JP2002241586A - 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法 - Google Patents
波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法Info
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フリップチップ型の発光素子の主光取り出し
面からの光を白色に波長変換する波長変換材料、複合発
光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法の提供。 【解決手段】 サブマウント素子２の上に導通搭載した
フリップチップ型の発光素子１とを備え、サブマウント
素子を受け皿として、発光素子の周りをこの発光素子１
の光の波長変換のための波長変換材料を含有した波長変
換ペ−スト材料で覆い、発光素子１の透明基板１ａの上
面の光取り出し面と波長変換材料層１６の外郭面との一
方または両方をサブマウント素子の裏面電極形成面と平
行として、主光取り出し面の上の波長変換層を一様と
し、発光素子の主光取り出し面からの光を一様に波長変
換して色度むらのない発光を可能とする。
面からの光を白色に波長変換する波長変換材料、複合発
光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法の提供。 【解決手段】 サブマウント素子２の上に導通搭載した
フリップチップ型の発光素子１とを備え、サブマウント
素子を受け皿として、発光素子の周りをこの発光素子１
の光の波長変換のための波長変換材料を含有した波長変
換ペ−スト材料で覆い、発光素子１の透明基板１ａの上
面の光取り出し面と波長変換材料層１６の外郭面との一
方または両方をサブマウント素子の裏面電極形成面と平
行として、主光取り出し面の上の波長変換層を一様と
し、発光素子の主光取り出し面からの光を一様に波長変
換して色度むらのない発光を可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光透過性基板上に
形成された半導体膜で構成される発光ダイオード、発光
レーザーダイオードなどの発光素子と該発光素子の発光
波長を他の波長に変換する蛍光物質又は発光波長を一部
吸収するフィルター物質を含有した波長変換ペースト材
料と半導体発光装置及びその製造方法に関するものであ
る。
形成された半導体膜で構成される発光ダイオード、発光
レーザーダイオードなどの発光素子と該発光素子の発光
波長を他の波長に変換する蛍光物質又は発光波長を一部
吸収するフィルター物質を含有した波長変換ペースト材
料と半導体発光装置及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】青色発光の発光ダイオード（以下「ＬＥ
Ｄと略す」）は、近来になって、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ，
ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮ等のＧａＮ系化合物半導
体を利用することによって発光輝度の高い製品が得られ
るようになった。そして、この青のＬＥＤと旧来からの
赤、緑発光のＬＥＤとの組み合わせにより、これらのＬ
ＥＤの３個を１ドットとする高画質のフルカラー画像の
形成が可能となった。
Ｄと略す」）は、近来になって、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ，
ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮ等のＧａＮ系化合物半導
体を利用することによって発光輝度の高い製品が得られ
るようになった。そして、この青のＬＥＤと旧来からの
赤、緑発光のＬＥＤとの組み合わせにより、これらのＬ
ＥＤの３個を１ドットとする高画質のフルカラー画像の
形成が可能となった。
【０００３】ＬＥＤの分野では、フルカラー対応には光
の三原色の赤、緑、青が必要であるから、これらの発光
色のＬＥＤより一層の開発と改良が主である。その一方
で、たとえば赤、緑、青の合成によってしか得られない
白色発光を単一のＬＥＤで達成しようとする試みも既に
為されている。このような試みの一つとして、たとえば
特開平７−９９３４５号公報に開示されたものがある。
の三原色の赤、緑、青が必要であるから、これらの発光
色のＬＥＤより一層の開発と改良が主である。その一方
で、たとえば赤、緑、青の合成によってしか得られない
白色発光を単一のＬＥＤで達成しようとする試みも既に
為されている。このような試みの一つとして、たとえば
特開平７−９９３４５号公報に開示されたものがある。
【０００４】この公報に記載のＬＥＤは、図９の概略に
示すように、発光素子６０を搭載するリードフレーム８
０ａ，８０ｂのマウント部８０ｃを含めて樹脂パッケー
ジ８５によって封止するいわゆるＬＥＤランプのタイプ
としたものである。そして、発光素子６０の発光波長を
変えて異なった発光色とするために、発光素子６０の周
りのマウント部８０ｃに蛍光物質８４を含んだ蛍光物質
層８３で封止した構成を持つ。すなわち、旧来のＬＥＤ
ランプでは発光素子６０を搭載するリードフレーム８０
ａ，８０ｂの先端部を含めて被覆するとともに、レンズ
機能も兼ねるエポキシ樹脂の樹脂パッケージ８５で封止
していたものに代えて、発光素子６０の周りに波長変換
用の蛍光物質層８３を形成し、その周りをエポキシ樹脂
の樹脂パッケージ８５で封止したものである。なお、図
９において、６１は透明のサファイア基板、６８はｎ電
極、６９は透明電極、８１は接着剤、８２ａ，８２ｂは
ワイヤーである。
示すように、発光素子６０を搭載するリードフレーム８
０ａ，８０ｂのマウント部８０ｃを含めて樹脂パッケー
ジ８５によって封止するいわゆるＬＥＤランプのタイプ
としたものである。そして、発光素子６０の発光波長を
変えて異なった発光色とするために、発光素子６０の周
りのマウント部８０ｃに蛍光物質８４を含んだ蛍光物質
層８３で封止した構成を持つ。すなわち、旧来のＬＥＤ
ランプでは発光素子６０を搭載するリードフレーム８０
ａ，８０ｂの先端部を含めて被覆するとともに、レンズ
機能も兼ねるエポキシ樹脂の樹脂パッケージ８５で封止
していたものに代えて、発光素子６０の周りに波長変換
用の蛍光物質層８３を形成し、その周りをエポキシ樹脂
の樹脂パッケージ８５で封止したものである。なお、図
９において、６１は透明のサファイア基板、６８はｎ電
極、６９は透明電極、８１は接着剤、８２ａ，８２ｂは
ワイヤーである。
【０００５】このような波長変換用の蛍光物質８４を含
む樹脂の蛍光物質層８３で発光素子６０を封止すること
で、発光素子６０からの青色発光の波長が蛍光物質８４
によって変えられ、高輝度のＧａＮ系化合物半導体を利
用した青色の発光素子６０を白色発光のデバイスとして
使えるようにする。すなわち、ＧａＮ系化合物半導体を
利用した青色発光の発光素子６０の場合では、それ自身
の青色発光の成分と、蛍光物質層８３に含まれた蛍光物
質８４によって波長変換された黄緑色の成分との混色に
よって白色発光が得られる。
む樹脂の蛍光物質層８３で発光素子６０を封止すること
で、発光素子６０からの青色発光の波長が蛍光物質８４
によって変えられ、高輝度のＧａＮ系化合物半導体を利
用した青色の発光素子６０を白色発光のデバイスとして
使えるようにする。すなわち、ＧａＮ系化合物半導体を
利用した青色発光の発光素子６０の場合では、それ自身
の青色発光の成分と、蛍光物質層８３に含まれた蛍光物
質８４によって波長変換された黄緑色の成分との混色に
よって白色発光が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＬＥＤランプの場合で
は、発光素子６０を搭載するマウント部８０ｃの内面を
光反射面として利用するので、図示の例のようにマウン
ト部８０ｃをすり鉢状とすることが有効である。ところ
が、マウント部８０ｃがすり鉢状であると、図１０に示
すように、発光素子６０の発光方向と側面方向の樹脂の
厚さＡ，Ｂが異なる場合が多い。これらの厚さの相違は
マウント部８０ｃの形状や発光素子６０の大きさ及び蛍
光物質層８３の充填厚さ等によって様々に変わる。この
ため、これらの条件を最適化できれば、発光素子６０の
周りの全方向で蛍光物質層８３の層厚を均一にすること
はできる。しかしながら、蛍光物質層８３の樹脂はディ
スペンサーによってマウント部８０ｃに注入されるの
で、その厚さを高精度で制御することは非常に難しく、
発光素子６０の周りの蛍光物質層８３の樹脂の厚さを均
一化することは現状では不可能である。発光素子６０の
周りの樹脂の厚さが異なると、厚さが大きいほど発光素
子６０からの青色発光が黄緑色に変換される割合も高く
なる。このため、発光素子６０の発光方向では良好な白
色が得られても、側面方向では黄緑色の成分が白色を上
回る場合がある。したがって、マウント部８０ｃの底面
及び内周面を反射面とする発光なので、中央部では白色
が占め、周辺部では黄色味を帯びた発光となってしま
う。
は、発光素子６０を搭載するマウント部８０ｃの内面を
光反射面として利用するので、図示の例のようにマウン
ト部８０ｃをすり鉢状とすることが有効である。ところ
が、マウント部８０ｃがすり鉢状であると、図１０に示
すように、発光素子６０の発光方向と側面方向の樹脂の
厚さＡ，Ｂが異なる場合が多い。これらの厚さの相違は
マウント部８０ｃの形状や発光素子６０の大きさ及び蛍
光物質層８３の充填厚さ等によって様々に変わる。この
ため、これらの条件を最適化できれば、発光素子６０の
周りの全方向で蛍光物質層８３の層厚を均一にすること
はできる。しかしながら、蛍光物質層８３の樹脂はディ
スペンサーによってマウント部８０ｃに注入されるの
で、その厚さを高精度で制御することは非常に難しく、
発光素子６０の周りの蛍光物質層８３の樹脂の厚さを均
一化することは現状では不可能である。発光素子６０の
周りの樹脂の厚さが異なると、厚さが大きいほど発光素
子６０からの青色発光が黄緑色に変換される割合も高く
なる。このため、発光素子６０の発光方向では良好な白
色が得られても、側面方向では黄緑色の成分が白色を上
回る場合がある。したがって、マウント部８０ｃの底面
及び内周面を反射面とする発光なので、中央部では白色
が占め、周辺部では黄色味を帯びた発光となってしま
う。
【０００７】このように蛍光物質８４を含む樹脂の蛍光
物質層８３の発光素子６０に対する全方向の厚さを均一
にできないことに起因して、純粋な白色光が得られな
い。すなわち、青色発光を蛍光物質８４によって黄緑色
に変換して本来の青色発光との混色により白色を得るの
で、発光素子６０に対する樹脂の層厚を最適化しないか
ぎり、純粋な白色光は得られない。
物質層８３の発光素子６０に対する全方向の厚さを均一
にできないことに起因して、純粋な白色光が得られな
い。すなわち、青色発光を蛍光物質８４によって黄緑色
に変換して本来の青色発光との混色により白色を得るの
で、発光素子６０に対する樹脂の層厚を最適化しないか
ぎり、純粋な白色光は得られない。
【０００８】また、蛍光物質層８３をマウント部８０ｃ
に注入した時、硬化後の樹脂に含まれる蛍光物質８４の
量の分布が一様でないと、白色発光の中に黄色の発光が
混在することにもなる。すなわち、発光素子６０からの
光路はその発光方向に三次元的に広がっているので、蛍
光物質８４の充填量にばらつきがあれば、波長変換度も
相違してくるので、黄色の発光を含むものとなり、純粋
な白色光は得られない。
に注入した時、硬化後の樹脂に含まれる蛍光物質８４の
量の分布が一様でないと、白色発光の中に黄色の発光が
混在することにもなる。すなわち、発光素子６０からの
光路はその発光方向に三次元的に広がっているので、蛍
光物質８４の充填量にばらつきがあれば、波長変換度も
相違してくるので、黄色の発光を含むものとなり、純粋
な白色光は得られない。
【０００９】さらに、純粋な白色光とともに高輝度が要
求されることは言うまでもない。高輝度を実現するため
には、蛍光物質８４そのものの輝度の高輝度化と、高輝
度化された蛍光物質８４を効率よく利用するための蛍光
物質層の設計が重要となってくる。
求されることは言うまでもない。高輝度を実現するため
には、蛍光物質８４そのものの輝度の高輝度化と、高輝
度化された蛍光物質８４を効率よく利用するための蛍光
物質層の設計が重要となってくる。
【００１０】本発明は、光透過性基板上に形成された半
導体膜で構成される発光ダイオード、発光レーザーダイ
オードなどの発光素子と該発光素子の発光波長を他の波
長に変換する蛍光物質又は発光波長を一部吸収するフィ
ルター物質を含有した波長変換ペースト材料、複合発光
素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法を提供する
ことによって、たとえば青色発光素子からの青色発光の
分布と波長変換された黄緑色の分布とを均一化して純粋
な白色の発光が得られるようにすることを解決課題とす
る。
導体膜で構成される発光ダイオード、発光レーザーダイ
オードなどの発光素子と該発光素子の発光波長を他の波
長に変換する蛍光物質又は発光波長を一部吸収するフィ
ルター物質を含有した波長変換ペースト材料、複合発光
