよい。この場合、嵩上げ部を用いることなく、第２ＬＥＤチップの発光層の位置を第１ＬＥＤチップの上面の位置よりも高くすることができる。
第２ＬＥＤチップの数は、複数であり、前記嵩上げ部は、それぞれの第２ＬＥＤチップに対して設けられてもよい。複数の第２ＬＥＤチップを１つの嵩上げ部上に載せる場合、嵩上げ部のサイズが大きくなる場合があるが、本実施形態によれば嵩上げ部のサイズを必要最小限にすることができる。
また、本発明によれば、基体上に第１ＬＥＤチップ及び第２ＬＥＤチップを配置し、蛍光体材料を第１ＬＥＤチップに対して塗布し、硬化させて蛍光体層を形成する工程を備え、第１ＬＥＤチップ及び第２ＬＥＤチップは、第２ＬＥＤチップの発光層が第１ＬＥＤチップの上面よりも前記基体上の高い位置にあるように配置されるＬＥＤの製造方法が提供される。
この製造方法によれば、第２ＬＥＤチップの発光層が第１ＬＥＤチップの上面よりも前記基体上の高い位置にあるように第１ＬＥＤチップ及び第２ＬＥＤチップが配置されているので、第１ＬＥＤチップに蛍光体材料を塗布する際に蛍光体材料が広がっても第２ＬＥＤチップに付着しない。従って、第２ＬＥＤチップに蛍光体材料が付着することが防止される。
前記材料を塗布する前に第１ＬＥＤチップの一部又は全部が埋められるように前記基体上に透明樹脂層を形成する工程をさらに備えてもよい。上述した通り、第１ＬＥＤチップの上方での蛍光体層の厚さが厚くなり、第１ＬＥＤチップからの光がより確実に波長変換される。
前記透明樹脂層は、透明樹脂層の表面が第１ＬＥＤチップの上面と実質的に同一平面になるように形成されてもよい。この場合、蛍光体材料の全部が第１ＬＥＤチップよりも高い位置に配置され、第１ＬＥＤチップの上方での蛍光体層の厚さが厚くなりやすい。
第２ＬＥＤチップの配置は、前記基体上に嵩上げ部を形成し、前記嵩上げ部上に第２ＬＥＤチップを配置することによって行ってもよい。この場合、第２ＬＥＤチップの発光層の位置を第１ＬＥＤチップの上面の位置よりも高くするのが容易である。
また、第２ＬＥＤチップは、第２ＬＥＤチップの発光層よりも下側の部分の高さが、第１ＬＥＤチップの高さよりも高くてもよい。この場合、嵩上げ部を用いることなく、第２ＬＥＤチップの発光層の位置を第１ＬＥＤチップの上面の位置よりも高くすることができる。
第２ＬＥＤチップの数は、複数であり、前記嵩上げ部は、それぞれの第２ＬＥＤチップに対して形成されてもよい。複数の第２ＬＥＤチップを１つの嵩上げ部上に載せる場合、嵩上げ部のサイズが大きくなる場合があるが、本実施形態によれば嵩上げ部のサイズを必要最小限にすることができる。
ここで示した種々の実施形態は、互いに組み合わせることができる。
以下，本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す内容は，例示であって，本発明の範囲は，図面や以下の記述中で示すものに限定されない。以下の実施形態では、第１ＬＥＤチップが励起ＬＥＤチップ３Ｅ、第２ＬＥＤチップが青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒである場合を例にとって説明する。以下の説明は、第２ＬＥＤチップが１つ又は３つ以上である場合や、第２ＬＥＤチップが青色や赤色以外の色（波長）の光を放射するＬＥＤチップである場合にも当てはまる。
１．ＬＥＤの構造
図１（ａ）〜（ｃ）を用いて、本発明の一実施形態のＬＥＤの構造について説明する。図１（ａ）は、本実施形態のＬＥＤの構造を示す平面図であり、図１（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）中のＩ−Ｉ断面図，ＩＩ−ＩＩ断面図である。
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態のＬＥＤは、基体１上に、青色の光Ｌを放射する青色ＬＥＤチップ３Ｂ、蛍光体を励起するための光Ｌを放射する励起ＬＥＤチップ３Ｅ、赤色の光Ｌを放射する赤色ＬＥＤチップ３Ｒを備えている。青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒは、それぞれに設けられた嵩上げ部１１を介して基体１上に配置されている。励起ＬＥＤチップ３Ｅ、青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒは、青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒの発光層が励起ＬＥＤチップ３Ｅの上面よりも基体１上の高い位置にあるように配置されている。
