JP2014011175A5 - - Google Patents
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Description
そこで、本発明は、ショットキーバリアダイオードであって、第一の半導体層と、第一の半導体層に接して配置されたＬＯＣＯＳ層と、前記第一の半導体層と第一の電極との接触面に形成されるショットキー接合領域と、前記第一の半導体層と電気的に接続され、前記第一の半導体層よりキャリア濃度の高い第二の半導体層と、前記第二の半導体層とオーミック接続される第二の電極とを備え、前記ショットキー接合領域と前記ＬＯＣＯＳ層とが接しているショットキーバリアダイオードを提供するものである。
Claims (16)
- ショットキーバリアダイオードであって、
第一の半導体層と、
前記第一の半導体層に接して配置されたＬＯＣＯＳ層と、
前記第一の半導体層と第一の電極との接触面に形成されるショットキー接合領域と、
前記第一の半導体層と電気的に接続され、前記第一の半導体層よりキャリア濃度の高い第二の半導体層と、
前記第二の半導体層とオーミック接続される第二の電極とを備え、
前記ショットキー接合領域と前記ＬＯＣＯＳ層とが接していることを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 基板の上に、前記第二の半導体層、前記第一の半導体層の順に積層されたことを特徴とする請求項１記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第一の電極又は前記第二の電極は、前記ＬＯＣＯＳ層の上部の少なくとも一部にも形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ショットキー接合領域の周囲が前記ＬＯＣＯＳ層に覆われていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ＬＯＣＯＳ層は、前記第一の電極と前記第二の電極との間を絶縁することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第一の半導体層は、エピタキシャル成長させた半導体を含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ショットキーバリアダイオードが、半導体基板上に島状に配されたことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ＬＯＣＯＳ層は、前記第２の半導体層と接する深さまで形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のショットキアリアダイオード。
- 請求項１乃至８の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオードと、
検出電磁波の電界成分を前記第一の電極と前記第二の電極の間に誘起するためのアンテナと、を備え、
前記第一の電極と前記第二の電極を前記アンテナの出力ポートとすることを特徴とする検出素子。 - 請求項１乃至８の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオードと、
検出信号を出力するためのトランジスタと、を備え、
前記検出素子と前記トランジスタが同一基板に配置されることを特徴とする検出素子。 - 請求項９又は１０に記載の検出素子を複数個アレイ状に配し、
前記複数の検出素子がそれぞれ検出する検出電磁波の電界に基づいて電界分布の画像を形成することを特徴とする画像形成装置。 - 第一の半導体層の上にパターン層を形成する工程と、
熱酸化により前記パターン層の周囲にＬＯＣＯＳ層を形成する工程と、
前記パターン層を除去して前記第一の半導体層の表面を露出する工程と、
前記ＬＯＣＯＳ層と接し、且つ、前記ＬＯＣＯＳ層の一部を覆うように、前記第一の半導体層の表面とショットキー接合する第一の電極を形成する工程と、
前記第一の半導体層と接続された、前記第一の半導体層よりキャリア濃度の高い第二の半導体層の一部とオーミック接触する第二の電極を形成する工程とを少なくとも含むショットキーバリアダイオードの製造方法。 - 第一の半導体層の上にＳｉ３Ｎ４を含むパターン層を形成する工程と、
熱酸化によりパターン層の周囲にＬＯＣＯＳ層を形成する工程と、
前記パターン層を除去して前記第一の半導体層の表面を露出する工程と、
第二の半導体層を、前記第一の半導体層の露出した表面に選択的にエピタキシャル成長する工程と、
前記ＬＯＣＯＳ層と接し、且つ、前記ＬＯＣＯＳ層の一部を覆うように、前記第二の半導体層の表面とショットキー接合する第一の電極を形成する工程と、
前記第一の半導体層とオーミック接触する第二の電極を形成する工程とを少なくとも含むショットキーバリアダイオードの製造方法。 - 前記パターン層はＳｉ３Ｎ４を含むことを特徴とする請求項１２又は１３記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
- 請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載されたショットキーバリアダイオードの製造方法で製造されたショットキーバリアダイオードと、
検出電磁波の電界成分を前記第一の電極と前記第二の電極の間に誘起するためのアンテナ又は、検出信号を出力するためのトランジスタの少なくとも一方を形成する工程とを有する検出素子の製造方法。 - 請求項１５に記載された検出素子で製造された検出素子を複数個アレイ状に配置する工程を有する画像形成装置の製造方法。
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