TWM458672U - 光源模組 - Google Patents

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TWM458672U
TWM458672U TW102206511U TW102206511U TWM458672U TW M458672 U TWM458672 U TW M458672U TW 102206511 U TW102206511 U TW 102206511U TW 102206511 U TW102206511 U TW 102206511U TW M458672 U TWM458672 U TW M458672U
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陳正言
李允立
蘇柏仁
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新世紀光電股份有限公司
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Description

光源模組
本創作是有關於一種光源模組，且特別是有關於一種以發光二極體晶片作為光源的光源模組。
發光二極體具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝高功率發展，因此其應用領域已擴展至道路照明、大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
一般來說，發光二極體光源模組是將多個發光二極體晶片以矩陣排列的方式配置於基板上。然而，相鄰兩發光二極體晶片所發出的側向光會被彼此所吸收，因而導致發光二極體晶片所發出的側向光無法有效被利用，進而降低發光二極體光源模組的出光效率。
本創作提供一種光源模組，其具有良好的出光效率。
本創作的光源模組包括一基板、多個第一發光二極體晶片與至少一第二發光二極體晶片。基板具有一上表面。多個第一發光二極體晶片配置於上表面上且與基板電性連接。第二發光二極體晶片配置於上表面上且與基板電性連接。每一第一發光二極體晶片相對遠離基板的上表面的一頂面至上表面相隔一第一距離，第二發光二極體晶片相對遠離基板的上表面的一頂面至上表面相隔一第二距離，且第二距離大於每一第一距離。
在本創作的一實施例中，上述的基板包括多個第一接墊與多個第二接墊。多個第一接墊內埋於基板的上表面，其中每一第一接墊的一表面略切齊於基板的上表面。每一第一發光二極體晶片經由相對應的第一接墊電性連接基板。多個第二接墊配置於基板的上表面上，其中第二發光二極體晶片經由相對應的第二接墊電性連接基板。
在本創作的一實施例中，上述的每一第一發光二極體晶片包括一第一晶片基板、一第一半導體層以及多個第一電極。第二發光二極體晶片包括一第二晶片基板、一第二半導體層以及多個第二電極。第二晶片基板的厚度大於每一第一晶片基板的厚度，且第一電極與第二電極皆配置於基板的上表面上。
在本創作的一實施例中，上述的第二晶片基板的厚度介於每一第一晶片基板的厚度的1倍至1+Scot(θ/2)/d”倍之間，其中S為第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片間距，d”為第一晶 片基板的厚度，θ為第一發光二極體晶片之出光角。
在本創作的一實施例中，上述的第二發光二極體晶片位在任兩相鄰的第一發光二極體晶片之間。
在本創作的一實施例中，上述的第一發光二極體晶片圍繞第二發光二極體晶片。
在本創作的一實施例中，上述的第一發光二極體晶片為多個覆晶式發光二極體晶片。
在本創作的一實施例中，上述的第二發光二極體晶片為一覆晶式發光二極體晶片。
在本創作的一實施例中，上述的第二距離為每一第一距離的1倍至1+Scot(θ/2)/d倍之間，其中S為第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片間距，d為第一距離，θ為第一發光二極體晶片之出光角。
在本創作的一實施例中，上述的第二發光二極體晶片側表面具有高反射率之物質。
基於上述，由於本創作的光源模組是利用第二發光二極體晶片相對遠離基板的上表面的一頂面到基板的上表面的距離大於每一第一發光二極體晶片相對遠離基板的上表面的一頂面到基板的上表面的距離，因此第二發光二極體晶片可有效反射來自第一發光二極體晶片的側向光線，進而使光源模組具有良好的出光效率。
為讓本創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、200、300、400‧‧‧光源模組
120、220、320、420‧‧‧基板
120a、220a‧‧‧上表面
124‧‧‧第一接墊
124a‧‧‧表面
126‧‧‧第二接墊
140、240、340、440‧‧‧第一發光二極體晶片
140a、160a、240a、260a‧‧‧頂面
160、260、360、460‧‧‧第二發光二極體晶片
242‧‧‧第一晶片基板
244‧‧‧第一半導體層
244a‧‧‧第一型摻雜半導體層
244b‧‧‧第二型摻雜半導體層
244c‧‧‧第一發光層
246‧‧‧第一電極
262‧‧‧第二晶片基板
264‧‧‧第二半導體層
266‧‧‧第二電極
264a‧‧‧第三型摻雜半導體層
264b‧‧‧第四型摻雜半導體層
264c‧‧‧第二發光層
d1、d1’‧‧‧第一距離
d2、d2’‧‧‧第二距離
H‧‧‧高度差
S‧‧‧第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片間距
θ‧‧‧第一發光二極體晶片之出光角
d”‧‧‧第一晶片基板厚度
圖1繪示為本創作的一實施例的一種光源模組的剖面示意圖。