素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法を提供する
ことによって、たとえば青色発光素子からの青色発光の
分布と波長変換された黄緑色の分布とを均一化して純粋
な白色の発光が得られるようにすることを解決課題とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題解決の
ため、以下の手段を講じている。上記課題は、請求項１
から１３に記載の波長変換ペースト材料にて解決され
る。また、この波長変換ペースト材料の有利な構成及び
製造方法は、請求項１４から２３に記載されている。す
なわち、請求項１から１３に記載の極めて分散性が高
く、波長変換層を形成するのに最適な波長変換ペースト
材料にて、請求項１４から１６に記載の複合発光素子及
び請求項１７に記載の半導体発光装置において、発光素
子の実装面を除く全周囲を被覆し、前記波長変換ペース
ト材料で構成される層は前記発光素子の前記実装面を除
く主光取り出し面及び四方の側面の各面に対してそれぞ
れ平行な外郭面を合成した外形としてなることを特徴と
する。このような構成では、波長変換ペースト材料中に
波長変換材料が均一に分散されることから、主光取り出
し面及び側面から放出される光のそれぞれについて波長
変換度を均一化できるので、黄色味を帯びない純粋な白
色発光が得られる。また、こうした複合発光素子及び半
導体発光装置は、請求項１８から２３に記載の製造方法
によって理想的な構成が得られる。
ため、以下の手段を講じている。上記課題は、請求項１
から１３に記載の波長変換ペースト材料にて解決され
る。また、この波長変換ペースト材料の有利な構成及び
製造方法は、請求項１４から２３に記載されている。す
なわち、請求項１から１３に記載の極めて分散性が高
く、波長変換層を形成するのに最適な波長変換ペースト
材料にて、請求項１４から１６に記載の複合発光素子及
び請求項１７に記載の半導体発光装置において、発光素
子の実装面を除く全周囲を被覆し、前記波長変換ペース
ト材料で構成される層は前記発光素子の前記実装面を除
く主光取り出し面及び四方の側面の各面に対してそれぞ
れ平行な外郭面を合成した外形としてなることを特徴と
する。このような構成では、波長変換ペースト材料中に
波長変換材料が均一に分散されることから、主光取り出
し面及び側面から放出される光のそれぞれについて波長
変換度を均一化できるので、黄色味を帯びない純粋な白
色発光が得られる。また、こうした複合発光素子及び半
導体発光装置は、請求項１８から２３に記載の製造方法
によって理想的な構成が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、発光素
子が発光した光によって励起され発光する波長変換材料
を含有するペースト材料であって、この材料が １）５０≦波長変換材料≦８５重量％ ２）４≦樹脂≦２５重量％ ３）１≦硬化剤≦２５重量％ ４）０≦チクソ性付与剤≦３重量％ ５）０≦表面改質剤≦１重量％ で構成される波長変換ペースト材料である。
子が発光した光によって励起され発光する波長変換材料
を含有するペースト材料であって、この材料が １）５０≦波長変換材料≦８５重量％ ２）４≦樹脂≦２５重量％ ３）１≦硬化剤≦２５重量％ ４）０≦チクソ性付与剤≦３重量％ ５）０≦表面改質剤≦１重量％ で構成される波長変換ペースト材料である。
【００１３】これにより、極めて分散性が高く、波長変
換材料層を形成するのに最適な波長変換ペースト材料が
得られる。
換材料層を形成するのに最適な波長変換ペースト材料が
得られる。
【００１４】請求項２に記載の発明は、波長変換材料の
平均粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴
とする請求項１記載の波長変換ペースト材料である。無
機蛍光物質の輝度は、蛍光物質焼成に使用する材料やそ
の焼成条件により影響されるが、一般的に高輝度の蛍光
物質ほど粒径が大きくなる。一方、発光素子を覆ってい
る波長変換材料層に大きい粒径の蛍光物質を使用するこ
とにより、発光素子からの青色光、及び発光素子の光に
より励起された蛍光物質の蛍光が外部へ取り出しやすく
なり、高輝度の白色光を得ることができる。
平均粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴
とする請求項１記載の波長変換ペースト材料である。無
機蛍光物質の輝度は、蛍光物質焼成に使用する材料やそ
の焼成条件により影響されるが、一般的に高輝度の蛍光
物質ほど粒径が大きくなる。一方、発光素子を覆ってい
る波長変換材料層に大きい粒径の蛍光物質を使用するこ
とにより、発光素子からの青色光、及び発光素子の光に
より励起された蛍光物質の蛍光が外部へ取り出しやすく
なり、高輝度の白色光を得ることができる。
【００１５】請求項３、４及び５に記載の発明は、請求
項１の波長変換ペースト材料において、樹脂がエポキシ
樹脂であり、さらに水素添加ビスフェノールＡ型脂環式
エポキシ樹脂であることを特徴とする波長変換ペースト
材料である。
項１の波長変換ペースト材料において、樹脂がエポキシ
樹脂であり、さらに水素添加ビスフェノールＡ型脂環式
エポキシ樹脂であることを特徴とする波長変換ペースト
材料である。
【００１６】これにより、本発明の波長変換ペースト材
料で構成された半導体発光装置の耐熱性、耐候性、耐湿
性を著しく向上させる。
料で構成された半導体発光装置の耐熱性、耐候性、耐湿
性を著しく向上させる。
【００１７】請求項６及び７に記載の発明は、請求項１
に記載の波長変換ペースト材料において、樹脂がフォト
リソグラフィー樹脂であり、さらにフォトリソグラフィ
ー樹脂がアクリレート樹脂であることを特徴とする波長
変換ペースト材料である。
に記載の波長変換ペースト材料において、樹脂がフォト
リソグラフィー樹脂であり、さらにフォトリソグラフィ
ー樹脂がアクリレート樹脂であることを特徴とする波長
変換ペースト材料である。
【００１８】これにより、半導体発光装置の製造工程に
おいて、波長変換ペースト材料のフォトリソグラフィー
によるパターニングが可能となり、波長変換材料層の厚
みを均一化することができる。
おいて、波長変換ペースト材料のフォトリソグラフィー
によるパターニングが可能となり、波長変換材料層の厚
みを均一化することができる。
【００１９】請求項８及び９に記載の発明は、請求項１
の波長変換ペースト材料において、硬化剤が酸無水物硬
化剤であり、さらに酸無水物硬化剤がメチルヘキサヒド
ロ無水フタル酸であることを特徴とする波長変換ペース
ト材料である。
の波長変換ペースト材料において、硬化剤が酸無水物硬
化剤であり、さらに酸無水物硬化剤がメチルヘキサヒド
ロ無水フタル酸であることを特徴とする波長変換ペース
ト材料である。
【００２０】これにより、本発明の波長変換ペースト材
料で構成された半導体発光装置の耐熱性、耐候性、耐湿
性を著しく向上させる。
料で構成された半導体発光装置の耐熱性、耐候性、耐湿
性を著しく向上させる。
【００２１】請求項１０及び１１に記載の発明は、請求
項１の波長変換ペースト材料において、硬化剤がカチオ
ン重合開始剤またはラジカル重合開始剤であり、さらに
カチオン重合開始剤が芳香族スルホニウム塩であること
を特徴とする波長変換ペースト材料である。
項１の波長変換ペースト材料において、硬化剤がカチオ
ン重合開始剤またはラジカル重合開始剤であり、さらに
カチオン重合開始剤が芳香族スルホニウム塩であること
を特徴とする波長変換ペースト材料である。
【００２２】これにより、波長変換ペースト材料のポッ
トライフが著しく伸びる。
トライフが著しく伸びる。
【００２３】請求項１２に記載の発明は、請求項１のチ
クソ性付与剤が高純度無水シリカであることを特徴とす
る波長変換ペースト材料である。
クソ性付与剤が高純度無水シリカであることを特徴とす
る波長変換ペースト材料である。
【００２４】これにより、波長変換ペースト材料のサブ
マウント素子への塗布が著しく容易で、安定したものと
なる。
マウント素子への塗布が著しく容易で、安定したものと
なる。
【００２５】請求項１３に記載の発明は、請求項１の表
面改質剤がシランカップリング剤であることを特徴とす
る波長変換ペースト材料である。
面改質剤がシランカップリング剤であることを特徴とす
る波長変換ペースト材料である。
【００２６】これにより、波長変換材料のペースト内で
の分散状態が著しく向上し、本波長変換材料を使用した
半導体発光装置は極めて純粋な白色光を発光する。
の分散状態が著しく向上し、本波長変換材料を使用した
半導体発光装置は極めて純粋な白色光を発光する。
【００２７】請求項１４に記載の発明は、光透過性の基
板上にｎ型半導体及びｐ型半導体層を積層し、前記光透
過性基板を上面に向けてこれを主光取り出し面とすると
ともに、下面にはｎ型半導体層及びｐ型半導体層に接続
するｎ電極及びｐ電極が形成された発光素子と、前記発
光素子の下に重なる状態で配置され、前記発光素子と対
峙する面上に前記ｎ電極とｐ電極とにそれぞれ電気的に
接続される第一の電極及び第二の電極を有し、それと反
対の面に裏面電極を有するサブマウント素子と、前記発
光素子の発光波長を他の波長に変換する請求項１から請
求項１３に記載の波長変換ペースト材料を備えるととも
に、前記波長変換ペースト材料が、前記サブマウント素
子を受け皿として、前記サブマウント素子の上に配置さ
れた前記発光素子を覆うように塗布されていることを特
徴とする複合発光素子である。
板上にｎ型半導体及びｐ型半導体層を積層し、前記光透
過性基板を上面に向けてこれを主光取り出し面とすると
ともに、下面にはｎ型半導体層及びｐ型半導体層に接続
するｎ電極及びｐ電極が形成された発光素子と、前記発
光素子の下に重なる状態で配置され、前記発光素子と対
峙する面上に前記ｎ電極とｐ電極とにそれぞれ電気的に
接続される第一の電極及び第二の電極を有し、それと反
対の面に裏面電極を有するサブマウント素子と、前記発
光素子の発光波長を他の波長に変換する請求項１から請
求項１３に記載の波長変換ペースト材料を備えるととも
に、前記波長変換ペースト材料が、前記サブマウント素
子を受け皿として、前記サブマウント素子の上に配置さ
れた前記発光素子を覆うように塗布されていることを特
徴とする複合発光素子である。
【００２８】これにより、発光素子の下敷きとしてのサ
ブマウント素子が、波長変換材料やフィルター物質を含
む波長変換ペースト材料の受け皿となるために、反射カ
ップや筐体の器の有無に関係無く、発光素子を覆うよう
に波長変換ペースト材料を塗布できるという作用を有す
る。
ブマウント素子が、波長変換材料やフィルター物質を含
む波長変換ペースト材料の受け皿となるために、反射カ
ップや筐体の器の有無に関係無く、発光素子を覆うよう
に波長変換ペースト材料を塗布できるという作用を有す
る。
【００２９】請求項１５に記載の発明は、請求項１４に
記載の複合発光素子において、前記発光素子の主光取り
出し面とこの面上に塗布された波長変換ペースト材料の
外郭面のいずれか一方または両方が受け皿となるサブマ
ウント素子の裏面電極形成面とほぼ平行であることを特
徴とする複合発光素子である。
記載の複合発光素子において、前記発光素子の主光取り
出し面とこの面上に塗布された波長変換ペースト材料の
外郭面のいずれか一方または両方が受け皿となるサブマ
ウント素子の裏面電極形成面とほぼ平行であることを特
徴とする複合発光素子である。
【００３０】これにより、発光素子の発光方向の全方位
に対して波長変換材料による波長変換度を均一化できる
ので、発光素子自体の発光色と波長変換された発光色と
の混色の発光が一様に得られる。
に対して波長変換材料による波長変換度を均一化できる
ので、発光素子自体の発光色と波長変換された発光色と
の混色の発光が一様に得られる。
【００３１】請求項１６に記載の発明は、請求項１５に
記載の複合発光素子において、前記発光素子の主光取り
出し面上の前記波長変換ペースト材料の厚みがほぼ一定
で、その厚みが３０μｍ以下の範囲内であることを特徴
とする複合発光素子である。高輝度で粒径の大きい蛍光
物質を高濃度で配合した波長変換材料を薄膜で形成する
ことにより、発光素子からの青色光、及び発光素子の光
により励起された蛍光物質の蛍光が外部へ取り出しやす
くなり、高輝度の白色光を得ることができる。
記載の複合発光素子において、前記発光素子の主光取り
出し面上の前記波長変換ペースト材料の厚みがほぼ一定
で、その厚みが３０μｍ以下の範囲内であることを特徴
とする複合発光素子である。高輝度で粒径の大きい蛍光
物質を高濃度で配合した波長変換材料を薄膜で形成する
ことにより、発光素子からの青色光、及び発光素子の光
により励起された蛍光物質の蛍光が外部へ取り出しやす
くなり、高輝度の白色光を得ることができる。
【００３２】請求項１７に記載の発明は、請求項１４か
ら１６に記載の複合発光素子を用いた半導体発光装置で
あって、リードフレームまたはプリント配線基板のマウ
ント部に前記複合発光素子のサブマウント素子の裏面電
極を下にして導電性ペーストを介して搭載し、前記複合
発光素子のボンディングパッド領域と外部リードとをワ
イヤーを介して接続し、前記複合発光素子を含む前記リ
ードフレームの先端部またはプリント配線基板の上面を
光透過性の樹脂で封止したことを特徴とする半導体発光
装置である。
ら１６に記載の複合発光素子を用いた半導体発光装置で
あって、リードフレームまたはプリント配線基板のマウ
