JP3484354B2 - 熱型赤外線検出器アレイおよびその製造方法 - Google Patents
熱型赤外線検出器アレイおよびその製造方法Info
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線検出器が複
数個集積されて成る赤外線検出器アレイ、中でも赤外線
を熱として感知する熱型赤外線検出器アレイに関する。
赤外線検出器アレイは、例えば赤外線固体撮像素子とし
て応用することができる。
数個集積されて成る赤外線検出器アレイ、中でも赤外線
を熱として感知する熱型赤外線検出器アレイに関する。
赤外線検出器アレイは、例えば赤外線固体撮像素子とし
て応用することができる。
【０００２】
【従来の技術】赤外線検出器アレイは、人間の視覚を刺
激しない物を見ることができ、また対象物の温度を遠方
から非接触で瞬時に測定できるという特徴を備えてお
り、製造ラインの計測・制御や医療・診断装置、人の検
知装置など幅広い産業分野において多種多様な形で使用
されている。
激しない物を見ることができ、また対象物の温度を遠方
から非接触で瞬時に測定できるという特徴を備えてお
り、製造ラインの計測・制御や医療・診断装置、人の検
知装置など幅広い産業分野において多種多様な形で使用
されている。
【０００３】赤外線検出器アレイは、マトリックス状に
配列された検出器と、その周囲に形成された検出器の信
号を読み出すための信号出力回路より成る。
配列された検出器と、その周囲に形成された検出器の信
号を読み出すための信号出力回路より成る。
【０００４】赤外線検出器アレイは、検出器の原理によ
り、赤外線の光子としての作用を利用する量子型と、赤
外線の熱作用を利用する熱型に大別することができる。
量子型は、高感度、高速応答という利点を有するが、検
出器をマイナス２００℃前後に冷却する必要があるため
装置が複雑で高価となる。一方、熱型は、応答速度は劣
るが冷却不要で常温動作可能なため、汎用用途において
は熱型が主流となっている。
り、赤外線の光子としての作用を利用する量子型と、赤
外線の熱作用を利用する熱型に大別することができる。
量子型は、高感度、高速応答という利点を有するが、検
出器をマイナス２００℃前後に冷却する必要があるため
装置が複雑で高価となる。一方、熱型は、応答速度は劣
るが冷却不要で常温動作可能なため、汎用用途において
は熱型が主流となっている。
【０００５】熱型赤外線検出アレイとしては、ボロメー
ター型と呼ばれる検出器（米国特許第5,260,255号公
報）を使用したものが既に実用化されている。ボロメー
ター型検出器とは、物体から放射される赤外線を、温度
変化に応じて抵抗値が変わる抵抗体によって検出するも
のである。
ター型と呼ばれる検出器（米国特許第5,260,255号公
報）を使用したものが既に実用化されている。ボロメー
ター型検出器とは、物体から放射される赤外線を、温度
変化に応じて抵抗値が変わる抵抗体によって検出するも
のである。
【０００６】以下、ボロメーター型赤外線検出器につい
て図面を参照しつつ説明する。図８はボロメーター型検
出器の一例の斜視図である。図８において、８０１は抵
抗体、８０２は配線、８０３は絶縁部、８０４は支持基
板を表す。赤外線の照射により抵抗体８０１の温度が変
化すると、それに応じて抵抗体８０１の抵抗値が変化す
る。抵抗値の変化は、配線８０２を通して抵抗体８０１
に印加されたバイアス電流またはバイアス電圧の変化と
して観察することができる。入射した赤外線による抵抗
体８０１の温度上昇を効果的に起こすため、抵抗体８０
１は脚部８０１ａにより支持され抵抗体８０１の下部は
中空となっている。脚部８０１ａはマイクロマシニング
技術を用いて形成される。
て図面を参照しつつ説明する。図８はボロメーター型検
出器の一例の斜視図である。図８において、８０１は抵
抗体、８０２は配線、８０３は絶縁部、８０４は支持基
板を表す。赤外線の照射により抵抗体８０１の温度が変
化すると、それに応じて抵抗体８０１の抵抗値が変化す
る。抵抗値の変化は、配線８０２を通して抵抗体８０１
に印加されたバイアス電流またはバイアス電圧の変化と
して観察することができる。入射した赤外線による抵抗
体８０１の温度上昇を効果的に起こすため、抵抗体８０
１は脚部８０１ａにより支持され抵抗体８０１の下部は
中空となっている。脚部８０１ａはマイクロマシニング
技術を用いて形成される。
【０００７】ボロメーター型検出器の抵抗体としては、
これまで薄膜状の金属、酸化バナジウム等のセラミック
ス、多結晶シリコン等が使用されている。しかし、いず
れも、これを集積して赤外線検出器アレイとするには、
量産性または性能の上で問題があった。
これまで薄膜状の金属、酸化バナジウム等のセラミック