基体１上には透明樹脂層１３が設けられており、励起ＬＥＤチップ３Ｅは、透明樹脂層１３中に埋められている。透明樹脂層１３の表面は、励起ＬＥＤチップ３Ｅの上面と実質的に同一平面になっている。
透明樹脂層１３上であって励起ＬＥＤチップ３Ｅの真上及び近傍には蛍光体層９が設けられている。従って、励起ＬＥＤチップ３Ｅからの放射光Ｌは、蛍光体層９で波長変換される。蛍光体層９は、励起ＬＥＤチップ３Ｅに対して蛍光体材料を塗布し、これを硬化させることによって形成される。青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒの上方には蛍光体層９はなく、青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒからの放射光Ｌは、蛍光体層９によって波長変換されない。
基体１は、それぞれのＬＥＤチップ３ごとに第１端子１ａ及び第２端子１ｂを有する。各ＬＥＤチップ３は、対応する第１端子１ａ上に配置されている。また、各ＬＥＤチップ３は、２つの電極を有しており、そのうちの一方の電極と第１端子１ａとが第１導電ワイヤ（例:金線）５ａで電気的に接続されており、他方の電極と第２端子１ｂとが第２導電ワイヤ（例:金線）５ｂで電気的に接続されている。ＬＥＤチップ３Ｂ，３Ｅ及び３Ｒは、透明樹脂封止層７で封止されている。
以下、各構成要素について詳細に説明する。
１−１．基体
基体１の構成は、特に限定されない。一例では、基体１は、リードフレームであり、第１端子１ａ及び第２端子１ｂは、リード端子であるが、基体１と端子１ａ，１ｂの構成は、これに限定されない。基体１と端子１ａ，１ｂは、例えば、絶縁性基板（例:ガラエポ基板）とその上に形成された配線パターンとで構成することも可能である。
１−２．ＬＥＤチップ
各ＬＥＤチップ３の材料、形状、寸法及び波長等の構成は、特に限定されない。図１（ａ）〜（ｃ）には、ＬＥＤチップ３の片面に２つの電極がある場合を示しているが、ＬＥＤチップ３の両面に電極を１つずつ設けるようにしてもよい。この場合、ＬＥＤチップ３と第１端子１ａとはその接触面で電気的に接触させることができるので、第１導電ワイヤ５ａは、省略可能である。また、ＬＥＤチップ３の片面に２つの電極が形成されており、これらの電極が基体１に対向するようにＬＥＤチップ３を基体１上に配置することによって第１導電ワイヤ５ａ及び第２導電ワイヤ５ｂは省略可能である。なお、この場合、電極に接続される端子又は配線パターンは、ＬＥＤチップ３の２つの電極が短絡しないように構成される。
一例では、青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び励起ＬＥＤチップ３Ｅは、絶縁性サファイア基板上にエピタキシャル成長されたＩｎＧａＮ系（Ｖ族元素が窒素であるIII−Ｖ族化合物半導体）ＬＥＤチップであり、赤色ＬＥＤチップ３Ｒは、ＩｎＧａＡｌＰ／ＧａＡｓ系ＬＥＤである。この例では、青色ＬＥＤチップ３Ｂと励起ＬＥＤチップ３Ｅが放射する光の波長は同じであるが、異なっていてもよい。励起ＬＥＤチップ３Ｅが放射する光は、蛍光体層９に含まれる蛍光体を励起可能なものであればよく、例えば、紫外光であってもよい。
１−３．嵩上げ部
嵩上げ部１１の材料、形状及び寸法等の構成は、特に限定されない。ＬＥＤチップ３で発生した熱を基体１に逃がすという観点からは、嵩上げ部１１は、熱伝導性が高い材料、例えばアルミニウム等の金属で形成することが好ましい。嵩上げ部１１の形成方法は、特に限定されない。嵩上げ部１１は、鍛造等によって基体１と一体に形成してもよく、ブロック状の部材を別途準備して、この部材を基体１に貼り付けることによって形成してもよい。