ント部に前記複合発光素子のサブマウント素子の裏面電
極を下にして導電性ペーストを介して搭載し、前記複合
発光素子のボンディングパッド領域と外部リードとをワ
イヤーを介して接続し、前記複合発光素子を含む前記リ
ードフレームの先端部またはプリント配線基板の上面を
光透過性の樹脂で封止したことを特徴とする半導体発光
装置である。
【００３３】これにより、反射カップや筐体の器の有無
に関わりなく、色度のバラツキの少ない様々なタイプの
白色発光の発光装置が実現できる。
に関わりなく、色度のバラツキの少ない様々なタイプの
白色発光の発光装置が実現できる。
【００３４】請求項１８に記載の発明は、請求項１４に
記載の複合発光素子の製造方法において、前記発光素子
のｎ電極及びｐ電極または前記サブマウント素子の第一
の電極及び第二の電極上にマイクロバンプを形成する工
程と、前記発光素子と前記サブマウント素子の対峙する
電極間を前記マイクロバンプを介して電気的に接続する
工程と、前記サブマウント素子を受け皿として、前記波
長変換ペースト材料が前記発光素子を覆うように塗布す
る工程とを有する複合発光素子の製造方法である。
記載の複合発光素子の製造方法において、前記発光素子
のｎ電極及びｐ電極または前記サブマウント素子の第一
の電極及び第二の電極上にマイクロバンプを形成する工
程と、前記発光素子と前記サブマウント素子の対峙する
電極間を前記マイクロバンプを介して電気的に接続する
工程と、前記サブマウント素子を受け皿として、前記波
長変換ペースト材料が前記発光素子を覆うように塗布す
る工程とを有する複合発光素子の製造方法である。
【００３５】これにより、マイクロバンプを用いたフリ
ップチップ接合工法に高さ制御機能を備えることが可能
であり、また波長変換ペースト材料の塗布工法に印刷法
を用いることも可能であるため、基準面であるサブマウ
ント素子の裏面電極形成面に前記発光素子の主光取り出
し面とこの面上に塗布された波長変換ペースト材料の外
郭面のいずれか一方または両方をほぼ平行にすることが
可能となる。
ップチップ接合工法に高さ制御機能を備えることが可能
であり、また波長変換ペースト材料の塗布工法に印刷法
を用いることも可能であるため、基準面であるサブマウ
ント素子の裏面電極形成面に前記発光素子の主光取り出
し面とこの面上に塗布された波長変換ペースト材料の外
郭面のいずれか一方または両方をほぼ平行にすることが
可能となる。
【００３６】請求項１９に記載の発明は、請求項１８に
記載の複合発光素子の製造方法において、前記サブマウ
ント素子を受け皿として、前記波長変換ペースト材料を
前記発光素子を覆うように塗布する工程を、波長変換材
料の印刷により形成することを特徴とする複合発光素子
の製造方法である。
記載の複合発光素子の製造方法において、前記サブマウ
ント素子を受け皿として、前記波長変換ペースト材料を
前記発光素子を覆うように塗布する工程を、波長変換材
料の印刷により形成することを特徴とする複合発光素子
の製造方法である。
【００３７】これにより、狙いの色度でバラツキの少な
い発光装置の高精度で効率的な製造方法が実現できる。
い発光装置の高精度で効率的な製造方法が実現できる。
【００３８】請求項２０に記載の発明は、請求項１９に
記載の複合発光素子の製造方法において、前記印刷され
た波長変換ペースト材料に紫外線を照射して、波長変換
ペースト材料を硬化したことを特徴とする複合発光素子
の製造方法である。印刷された波長変換材料を紫外線硬
化することによって、熱硬化時等に発生する波長変換材
料中の樹脂成分などのにじみを防ぐことができ、ワイヤ
ーボンドパッド部を確実に形成することができる。
記載の複合発光素子の製造方法において、前記印刷され
た波長変換ペースト材料に紫外線を照射して、波長変換
ペースト材料を硬化したことを特徴とする複合発光素子
の製造方法である。印刷された波長変換材料を紫外線硬
化することによって、熱硬化時等に発生する波長変換材
料中の樹脂成分などのにじみを防ぐことができ、ワイヤ
ーボンドパッド部を確実に形成することができる。
【００３９】請求項２１に記載の発明は、請求項１８に
記載の複合発光素子の製造方法において、前記サブマウ
ント素子を受け皿として、前記波長変換ペースト材料を
前記発光素子を覆うように塗布する工程を、波長変換材
料を転写することにより形成することを特徴とする複合
発光素子の製造方法である。
記載の複合発光素子の製造方法において、前記サブマウ
ント素子を受け皿として、前記波長変換ペースト材料を
前記発光素子を覆うように塗布する工程を、波長変換材
料を転写することにより形成することを特徴とする複合
発光素子の製造方法である。
【００４０】これにより、狙いの色度でバラツキの少な
い発光装置の高精度で効率的な製造方法が実現できる。
い発光装置の高精度で効率的な製造方法が実現できる。
【００４１】請求項２２に記載の発明は、請求項１７に
記載の半導体発光装置の製造方法であって、前記発光素
子のｐ電極及びｎ電極またはサブマウント素子の第一の
電極及び第二の電極上に前記マイクロバンプとしてスタ
ッドバンプを形成する工程と、ウエハー状態の前記サブ
マウント素子を下に置き、前記発光素子を電極形成面を
下にして、前記サブマウント素子の対峙する第一の電極
及び第二の電極上に位置合わせし、前記マイクロバンプ
を接触させて溶着し、前記サブマウント素子上に前記発
光素子を固定するとともに、対峙する電極間を前記マイ
クロバンプを介して電気的に接続する工程と、前記サブ
マウント素子を受け皿として、前記波長変換ペースト材
料を前記発光素子を覆うように塗布し硬化する工程と、
前記波長変換ペースト材料で被覆された前記発光素子と
前記サブマウント素子の一体化素子が形成された、前記
ウエハーをチップ単位に分割する工程と、チップ化され
た前記一体化素子をリードフレームまたはプリント配線
基板などのマウント部に前記サブマウント素子の裏面電
極を下にして搭載し、導電性ペーストを介して電気的接
続をとりながら固定する工程と、前記サブマウント素子
のボンディングパッド領域と前記リードフレームまたは
プリント配線基板などのリード部間をワイヤーで搭載す
る工程とを備えた半導体発光装置の製造方法である。
記載の半導体発光装置の製造方法であって、前記発光素
子のｐ電極及びｎ電極またはサブマウント素子の第一の
電極及び第二の電極上に前記マイクロバンプとしてスタ
ッドバンプを形成する工程と、ウエハー状態の前記サブ
マウント素子を下に置き、前記発光素子を電極形成面を
下にして、前記サブマウント素子の対峙する第一の電極
及び第二の電極上に位置合わせし、前記マイクロバンプ
を接触させて溶着し、前記サブマウント素子上に前記発
光素子を固定するとともに、対峙する電極間を前記マイ
クロバンプを介して電気的に接続する工程と、前記サブ
マウント素子を受け皿として、前記波長変換ペースト材
料を前記発光素子を覆うように塗布し硬化する工程と、
前記波長変換ペースト材料で被覆された前記発光素子と
前記サブマウント素子の一体化素子が形成された、前記
ウエハーをチップ単位に分割する工程と、チップ化され
た前記一体化素子をリードフレームまたはプリント配線
基板などのマウント部に前記サブマウント素子の裏面電
極を下にして搭載し、導電性ペーストを介して電気的接
続をとりながら固定する工程と、前記サブマウント素子
のボンディングパッド領域と前記リードフレームまたは
プリント配線基板などのリード部間をワイヤーで搭載す
る工程とを備えた半導体発光装置の製造方法である。
【００４２】これにより、受け皿としてのサブマウント
素子をウエハーの形状で取り扱えるので、波長変換ペー
スト材料の塗布工程において、ウエハー単位にパターニ
ング可能な印刷法で行うことができ、狙いの色度でバラ
ツキの少ない発光装置の高精度で高効率な製造方法が実
現できる。
素子をウエハーの形状で取り扱えるので、波長変換ペー
スト材料の塗布工程において、ウエハー単位にパターニ
ング可能な印刷法で行うことができ、狙いの色度でバラ
ツキの少ない発光装置の高精度で高効率な製造方法が実
現できる。
【００４３】請求項２３に記載の発明は、請求項２２に
記載の半導体発光装置の製造方法において、前記発光素
子のｐ電極及びｎ電極またはサブマウント素子の第一の
電極及び第二の電極上に前記マイクロバンプとしてスタ
ッドバンプを形成する工程と、ウエハー状態の前記サブ
マウント素子を下に置き、前記発光素子を電極形成面を
下にして、前記サブマウント素子の対峙する第一の電極
及び第二の電極上に位置合わせし、前記マイクロバンプ
を接触させて溶着し、前記サブマウント素子上に前記発
光素子を固定するとともに、対峙する電極間を前記マイ
クロバンプを介して電気的に接続する工程と、前記サブ
マウント素子を受け皿として、前記波長変換ペースト材
料を前記発光素子を覆うように塗布し硬化する工程と、
前記波長変換ペースト材料で被覆された前記発光素子と
前記サブマウント素子の一体化素子が形成された、前記
ウエハーに紫外線を照射し、波長変換ペースト材料をパ
ターニングする工程と、前記波長変換ペースト材料で被
覆された前記発光素子と前記サブマウント素子の一体化
素子が形成された前記ウエハーをチップ単位に分割する
工程と、チップ化された前記一体化素子をリードフレー
ムまたはプリント配線基板などのマウント部に前記サブ
マウント素子の裏面電極を下にして搭載し、導電性ペー
ストを介して電気的接続をとりながら固定する工程と、
前記サブマウント素子のボンディングパッド領域と前記
リードフレームまたはプリント配線基板などのリード部
間をワイヤーで搭載する工程とを備えた半導体発光装置
の製造方法である。
記載の半導体発光装置の製造方法において、前記発光素
子のｐ電極及びｎ電極またはサブマウント素子の第一の
電極及び第二の電極上に前記マイクロバンプとしてスタ
ッドバンプを形成する工程と、ウエハー状態の前記サブ
マウント素子を下に置き、前記発光素子を電極形成面を
下にして、前記サブマウント素子の対峙する第一の電極
及び第二の電極上に位置合わせし、前記マイクロバンプ
を接触させて溶着し、前記サブマウント素子上に前記発
光素子を固定するとともに、対峙する電極間を前記マイ
クロバンプを介して電気的に接続する工程と、前記サブ
マウント素子を受け皿として、前記波長変換ペースト材
料を前記発光素子を覆うように塗布し硬化する工程と、
前記波長変換ペースト材料で被覆された前記発光素子と
前記サブマウント素子の一体化素子が形成された、前記
ウエハーに紫外線を照射し、波長変換ペースト材料をパ
ターニングする工程と、前記波長変換ペースト材料で被
覆された前記発光素子と前記サブマウント素子の一体化
素子が形成された前記ウエハーをチップ単位に分割する
工程と、チップ化された前記一体化素子をリードフレー
ムまたはプリント配線基板などのマウント部に前記サブ
マウント素子の裏面電極を下にして搭載し、導電性ペー
ストを介して電気的接続をとりながら固定する工程と、
前記サブマウント素子のボンディングパッド領域と前記
リードフレームまたはプリント配線基板などのリード部
間をワイヤーで搭載する工程とを備えた半導体発光装置
の製造方法である。
【００４４】これにより、受け皿としてのサブマウント
素子をウエハーの状態で取扱えるので、波長変換ペース
ト材料を印刷により塗布した後、フォトリソグラフィー
により、ウエハー単位にパターニング可能となり、狙い
の色度でバラツキの少ない発光装置の高精度で高効率な
製造方法が実現できる。
素子をウエハーの状態で取扱えるので、波長変換ペース
ト材料を印刷により塗布した後、フォトリソグラフィー
により、ウエハー単位にパターニング可能となり、狙い
の色度でバラツキの少ない発光装置の高精度で高効率な
製造方法が実現できる。
【００４５】以下、本発明の実施の形態について具体的
に説明する。
に説明する。
【００４６】図１の（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実
施の形態による複合発光素子の断面図及び平面図であ
る。本実施形態の特徴は、基準面であるＳｉダイオード
素子の裏面電極形成面に対し、青色発光のＧａＮＬＥＤ
素子１の主光取り出し面（光透過性基板の天面）とこの
面上に塗布された青色の光をその補色の光に変換する波
長変換材料を含有した波長変換ペースト材料の外郭面
（天面）の両方がこの外郭面のエッジ部を除いてほぼ平
行になっている点である。また、過電圧に弱い青色Ｇａ
ＮＬＥＤ素子１が、静電気保護機能を持つＳｉダイオー
ド素子２上にマイクロバンプを介して搭載接合されてい
る点と、ＧａＮＬＥＤ素子１の発光波長を他の波長に変
換する波長変換材料を含有した波長変換材料層１６が、
Ｓｉダイオード素子２を受け皿として、ＧａＮＬＥＤ素
子１を覆うように塗布されている。
施の形態による複合発光素子の断面図及び平面図であ
る。本実施形態の特徴は、基準面であるＳｉダイオード
素子の裏面電極形成面に対し、青色発光のＧａＮＬＥＤ
素子１の主光取り出し面（光透過性基板の天面）とこの
面上に塗布された青色の光をその補色の光に変換する波
長変換材料を含有した波長変換ペースト材料の外郭面
（天面）の両方がこの外郭面のエッジ部を除いてほぼ平
行になっている点である。また、過電圧に弱い青色Ｇａ
ＮＬＥＤ素子１が、静電気保護機能を持つＳｉダイオー
ド素子２上にマイクロバンプを介して搭載接合されてい
る点と、ＧａＮＬＥＤ素子１の発光波長を他の波長に変
換する波長変換材料を含有した波長変換材料層１６が、