ス、多結晶シリコン等が使用されている。しかし、いず
れも、これを集積して赤外線検出器アレイとするには、
量産性または性能の上で問題があった。
【０００８】金属薄膜を検出器の抵抗体とした場合、抵
抗値の温度による変化率（以下抵抗温度係数）が0.5％
／k程度と低いため検出器としての赤外線に対する感度
が不足する。酸化バナジウムを検出器の抵抗体として用
いた場合は、抵抗温度係数が約２.0％／kと高いが、半
導体の製造工程で一般に利用されない材料であるため、
半導体素子よりなる信号出力回路と一貫製造することが
できず、量産性に問題があった。また多結晶シリコンを
検出器の抵抗体として用いれば、信号出力回路と一貫製
造可能であるが、抵抗温度係数を高くして検出器を高感
度とするためには、不純物ドーピング量を減らす必要が
あり、結晶粒界に形成されたトラップ準位による伝導が
支配的となるため抵抗雑音が大きくなり、検出信号のS/
N比が悪くなる問題があった。
抗値の温度による変化率（以下抵抗温度係数）が0.5％
／k程度と低いため検出器としての赤外線に対する感度
が不足する。酸化バナジウムを検出器の抵抗体として用
いた場合は、抵抗温度係数が約２.0％／kと高いが、半
導体の製造工程で一般に利用されない材料であるため、
半導体素子よりなる信号出力回路と一貫製造することが
できず、量産性に問題があった。また多結晶シリコンを
検出器の抵抗体として用いれば、信号出力回路と一貫製
造可能であるが、抵抗温度係数を高くして検出器を高感
度とするためには、不純物ドーピング量を減らす必要が
あり、結晶粒界に形成されたトラップ準位による伝導が
支配的となるため抵抗雑音が大きくなり、検出信号のS/
N比が悪くなる問題があった。
【０００９】ボロメーター型と異なる熱型検出器とし
て、半導体接合素子を利用した検出器が提案されている
（特開平９−１６６４９７号、特開平８−１８６２８３
号公報）。半導体接合素子とは単結晶シリコン上に形成
されたｐｎ接合、ショットキー接合ダイオードまたは各
種トランジスタである。
て、半導体接合素子を利用した検出器が提案されている
（特開平９−１６６４９７号、特開平８−１８６２８３
号公報）。半導体接合素子とは単結晶シリコン上に形成
されたｐｎ接合、ショットキー接合ダイオードまたは各
種トランジスタである。
【００１０】これら半導体接合素子を利用した熱型検出
器は、半導体接合素子の電流−電圧特性の温度による変
化を利用して赤外線を検出する。半導体層は不純物が高
濃度にドーピングされており、また半導体層の結晶性が
良いため抵抗雑音が小さい。このため、高S/N比の赤外
線検出信号を得ることができる。
器は、半導体接合素子の電流−電圧特性の温度による変
化を利用して赤外線を検出する。半導体層は不純物が高
濃度にドーピングされており、また半導体層の結晶性が
良いため抵抗雑音が小さい。このため、高S/N比の赤外
線検出信号を得ることができる。
【００１１】尚、半導体接合素子を単結晶シリコン基板
に直接形成すると、シリコンの高い熱伝導係数のため、
半導体接合素子の赤外線による温度上昇が効率良く起き
ず、赤外線に対する十分な感度が得られない。そこで、
半導体接合素子を形成するシリコン層を熱伝導係数の比
較的小さな酸化膜によってシリコン基板と分離した、い
わゆるＳＯＩ構造とし、さらにその下部を中空とするこ
とが提案されている（特開平８−１８６２８３号公
報）。
に直接形成すると、シリコンの高い熱伝導係数のため、
半導体接合素子の赤外線による温度上昇が効率良く起き
ず、赤外線に対する十分な感度が得られない。そこで、
半導体接合素子を形成するシリコン層を熱伝導係数の比
較的小さな酸化膜によってシリコン基板と分離した、い
わゆるＳＯＩ構造とし、さらにその下部を中空とするこ
とが提案されている（特開平８−１８６２８３号公
報）。
【００１２】半導体接合素子を用いた熱型検出器は、上
述したように、赤外線検出器アレイとするのに必要な要
件を満たす。即ち、半導体工程で製造することができ、
高感度かつ低雑音の信号を得ることができる。
述したように、赤外線検出器アレイとするのに必要な要
件を満たす。即ち、半導体工程で製造することができ、
高感度かつ低雑音の信号を得ることができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これを信号出
力回路と共に集積し、赤外線検出器アレイを具体的に構
成した例はこれまでになかった。本発明は、従来技術の
このような状況に鑑みてなされたものであり、半導体接
合素子を熱型検出器として使用し、半導体工程で一貫製
造可能で、高感度かつ低雑音な熱型赤外線検出器アレイ
及びその製造方法を提供することを目的としている。
力回路と共に集積し、赤外線検出器アレイを具体的に構