嵩上げ部１１の平面形状は、例えば、ＬＥＤチップ３と相似した形状であり、その寸法は、例えばＬＥＤチップ３よりも僅かに大きい寸法である。この場合、嵩上げ部１１の大きさを必要最小限にすることができる。嵩上げ部１１の高さは、蛍光体層９を形成する際に蛍光体材料がＬＥＤチップ３に付着することを防止できる高さであれば特に限定されない。本実施形態では、嵩上げ部１１は、各ＬＥＤチップ３に対して１つずつ設けられている。複数のＬＥＤチップ３を１つの嵩上げ部１１上に載せる場合、嵩上げ部１１のサイズが大きくなる場合があるが、嵩上げ部１１は、ＬＥＤチップ３ごとに設けられているので、嵩上げ部１１のサイズが比較的小さくなっている。
１−４．透明樹脂層
透明樹脂層１３の材料、厚さ及び形成方法等の構成は、特に限定されない。本実施形態では、透明樹脂層１３の厚さは、励起ＬＥＤチップ３Ｅの高さは同程度である（すなわち、透明樹脂層１３の表面が励起ＬＥＤチップ３Ｅの上面と実質的に同一平面である）が、透明樹脂層１３の厚さは、これよりも薄くても厚くてもよい。但し、透明樹脂層１３は、表面が嵩上げ部１１の上面よりも低くなるようにする（つまり、透明樹脂層１３の厚さ方向の長さが嵩上げ部１１の高さ方向の長さよりも短くなるようにする。）透明樹脂層１３の上面が嵩上げ部１１の上面よりも高くなるようにすると、蛍光体材料が励起ＬＥＤチップ３Ｅ以外のＬＥＤチップ３に付着しやすくなるからである。
図２（ａ）は、透明樹脂層１３が励起ＬＥＤチップ３Ｅよりも薄い場合を示す。励起ＬＥＤチップ３Ｅは、一部のみが透明樹脂層１３中に埋められている。このような場合でも、励起ＬＥＤチップ３Ｅの周囲が嵩上げされた状態になって蛍光体材料の多くが励起ＬＥＤチップ３Ｅよりも高い位置に配置されるので、透明樹脂層１３を設けることによって励起ＬＥＤチップ３Ｅの上方での蛍光体層９の厚さが厚くなる。これによって、励起ＬＥＤチップ３Ｅから上方に放射される光Ｌがより確実に波長変換される。
図２（ｂ）は、透明樹脂層１３が励起ＬＥＤチップ３Ｅよりも僅かに厚い場合を示す。この場合、励起ＬＥＤチップ３Ｅは、透明樹脂層１３中に完全に埋められる。このような場合でも、透明樹脂層１３を設けることによって励起ＬＥＤチップ３Ｅの上方での蛍光体層９の厚さが厚くなる。
透明樹脂層１３は、流動性の透明樹脂を塗布し、硬化（例：熱硬化又は光硬化）させることによって形成することができる。透明樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂が挙げられる。透明樹脂層１３は、硬化後の表面が平坦であることが好ましい。従って、透明樹脂層１３の材料には、透明樹脂封止層７の材料よりも粘度が低いものを用いることが好ましい。
１−５．蛍光体層
蛍光体層９は、蛍光体材料を塗布及び硬化させて形成されるものであれば、材料、厚さ及び形成方法等の構成は、特に限定されない。蛍光体層９が配置される位置は、励起ＬＥＤチップ３Ｅから放射される光Ｌを波長変換することができる位置であれば特に限定されない。蛍光体層９は、具体的には、励起ＬＥＤチップ３Ｅに対して蛍光体材料を塗布し、硬化（例：熱硬化又は光硬化）させることによって形成することができる。蛍光体材料は、励起ＬＥＤチップ３Ｅの表面に塗布してもよく、図２（ｂ）のように励起ＬＥＤチップ３Ｅが透明樹脂層１３で覆われている場合は透明樹脂層１３表面に蛍光体材料を塗布してもよい。
蛍光体材料は、例えば、流動性の樹脂中に蛍光体を分散させたものからなる。樹脂の種類としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂が挙げられるが、励起光が青色光かそれより波長の短い紫外光等である場合には、変色が起こりにくいシリコーン樹脂が好ましい。蛍光体の種類は特に限定されない。蛍光体としては、例えば、セリウム付活ＹＡＧ（Ｃｅ：ＹＡＧ（例えば、特許第２９２７２７９号参照））やユーロピウム付活珪酸塩系蛍光体（Ｅｕ：ＢＯＳＥ（バリウムストロンチウムオルソシリケート、Ｅｕ：ＳＯＳＥ（ストロンチウムバリウムオルソシリケート））等）が挙げられる。これらの蛍光体は、青色光で励起され、黄色付近にピークを有する幅の広い発光スペクトルを有している。
１−６．透明樹脂封止層