Ｓｉダイオード素子２を受け皿として、ＧａＮＬＥＤ素
子１を覆うように塗布されている。
【００４７】図１（ａ）に示すように、Ｓｉダイオード
素子２上にＧａＮＬＥＤ素子１を重なる状態で搭載し、
ＧａＮＬＥＤ素子１は、透光性のサファイア基板１ａを
上面に向けてこれを主光取り出し面とするとともに、下
面にはｎ型半導体領域２ａに接続するｐ電極５及びｐ型
半導体領域２ｂに接続するｎ電極６が形成されている。
また、Ｓｉダイオード素子２は、ＧａＮＬＥＤ素子１と
対向する上面側にｐ型半導体領域２ｂに接続する第１の
対向電極であるｐ電極７及びｎ型半導体領域２ａに接続
するｎ電極８を有し、下面にはｎ型半導体領域２ａに接
続する裏面電極９が形成されている。Ｓｉダイオード素
子２のｐ電極７及びｎ電極８は、ＧａＮＬＥＤ素子１の
ｎ電極６及びｐ電極５に対向する配置で形成され、Ｇａ
ＮＬＥＤ素子１のｐ電極５とＳｉダイオード素子２のｎ
電極８とはＡｕのマイクロバンプ１２を介して、ＧａＮ
ＬＥＤ素子１のｎ電極６とＳｉダイオード素子２のｐ電
極７とはＡｕのマイクロバンプ１１を介してそれぞれ電
気的に接続されているとともに、電極とマイクロバンプ
との溶着によって固定されている。さらにｐ電極７上の
一部にはボンディングパッド部１０が形成されており、
裏面電極９とボンディングパッド部１０とで外部部材に
接続されている構造となっている。また、ＧａＮＬＥＤ
素子１の青色光をその補色の黄緑色に変換する波長変換
材料を含有した波長変換材料層１６が、Ｓｉダイオード
素子２を受け皿として、ＧａＮＬＥＤ素子１を覆うよう
に塗布されている。なお１７は絶縁膜である。
素子２上にＧａＮＬＥＤ素子１を重なる状態で搭載し、
ＧａＮＬＥＤ素子１は、透光性のサファイア基板１ａを
上面に向けてこれを主光取り出し面とするとともに、下
面にはｎ型半導体領域２ａに接続するｐ電極５及びｐ型
半導体領域２ｂに接続するｎ電極６が形成されている。
また、Ｓｉダイオード素子２は、ＧａＮＬＥＤ素子１と
対向する上面側にｐ型半導体領域２ｂに接続する第１の
対向電極であるｐ電極７及びｎ型半導体領域２ａに接続
するｎ電極８を有し、下面にはｎ型半導体領域２ａに接
続する裏面電極９が形成されている。Ｓｉダイオード素
子２のｐ電極７及びｎ電極８は、ＧａＮＬＥＤ素子１の
ｎ電極６及びｐ電極５に対向する配置で形成され、Ｇａ
ＮＬＥＤ素子１のｐ電極５とＳｉダイオード素子２のｎ
電極８とはＡｕのマイクロバンプ１２を介して、ＧａＮ
ＬＥＤ素子１のｎ電極６とＳｉダイオード素子２のｐ電
極７とはＡｕのマイクロバンプ１１を介してそれぞれ電
気的に接続されているとともに、電極とマイクロバンプ
との溶着によって固定されている。さらにｐ電極７上の
一部にはボンディングパッド部１０が形成されており、
裏面電極９とボンディングパッド部１０とで外部部材に
接続されている構造となっている。また、ＧａＮＬＥＤ
素子１の青色光をその補色の黄緑色に変換する波長変換
材料を含有した波長変換材料層１６が、Ｓｉダイオード
素子２を受け皿として、ＧａＮＬＥＤ素子１を覆うよう
に塗布されている。なお１７は絶縁膜である。
【００４８】波長変換ペースト材料及び塗布方法の特に
好ましい実施の形態においては以下のものがある。
好ましい実施の形態においては以下のものがある。
【００４９】（第１の実施形態） １）樹脂 水素添加型ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
１２．６重量％ ２）波長変換材料 ＹＡＧ：Ｃｅ ７３重量％ ３）硬化剤 メチルヘキサヒドロフタル酸無水物 １
２．６重量％ ４）チクソ性付与剤 高純度無水シリカ １．７重量％ ５）表面改質剤 シランカップリング剤 ０．１重量％ 上記材料を所定量配合し、自転公転型の混練機にて予備
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。図２は、波長変換ペースト
材料を印刷法を利用して塗布するものである。Ｓｉダイ
オード素子２にＧａＮＬＥＤ素子１を実装した後、予め
作製しておいたメタルマスク１３をＳｉダイオード素子
２の上に載せ、波長変換ペースト材料１４を印刷法によ
って塗布する。波長変換ペースト材料１４を塗布した後
には、メタルマスク１３を取り外し、熱硬化することに
よって波長変換材料層１６がＧａＮＬＥＤ素子１を覆う
ように塗布され、ダイシングによって複合発光素子の単
体が得られる。
１２．６重量％ ２）波長変換材料 ＹＡＧ：Ｃｅ ７３重量％ ３）硬化剤 メチルヘキサヒドロフタル酸無水物 １
２．６重量％ ４）チクソ性付与剤 高純度無水シリカ １．７重量％ ５）表面改質剤 シランカップリング剤 ０．１重量％ 上記材料を所定量配合し、自転公転型の混練機にて予備
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。図２は、波長変換ペースト
材料を印刷法を利用して塗布するものである。Ｓｉダイ
オード素子２にＧａＮＬＥＤ素子１を実装した後、予め
作製しておいたメタルマスク１３をＳｉダイオード素子
２の上に載せ、波長変換ペースト材料１４を印刷法によ
って塗布する。波長変換ペースト材料１４を塗布した後
には、メタルマスク１３を取り外し、熱硬化することに
よって波長変換材料層１６がＧａＮＬＥＤ素子１を覆う
ように塗布され、ダイシングによって複合発光素子の単
体が得られる。
【００５０】（第２の実施形態） １）樹脂 水素添加型ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
１２．６重量％ ２）波長変換材料 ＹＡＧ：Ｃｅ ７３重量％ ３）硬化剤 メチルヘキサヒドロフタル酸無水物 １
２．６重量％ ４）チクソ性付与剤 高純度無水シリカ １．７重量％ ５）表面改質剤 シランカップリング剤 ０．１重量％ 上記材料を所定量配合し、自転公転型の混練機にて予備
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。
１２．６重量％ ２）波長変換材料 ＹＡＧ：Ｃｅ ７３重量％ ３）硬化剤 メチルヘキサヒドロフタル酸無水物 １
２．６重量％ ４）チクソ性付与剤 高純度無水シリカ １．７重量％ ５）表面改質剤 シランカップリング剤 ０．１重量％ 上記材料を所定量配合し、自転公転型の混練機にて予備
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。
【００５１】波長変換ペースト材料の塗布方法の例は、
第１の実施形態と同様である。
第１の実施形態と同様である。
【００５２】（第３の実施形態） １）樹脂 水素添加型ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
１２．６重量％ ２）波長変換材料 ＹＡＧ：Ｃｅ ７３重量％ ３）硬化剤 トリアルキドヘキサヒドロフタル酸無水物
１２．６重量％ ４）チクソ性付与剤 高純度無水シリカ １．７重量％ ５）表面改質剤 シランカップリング剤 ０．１重量％ 上記材料を所定量配合し、自転公転型の混練機にて予備
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。
１２．６重量％ ２）波長変換材料 ＹＡＧ：Ｃｅ ７３重量％ ３）硬化剤 トリアルキドヘキサヒドロフタル酸無水物
１２．６重量％ ４）チクソ性付与剤 高純度無水シリカ １．７重量％ ５）表面改質剤 シランカップリング剤 ０．１重量％ 上記材料を所定量配合し、自転公転型の混練機にて予備
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。
【００５３】波長変換ペースト材料の塗布方法の例は、
第１の実施形態と同様である。
第１の実施形態と同様である。
【００５４】（第４の実施形態） １）樹脂 水素添加型ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
２５．０重量％ ２）波長変換材料 ＹＡＧ：Ｃｅ ７３重量％ ３）硬化剤 芳香族スルホニウム塩 ０．２重量％ ４）チクソ性付与剤 高純度無水シリカ １．７重量％ ５）表面改質剤 シランカップリング剤 ０．１重量％ 上記材料を所定量配合し、自転公転型の混練機にて予備
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。さらに波長変換材料の分散
性が高まり、上記波長変換ペースト材料を使用した半導
体発光装置はより純粋な白色を発光する。また、波長変
換ペースト材料のポットライフが著しく伸びる。波長変
換ペースト材料の塗布方法の例は、第１の実施形態と同
様である。
２５．０重量％ ２）波長変換材料 ＹＡＧ：Ｃｅ ７３重量％ ３）硬化剤 芳香族スルホニウム塩 ０．２重量％ ４）チクソ性付与剤 高純度無水シリカ １．７重量％ ５）表面改質剤 シランカップリング剤 ０．１重量％ 上記材料を所定量配合し、自転公転型の混練機にて予備
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。さらに波長変換材料の分散
性が高まり、上記波長変換ペースト材料を使用した半導
体発光装置はより純粋な白色を発光する。また、波長変
換ペースト材料のポットライフが著しく伸びる。波長変
換ペースト材料の塗布方法の例は、第１の実施形態と同
様である。
【００５５】（第５の実施形態）図３は波長変換ペース
ト材料を転写法を利用して塗布するものである。転写版
１５の表面に波長変換ペースト材料１４を予め塗布した
ものを準備し、ＧａＮＬＥＤ素子１を実装したＳｉダイ
オード素子２を上下に反転した姿勢に保持する。次い
で、ＧａＮＬＥＤ素子１が波長変換ペースト材料１４の
中に浸漬されるようにＳｉダイオード素子２を転写版１
５の上に被せ、その後Ｓｉダイオード素子２を引き上げ
ると同図の（ｃ）のようにＧａＮＬＥＤ素子１が波長変
換ペースト材料１４に覆われたものが得られる。そし
て、ダイシングの後複合発光素子の単体が得られる。
ト材料を転写法を利用して塗布するものである。転写版
１５の表面に波長変換ペースト材料１４を予め塗布した
ものを準備し、ＧａＮＬＥＤ素子１を実装したＳｉダイ
オード素子２を上下に反転した姿勢に保持する。次い
で、ＧａＮＬＥＤ素子１が波長変換ペースト材料１４の
中に浸漬されるようにＳｉダイオード素子２を転写版１
５の上に被せ、その後Ｓｉダイオード素子２を引き上げ
ると同図の（ｃ）のようにＧａＮＬＥＤ素子１が波長変
換ペースト材料１４に覆われたものが得られる。そし
て、ダイシングの後複合発光素子の単体が得られる。
【００５６】（第６の実施形態） １）樹脂 エポキシアクリレート樹脂 １４．８重量％ ２）波長変換材料 ＹＡＧ：Ｃｅ ８０．０重量％ ３）硬化剤 ベンジルケタール ２．０重量％ ４）チクソ性付与剤 高純度無水シリカ ３．０重量％ ５）表面改質剤 シランカップリング剤 ０．２重量％ 上記材料を所定量配合し、自転公転型の混練機にて予備
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。
混練を実施し、さらに３本ロールを用いて混練を行い、
波長変換ペースト材料とする。これにより、極めて分散
性が高く、波長変換材料層を形成するのに最適な波長変
換ペースト材料が得られる。
【００５７】図４は、フォトリソグラフィー法を利用し
たものである。波長変換ペースト材料１４をＧａＮＬＥ
Ｄ素子１を実装したＳｉダイオード素子２の表面に一様
の厚さで塗布する。波長変換ペースト材料１４を塗布
後、同図（ｂ）のようにパターン形成用のマスク１８を
被せて上から紫外線を照射し、ＧａＮＬＥＤ素子１を被
覆する部分の波長変換ペースト材料１４を硬化させる。
この後、現像工程に移して波長変換ペースト材料１４の
不要な部分を除去し、ダイシングによって、複合発光素
子の単体を得ることができる。
たものである。波長変換ペースト材料１４をＧａＮＬＥ
Ｄ素子１を実装したＳｉダイオード素子２の表面に一様
の厚さで塗布する。波長変換ペースト材料１４を塗布
後、同図（ｂ）のようにパターン形成用のマスク１８を
被せて上から紫外線を照射し、ＧａＮＬＥＤ素子１を被
覆する部分の波長変換ペースト材料１４を硬化させる。
この後、現像工程に移して波長変換ペースト材料１４の
不要な部分を除去し、ダイシングによって、複合発光素
子の単体を得ることができる。
【００５８】上記のような構成にすることにより、ＬＥ
ＤランプやチップＬＥＤに用いるリードフレームや筐体
の配線基板の形状には関係なく、つまり、反射カップや
筐体の器の有無に関係なく、波長変換ペースト材料１４
をＧａＮＬＥＤ素子１を覆うように塗布した複合発光素
子が実現できる。
ＤランプやチップＬＥＤに用いるリードフレームや筐体
の配線基板の形状には関係なく、つまり、反射カップや
筐体の器の有無に関係なく、波長変換ペースト材料１４
をＧａＮＬＥＤ素子１を覆うように塗布した複合発光素
子が実現できる。
【００５９】前記構成のように、波長変換ペースト材料
１４をＧａＮＬＥＤ素子１が発する青色光を補色光に変
換する蛍光物質を選ぶことにより、青色のままで波長変
換材料層１６を透過した光と、蛍光物質で青色の補色に
変換された光とが混ざり合って白色光が得られる。
１４をＧａＮＬＥＤ素子１が発する青色光を補色光に変
換する蛍光物質を選ぶことにより、青色のままで波長変
換材料層１６を透過した光と、蛍光物質で青色の補色に
変換された光とが混ざり合って白色光が得られる。