成した例はこれまでになかった。本発明は、従来技術の
このような状況に鑑みてなされたものであり、半導体接
合素子を熱型検出器として使用し、半導体工程で一貫製
造可能で、高感度かつ低雑音な熱型赤外線検出器アレイ
及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の熱型赤外線検出器アレイは、複数の熱型赤外
線検出器と、該熱型赤外線検出器から出力される電気信
号を外部に出力する信号出力回路を備えた熱型赤外線検
出器アレイであって、前記熱型赤外線検出器アレイが、
単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して設けられた単結
晶シリコン層を備えたＳＯＩ構造上に形成されており、
前記熱型赤外線検出器が、前記単結晶シリコン層に1次
元または２次元に配列して形成された半導体接合素子を
含んで成り、前記信号出力回路を構成するトランジスタ
のうち、少なくとも、検出器に印加するバイアス電圧を
決定するトランジスタが、前記単結晶シリコン基板に直
接形成されたことを特徴とする。これにより、信号出力
回路を構成するトランジスタの耐圧が高くなり、検出器
の駆動電圧を上げて高感度化することができる。また、
本発明の別の熱型赤外線検出器アレイは、複数の熱型赤
外線検出器と、該熱型赤外線検出器から出力される電気
信号を外部に出力する信号出力回路を備えた熱型赤外線
検出器アレイであって、前記熱型赤外線検出器アレイ
が、単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して設けられた
単結晶シリコン層を備えたＳＯＩ構造上に形成されてお
り、前記熱型赤外線検出器が、前記単結晶シリコン層に
1次元または２次元に配列して形成された半導体接合素
子を含んで成り、前記信号出力回路を構成するトランジ
スタのうち、少なくとも、検出器出力信号が通過しアナ
ログ動作するトランジスタが、前記単結晶シリコン基板
に直接形成されたことを特徴とする。これにより、キン
ク現象による検出器出力信号の歪みを抑制することがで
きる。さらに、本発明の熱型赤外線検出器アレイにおい
て、信号出力回路を構成する全てのトランジスタを単結
晶シリコン基板上に形成しても良い。
に本発明の熱型赤外線検出器アレイは、複数の熱型赤外
線検出器と、該熱型赤外線検出器から出力される電気信
号を外部に出力する信号出力回路を備えた熱型赤外線検
出器アレイであって、前記熱型赤外線検出器アレイが、
単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して設けられた単結
晶シリコン層を備えたＳＯＩ構造上に形成されており、
前記熱型赤外線検出器が、前記単結晶シリコン層に1次
元または２次元に配列して形成された半導体接合素子を
含んで成り、前記信号出力回路を構成するトランジスタ
のうち、少なくとも、検出器に印加するバイアス電圧を
決定するトランジスタが、前記単結晶シリコン基板に直
接形成されたことを特徴とする。これにより、信号出力
回路を構成するトランジスタの耐圧が高くなり、検出器
の駆動電圧を上げて高感度化することができる。また、
本発明の別の熱型赤外線検出器アレイは、複数の熱型赤
外線検出器と、該熱型赤外線検出器から出力される電気
信号を外部に出力する信号出力回路を備えた熱型赤外線
検出器アレイであって、前記熱型赤外線検出器アレイ
が、単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して設けられた
単結晶シリコン層を備えたＳＯＩ構造上に形成されてお
り、前記熱型赤外線検出器が、前記単結晶シリコン層に
1次元または２次元に配列して形成された半導体接合素
子を含んで成り、前記信号出力回路を構成するトランジ
スタのうち、少なくとも、検出器出力信号が通過しアナ
ログ動作するトランジスタが、前記単結晶シリコン基板
に直接形成されたことを特徴とする。これにより、キン
ク現象による検出器出力信号の歪みを抑制することがで
きる。さらに、本発明の熱型赤外線検出器アレイにおい
て、信号出力回路を構成する全てのトランジスタを単結
晶シリコン基板上に形成しても良い。
【００１５】また、本発明の熱型赤外線検出器アレイに
おいては、半導体接合素子の熱絶縁性を高めるため、前
記半導体接合素子の下部の単結晶シリコン基板が一部除
去されて空洞化しており、その部分において前記半導体
接合素子が前記酸化膜に支持されていることが好まし
い。
おいては、半導体接合素子の熱絶縁性を高めるため、前
記半導体接合素子の下部の単結晶シリコン基板が一部除
去されて空洞化しており、その部分において前記半導体