透明樹脂封止層７の材料、厚さ及び形成方法等の構成は、特に限定されない。透明樹脂封止層７は、流動性の透明樹脂を塗布し、硬化（例：熱硬化又は光硬化）させることによって形成することができる。透明樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂が挙げられる。透明樹脂封止層７の材料は、透明樹脂層１３の材料と同じであっても異なっていても良い。透明樹脂封止層７の材料と透明樹脂層１３の材料が異なる場合には、両者の間に界面ができないように材料を選択することが好ましい。
１−７．リフレクタ
図示はしていないが、本実施形態のＬＥＤは、各ＬＥＤチップ３からの光を反射させるリフレクタを備えていてもよい。リフレクタとしては、例えば、特許文献１や２に記載されているような、全てのＬＥＤチップ３を取り囲み且つ基体１から離れるに伴って外側に広がるテーパー状の反射面を有するものを採用することができる。
２．ＬＥＤの製造方法
次に、図３（ａ）〜（ｅ）を用いて、上記のＬＥＤの製造方法について説明する。以下に示す製造方法は、例示であって、上記ＬＥＤは、別の方法で製造することもできる。
２−１．ＬＥＤチップ配置及び嵩上げ部形成工程
まず、基体１上に励起ＬＥＤチップ３Ｅを配置し、次に、基体１上に嵩上げ部１１を形成し、この嵩上げ部１１上に青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒを配置し、図１（ａ）に示す構造を得る。図１（ａ）に示すように、青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒは、嵩上げ部１１介して基体１上に配置されており、青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒの発光層は、励起ＬＥＤチップ３Ｅの上面よりも基体１上の高い位置にある。
励起ＬＥＤチップ３Ｅの配置は、例えば、Ａｇペーストを用いて励起ＬＥＤチップ３Ｅを基体１に貼り付け、オーブンを用いてＡｇペーストを硬化させることによって行うことができる。嵩上げ部１１の形成は、例えば、Ａｇペーストを用いてアルミニウム等からなる嵩上げブロックを基体１に貼り付け、オーブンを用いてＡｇペーストを硬化させることによって行うことができる。青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒの配置は、例えば、Ａｇペーストを用いて青色ＬＥＤチップ３Ｂ及び赤色ＬＥＤチップ３Ｒを嵩上げ部１１に貼り付け、オーブンを用いてＡｇペーストを硬化させることによって行うことができる。Ａｇペーストの硬化は、個別に行ってもよく、全てのＬＥＤチップ３と嵩上げ部１１の貼り付けを行った後に同時に行ってもよい。
２−２．配線工程
次に、各ＬＥＤチップ３の一方の電極と基体１の第１端子１ａを第１導電ワイヤ５ａで接続し、各ＬＥＤチップ３の他方の電極と基体１の第２端子１ｂを第２導電ワイヤ５ｂで接続し、図３（ｂ）に示す構造を得る。
２−３．透明樹脂層形成工程
次に、励起ＬＥＤチップ３Ｅの一部又は全部が埋められるように基体１上に透明樹脂層１３を形成し、図３（ｃ）に示す構造を得る。透明樹脂層１３は、透明樹脂層の表面が励起ＬＥＤチップ３Ｅの上面と実質的に同一平面になるように形成されている。
２−４．蛍光体層形成工程
次に、励起ＬＥＤチップ３Ｅに対して蛍光体材料を塗布し、硬化させることによって蛍光体層９を形成し、図３（ｄ）に示す構造を得る。
２−５．透明樹脂封止層形成工程
次に、各ＬＥＤチップ３及び導電ワイヤ５ａ，５ｂが隠れる厚さで透明樹脂封止層７を形成し、図３（ｅ）に示す構造を得て、本実施形態のＬＥＤの製造工程を完了する。
以上の実施形態で示した種々の特徴は，互いに組み合わせることができる。１つの実施形態中に複数の特徴が含まれている場合，そのうちの１又は複数個の特徴を適宜抜き出して，単独で又は組み合わせて，本発明に採用することができる。