【００６０】また、前記ＧａＮＬＥＤ素子１で発光され
る光はサファイア基板１ａ側から上方に取り出される。
そのため、ＧａＮＬＥＤ素子１のｐ電極５には、従来の
ＧａＮＬＥＤ素子に形成されたような電流拡散用の透明
電極は必要でなく、電流拡散用の部材としては、厚膜の
ｐ電極５のみあればよい。
る光はサファイア基板１ａ側から上方に取り出される。
そのため、ＧａＮＬＥＤ素子１のｐ電極５には、従来の
ＧａＮＬＥＤ素子に形成されたような電流拡散用の透明
電極は必要でなく、電流拡散用の部材としては、厚膜の
ｐ電極５のみあればよい。
【００６１】（第７の実施形態）図５は本発明の一実施
形態による複合発光素子の縦断面図である。本実施形態
の特徴は、第１から第５の実施形態の複合発光素子にお
いて、白色発光の色度とそのバラツキを更に精度良く制
御するために、ＧａＮＬＥＤ素子の主光取り出し面とこ
の面上に塗布された波長変換材料の外郭面の一方または
両方を、受け皿となるサブマウント素子の裏面電極形成
面とほぼ平行にした点である。
形態による複合発光素子の縦断面図である。本実施形態
の特徴は、第１から第５の実施形態の複合発光素子にお
いて、白色発光の色度とそのバラツキを更に精度良く制
御するために、ＧａＮＬＥＤ素子の主光取り出し面とこ
の面上に塗布された波長変換材料の外郭面の一方または
両方を、受け皿となるサブマウント素子の裏面電極形成
面とほぼ平行にした点である。
【００６２】図５の（ａ）は、波長変換材料層１６の天
面を、また（ｂ）は波長変換材料層１６とＧａＮＬＥＤ
素子１のサファイア基板１ａの天面の両方をＳｉダイオ
ード素子２の裏面電極９とほぼ平行にした場合である。
Ｓｉダイオード素子２上に搭載されているＧａＮＬＥＤ
素子１のサファイア基板１ａの天面上に青色の光を受け
て青色の補色の光を発する波長変換材料を含有した波長
変換材料層１６が被覆されている。白色の光は、青色の
ままで波長変換材料層１６を透過した光と、波長変換材
料で青色の補色に変換された光とが混ざり合って得られ
るために、その色度は、波長変換材料層１６に含まれて
いる波長変換材料の含有率と波長変換材料層１６の厚み
Ｄが重要な要素になる。本発明者らは、ドミナント波長
が４６５ｎｍから４７０ｎｍのＧａＮＬＥＤ素子１を用
いて波長変換材料層１６中の波長変換材料の含有率と厚
みＤが色度座標（ｘ，ｙ）と輝度にどのように関係する
かを調べ、表１に示す結果を得た。
面を、また（ｂ）は波長変換材料層１６とＧａＮＬＥＤ
素子１のサファイア基板１ａの天面の両方をＳｉダイオ
ード素子２の裏面電極９とほぼ平行にした場合である。
Ｓｉダイオード素子２上に搭載されているＧａＮＬＥＤ
素子１のサファイア基板１ａの天面上に青色の光を受け
て青色の補色の光を発する波長変換材料を含有した波長
変換材料層１６が被覆されている。白色の光は、青色の
ままで波長変換材料層１６を透過した光と、波長変換材
料で青色の補色に変換された光とが混ざり合って得られ
るために、その色度は、波長変換材料層１６に含まれて
いる波長変換材料の含有率と波長変換材料層１６の厚み
Ｄが重要な要素になる。本発明者らは、ドミナント波長
が４６５ｎｍから４７０ｎｍのＧａＮＬＥＤ素子１を用
いて波長変換材料層１６中の波長変換材料の含有率と厚
みＤが色度座標（ｘ，ｙ）と輝度にどのように関係する
かを調べ、表１に示す結果を得た。
【００６３】
【表１】
【００６４】表１から明らかなように、波長変換材料層
１６の厚みＤが３０μｍ以下であって、波長変換材料の
含有率が５０〜８５重量％のとき、白色（ｘ＝０．３０
〜０．３５、ｙ＝０．３０〜０．３５）の値に近似した
値の発光色が得られ、且つ高輝度（１００以上）が得ら
れることがわかる。波長変換材料の前記含有率の波長変
換ペースト材料、例えば含有率６０重量％のものを用い
て色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３３，０．３３）の発光
色を得るには、波長変換材料層１６の厚みＤは３０μｍ
に設定する必要がある。ＧａＮＬＥＤ素子１のサファイ
ア基板１ａの天面上に精度良く均一に３０μｍの波長変
換ペースト材料の波長変換材料層１６を形成するには、
ウエハー状のサブマウント素子であるＳｉダイオード素
子２の裏面電極９の形成面を基準面にして、ウエハー状
のＳｉダイオード素子２上にサファイア基板１ａの天面
が基準面と平行になるようにＧａＮＬＥＤ素子１を搭載
接合し、その上に波長変換材料層１６を３０μｍの厚み
でそれと平行になるように印刷の方法で塗布する工法が
最もコントロールしやすい。この場合、波長変換材料層
１６の外郭面のエッジ部に角が立つためにこれをなくす
ためと、厚みＤとをより精度良くするため、波長変換材
料層１６を厚めに塗布しておき、基準面に平行に研磨す
ることにより制御する。このような方法であれば任意の
色度にコントロールすることも可能であるし、ウエハー
面内でのバラツキも極めて小さくなる。また、図５
（ａ）に示すように基準面と平行にＧａＮＬＥＤ素子１
を搭載接合することが困難な場合もＧａＮＬＥＤ素子１
のサファイア基板１ａの天面の中心から、波長変換材料
層１６の天面までの厚みＤを設定値３０μｍにすれば良
いし、また、図５（ｂ）のようにＧａＮＬＥＤ素子１を
ウエハーに搭載後、基準面に平行になるように研磨工程
を入れれば良い。その結果として、図５（ａ）又は
（ｂ）のように白色の色度およびそのバラツキがコント
ロールされた半導体発光装置は、ＧａＮＬＥＤ素子１の
サファイア基板１ａの天面とこの面上に塗布された波長
変換材料層１６の外郭面の一方または両方がＳｉダイオ
ード素子２の裏面電極９の形成面とほぼ平行になってい
る。
１６の厚みＤが３０μｍ以下であって、波長変換材料の
含有率が５０〜８５重量％のとき、白色（ｘ＝０．３０
〜０．３５、ｙ＝０．３０〜０．３５）の値に近似した
値の発光色が得られ、且つ高輝度（１００以上）が得ら
れることがわかる。波長変換材料の前記含有率の波長変
換ペースト材料、例えば含有率６０重量％のものを用い
て色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３３，０．３３）の発光
色を得るには、波長変換材料層１６の厚みＤは３０μｍ
に設定する必要がある。ＧａＮＬＥＤ素子１のサファイ
ア基板１ａの天面上に精度良く均一に３０μｍの波長変
換ペースト材料の波長変換材料層１６を形成するには、
ウエハー状のサブマウント素子であるＳｉダイオード素
子２の裏面電極９の形成面を基準面にして、ウエハー状
のＳｉダイオード素子２上にサファイア基板１ａの天面
が基準面と平行になるようにＧａＮＬＥＤ素子１を搭載
接合し、その上に波長変換材料層１６を３０μｍの厚み
でそれと平行になるように印刷の方法で塗布する工法が
最もコントロールしやすい。この場合、波長変換材料層
１６の外郭面のエッジ部に角が立つためにこれをなくす
ためと、厚みＤとをより精度良くするため、波長変換材
料層１６を厚めに塗布しておき、基準面に平行に研磨す
ることにより制御する。このような方法であれば任意の
色度にコントロールすることも可能であるし、ウエハー
面内でのバラツキも極めて小さくなる。また、図５
（ａ）に示すように基準面と平行にＧａＮＬＥＤ素子１
を搭載接合することが困難な場合もＧａＮＬＥＤ素子１
のサファイア基板１ａの天面の中心から、波長変換材料
層１６の天面までの厚みＤを設定値３０μｍにすれば良
いし、また、図５（ｂ）のようにＧａＮＬＥＤ素子１を
ウエハーに搭載後、基準面に平行になるように研磨工程
を入れれば良い。その結果として、図５（ａ）又は
（ｂ）のように白色の色度およびそのバラツキがコント
ロールされた半導体発光装置は、ＧａＮＬＥＤ素子１の
サファイア基板１ａの天面とこの面上に塗布された波長
変換材料層１６の外郭面の一方または両方がＳｉダイオ
ード素子２の裏面電極９の形成面とほぼ平行になってい
る。
【００６５】また、本実施の形態でＧａＮＬＥＤ素子１
がＳｉＣ基板を用いたものの場合は、静電気に強いの
で、Ｓｉダイオード素子２を補助素子に置き換えても良
い。
がＳｉＣ基板を用いたものの場合は、静電気に強いの
で、Ｓｉダイオード素子２を補助素子に置き換えても良
い。
【００６６】ここで、蛍光体の粒径と蛍光体の輝度の関
係を表２に示す。
係を表２に示す。
【００６７】
【表２】
【００６８】表２から明らかなように、蛍光体の輝度は
その粒径が大きいほど高い。無機蛍光物質の輝度は、蛍
光物質焼成に使用する材料やその焼成条件により影響さ
れるが、一般的に高輝度の蛍光物質ほど粒径が大きくな
る。一方、発光素子を覆っている波長変換材料層に大き
い粒径の蛍光物質を使用することにより、蛍光体の粒子
と粒子の間に光の経路が確保され、発光素子からの青色
光、及び発光素子の光により励起された蛍光物質の蛍光
が外部へ取り出しやすくなり、高輝度の白色光を得るこ
とができる。但し、蛍光体の粒径が１００μｍを超える
と蛍光体の塗布状態が悪化することから、平均粒径は１
０μｍ以上５０μｍ以下であることが望ましい。
その粒径が大きいほど高い。無機蛍光物質の輝度は、蛍
光物質焼成に使用する材料やその焼成条件により影響さ
れるが、一般的に高輝度の蛍光物質ほど粒径が大きくな
る。一方、発光素子を覆っている波長変換材料層に大き
い粒径の蛍光物質を使用することにより、蛍光体の粒子
と粒子の間に光の経路が確保され、発光素子からの青色
光、及び発光素子の光により励起された蛍光物質の蛍光
が外部へ取り出しやすくなり、高輝度の白色光を得るこ
とができる。但し、蛍光体の粒径が１００μｍを超える
と蛍光体の塗布状態が悪化することから、平均粒径は１
０μｍ以上５０μｍ以下であることが望ましい。
【００６９】（第８の実施形態）図６及び図７は、本発
明の一実施の形態による半導体発光装置の断面図であ
る。本実施形態は、前記複合発光素子を用いた白色ＬＥ
Ｄランプ及び白色チップＬＥＤである。
明の一実施の形態による半導体発光装置の断面図であ
る。本実施形態は、前記複合発光素子を用いた白色ＬＥ
Ｄランプ及び白色チップＬＥＤである。
【００７０】図６に示す白色ＬＥＤランプは、反射カッ
プ５０ｃを持つリードフレーム５０ａ先端のダイパッド
上に、前記白色発光の複合発光素子Ｗが、Ｓｉダイオー
ド素子２の下面の裏面電極９をダイパッドに接触させな
がら、Ａｇペースト５１によりダイスボンディングさ
れ、更に、Ｓｉダイオード素子２のｐ電極のボンディン
グパッド部１０とリードフレーム５０ｂとが、Ａｕワイ
ヤー５２により接続されている。リードフレーム５０ａ
のダイパッド側面には光を上方に反射させるための反射
カップ５０ｃが取り付けられている。リードフレーム５
０ａ，５０ｂの先端部分全体が光透過性のエポキシ樹脂
５３でモールドされて、ＬＥＤランプが構成されてい
る。
プ５０ｃを持つリードフレーム５０ａ先端のダイパッド
上に、前記白色発光の複合発光素子Ｗが、Ｓｉダイオー
ド素子２の下面の裏面電極９をダイパッドに接触させな
がら、Ａｇペースト５１によりダイスボンディングさ
れ、更に、Ｓｉダイオード素子２のｐ電極のボンディン
グパッド部１０とリードフレーム５０ｂとが、Ａｕワイ
ヤー５２により接続されている。リードフレーム５０ａ
のダイパッド側面には光を上方に反射させるための反射
カップ５０ｃが取り付けられている。リードフレーム５
０ａ，５０ｂの先端部分全体が光透過性のエポキシ樹脂
５３でモールドされて、ＬＥＤランプが構成されてい
る。
【００７１】図７に示す白色チップＬＥＤは、絶縁性の
基板５５にリード５５ａ，５５ｂが形成され、一方のリ
ード５５ａの上に前記白色発光の複合発光素子Ｗが、Ｓ
ｉダイオード素子２下面の裏面電極９を下にして搭載さ
れ、Ａｇペースト５６により導通固定され、更にＳｉダ
イオード素子２のｐ電極のボンディングパッド部１０と
他方のリード５５ｂとが、Ａｕワイヤー５７により接続
されている。そして、複合発光素子Ｗ及びＡｕワイヤー
５７を含んだボンディングエリア全体を透明なエポキシ
樹脂５８でモールドされて、チップＬＥＤが構成されて
いる。
基板５５にリード５５ａ，５５ｂが形成され、一方のリ
ード５５ａの上に前記白色発光の複合発光素子Ｗが、Ｓ
ｉダイオード素子２下面の裏面電極９を下にして搭載さ
れ、Ａｇペースト５６により導通固定され、更にＳｉダ
イオード素子２のｐ電極のボンディングパッド部１０と
他方のリード５５ｂとが、Ａｕワイヤー５７により接続
されている。そして、複合発光素子Ｗ及びＡｕワイヤー
５７を含んだボンディングエリア全体を透明なエポキシ
樹脂５８でモールドされて、チップＬＥＤが構成されて
いる。
【００７２】このようなチップＬＥＤの分野では、リー
ド５５ａ，５５ｂから透明なエポキシ樹脂５８の上端ま
での厚さＴを薄くすることが、薄型化による実装容積の
低減の点から重要な要素であるが、白色発光の場合、筐
体の器を形成するタイプのチップＬＥＤに比べ、複合発
光素子Ｗを用いる形態のほうが、薄型化が可能であり優
位性を持つ。なお、本実施の形態でＳｉダイオード素子
２を補助素子に置き換えても良い。
ド５５ａ，５５ｂから透明なエポキシ樹脂５８の上端ま
での厚さＴを薄くすることが、薄型化による実装容積の
低減の点から重要な要素であるが、白色発光の場合、筐
体の器を形成するタイプのチップＬＥＤに比べ、複合発
光素子Ｗを用いる形態のほうが、薄型化が可能であり優
位性を持つ。なお、本実施の形態でＳｉダイオード素子
２を補助素子に置き換えても良い。
【００７３】（第９の実施形態）図８は、本発明の一実