圖2繪示為本創作的另一實施例的一種光源模組的剖面示意圖。
圖3繪示為本創作的又一實施例的一種光源模組的俯視示意圖。
圖4繪示為本創作的再一實施例的一種光源模組的俯視示意圖。
圖1繪示為本創作的一實施例的一種光源模組的剖面示意圖。請參考圖1，光源模組100包括一基板120、多個第一發光二極體晶片140與至少一第二發光二極體晶片160(圖1中僅示意性地繪示一個)。基板120具有一上表面120a。多個第一發光二極體晶片140配置於上表面120a上且與基板120電性連接。第二發光二極體晶片160配置於上表面120a上且與基板120電性連接。每一第一發光二極體晶片140相對遠離基板120的上表面120a的一頂面140a至基板120的上表面120a相隔一第一距離d1，第二發光二極體晶片160相對遠離基板120的上表面120a的一頂面160a至基板120的上表面120a相隔一第二距離d2，且第二距離d2大於每一第一距離d1。如此，第二發光二極體晶片160可有效反射來自第一發光二極體晶片140的側向光線。
請再參考圖1，詳細而言，基板120包括多個第一接墊124與多個第二接墊126。第一接墊124內埋於基板120的上表面120a， 其中每一第一接墊124的一表面124a略切齊於基板120的上表面120a，且每一第一發光二極體晶片140經由相對應的第一接墊124電性連接基板120。第二接墊126配置於基板120的上表面120a上，其中第二發光二極體晶片160經由第二接墊126電性連接基板120。在本實施例中，第一接墊124可視為一內埋式接墊，而第二接墊126可視為一般接墊，意即第一接墊124與第二接墊126之間具有一高度差H。上述的第一接墊124與第二接墊126的設計可使得第二發光二極體晶片160的頂面160a到基板120的上表面120a的第二距離d2大於每一第一發光二極體晶片140的頂面140a到基板120的上表面120a的第一距離d1。較佳地，第二距離d2為每一第一距離d1的1倍至1+Scot(θ/2)/d1倍之間，其中S為第一發光二極體晶片140與第二發光二極體晶片160間距，d1為第一距離，θ為第一發光二極體晶片140之出光角。
再者，在本實施例中，第一發光二極體晶片140與第二發光二極體晶片160可以是完全相同的發光二極體晶片，意即第一發光二極體晶片140與第二發光二極體晶片160可具有相同的尺寸、大小及發出相同顏色的光等。因此，本實施例的第二距離d2大於每一第一距離d1是透過基板120的第一接墊124與第二接墊126的結構設置。當然，本創作並不限定第一發光二極體晶片140與第二發光二極體晶片160的結構型態，於其他實施例中，第一發光二極體晶片140與第二發光二極體晶片160可以是不同尺寸、不同大小及發出不同顏色的光的發光二極體晶片，仍屬於本創作可採用的技術方案，不脫離本創 作所欲保護的範圍。此外，本實施例的基板120可以是一透明基板，例如藍寶石基板。第一發光二極體晶片140可為多個覆晶式發光二極體晶片。第二發光二極體晶片160可為覆晶式發光二極體晶片。
由於本實施例的基板120的第一接墊124與第二接墊126之間具有高度差H，因此在相同尺寸及大小的第一發光二極體晶片140與第二發光二極體晶片160的情況下，第二發光二極體晶片160相對遠離基板120的上表面120a的頂面160a到基板120的上表面120a的第二距離d2大於每一第一發光二極體晶片140相對遠離基板120的上表面120a的頂面140a到基板120的上表面120a的第一距離d1。如此一來，第二發光二極體晶片160可有效反射來自第一發光二極體晶片140的側向光線，進而使光源模組100具有良好的出光效率。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2繪示為本創作的另一實施例的一種光源模組的剖面示意圖。請參考圖2，本實施例的光源模組200與圖1的光源模組100相似，其不同之處在於：本實施例之第一發光二極體晶片240與第二發光二極體晶片260具有不同的結構型態。
詳細而言，本實施例的每一第一發光二極體晶片240包括一第一晶片基板242、一第一半導體層244以及多個第一電極246。第一半導體層244是由一第一型摻雜半導體層244a、一第二型摻雜半導體 層244b以及一第一發光層244c所組成，其中第一發光層244c介於第一型摻雜半導體層244a與第二型摻雜半導體層244b之間。第二發光二極體晶片260包括一第二晶片基板262、一第二半導體層264以及多個第二電極266。第二半導體層264是由一第三型摻雜半導體層264a、一第四型摻雜半導體層264b以及一第二發光層264c所組成，其中第二發光層264c介於第三型摻雜半導體層264a與第四型摻雜半導體層264b之間。如圖2中所繪示，第二晶片基板262的厚度大於每一第一晶片基板242的厚度，且這些第一電極246與這些第二電極266皆配置於基板220的上表面220a上。也就是說，本實施例是利用第一晶片基板242與第二晶片基板262的厚度不同，而使第二距離d2’大於第一距離d1’。較佳地，第二晶片基板262的厚度介於每一第一晶片基板242的厚度的1倍至1+Scot(θ/2)/d”倍之間，其中S為第一發光二極體晶片240與第二發光二極體晶片260間距，d”為第一晶片基板242的厚度，θ為第一發光二極體晶片240之出光角。
由於本實施例的第一發光二極體晶片240與第二發光二極體晶片260具有不同厚度的第一晶片基板242與第二晶片基板262，因此第二發光二極體晶片260相對遠離基板220的上表面220a的頂面260a到基板220的上表面220a的第二距離d2’大於每一第一發光二極體晶片240相對遠離基板220的上表面220a的頂面240a到基板220的上表面220a的第一距離d1’。如此一來，第二發光二極體晶片260可有效反射來自第一發光二極體晶片240的側向光線，進而使光源模組200具有良好的出光效率。
