JP2014011175A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 2
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Description
そこで、本発明は、ショットキーバリアダイオードであって、第一の半導体層と、第一の半導体層に接して配置されたＬＯＣＯＳ層と、前記第一の半導体層と第一の電極との接触面に形成されるショットキー接合領域と、前記第一の半導体層と電気的に接続され、前記第一の半導体層よりキャリア濃度の高い第二の半導体層と、前記第二の半導体層とオーミック接続される第二の電極とを備え、前記ショットキー接合領域と前記ＬＯＣＯＳ層とが接しているショットキーバリアダイオードを提供するものである。
Claims (16)
- ショットキーバリアダイオードであって、
第一の半導体層と、
前記第一の半導体層に接して配置されたＬＯＣＯＳ層と、
前記第一の半導体層と第一の電極との接触面に形成されるショットキー接合領域と、
前記第一の半導体層と電気的に接続され、前記第一の半導体層よりキャリア濃度の高い第二の半導体層と、
前記第二の半導体層とオーミック接続される第二の電極とを備え、
前記ショットキー接合領域と前記ＬＯＣＯＳ層とが接していることを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 基板の上に、前記第二の半導体層、前記第一の半導体層の順に積層されたことを特徴とする請求項１記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第一の電極又は前記第二の電極は、前記ＬＯＣＯＳ層の上部の少なくとも一部にも形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ショットキー接合領域の周囲が前記ＬＯＣＯＳ層に覆われていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ＬＯＣＯＳ層は、前記第一の電極と前記第二の電極との間を絶縁することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第一の半導体層は、エピタキシャル成長させた半導体を含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ショットキーバリアダイオードが、半導体基板上に島状に配されたことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記ＬＯＣＯＳ層は、前記第２の半導体層と接する深さまで形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のショットキアリアダイオード。
- 請求項１乃至８の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオードと、
検出電磁波の電界成分を前記第一の電極と前記第二の電極の間に誘起するためのアンテナと、を備え、
前記第一の電極と前記第二の電極を前記アンテナの出力ポートとすることを特徴とする検出素子。 - 請求項１乃至８の何れか１項に記載のショットキーバリアダイオードと、
検出信号を出力するためのトランジスタと、を備え、
前記検出素子と前記トランジスタが同一基板に配置されることを特徴とする検出素子。 - 請求項９又は１０に記載の検出素子を複数個アレイ状に配し、
前記複数の検出素子がそれぞれ検出する検出電磁波の電界に基づいて電界分布の画像を形成することを特徴とする画像形成装置。 - 第一の半導体層の上にパターン層を形成する工程と、
熱酸化により前記パターン層の周囲にＬＯＣＯＳ層を形成する工程と、
前記パターン層を除去して前記第一の半導体層の表面を露出する工程と、
前記ＬＯＣＯＳ層と接し、且つ、前記ＬＯＣＯＳ層の一部を覆うように、前記第一の半導体層の表面とショットキー接合する第一の電極を形成する工程と、
前記第一の半導体層と接続された、前記第一の半導体層よりキャリア濃度の高い第二の半導体層の一部とオーミック接触する第二の電極を形成する工程とを少なくとも含むショットキーバリアダイオードの製造方法。 - 第一の半導体層の上にＳｉ３Ｎ４を含むパターン層を形成する工程と、
熱酸化によりパターン層の周囲にＬＯＣＯＳ層を形成する工程と、
前記パターン層を除去して前記第一の半導体層の表面を露出する工程と、
第二の半導体層を、前記第一の半導体層の露出した表面に選択的にエピタキシャル成長する工程と、
前記ＬＯＣＯＳ層と接し、且つ、前記ＬＯＣＯＳ層の一部を覆うように、前記第二の半導体層の表面とショットキー接合する第一の電極を形成する工程と、
前記第一の半導体層とオーミック接触する第二の電極を形成する工程とを少なくとも含むショットキーバリアダイオードの製造方法。 - 前記パターン層はＳｉ３Ｎ４を含むことを特徴とする請求項１２又は１３記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
- 請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載されたショットキーバリアダイオードの製造方法で製造されたショットキーバリアダイオードと、
検出電磁波の電界成分を前記第一の電極と前記第二の電極の間に誘起するためのアンテナ又は、検出信号を出力するためのトランジスタの少なくとも一方を形成する工程とを有する検出素子の製造方法。 - 請求項１５に記載された検出素子で製造された検出素子を複数個アレイ状に配置する工程を有する画像形成装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012144320A JP6095284B2 (ja) | 2012-06-27 | 2012-06-27 | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 |
| US13/925,071 US9553211B2 (en) | 2012-06-27 | 2013-06-24 | Schottky barrier diode and apparatus using the same |
| US15/381,842 US20170148928A1 (en) | 2012-06-27 | 2016-12-16 | Schottky barrier diode and apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012144320A JP6095284B2 (ja) | 2012-06-27 | 2012-06-27 | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017025368A Division JP2017085184A (ja) | 2017-02-14 | 2017-02-14 | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014011175A JP2014011175A (ja) | 2014-01-20 |