（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態のＬＥＤの構造を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、（ａ）中のＩ−Ｉ断面図及びＩＩ−ＩＩ断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本発明の別の実施形態のＬＥＤの構造を示す図１（ｂ）に対応した断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態のＬＥＤの製造工程を示す断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、従来のＬＥＤの構造を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、（ａ）中のＩ−Ｉ断面図及びＩＩ−ＩＩ断面図である。 図４（ａ）〜（ｃ）のＬＥＤから放射される光のスペクトルの一例を示す。 （ａ）〜（ｃ）は、励起ＬＥＤチップからの光が蛍光体層によって波長変換されるＬＥＤの構造を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、（ａ）中のＩ−Ｉ断面図及びＩＩ−ＩＩ断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図６（ａ）〜（ｃ）のＬＥＤから放射される光のスペクトルの一例を示し、（ａ）は緑色の蛍光体が用いられた場合、（ｂ）は緑色の蛍光体と黄色の蛍光体の両方が用いられた場合の例を示す。 図６（ａ）〜（ｃ）の構造のＬＥＤの蛍光体層を形成する際の問題点を説明するための図６（ｂ）に対応した断面図である。
符号の説明
１：基体 １ａ：基体の第１端子 １ｂ：基体の第２端子 ３：ＬＥＤチップ ３Ｂ：青色ＬＥＤチップ ３Ｇ：緑色ＬＥＤチップ ３Ｒ：赤色ＬＥＤチップ ３Ｅ：励起ＬＥＤチップ ５ａ：第１導電ワイヤ ５ｂ：第２導電ワイヤ ７：透明樹脂封止層 ９：蛍光体層 １１：嵩上げ部 １３：透明樹脂層 Ｌ：光

Claims (10)

  1. 蛍光体を含む流動性材料を塗布及び硬化させて形成される蛍光体層によって放射光が波長変換される第１ＬＥＤチップと前記蛍光体層によって放射光が波長変換されない第２ＬＥＤチップを基体上に備え、
    第１ＬＥＤチップ及び第２ＬＥＤチップは、第２ＬＥＤチップの発光層が第１ＬＥＤチップの上面よりも前記基体上の高い位置にあるように配置される半導体発光装置。
  2. 前記基体上に透明樹脂層をさらに備え、
    第１ＬＥＤチップは、その一部又は全部が前記透明樹脂層中に埋められており、
    前記蛍光体層は、前記透明樹脂層上に設けられる請求項１に記載の装置。
  3. 前記透明樹脂層の表面は、第１ＬＥＤチップの上面と実質的に同一平面である請求項２に記載の装置。
  4. 第２ＬＥＤチップは、嵩上げ部を介して前記基体上に配置される請求項１〜３の何れか１つに記載の装置。
  5. 第２ＬＥＤチップの数は、複数であり、
    前記嵩上げ部は、それぞれの第２ＬＥＤチップに対して設けられる請求項４に記載の装置。
  6. 基体上に第１ＬＥＤチップ及び第２ＬＥＤチップを配置し、
    蛍光体を含む流動性材料を第１ＬＥＤチップに対して塗布し、硬化させて蛍光体層を形成する工程を備え、
    第１ＬＥＤチップ及び第２ＬＥＤチップは、第２ＬＥＤチップの発光層が第１ＬＥＤチップの上面よりも前記基体上の高い位置にあるように配置される半導体発光装置の製造方法。
  7. 前記流動性材料を塗布する前に第１ＬＥＤチップの一部又は全部が埋められるように前記基体上に透明樹脂層を形成する工程をさらに備える請求項６に記載の方法。
  8. 前記透明樹脂層は、透明樹脂層の表面が第１ＬＥＤチップの上面と実質的に同一平面になるように形成される請求項７に記載の方法。
  9. 第２ＬＥＤチップの配置は、前記基体上に嵩上げ部を形成し、前記嵩上げ部上に第２ＬＥＤチップを配置することによって行われる請求項６〜８の何れか１つに記載の方法。
  10. 第２ＬＥＤチップの数は、複数であり、
    前記嵩上げ部は、それぞれの第２ＬＥＤチップに対して形成される請求項９に記載の方法。
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