圖3繪示為本創作的又一實施例的一種光源模組的俯視示意圖。請參考圖3，光源模組300的多個第一發光二極體晶片340與多個第二發光二極體晶片360在基板320上呈矩陣排列。為了使第二發光二極體晶片360有效地反射來自第一發光二極體晶片340的側向光線，第二發光二極體晶片360位在任兩相鄰的第一發光二極體晶片340之間。如圖3所繪示，每一第一發光二極體晶片340的周圍至少有四個第二發光二極體晶片360，可有效地反射第一發光二極體晶片340的側向光線，而使光源模組300具有較佳的出光效率。
圖4繪示為本創作的再一實施例的一種光源模組的俯視示意圖。請參考圖4，在本實施例中，光源模組400的多個第一發光二極體晶片440圍繞第二發光二極體晶片460。如此，位在中央的第二發光二極體晶片460可有效地反射來自周圍的第一發光二極體晶片440的側向光線。或者，於其他未繪示的實施例中，光源模組的多個第一發光二極體晶片可排列形成多個環形結構，多個第二發光二極體晶片可排列形成多個環形結構，且這些環形結構為同軸排列，其中第一發光二極體晶片形成的環形結構與第二發光二極體晶片形成的環形結構交替排列，此仍屬於本創作可採用的技術方案，不脫離本創作所欲保護的範圍。如此一來，第二發光二極體晶片460同樣可有效地反射來自第一發光二極體晶片440的側向光線，而使光源模組400具有較佳的出光效率。
綜上所述，由於本創作的光源模組是利用第二發光二極體晶片相對遠離基板的上表面的一頂面到基板的上表面的距離大於 每一第一發光二極體晶片相對遠離基板的上表面的一頂面到基板的上表面的距離，來達到第二發光二極體晶片可有效反射來自第一發光二極體晶片的側向光線的功效，進而使光源模組具有良好的出光效率。
此外，若欲提高第二發光二極體晶片之反射來自第一發光二極體晶片的側向光線的功效，第二發光二極體晶片之側表面可具有高反射率之物質(圖示未繪)，如此不但可減緩吸收第一發光二極體晶片之側光，使得第一發光二極體晶片之側向光線經反射有效地出光，更能反射第二發光二極體自身的側向出光，使第二發光二極體的側向光線更集中地向上發射。
雖然本創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧光源模組
120‧‧‧基板
120a‧‧‧上表面
124‧‧‧第一接墊
124a‧‧‧表面
126‧‧‧第二接墊
140‧‧‧第一發光二極體晶片
140a‧‧‧頂面
160‧‧‧第二發光二極體晶片
160a‧‧‧頂面
d1‧‧‧第一距離
d2‧‧‧第二距離
H‧‧‧高度差
S‧‧‧第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片間距

Claims (10)

  1. 一種光源模組，包括：一基板，具有一上表面；多個第一發光二極體晶片，配置於該上表面上且與該基板電性連接；以及至少一第二發光二極體晶片，配置於該上表面上且與該基板電性連接，其中各該第一發光二極體晶片相對遠離該基板的該上表面的一頂面至該上表面相隔一第一距離，該第二發光二極體晶片相對遠離該基板的該上表面的一頂面至該上表面相隔一第二距離，且該第二距離大於各該第一距離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，該基板包括：多個第一接墊，內埋於該基板的該上表面，其中各該第一接墊的一表面略切齊於該基板的該上表面，且各該第一發光二極體晶片經由相對應的該些第一接墊電性連接該基板；以及多個第二接墊，配置於該基板的該上表面上，其中該第二發光二極體晶片經由相對應的該些第二接墊電性連接該基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中各該第一發光二極體晶片包括一第一晶片基板、一第一半導體層以及多個第一電極，該第二發光二極體晶片包括一第二晶片基板、一第二半導體層以及多個第二電極，該第二晶片基板的厚度大於該第一晶片基板的厚度，且該些第一電極與該些第二電極皆配置於該基板的該上表面上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之光源模組，其中該第二晶片基板的厚度介於各該第一晶片基板的厚度的1倍至1+Scot(θ/2)/d”倍之間，其中S為第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片間距，d”為 第一晶片基板的厚度，θ為第一發光二極體晶片之出光角。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該第二發光二極體晶片位在任兩相鄰的該些第一發光二極體晶片之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該些第一發光二極體晶片圍繞該第二發光二極體晶片。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該些第一發光二極體晶片為多個覆晶式發光二極體晶片。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該第二發光二極體晶片為一覆晶式發光二極體晶片。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該第二距離為各該第一距離的1倍至1+Scot(θ/2)/d倍之間，其中S為第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片間距，d為第一距離，θ為第一發光二極體晶片之出光角。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中該第二發光二極體晶片側表面可具有高反射率之物質。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10504827B2 (en) 2016-06-03 2019-12-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102758804B1 (ko) * 2016-10-31 2025-01-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치
