JP2009177160A5

JP2009177160A5 -

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Publication number: JP2009177160A5
Application number: JP2008327350A
Authority: JP
Filing date: 2008-12-24
Publication date: 2012-01-19
Anticipated expiration: 2028-12-24

Claims

基板の第１の面に半導体素子が設けられ、
前記基板の前記第１の面とは反対の第２の面と、前記基板の側面の一部と、に樹脂層を有することを特徴とする半導体装置。
請求項１において、
前記基板の断面は凸字形状であることを特徴とする半導体装置。
基板の第１の面に半導体素子が設けられ、
前記基板の前記第１の面とは反対の第２の面と、前記基板の側面の一部と、に樹脂層を有し、
前記基板は断面において、台形状であり、前記台形状の側面が階段形状を有し、
前記基板は、前記階段形状の上段の厚さが前記階段形状の下段の厚さより厚いことを特徴とする半導体装置。
請求項３において、
前記上段は前記下段に向かって湾曲していることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記樹脂層が接している前記基板の側面は、裾広がりの曲面を有することを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記基板の第１の面及び前記基板の第２の面は四角形であり、前記基板の第２の面の面積の方が前記基板の第１の面の面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記半導体素子は光電変換素子と、前記光電変換素子の出力を増幅する増幅回路が設けられた光電変換装置を有し、
前記光電変換素子はｐ型半導体層と、ｉ型半導体層と、ｎ型半導体層とが積層された構造を有することを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記基板は透光性であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記樹脂層は透光性であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記基板は透光性であり、前記樹脂層は、緑色の光を通す材料からなることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記基板は透光性であり、前記樹脂層は、青色の光を通す材料からなることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記基板は透光性であり、前記樹脂層は、赤色の光を通す材料からなることを特徴とする半導体装置。
基板の第１の面に半導体素子を形成する工程と、
前記第１の面とは反対側の第２の面の前記基板の厚さを薄くする工程と、
前記基板の第２の面に、溝を設ける工程と、
前記第２の面に樹脂層を設ける工程と、
前記基板を分断する工程と、を有し、
前記溝を設ける工程にて形成される溝の幅は、前記基板を分断する工程にて、前記基板を分断するときの切削痕の幅より広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１３において、
前記溝を設ける工程と、前記基板を分断する工程と、において、
厚みが異なるダイシングブレードを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１３または請求項１４において、
前記基板の厚さを薄くする工程と、前記基板に溝を設ける工程と、前記基板を分断する工程と、において、
前記基板をダイシングテープで固定して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１３乃至１５のいずれか一項において、
前記基板を分断する工程では、前記基板に形成されたマーカを検出し、前記基板の位置を確認し、前記溝の内側を切削し分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。