接合素子が前記酸化膜に支持されていることが好まし
い。
【００１６】さらに、本発明の熱型赤外線検出器アレイ
において、検出器を構成する半導体接合素子をダイオー
ドとし、ダイオードに一定電流を流す際のバイアス電圧
の温度による変化を読み取ることにより赤外線を検出し
ても良い。
において、検出器を構成する半導体接合素子をダイオー
ドとし、ダイオードに一定電流を流す際のバイアス電圧
の温度による変化を読み取ることにより赤外線を検出し
ても良い。
【００１７】またさらに、本発明の熱型赤外線検出器ア
レイにおいて、検出器を構成する半導体接合素子をバイ
ポーラトランジスタ、接合電界効果トランジスタ及びＭ
ＯＳトランジスタからなる群から選ばれた１つとし、バ
イポーラトランジスタにおいては能動領域の電流の、接
合電界効果トランジスタ及びＭＯＳトランジスタにおい
ては飽和領域の電流の温度による変化を読み取ることに
より赤外線を検出しても良い。
レイにおいて、検出器を構成する半導体接合素子をバイ
ポーラトランジスタ、接合電界効果トランジスタ及びＭ
ＯＳトランジスタからなる群から選ばれた１つとし、バ
イポーラトランジスタにおいては能動領域の電流の、接
合電界効果トランジスタ及びＭＯＳトランジスタにおい
ては飽和領域の電流の温度による変化を読み取ることに
より赤外線を検出しても良い。
【００１８】本発明の第１の熱型赤外線検出器アレイの
製造方法は、単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して単
結晶シリコン層を備えたＳＯＩ構造の基板において、
（ａ）前記信号出力回路を構成するトランジスタを前記
単結晶シリコン基板上に直接形成する領域であるシリコ
ン基板上トランジスタ形成領域の前記単結晶シリコン層
を除去する工程と、（ｂ）前記シリコン基板上トランジ
スタ形成領域の前記酸化膜を除去する工程と、（ｃ）前
記単結晶シリコン層に前記熱型赤外線検出器を構成する
半導体接合素子を形成し、前記酸化膜が除去された前記
シリコン基板上トランジスタ形成領域に、前記信号出力
回路を構成するトランジスタのうち、少なくとも、検出
器に印加するバイアス電圧を決定するトランジスタを形
成する工程とを含むことを特徴とする。尚、工程（ｃ）
において、少なくとも、検出器に印加するバイアス電圧
を決定するトランジスタをシリコン基板上トランジスタ
形成領域に形成する代わりに、少なくとも、検出器出力
信号が通過しアナログ動作するトランジスタをシリコン
基板上トランジスタ形成領域に形成しても良い。このよ
うな方法を用いると、検出器を構成する半導体接合素子
と信号出力回路を構成するトランジスタの同時形成が可
能となる。
製造方法は、単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して単
結晶シリコン層を備えたＳＯＩ構造の基板において、
（ａ）前記信号出力回路を構成するトランジスタを前記
単結晶シリコン基板上に直接形成する領域であるシリコ
ン基板上トランジスタ形成領域の前記単結晶シリコン層
を除去する工程と、（ｂ）前記シリコン基板上トランジ
スタ形成領域の前記酸化膜を除去する工程と、（ｃ）前
記単結晶シリコン層に前記熱型赤外線検出器を構成する
半導体接合素子を形成し、前記酸化膜が除去された前記
シリコン基板上トランジスタ形成領域に、前記信号出力
回路を構成するトランジスタのうち、少なくとも、検出
器に印加するバイアス電圧を決定するトランジスタを形
成する工程とを含むことを特徴とする。尚、工程（ｃ）
において、少なくとも、検出器に印加するバイアス電圧
を決定するトランジスタをシリコン基板上トランジスタ
形成領域に形成する代わりに、少なくとも、検出器出力
信号が通過しアナログ動作するトランジスタをシリコン
基板上トランジスタ形成領域に形成しても良い。このよ
うな方法を用いると、検出器を構成する半導体接合素子
と信号出力回路を構成するトランジスタの同時形成が可
能となる。
【００１９】本発明の第１の熱型赤外線検出器アレイの
製造方法においては、前記シリコン基板上トランジスタ
形成領域の単結晶シリコン層を除去する工程において、
同時に前記半導体接合素子を単結晶シリコン層に形成す
る領域である半導体接合素子形成領域の単結晶シリコン
層を島状にエッチングすることが望ましい。このような
方法を用いるとシリコン基板上トランジスタ形成領域の
処理と同時に半導体接合素子の互いの電気的分離を行う
ことができる。
製造方法においては、前記シリコン基板上トランジスタ
形成領域の単結晶シリコン層を除去する工程において、
同時に前記半導体接合素子を単結晶シリコン層に形成す
る領域である半導体接合素子形成領域の単結晶シリコン
層を島状にエッチングすることが望ましい。このような