US10923635B2 (en) * 2016-12-30 2021-02-16 Lumileds Llc Phosphor deposition system for LEDs
KR102777054B1 (ko) * 2019-07-04 2025-03-11 서울반도체 주식회사 직병렬 연결된 복수의 발광 다이오드 칩을 갖는 발광 모듈
WO2021200832A1 (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 京セラ株式会社 半導体素子の製造方法および半導体素子体並びに半導体素子基板
US11316086B2 (en) * 2020-07-10 2022-04-26 X Display Company Technology Limited Printed structures with electrical contact having reflowable polymer core
US20230260972A1 (en) * 2022-02-17 2023-08-17 Creeled, Inc. Arrangements of multiple-chip light-emitting diode packages
CN115274945B (zh) * 2022-09-30 2022-12-23 江西兆驰半导体有限公司 一种Micro-LED芯片封装方法
CN119050232A (zh) * 2024-08-23 2024-11-29 天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4929965A (en) * 1987-09-02 1990-05-29 Alps Electric Co. Optical writing head
US5606358A (en) * 1991-12-23 1997-02-25 Eastman Kodak Company Light-emitting diode printhead
US5353498A (en) * 1993-02-08 1994-10-11 General Electric Company Method for fabricating an integrated circuit module
JPH07169872A (ja) * 1993-12-13 1995-07-04 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH09130009A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路装置とその製造方法
US5803579A (en) * 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
FR2772516B1 (fr) * 1997-12-12 2003-07-04 Ela Medical Sa Circuit electronique, notamment pour un dispositif medical implantable actif tel qu'un stimulateur ou defibrillateur cardiaque, et son procede de realisation
JP3650001B2 (ja) * 2000-07-05 2005-05-18 三洋電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
TW507352B (en) * 2000-07-12 2002-10-21 Hitachi Maxell Semiconductor module and producing method therefor
JP3896029B2 (ja) * 2002-04-24 2007-03-22 三洋電機株式会社 混成集積回路装置の製造方法
JP4076841B2 (ja) * 2002-11-07 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004172489A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Nec Semiconductors Kyushu Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7034345B2 (en) * 2003-03-27 2006-04-25 The Boeing Company High-power, integrated AC switch module with distributed array of hybrid devices