施の形態による半導体発光装置の製造方法であり、この
実施形態の製造方法の特徴は、マイクロンバンプをウエ
ハー状のＳｉダイオード素子２の上面のｐ電極７及びｎ
電極８上にスタッドバンプで形成すること、及びチップ
化されたＧａＮＬＥＤ素子１をウエハー状のＳｉダイオ
ード素子２上にチップ接合を行い、Ｓｉウエハー３の状
態で波長変換材料を含有した波長変換材料層１６をＧａ
ＮＬＥＤ素子１を覆うように塗布する点である。
施の形態による半導体発光装置の製造方法であり、この
実施形態の製造方法の特徴は、マイクロンバンプをウエ
ハー状のＳｉダイオード素子２の上面のｐ電極７及びｎ
電極８上にスタッドバンプで形成すること、及びチップ
化されたＧａＮＬＥＤ素子１をウエハー状のＳｉダイオ
ード素子２上にチップ接合を行い、Ｓｉウエハー３の状
態で波長変換材料を含有した波長変換材料層１６をＧａ
ＮＬＥＤ素子１を覆うように塗布する点である。
【００７４】素子プロセスにより、ＧａＮＬＥＤ素子１
を製造する。このＧａＮＬＥＤ素子１は、前記したよう
にサファイア基板１ａの上面の上に、ＧａＮ系化合物半
導体を積層した量子井戸構造で、サファイア基板１ａと
反対の面上にＡｌよりなるｎ電極６とＡｇとＴｉとＡｕ
よりなるｐ電極５が形成されている（図１参照）。Ｇａ
ＮＬＥＤ素子１は、ウエハーの状態でシートに張り付
け、チップ単位にブレイク後、ピックアップしやすいよ
うにシートをエキスパンドしている。図８はこの状態か
ら記述されている。
を製造する。このＧａＮＬＥＤ素子１は、前記したよう
にサファイア基板１ａの上面の上に、ＧａＮ系化合物半
導体を積層した量子井戸構造で、サファイア基板１ａと
反対の面上にＡｌよりなるｎ電極６とＡｇとＴｉとＡｕ
よりなるｐ電極５が形成されている（図１参照）。Ｇａ
ＮＬＥＤ素子１は、ウエハーの状態でシートに張り付
け、チップ単位にブレイク後、ピックアップしやすいよ
うにシートをエキスパンドしている。図８はこの状態か
ら記述されている。
【００７５】一方、Ｓｉウエハー３に、図８に示すＳｉ
ダイオード素子２を行列状に形成し、その上面のｐ電極
７及びｎ電極８上にスタッドバンプ形成法でマイクロバ
ンプ１１，１２を形成する。次にボンダー２０でＧａＮ
ＬＥＤ素子１を電極形成面を下にしてピックアップし、
前記Ｓｉダイオード素子２の対向する電極に位置合わせ
をし、マイクロバンプ１１，１２を接触させながら熱、
超音波、荷重を組み合わせて加え、前記マイクロバンプ
１１，１２を溶着させることにより、電気的接続をとり
ながら固定させる。このチップ接合のタクトは、ＧａＮ
ＬＥＤ素子１の認識、搬送、位置合わせ、接合を約３秒
以下で行うことができる。また、この時の位置合わせ精
度は、１５μｍ以下である。このチップ接合で、ＧａＮ
ＬＥＤ素子１とＳｉダイオード素子２との間に１５μｍ
の隙間ができ、ショート不良はほとんど発生しない。
ダイオード素子２を行列状に形成し、その上面のｐ電極
７及びｎ電極８上にスタッドバンプ形成法でマイクロバ
ンプ１１，１２を形成する。次にボンダー２０でＧａＮ
ＬＥＤ素子１を電極形成面を下にしてピックアップし、
前記Ｓｉダイオード素子２の対向する電極に位置合わせ
をし、マイクロバンプ１１，１２を接触させながら熱、
超音波、荷重を組み合わせて加え、前記マイクロバンプ
１１，１２を溶着させることにより、電気的接続をとり
ながら固定させる。このチップ接合のタクトは、ＧａＮ
ＬＥＤ素子１の認識、搬送、位置合わせ、接合を約３秒
以下で行うことができる。また、この時の位置合わせ精
度は、１５μｍ以下である。このチップ接合で、ＧａＮ
ＬＥＤ素子１とＳｉダイオード素子２との間に１５μｍ
の隙間ができ、ショート不良はほとんど発生しない。
【００７６】その後、前記ＧａＮＬＥＤ素子１とＳｉダ
イオード素子２の一体化素子が形成された前記Ｓｉウエ
ハー３上に、波長変換材料を含有した波長変換材料層１
６をＧａＮＬＥＤ素子１を覆うように塗布する。この場
合、Ｓｉダイオード素子２のボンディングパッド部を波
長変換ペースト材料で汚さないように印刷などのパター
ニング可能な方法で行う。
イオード素子２の一体化素子が形成された前記Ｓｉウエ
ハー３上に、波長変換材料を含有した波長変換材料層１
６をＧａＮＬＥＤ素子１を覆うように塗布する。この場
合、Ｓｉダイオード素子２のボンディングパッド部を波
長変換ペースト材料で汚さないように印刷などのパター
ニング可能な方法で行う。
【００７７】次に、波長変換材料層１６の塗布済み一体
化素子が形成されたＳｉウエハー３をシートに張り付
け、ダイサー２１によりチップ単位に分割し、複合発光
素子Ｗのチップが形成される。
化素子が形成されたＳｉウエハー３をシートに張り付
け、ダイサー２１によりチップ単位に分割し、複合発光
素子Ｗのチップが形成される。
【００７８】その後、複合発光素子Ｗをリードフレーム
５０ａのマウント部上に前記Ｓｉダイオード素子２の裏
面電極９（図１参照）を下にして、Ａｇペースト５１を
介し、電気的接続を取りながら固定し、前記Ｓｉダイオ
ード素子２のボンディングパッド部１０と他方のリード
フレーム５０ｂ間をＡｕワイヤー５２で接続した後、複
合発光素子Ｗを含むリードフレーム５０ａ，５０ｂの先
端部を光透過性のエポキシ樹脂５３でモールドし、白色
ＬＥＤランプができる。なお、前記実施の形態でリード
フレームの代わりに、絶縁性配線基板と置き換えれば、
白色チップＬＥＤの製造方法となる。また、Ｓｉダイオ
ード素子を補助素子と置き換えても良いし、スタッドバ
ンプをメッキバンプに置き換えても良い。
５０ａのマウント部上に前記Ｓｉダイオード素子２の裏
面電極９（図１参照）を下にして、Ａｇペースト５１を
介し、電気的接続を取りながら固定し、前記Ｓｉダイオ
ード素子２のボンディングパッド部１０と他方のリード
フレーム５０ｂ間をＡｕワイヤー５２で接続した後、複
合発光素子Ｗを含むリードフレーム５０ａ，５０ｂの先
端部を光透過性のエポキシ樹脂５３でモールドし、白色
ＬＥＤランプができる。なお、前記実施の形態でリード
フレームの代わりに、絶縁性配線基板と置き換えれば、
白色チップＬＥＤの製造方法となる。また、Ｓｉダイオ
ード素子を補助素子と置き換えても良いし、スタッドバ
ンプをメッキバンプに置き換えても良い。
【００７９】
【発明の効果】本発明によれば、極めて分散性が高く、
波長変換層を形成するのに最適な波長変換ペースト材料
にて、発光素子の実装面を除く全周囲を被覆し、前記波
長変換ペースト材料で構成される層は前記発光素子の前
記実装面を除く主光取り出し面及び四方の側面の各面に
対してそれぞれ平行な外郭面を合成した外形とすること
が可能となる。このような構成では、波長変換ペースト
材料中に波長変換材料が均一に分散されることから、主
光取り出し面及び側面から放出される光のそれぞれにつ
いて波長変換度を均一化できるので、黄色味を帯びない
純粋な白色発光が得られる。
波長変換層を形成するのに最適な波長変換ペースト材料
にて、発光素子の実装面を除く全周囲を被覆し、前記波
長変換ペースト材料で構成される層は前記発光素子の前
記実装面を除く主光取り出し面及び四方の側面の各面に
対してそれぞれ平行な外郭面を合成した外形とすること
が可能となる。このような構成では、波長変換ペースト
材料中に波長変換材料が均一に分散されることから、主
光取り出し面及び側面から放出される光のそれぞれにつ
いて波長変換度を均一化できるので、黄色味を帯びない
純粋な白色発光が得られる。
【００８０】また、発光素子の下敷きとしてのサブマウ
ント部材が、波長変換材料を含む波長変換ペースト材料
の受け皿となるために、光反射カップや筐体の器の有無
に関係なく、発光素子を覆うように波長変換ペースト材
料を塗布できる構造となる。
ント部材が、波長変換材料を含む波長変換ペースト材料
の受け皿となるために、光反射カップや筐体の器の有無
に関係なく、発光素子を覆うように波長変換ペースト材
料を塗布できる構造となる。
【００８１】また、ＧａＮＬＥＤ素子のごとく、絶縁性
基板上に形成されたｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域
を有する発光素子に対して、そのｐ型半導体領域とｎ型
半導体領域との間に高電圧が印加されたときに両半導体
領域をバイパスして電流を流すためのダイオード素子な
どの静電気保護素子を並列接続させておく構造としたの
で、絶縁基板上に形成されながらも静電気などによる破
壊を防止する機能を持った信頼性の高い半導体発光装置
を提供することができる。
基板上に形成されたｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域
を有する発光素子に対して、そのｐ型半導体領域とｎ型
半導体領域との間に高電圧が印加されたときに両半導体
領域をバイパスして電流を流すためのダイオード素子な
どの静電気保護素子を並列接続させておく構造としたの
で、絶縁基板上に形成されながらも静電気などによる破
壊を防止する機能を持った信頼性の高い半導体発光装置
を提供することができる。
【００８２】さらに、発光素子と静電気保護素子との電
気的接続状態や、発光素子からの光の取り出し手段を工
夫することで、発光装置の小型化や光の取り出し効率の
向上を、また、放熱についても改善された構造となる。
気的接続状態や、発光素子からの光の取り出し手段を工
夫することで、発光装置の小型化や光の取り出し効率の
向上を、また、放熱についても改善された構造となる。
【００８３】さらに、白色発光の色度とそのバラツキを
制御するために、ＧａＮＬＥＤ素子の主光取り出し面と
この面上に塗布された波長変換ペースト材料の外郭面
を、受け皿となるサブマウント素子の裏面電極形成面を
基準面にして研磨し、ほぼ平行とすることにより、希望
する色度の白色発光の半導体発光装置及び白色発光装置
を歩留まり良く製造することができる。
制御するために、ＧａＮＬＥＤ素子の主光取り出し面と
この面上に塗布された波長変換ペースト材料の外郭面
を、受け皿となるサブマウント素子の裏面電極形成面を
基準面にして研磨し、ほぼ平行とすることにより、希望
する色度の白色発光の半導体発光装置及び白色発光装置
を歩留まり良く製造することができる。
【図１】第１の実施形態に係る複合発光素子の断面図及
び平面図
び平面図
【図２】第１の実施形態の波長変換ペースト材料の塗布
方法を示すフローチャート
方法を示すフローチャート
【図３】第５の実施形態の製造方法を示すフローチャー
ト
ト
【図４】第６の実施形態の製造方法を示すフローチャー
ト
ト
【図５】第７の実施形態の複合発光素子の断面図
【図６】第８の実施形態の白色ＬＥＤランプの断面図
【図７】第８の実施形態の白色チップＬＥＤの断面図
【図８】第９の実施形態の半導体発光装置及び発光装置
の製造方法を示すフローチャート
の製造方法を示すフローチャート
【図９】従来の白色ＬＥＤランプの断面図
【図１０】従来の白色ＬＥＤランプの断面図
１ ＧａＮＬＥＤ素子（発光素子） １ａ サファイア基板 ２ Ｓｉダイオード素子（静電気保護素子） ２ａ ｎ型半導体領域 ２ｂ ｐ型半導体領域 ３ Ｓｉウエハー ５ ｐ電極 ６ ｎ電極 ７ ｐ電極 ８ ｎ電極 ９ 裏面電極 １０ ボンディングパッド部 １１，１２ マイクロバンプ １３ メタルマスク １４ 波長変換ペースト材料 １５ 転写版 １６ 波長変換材料層 １７ 絶縁膜 １８ マスク ２０ ボンダー ２１ ダイサー ５０ａ，５０ｂ リードフレーム ５０ｃ 反射カップ ５１ Ａｇペースト ５２ Ａｕワイヤー ５３ エポキシ樹脂 ５５ 絶縁性基板（プリント配線基板） ５５ａ，５５ｂ リード ５６ Ａｇペースト ５７ Ａｕワイヤー ５８ エポキシ樹脂 ６０ 発光素子 ６１ サファイア基板 ６８ ｎ電極 ６９ 透明電極 ８０ａ，８０ｂ リードフレーム ８０ｃ マウント部 ８１ 接着剤 ８２ａ，８２ｂ ワイヤー ８３ 蛍光物質層 ８４ 蛍光物質 ８５ 樹脂パッケージ Ｄ 波長変換層の厚み Ｗ 複合発光素子 Ｔ チップＬＥＤの高さ Ａ 波長変換層の発光素子の発光方向の厚み Ｂ 波長変換層の発光素子の側面方向の厚み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 3/36 Ｃ０８Ｋ 3/36 ５Ｆ０６１ 5/541 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｒ Ｈ０１Ｌ 21/56 33/00 Ｎ 23/29 Ｃ０８Ｋ 5/54 23/31 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｆ 25/065 Ｂ 25/07 25/08 Ｂ 25/18 33/00 Ｆターム(参考） 4J002 CD001 CD021 DE096 DJ017 EX008 FD017 FD206 FD208 GQ00 4J011 PA07 PA13 PA47 PB22 PB40 PC02 PC08 QB19 UA01 VA01 WA01 4J036 AB07 DB15 FA03 FA05 FA13 GA03 JA15 4M109 AA02 BA01 BA03 CA12 CA21 DB17 EA02 EA03 EA15 EB02 EB06 EB18 EC01 EC05 EC11 EC15 EE12 EE15 GA01 5F041 AA14 AA41 CA05 CA40 CA46 CA76 DA07 DA09 DA12 DA20 DA43 DA83 EE25 5F061 AA01 BA01 BA04 CA01 CA05 CA21 CB13 DE03 FA01