方法を用いるとシリコン基板上トランジスタ形成領域の
処理と同時に半導体接合素子の互いの電気的分離を行う
ことができる。
【００２０】本発明の第２の熱型赤外線検出器アレイの
製造方法においては、（ａ’）単結晶シリコン基板上に
酸化膜を介して単結晶シリコン層を備えたＳＯＩ構造の
基板において、前記信号出力回路を構成するトランジス
タを前記単結晶シリコン基板上に直接形成する領域であ
るシリコン基板上トランジスタ形成領域の前記単結晶シ
リコン層を選択酸化すると同時に、前記熱型赤外線検出
器を構成する半導体接合素子を前記単結晶シリコン層に
形成する領域である半導体接合素子形成領域の前記単結
晶シリコン層を互いに一定間隔を空けて選択酸化して、
１次元又は２次元に配列して形成される半導体接合素子
の電気分離を行うフィールド酸化膜を形成する工程と、
（ｂ’）前記シリコン基板上トランジスタ形成領域の選
択酸化された単結晶シリコン層及び前記酸化膜を除去す
る工程と、（ｃ’）前記半導体接合素子形成領域に前記
熱型赤外線検出器を構成する半導体接合素子を形成し、
前記シリコン基板上トランジスタ形成領域に、前記信号
出力回路を構成するトランジスタのうち、少なくとも、
検出器に印加するバイアス電圧を決定するトランジスタ
を形成する工程を含むことを特徴とする。尚、工程
（ｃ’）において、少なくとも、検出器に印加するバイ
アス電圧を決定するトランジスタをシリコン基板上トラ
ンジスタ形成領域に形成する代わりに、少なくとも、検
出器出力信号が通過しアナログ動作するトランジスタを
シリコン基板上トランジスタ形成領域に形成しても良
い。この方法によれば、検出器を構成する半導体接合素
子と信号出力回路を構成するトランジスタの同時形成を
可能にすると共に単結晶シリコン層の端における段差を
緩和することができる。
製造方法においては、（ａ’）単結晶シリコン基板上に
酸化膜を介して単結晶シリコン層を備えたＳＯＩ構造の
基板において、前記信号出力回路を構成するトランジス
タを前記単結晶シリコン基板上に直接形成する領域であ
るシリコン基板上トランジスタ形成領域の前記単結晶シ
リコン層を選択酸化すると同時に、前記熱型赤外線検出
器を構成する半導体接合素子を前記単結晶シリコン層に
形成する領域である半導体接合素子形成領域の前記単結
晶シリコン層を互いに一定間隔を空けて選択酸化して、
１次元又は２次元に配列して形成される半導体接合素子
の電気分離を行うフィールド酸化膜を形成する工程と、
（ｂ’）前記シリコン基板上トランジスタ形成領域の選
択酸化された単結晶シリコン層及び前記酸化膜を除去す
る工程と、（ｃ’）前記半導体接合素子形成領域に前記
熱型赤外線検出器を構成する半導体接合素子を形成し、
前記シリコン基板上トランジスタ形成領域に、前記信号
出力回路を構成するトランジスタのうち、少なくとも、
検出器に印加するバイアス電圧を決定するトランジスタ
を形成する工程を含むことを特徴とする。尚、工程
（ｃ’）において、少なくとも、検出器に印加するバイ
アス電圧を決定するトランジスタをシリコン基板上トラ
ンジスタ形成領域に形成する代わりに、少なくとも、検
出器出力信号が通過しアナログ動作するトランジスタを
シリコン基板上トランジスタ形成領域に形成しても良
い。この方法によれば、検出器を構成する半導体接合素
子と信号出力回路を構成するトランジスタの同時形成を
可能にすると共に単結晶シリコン層の端における段差を
緩和することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図１（ａ）及び
（ｂ）は、本発明の熱型赤外線検出器アレイの例を示す
断面概略図及び斜視概略図である。
て、図面を参照しながら説明する。図１（ａ）及び
（ｂ）は、本発明の熱型赤外線検出器アレイの例を示す
断面概略図及び斜視概略図である。
【００２２】図１に示す本発明の熱型赤外線検出器アレ
イは、３行ｘ３列に配列された熱型赤外線検出器１０３
と、熱型赤外線検出器１０３から出力される信号出力回
路１０４を備えている。
イは、３行ｘ３列に配列された熱型赤外線検出器１０３
と、熱型赤外線検出器１０３から出力される信号出力回
路１０４を備えている。
【００２３】熱型赤外線検出器１０３は、単結晶シリコ
ン基板１００上に酸化膜１０１を介して設けられた単結
晶シリコン層１０２に３行ｘ３列に配列して形成された
半導体接合素子１０５より成る。ここで、半導体接合素
子１０５は、ｐｎ接合ダイオードであり、１０５ａ、１
０５ｂはｐｎ接合ダイオードのｐ型領域及びｎ型領域で
ある。尚、本実施の形態においては、半導体接合素子１
０５は２次元に配列されているが、これを１次元の配列
としても良い。
ン基板１００上に酸化膜１０１を介して設けられた単結