JP4598767B2 (ja) * 2003-07-30 2010-12-15 パナソニック株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
US7132746B2 (en) * 2003-08-18 2006-11-07 Delphi Technologies, Inc. Electronic assembly with solder-bonded heat sink
TWI233188B (en) * 2003-10-07 2005-05-21 United Microelectronics Corp Quad flat no-lead package structure and manufacturing method thereof
US20050093181A1 (en) * 2003-11-04 2005-05-05 Brandenburg Scott D. Heat sinkable package
WO2005052666A1 (ja) * 2003-11-27 2005-06-09 Ibiden Co., Ltd. Ｉｃチップ実装用基板、マザーボード用基板、光通信用デバイス、ｉｃチップ実装用基板の製造方法、および、マザーボード用基板の製造方法
US7053469B2 (en) * 2004-03-30 2006-05-30 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Leadless semiconductor package and manufacturing method thereof
US8188315B2 (en) * 2004-04-02 2012-05-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device and flat panel display device comprising the same
US20060067073A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Chu-Chi Ting White led device
US9018655B2 (en) * 2005-02-03 2015-04-28 Epistar Corporation Light emitting apparatus and manufacture method thereof
US7271537B2 (en) * 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
KR20070039398A (ko) * 2005-10-07 2007-04-11 히다치 막셀 가부시키가이샤 반도체장치, 반도체 모듈 및 반도체 모듈의 제조방법
JP5089212B2 (ja) * 2007-03-23 2012-12-05 シャープ株式会社 発光装置およびそれを用いたｌｅｄランプ、発光装置の製造方法
JP2008251644A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Sharp Corp 半導体発光装置
JP5346448B2 (ja) * 2007-06-07 2013-11-20 シャープ株式会社 発光装置およびそれを搭載したカメラ付き携帯電話
KR20090002284A (ko) * 2007-06-26 2009-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
CN101836297A (zh) * 2007-10-26 2010-09-15 科锐Led照明科技公司 具有一个或多个发光荧光体的照明装置及其制造方法
US9754926B2 (en) * 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
KR20090055272A (ko) * 2007-11-28 2009-06-02 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ패키지, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 백라이트어셈블리
US8217514B2 (en) * 2008-04-07 2012-07-10 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with warpage control system and method of manufacture thereof
JP5132404B2 (ja) * 2008-04-17 2013-01-30 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US8237257B2 (en) * 2008-09-25 2012-08-07 King Dragon International Inc. Substrate structure with die embedded inside and dual build-up layers over both side surfaces and method of the same
JP5173758B2 (ja) * 2008-11-17 2013-04-03 新光電気工業株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP5342867B2 (ja) * 2008-12-19 2013-11-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び駆動方法