| JP2014011175A5 true JP2014011175A5 (ja) | 2015-07-30 |
| JP6095284B2 JP6095284B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=49777117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012144320A Active JP6095284B2 (ja) | 2012-06-27 | 2012-06-27 | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9553211B2 (ja) |
| JP (1) | JP6095284B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104241401B (zh) * | 2014-09-09 | 2016-06-01 | 华中科技大学 | 基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法 |
| US10297704B2 (en) * | 2016-03-15 | 2019-05-21 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Low noise detectors for astronomy |
| US10121926B2 (en) * | 2016-08-22 | 2018-11-06 | Shahid Rajaee Teacher Training University | Graphene-based detector for W-band and terahertz radiations |
| US10797137B2 (en) * | 2017-06-30 | 2020-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for reducing Schottky barrier height and semiconductor device with reduced Schottky barrier height |
| KR20200096805A (ko) | 2017-12-04 | 2020-08-13 | 그린 어라이즈 엘티디 | 전자기파를 직류 전류로 변환하기 위한 컨버터 |
| CN109616513B (zh) * | 2019-01-23 | 2023-06-27 | 山东科技大学 | 基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管 |
| CN113594291A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-11-02 | 山东大学 | 通过极性半导体的热释电效应调控金属/半导体肖特基结来实现红外光电探测的方法 |
| CN113745815B (zh) * | 2021-08-27 | 2022-05-20 | 西安交通大学 | 一种工作在太赫兹波段的协同联合天线 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115875A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
| JPS5877256A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置の電極構造 |
| JPS6018959A (ja) | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JPS59155178A (ja) * | 1984-01-18 | 1984-09-04 | Hitachi Ltd | シヨツトキバリアダイオ−ドを有する半導体装置 |
| JPS60201666A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP3251758B2 (ja) | 1994-02-15 | 2002-01-28 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2002057350A (ja) | 1994-08-30 | 2002-02-22 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| JPH09162424A (ja) | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Yokogawa Electric Corp | アンテナ結合電界検出型光検出素子およびその製造方法 |
| JP3484354B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2004-01-06 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外線検出器アレイおよびその製造方法 |
| JP4277496B2 (ja) | 2001-11-21 | 2009-06-10 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置 |
| US7417265B2 (en) * | 2006-02-03 | 2008-08-26 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Schottky diode structure with enhanced breakdown voltage and method of manufacture |
| JP5506258B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2014-05-28 | キヤノン株式会社 | 整流素子 |
-
2012
- 2012-06-27 JP JP2012144320A patent/JP6095284B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-24 US US13/925,071 patent/US9553211B2/en active Active
-
2016
- 2016-12-16 US US15/381,842 patent/US20170148928A1/en not_active Abandoned
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