晶シリコン層１０２に３行ｘ３列に配列して形成された
半導体接合素子１０５より成る。ここで、半導体接合素
子１０５は、ｐｎ接合ダイオードであり、１０５ａ、１
０５ｂはｐｎ接合ダイオードのｐ型領域及びｎ型領域で
ある。尚、本実施の形態においては、半導体接合素子１
０５は２次元に配列されているが、これを１次元の配列
としても良い。
【００２４】信号出力回路１０４は、例えば複数のトラ
ンジスタ１０６を含んで構成されており、その複数のト
ランジスタ１０６のうち、一部が単結晶シリコン基板１
００の上に直接形成されている。尚、図１（A）におい
て、１０６ａは信号出力回路を構成するトランジスタ１
０６のゲート電極、１０６ｂは該トランジスタ１０６の
ソースまたはドレイン電極である。
ンジスタ１０６を含んで構成されており、その複数のト
ランジスタ１０６のうち、一部が単結晶シリコン基板１
００の上に直接形成されている。尚、図１（A）におい
て、１０６ａは信号出力回路を構成するトランジスタ１
０６のゲート電極、１０６ｂは該トランジスタ１０６の
ソースまたはドレイン電極である。
【００２５】熱型赤外線検出器アレイ全体は、保護膜１
０７に覆われており、検出器を構成するｐｎ接合ダイオ
ード１０５の下部には空洞１０８が形成されている。１
０９は空洞形成のためのエッチング孔である。尚図１に
おいては簡単のため、配線、素子分離層、コンデンサ、
抵抗などは省略している。
０７に覆われており、検出器を構成するｐｎ接合ダイオ
ード１０５の下部には空洞１０８が形成されている。１
０９は空洞形成のためのエッチング孔である。尚図１に
おいては簡単のため、配線、素子分離層、コンデンサ、
抵抗などは省略している。
【００２６】以上のように構成された検出器アレイにお
いて、検出器アレイの上面より入射した赤外線は、ｐｎ
接合ダイオード１０５の温度を上昇させ、電流−電圧特
性を変化させる。ｐｎ接合ダイオード１０５には、一定
電流が流れるよう順方向バイアス電圧が印加されてお
り、電流電圧特性の変化に伴いバイアス電圧が変化す
る。この温度によるバイアス電圧の変化を信号出力回路
１０４により読み取り、ｐｎ接合ダイオード１０５の各
々に入射する赤外線量を検出することができる。
いて、検出器アレイの上面より入射した赤外線は、ｐｎ
接合ダイオード１０５の温度を上昇させ、電流−電圧特
性を変化させる。ｐｎ接合ダイオード１０５には、一定
電流が流れるよう順方向バイアス電圧が印加されてお
り、電流電圧特性の変化に伴いバイアス電圧が変化す
る。この温度によるバイアス電圧の変化を信号出力回路
１０４により読み取り、ｐｎ接合ダイオード１０５の各
々に入射する赤外線量を検出することができる。
【００２７】図１において、ｐｎ接合ダイオード１０５
は簡単のため単一のｐｎ接合として表わしているが、温
度に対する感度、即ち一定電流をｐｎ接合ダイオードに
流すためのバイアス電圧の温度による変化を大きくする
ためには、ｐｎ接合を複数個直列に接続した構成とする
ことが望ましい。単独のｐｎ接合におけるバイアス電圧
の温度に対する感度は1.4mV/K程度と小さいが、例えば
ｎ個連結することにより感度をｎ倍とすることができ
る。したがって、できるだけ多数のｐｎ接合を連結する
方が良いが、必要なバイアス電圧も連結数に比例して大
きくなるため、１０個程度の連結数とするのが好まし
い。
は簡単のため単一のｐｎ接合として表わしているが、温
度に対する感度、即ち一定電流をｐｎ接合ダイオードに
流すためのバイアス電圧の温度による変化を大きくする
ためには、ｐｎ接合を複数個直列に接続した構成とする
ことが望ましい。単独のｐｎ接合におけるバイアス電圧
の温度に対する感度は1.4mV/K程度と小さいが、例えば
ｎ個連結することにより感度をｎ倍とすることができ
る。したがって、できるだけ多数のｐｎ接合を連結する
方が良いが、必要なバイアス電圧も連結数に比例して大
きくなるため、１０個程度の連結数とするのが好まし
い。
【００２８】尚、ここでは検出器としてｐｎ接合ダイオ
ードを用いているが、温度により電気特性の変化する素
子であれば良く、ショットキー接合ダイオード、バイポ
ーラトランジスタ、接合電界効果トランジスタ、MOSト
ランジスタを用いることもできる。ショットキー接合ダ
イオードは、ｐｎ接合ダイオードと同じ方法で検出器と
して使用しうる。
ードを用いているが、温度により電気特性の変化する素
子であれば良く、ショットキー接合ダイオード、バイポ
ーラトランジスタ、接合電界効果トランジスタ、MOSト
ランジスタを用いることもできる。ショットキー接合ダ
イオードは、ｐｎ接合ダイオードと同じ方法で検出器と
して使用しうる。
【００２９】バイポーラトランジスタは、能動領域を流
れる電流値の変化を出力信号として取り出せば良く、接