US20120049214A1 (en) * 2009-04-06 2012-03-01 Lowes Theodore D Monolithic Multi-Junction Light Emitting Devices Including Multiple Groups of Light Emitting Diodes
JP4815013B2 (ja) * 2009-04-09 2011-11-16 パナソニック株式会社 窒化物系半導体発光素子、照明装置、液晶表示装置および照明装置の製造方法
KR101020923B1 (ko) * 2010-01-07 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 광학 어셈블리, 이를 구비한 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
US8329482B2 (en) * 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US20120074432A1 (en) * 2010-09-29 2012-03-29 Amtran Technology Co., Ltd Led package module and manufacturing method thereof
KR101767100B1 (ko) * 2010-11-10 2017-08-10 삼성전자주식회사 발광 디바이스 및 그 제조방법
JP5669548B2 (ja) * 2010-12-08 2015-02-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
JP6104174B2 (ja) * 2010-12-29 2017-03-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー リモート蛍光体ｌｅｄ構造
KR101411255B1 (ko) * 2011-01-28 2014-06-23 삼성디스플레이 주식회사 광원 모듈 및 이의 제조 방법
JP2013084889A (ja) * 2011-09-30 2013-05-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US9093621B2 (en) * 2011-12-28 2015-07-28 Nichia Corporation Molded package for light emitting device
KR102071088B1 (ko) * 2012-01-17 2020-01-29 루미리즈 홀딩 비.브이. 큰 각도로 광을 방출하는 반도체 발광 디바이스 램프
US20130187540A1 (en) * 2012-01-24 2013-07-25 Michael A. Tischler Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods
TWI631697B (zh) * 2012-02-17 2018-08-01 財團法人工業技術研究院 發光元件及其製造方法
US8780561B2 (en) * 2012-03-30 2014-07-15 Raytheon Company Conduction cooling of multi-channel flip chip based panel array circuits
EP3382755B1 (en) * 2012-04-06 2020-01-08 Signify Holding B.V. White light emitting module
TWI473298B (zh) * 2012-04-20 2015-02-11 Genesis Photonics Inc 半導體發光元件及覆晶式封裝元件
US8735189B2 (en) * 2012-05-17 2014-05-27 Starlite LED Inc Flip light emitting diode chip and method of fabricating the same
US10413251B2 (en) * 2012-10-07 2019-09-17 Rhythm Diagnostic Systems, Inc. Wearable cardiac monitor
CN104781942B (zh) * 2012-11-01 2017-08-08 皇家飞利浦有限公司 具有宽色域的基于led的设备
US8859335B2 (en) * 2012-11-02 2014-10-14 Fujitsu Limited Method and system for controlling chip inclination during flip-chip mounting
KR20140058969A (ko) * 2012-11-07 2014-05-15 한국전자통신연구원 발광 다이오드 및 그 제조 방법
TWI485844B (zh) * 2013-05-02 2015-05-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體模組

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