Claims (23)
- 【請求項１】 発光素子が発光した光によって励起され
発光する波長変換材料を含有するペースト材料であっ
て、この材料が １）５０≦波長変換材料≦８５重量％ ２）４≦樹脂≦２５重量％ ３）１≦硬化剤≦２５重量％ ４）０≦チクソ性付与剤≦３重量％ ５）０≦表面改質剤≦１重量％ で構成される波長変換ペースト材料。 - 【請求項２】 波長変換材料の平均粒径が１０μｍ以上
５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の波
長変換ペースト材料。 - 【請求項３】 樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴と
する請求項１記載の波長変換ペースト材料。 - 【請求項４】 エポキシ樹脂の材料が脂環式エポキシ樹
脂であることを特徴とする請求項３記載の波長変換ペー
スト材料。 - 【請求項５】 エポキシ樹脂の材料が水素添加ビスフェ
ノールＡ型脂環式エポキシ樹脂であることを特徴とする
請求項３記載の波長変換ペースト材料。 - 【請求項６】 樹脂がフォトリソグラフィー樹脂である
ことを特徴とする請求項１記載の波長変換ペースト材
料。 - 【請求項７】 フォトリソグラフィー樹脂がアクリレー
ト樹脂であることを特徴とする請求項６記載の波長変換
ペースト材料。 - 【請求項８】 硬化剤が酸無水物硬化剤であることを特
徴とする請求項１記載の波長変換ペースト材料。 - 【請求項９】 酸無水物硬化剤がメチルヘキサヒドロ無
水フタル酸であることを特徴とする請求項８記載の波長
変換ペースト材料。 - 【請求項１０】 硬化剤がカチオン重合開始剤またはラ
ジカル重合開始剤であることを特徴とする請求項１記載
の波長変換ペースト材料。 - 【請求項１１】 カチオン重合開始剤が芳香族スルホニ
ウム塩であることを特徴とする請求項１０記載の波長変
換ペースト材料。 - 【請求項１２】 チクソ性付与剤が高純度無水シリカで
あることを特徴とする請求項１記載の波長変換ペースト
材料。 - 【請求項１３】 表面改質剤がシランカップリング剤で
あることを特徴とする請求項１記載の波長変換ペースト
材料。 - 【請求項１４】 光透過性の基板上にｎ型半導体及びｐ
型半導体層を積層し、前記光透過性基板を上面に向けて
これを主光取り出し面とするとともに、下面にはｎ型半
導体層及びｐ型半導体層に接続するｎ電極及びｐ電極が
形成された発光素子と、前記発光素子の下に重なる状態
で配置され、前記発光素子と対峙する面上に前記ｎ電極
とｐ電極とにそれぞれ電気的に接続される第一の電極及
び第二の電極を有し、それと反対の面に裏面電極を有す
るサブマウント素子と、前記発光素子の発光波長を他の
波長に変換する請求項１から請求項１３のいずれかに記
載の波長変換ペースト材料を備えるとともに、前記波長
変換ペースト材料が、前記サブマウント素子を受け皿と
して、前記サブマウント素子の上に配置された前記発光
素子を覆うように塗布されていることを特徴とする複合
発光素子。 - 【請求項１５】 前記発光素子の主光取り出し面とこの
面上に塗布された波長変換ペースト材料の外郭面のいず
れか一方または両方が受け皿となるサブマウント素子の
裏面電極形成面とほぼ平行であることを特徴とする請求
項１４に記載の複合発光素子。 - 【請求項１６】 前記発光素子の主光取り出し面上の前
記波長変換ペースト材料の厚みがほぼ一定で、その厚み
が３０μｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項
１５に記載の複合発光素子。 - 【請求項１７】 請求項１４から１６に記載の複合発光
素子を用いた半導体発光装置であって、リードフレーム
またはプリント配線基板のマウント部に前記複合発光素
子のサブマウント素子の裏面電極を下にして導電性ペー
ストを介して搭載し、前記複合発光素子のボンディング
パッド領域と外部リードとをワイヤーを介して接続し、
前記複合発光素子を含む前記リードフレームの先端部ま
たはプリント配線基板の上面を光透過性の樹脂で封止し
たことを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項１８】 請求項１４に記載の複合発光素子の製
造方法であって、前記発光素子のｎ電極及びｐ電極また
は前記サブマウント素子の第一の電極及び第二の電極上
にマイクロバンプを形成する工程と、前記発光素子と前
記サブマウント素子の対峙する電極間を前記マイクロバ
ンプを介して電気的に接続する工程と、前記サブマウン
ト素子を受け皿として、前記波長変換ペースト材料が前
記発光素子を覆うように塗布する工程とを有する複合発
光素子の製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の複合発光素子の製
造方法において、前記サブマウント素子を受け皿とし
て、前記波長変換ペースト材料を前記発光素子を覆うよ
うに塗布する工程を、波長変換材料の印刷により形成す
ることを特徴とする複合発光素子の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の複合発光素子の製
造方法において、前記印刷された波長変換ペースト材料
に紫外線を照射して、波長変換ペースト材料を硬化した
ことを特徴とする複合発光素子の製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１８に記載の複合発光素子の製
造方法において、前記サブマウント素子を受け皿とし
て、前記波長変換ペースト材料を前記発光素子を覆うよ
うに塗布する工程を、波長変換材料を転写することによ
り形成することを特徴とする複合発光素子の製造方法。 - 【請求項２２】 請求項１７に記載の半導体発光装置の
製造方法であって、前記発光素子のｐ電極及びｎ電極ま
たはサブマウント素子の第一の電極及び第二の電極上に
前記マイクロバンプとしてスタッドバンプを形成する工
程と、ウエハー状態の前記サブマウント素子を下に置
き、前記発光素子を電極形成面を下にして、前記サブマ
ウント素子の対峙する第一の電極及び第二の電極上に位
置合わせし、前記マイクロバンプを接触させて溶着し、
前記サブマウント素子上に前記発光素子を固定するとと
もに、対峙する電極間を前記マイクロバンプを介して電
気的に接続する工程と、前記サブマウント素子を受け皿
として、前記波長変換ペースト材料を前記発光素子を覆
うように塗布し硬化する工程と、前記波長変換ペースト
材料で被覆された前記発光素子と前記サブマウント素子
の一体化素子が形成された前記ウエハーをチップ単位に
分割する工程と、チップ化された前記一体化素子をリー
ドフレームまたはプリント配線基板などのマウント部に
前記サブマウント素子の裏面電極を下にして搭載し、導
電性ペーストを介して電気的接続をとりながら固定する
工程と、前記サブマウント素子のボンディングパッド領
域と前記リードフレームまたはプリント配線基板などの
リード部間をワイヤーで搭載する工程とを備えた半導体
発光装置の製造方法。 - 【請求項２３】 請求項２２に記載の半導体発光装置の
製造方法において、前記発光素子のｐ電極及びｎ電極ま
たはサブマウント素子の第一の電極及び第二の電極上に
前記マイクロバンプとしてスタッドバンプを形成する工
程と、ウエハー状態の前記サブマウント素子を下に置
き、前記発光素子を電極形成面を下にして、前記サブマ
ウント素子の対峙する第一の電極及び第二の電極上に位
置合わせし、前記マイクロバンプを接触させて溶着し、
前記サブマウント素子上に前記発光素子を固定するとと
もに、対峙する電極間を前記マイクロバンプを介して電
気的に接続する工程と、前記サブマウント素子を受け皿
として、前記波長変換ペースト材料を前記発光素子を覆
うように塗布し硬化する工程と、前記波長変換ペースト
材料で被覆された前記発光素子と前記サブマウント素子
の一体化素子が形成された、前記ウエハーに紫外線を照
射し、波長変換ペースト材料をパターニングしてワイヤ
ーボンディングパッド領域の波長変換ペースト材料を除
去する工程と、前記波長変換ペースト材料で被覆された
前記発光素子と前記サブマウント素子の一体化素子が形
成された前記ウエハーをチップ単位に分割する工程と、
チップ化された前記一体化素子をリードフレームまたは
プリント配線基板などのマウント部に前記サブマウント
素子の裏面電極を下にして搭載し、導電性ペーストを介
して電気的接続をとりながら固定する工程と、前記サブ
マウント素子のボンディングパッド領域と前記リードフ
レームまたはプリント配線基板などのリード部間をワイ
ヤーで搭載する工程とを備えた半導体発光装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001041349A JP2002241586A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001041349A JP2002241586A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002241586A true JP2002241586A (ja) | 2002-08-28 |
Family
ID=18903807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001041349A Pending JP2002241586A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2002241586A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004069894A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Works, Ltd. | エポキシ樹脂組成物、同組成物の硬化層を有する半導体装置、および同半導体装置の製造方法 |
| US6960878B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting diode, optical semiconductor element and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor |
| JP2006054329A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Seiko Epson Corp | 光源装置、プロジェクタ |
| US7075116B2 (en) | 2003-01-27 | 2006-07-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP2008260930A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、および画像表示装置 |
| WO2009039802A1 (de) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes und halbleiterbauelement |
| JP2010532089A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-09-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光電構成素子の製造方法および光電構成素子 |
| WO2012077884A1 (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Chung Hoon Lee | Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same |
| US8294165B2 (en) | 2006-03-30 | 2012-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
| JP2012235178A (ja) * | 2012-09-07 | 2012-11-29 | Sharp Corp | 半導体装置およびコネクタ |
| US8608388B2 (en) | 2009-04-27 | 2013-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and connector |
| KR20130140103A (ko) * | 2010-12-02 | 2013-12-23 | 인터매틱스 코포레이션 | 광발광 파장 변환을 갖는 고체 상태 발광 디바이스 및 사이니지 및 이를 위한 광발광 부품 |
| US9318670B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-04-19 | Intematix Corporation | Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements |
| JP2016141743A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法 |