合電界効果トランジスタ及びMOSトランジスタにおいて
は飽和領域を流れる電流値の変化を出力信号の変化とし
て取り出せば良い。トランジスタは端子数がダイオード
に比べて増加するため、赤外線を吸収する素子の有効面
積が減少するが、ダイオードよりも低電圧で感度を得る
ことができる利点がある。
れる電流値の変化を出力信号として取り出せば良く、接
合電界効果トランジスタ及びMOSトランジスタにおいて
は飽和領域を流れる電流値の変化を出力信号の変化とし
て取り出せば良い。トランジスタは端子数がダイオード
に比べて増加するため、赤外線を吸収する素子の有効面
積が減少するが、ダイオードよりも低電圧で感度を得る
ことができる利点がある。
【００３０】また、本実施の形態では、赤外線によるｐ
ｎ接合ダイオード１０５の温度上昇を効率よく起こすた
め、ｐｎ接合ダイオード１０５を形成する単結晶シリコ
ン層１０２は、熱伝導係数の比較的小さな酸化膜１０１
によって単結晶シリコン基板１００と分離されている。
この分離構造は一般にＳＯＩ構造と呼ばれるものであ
る。また、さらに熱絶縁性を高めるためｐｎ接合ダイオ
ード１０５の下部に空洞１０８が形成され、空洞形成部
においてｐｎ接合ダイオード１０５は酸化膜１０１に支
持された構造となっている。
ｎ接合ダイオード１０５の温度上昇を効率よく起こすた
め、ｐｎ接合ダイオード１０５を形成する単結晶シリコ
ン層１０２は、熱伝導係数の比較的小さな酸化膜１０１
によって単結晶シリコン基板１００と分離されている。
この分離構造は一般にＳＯＩ構造と呼ばれるものであ
る。また、さらに熱絶縁性を高めるためｐｎ接合ダイオ
ード１０５の下部に空洞１０８が形成され、空洞形成部
においてｐｎ接合ダイオード１０５は酸化膜１０１に支
持された構造となっている。
【００３１】上記ＳＯＩ構造は、単結晶シリコン基板へ
酸素イオン注入を行うことにより作成されるＳＩＭＯＸ
基板や、酸化膜を形成した単結晶シリコン基板に別の単
結晶シリコン基板を貼りあわせて研磨することにより作
成される貼りあわせ基板等のいわゆるＳＯＩ基板を用い
て形成する事ができる。
酸素イオン注入を行うことにより作成されるＳＩＭＯＸ
基板や、酸化膜を形成した単結晶シリコン基板に別の単
結晶シリコン基板を貼りあわせて研磨することにより作
成される貼りあわせ基板等のいわゆるＳＯＩ基板を用い
て形成する事ができる。
【００３２】いわゆるＳＯＩ基板に通常の半導体プロセ
スを適用した場合、信号出力回路１０４を構成するトラ
ンジスタ１０６は、ｐｎ接合ダイオード１０５と同じ単
結晶シリコン層１０２上に形成することとなる。しか
し、信号出力回路１０４を構成するトランジスタ１０６
を単結晶シリコン層１０２上に形成すると、ＳＯＩ構造
特有の原因により不都合が起きる。このため、本発明に
おいては信号出力回路１０４を構成するトランジスタの
うち不都合が起きるものを単結晶シリコン基板１００の
上に直接形成している。以下この不都合について説明す
る。
スを適用した場合、信号出力回路１０４を構成するトラ
ンジスタ１０６は、ｐｎ接合ダイオード１０５と同じ単
結晶シリコン層１０２上に形成することとなる。しか
し、信号出力回路１０４を構成するトランジスタ１０６
を単結晶シリコン層１０２上に形成すると、ＳＯＩ構造
特有の原因により不都合が起きる。このため、本発明に
おいては信号出力回路１０４を構成するトランジスタの
うち不都合が起きるものを単結晶シリコン基板１００の
上に直接形成している。以下この不都合について説明す
る。
【００３３】まず、信号出力回路の構成および動作につ
いて説明する。図３に、信号出力回路の構成を表すブロ
ック図を示す。図３において、３０１は垂直シフトレジ
スタ、３０２は水平シフトレジスタ、３０３は増幅器、
３０４は積分器、３０５はバッファ、３０６は検出器と
なるｐｎ接合ダイオードである。まず、垂直シフトレジ
スタ３０１により、マトリックス状に配列されたｐｎ接
合ダイオード３０６のある行が選択される。選択された
行のｐｎ接合ダイオード３０６には、垂直シフトレジス
タ３０１中のアナログスイッチを通して順バイアス電圧
が印加される。垂直シフトレジスタによる１行の選択期
間中に、水平シフトレジスタ３０２により各列が順次選
択され、選択された行・列のｐｎ接合ダイオード３０６
からの出力信号が順次読みだされる。読み出された出力
信号は、増幅器３０３、積分器３０４、バッファ３０５
を通して外部に出力される。ここで、増幅器３０３は出
力信号を増幅する働きをし、積分器３０４は帯域制限に
より雑音を抑制し、バッファ３０５は低インピーダンス
化により駆動能力を増大する。
いて説明する。図３に、信号出力回路の構成を表すブロ
ック図を示す。図３において、３０１は垂直シフトレジ
