JP2011511443A5

JP2011511443A5 -

Info

Publication number: JP2011511443A5
Application number: JP2010544569A
Authority: JP
Filing date: 2008-12-17
Publication date: 2012-02-09

Claims

放射を検出するためにそれぞれ設けられている第１の活性領域（２１０）および第２の活性領域（２２０）を備えている半導体ボディ（２）を有し、
− 前記第１の活性領域（２１０）および前記第２の活性領域（２２０）が一垂直方向に互いに隔てられ、
− 垂直方向に前記第１の活性領域（２１０）と前記第２の活性領域（２２０）との間に、相互に異なる導電型を有する２つのトンネル層（２４１，２４２）を備えたトンネル領域（２４）が配置され、
− 前記トンネル領域（２４）がランド（３１）に導電接続され、
− 前記ランド（３１）が、前記半導体ボディ（２）に外部から電気的に接触するために、前記第１の活性領域（２１０）と前記第２の活性領域（２２０）との間に設けられている、
放射受光器（１）。
前記半導体ボディ（２）が、前記第１の活性領域（２１０）とは反対の、前記第２の活性領域（２２０）の側に、第３の活性領域（２３０）を備え、
さらなるトンネル領域（２５）が、前記第２の活性領域（２２０）と前記第３の活性領域（２３０）との間に配置され、さらなるランド（３２）に導電接続されている、
請求項１に記載の放射受光器。
前記放射受光器が積み重ねられたダイオードの構造を有し、前記ダイオードの極性が放射主方向に対してそれぞれ同様である、
請求項１または２に記載の放射受光器。
前記半導体ボディ（２）の放射入射主面（１０）が階段状構造であり、この放射入射主面が前記半導体ボディ（２）を垂直方向で制限し、
前記放射入射主面（１０）の１つの階段面（１１，１２，１３）が活性領域（２１０，２２０，２３０）のそれぞれに関連付けられ、
階段面（１１，１２，１３）のそれぞれが、隣接する２つの活性領域（２１０，２２０，２３０）の間に形成されている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射受光器。
上から見たときに、少なくとも２つの階段面（１１，１２，１３）が二次元的に横に並んで配置されている、
請求項４に記載の放射受光器。
上から見たときに、少なくとも２つの階段面（１１，１２，１３）が部分的に互いに交わっている、
請求項４に記載の放射受光器。
前記第１の活性領域（２１０）が、放射入射主方向において前記第２の活性領域（２２０）の上流に配置され、
前記第１の活性領域（２１０）に関連付けられている前記第１の階段面（１１）が連続的な構造である、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射受光器。
前記活性領域（２１０，２２０，２３０）のそれぞれが、ピーク波長にて最大の検出値を呈し、
前記ピーク波長が互いに隔てられ、
前記ピーク波長が前記放射入射主方向に高くなっている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射受光器。
前記活性領域（２１０，２２０，２３０）のそれぞれが、ピーク波長にて最大の検出値を備え、
前記ピーク波長が互いに隔てられ、
少なくとも１つの活性領域（２１０，２２０，２３０）が、前記放射入射主方向において上流に配置されている活性領域（２１０，２２０，２３０）よりも低いピーク波長を有する、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射受光器。
前記活性領域（２１０，２２０，２３０）の少なくとも１つの上流に受動領域（２１３，２２３，２３３）が配置され、
前記受動領域が、その活性領域（２１０，２２０，２３０）に関連付けられている検出スペクトル範囲の短波エッジ部を形成するために設けられている、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の放射受光器。
前記活性領域（２１０，２２０，２３０）の少なくとも１つがＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を含んでいる、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の放射受光器。
カラーセンサ（５）における動作のために設けられ、
前記カラーセンサ（５）が複数のカラーチャネルを備えている、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の放射受光器。
放射受光器（１）を製造する方法であって、
（ａ）第１の活性領域（２１０）および第２の活性領域（２２０）を備えている半導体ボディ（２）であって、前記活性領域（２１０，２２０）のそれぞれが、放射を検出するために設けられ、前記第１の活性領域（２１０）と前記第２の活性領域（２２０）との間に、相互に異なる導電型を有する２つのトンネル層（２４１，２４２）を備えたトンネル領域（２４）が配置されている、半導体ボディ（２）を形成するステップと、
（ｂ）前記第１の活性領域（２１０）を部分的に除去し、前記トンネル領域（２４）を露出させるステップと、
（ｃ）前記トンネル領域（２４）の上にランドを形成するステップと、
を含んでいる、方法。
前記半導体ボディ（２）が成長基板（２０）の上にエピタキシャルに形成する、
請求項１３に記載の方法。
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の放射受光器（１）が製造される、
請求項１３または１４に記載の方法。