| JP2016143562A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法 |
| JP2017120840A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光素子パッケージ体および発光素子の製造方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240833A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Nissha Printing Co Ltd | 陰極線管の蛍光膜形成方法 |
| JPH08313706A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Hoya Corp | 遮光部一体型マイクロレンズアレイ及びその製造方法 |
| JPH10215004A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Matsushita Electron Corp | 光電子装置 |
| JPH1140848A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Matsushita Electron Corp | 発光装置 |
| JPH1146015A (ja) * | 1997-07-28 | 1999-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びその形成方法 |
| JPH1160276A (ja) * | 1997-08-11 | 1999-03-02 | Mitsubishi Chem Corp | 識別符号及びその付け方 |
| JPH11302499A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
| JPH11352299A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蛍光板 |
| JP2000031531A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 発光装置 |
| JP2000124475A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光半導体封止材用硬化性組成物及び光半導体製品の製造方法 |
| JP2000156528A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Sharp Corp | 発光素子 |
| JP2001015817A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-19 | Matsushita Electronics Industry Corp | 複合発光素子と発光装置及びその製造方法 |
| JP2001024238A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Citizen Electronics Co Ltd | 多色発光ダイオード |
-
2001
- 2001-02-19 JP JP2001041349A patent/JP2002241586A/ja active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240833A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Nissha Printing Co Ltd | 陰極線管の蛍光膜形成方法 |
| JPH08313706A (ja) * | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Hoya Corp | 遮光部一体型マイクロレンズアレイ及びその製造方法 |
| JPH10215004A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Matsushita Electron Corp | 光電子装置 |
| JPH1140848A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Matsushita Electron Corp | 発光装置 |
| JPH1146015A (ja) * | 1997-07-28 | 1999-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びその形成方法 |
| JPH1160276A (ja) * | 1997-08-11 | 1999-03-02 | Mitsubishi Chem Corp | 識別符号及びその付け方 |
| JPH11302499A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
| JPH11352299A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蛍光板 |
| JP2000031531A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 発光装置 |
| JP2000124475A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光半導体封止材用硬化性組成物及び光半導体製品の製造方法 |
| JP2000156528A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Sharp Corp | 発光素子 |
| JP2001015817A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-19 | Matsushita Electronics Industry Corp | 複合発光素子と発光装置及びその製造方法 |
| JP2001024238A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Citizen Electronics Co Ltd | 多色発光ダイオード |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6960878B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting diode, optical semiconductor element and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor |
| US7342357B2 (en) | 2001-01-24 | 2008-03-11 | Nichia Corporation | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US7550096B2 (en) | 2001-01-24 | 2009-06-23 | Nichia Corporation | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition and phosphor suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US7075116B2 (en) | 2003-01-27 | 2006-07-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| WO2004069894A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Works, Ltd. | エポキシ樹脂組成物、同組成物の硬化層を有する半導体装置、および同半導体装置の製造方法 |
| JP2006054329A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Seiko Epson Corp | 光源装置、プロジェクタ |
| US8294165B2 (en) | 2006-03-30 | 2012-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
| JP2008260930A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、および画像表示装置 |
| JP2010532089A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-09-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光電構成素子の製造方法および光電構成素子 |
| WO2009039802A1 (de) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes und halbleiterbauelement |
| US8608388B2 (en) | 2009-04-27 | 2013-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and connector |
| US10600939B2 (en) | 2010-12-02 | 2020-03-24 | Intematix, Corporation | Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor |
| KR101933233B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2019-03-15 | 인터매틱스 코포레이션 | 광발광 파장 변환을 갖는 고체 상태 발광 디바이스 및 사이니지 및 이를 위한 광발광 부품 |
| JP2014505744A (ja) * | 2010-12-02 | 2014-03-06 | インテマティックス・コーポレーション | フォトルミネッセンス波長変換およびそのためのフォトルミネッセント組成物を備える固体発光装置およびサイネージ |
| KR20130140103A (ko) * | 2010-12-02 | 2013-12-23 | 인터매틱스 코포레이션 | 광발광 파장 변환을 갖는 고체 상태 발광 디바이스 및 사이니지 및 이를 위한 광발광 부품 |
| KR101230622B1 (ko) | 2010-12-10 | 2013-02-06 | 이정훈 | 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스 |
| US9054231B2 (en) | 2010-12-10 | 2015-06-09 | Chung Hoon Lee | Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same |
| US9711693B2 (en) | 2010-12-10 | 2017-07-18 | Chung Hoon Lee | Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same |
| WO2012077884A1 (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Chung Hoon Lee | Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same |
| JP2012235178A (ja) * | 2012-09-07 | 2012-11-29 | Sharp Corp | 半導体装置およびコネクタ |
| US9318670B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-04-19 | Intematix Corporation | Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements |
| JP2016141743A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法 |
| JP2016143562A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法 |
| WO2016125479A1 (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法 |
| WO2016125480A1 (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法 |
| JP2017120840A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光素子パッケージ体および発光素子の製造方法 |
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