スタ、３０２は水平シフトレジスタ、３０３は増幅器、
３０４は積分器、３０５はバッファ、３０６は検出器と
なるｐｎ接合ダイオードである。まず、垂直シフトレジ
スタ３０１により、マトリックス状に配列されたｐｎ接
合ダイオード３０６のある行が選択される。選択された
行のｐｎ接合ダイオード３０６には、垂直シフトレジス
タ３０１中のアナログスイッチを通して順バイアス電圧
が印加される。垂直シフトレジスタによる１行の選択期
間中に、水平シフトレジスタ３０２により各列が順次選
択され、選択された行・列のｐｎ接合ダイオード３０６
からの出力信号が順次読みだされる。読み出された出力
信号は、増幅器３０３、積分器３０４、バッファ３０５
を通して外部に出力される。ここで、増幅器３０３は出
力信号を増幅する働きをし、積分器３０４は帯域制限に
より雑音を抑制し、バッファ３０５は低インピーダンス
化により駆動能力を増大する。
【００３４】次に、ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層に形
成されるトランジスタの特性について説明する。ＳＯＩ
基板の単結晶シリコン層は、厚さ１０００−２０００Å
であり、シリコン基板と酸化膜により電気的に絶縁され
ている。このため、寄生容量が小さくなり低消費電力、
高速動作という利点を有する一方、次の問題点を有す
る。
成されるトランジスタの特性について説明する。ＳＯＩ
基板の単結晶シリコン層は、厚さ１０００−２０００Å
であり、シリコン基板と酸化膜により電気的に絶縁され
ている。このため、寄生容量が小さくなり低消費電力、
高速動作という利点を有する一方、次の問題点を有す
る。
【００３５】（１）ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層に形
成されたトランジスタのソース−ドレイン間耐圧が低
い。 寄生バイポーラトランジスタ効果のためソース−ドレイ
ン間耐圧が低く、ソース−ドレイン間電圧５Ｖ以上では
動作困難である。
成されたトランジスタのソース−ドレイン間耐圧が低
い。 寄生バイポーラトランジスタ効果のためソース−ドレイ
ン間耐圧が低く、ソース−ドレイン間電圧５Ｖ以上では
動作困難である。
【００３６】（２）ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層に形
成されたトランジスタの飽和領域電流が不安定。 基板浮遊効果のため、トランジスタの電流電圧特性にキ
ンク現象と呼ばれる異常が起き、本来一定電流となる飽
和領域においてソースドレイン電流がソースドレイン電
圧により変化する。図２にキンク現象を起こしたトラン
ジスタの電流−電圧（ＩDS-ＶDS）特性を示す。
成されたトランジスタの飽和領域電流が不安定。 基板浮遊効果のため、トランジスタの電流電圧特性にキ
ンク現象と呼ばれる異常が起き、本来一定電流となる飽
和領域においてソースドレイン電流がソースドレイン電
圧により変化する。図２にキンク現象を起こしたトラン
ジスタの電流−電圧（ＩDS-ＶDS）特性を示す。
【００３７】信号出力回路の各要素回路は、主にトラン
ジスタにより構成されており、それらトランジスタが、
ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層に形成された場合次の２
点の不都合が発生する。
ジスタにより構成されており、それらトランジスタが、
ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層に形成された場合次の２
点の不都合が発生する。
【００３８】（１）信号出力回路のトランジスタ耐圧不
足による検出器のバイアス電圧不足。 検出器となるｐｎ接合ダイオード３０６のバイアス電圧
は、信号出力回路の垂直シフトレジスタ３０１中のアナ
ログスイッチを通して印加される。アナログスイッチは
トランジスタより成り、当該トランジスタが単結晶シリ
コン層上に形成された場合、トランジスタ耐圧の制約に
より５Ｖ程度のバイアス電圧しか印加することができな
い。一方、ｐｎ接合ダイオード３０６は前述の通り高感
度とするためできるだけ多数のｐｎ接合を連結すること
が望ましいが、１個のｐｎ接合につき約0.7Vのバイアス
電圧の印加が必要である。したがって、検出器のｐｎ接
合の連結数が最大でも7個以下となるため、十分な感度
を得ることができない。
足による検出器のバイアス電圧不足。 検出器となるｐｎ接合ダイオード３０６のバイアス電圧
は、信号出力回路の垂直シフトレジスタ３０１中のアナ
ログスイッチを通して印加される。アナログスイッチは
トランジスタより成り、当該トランジスタが単結晶シリ
コン層上に形成された場合、トランジスタ耐圧の制約に
より５Ｖ程度のバイアス電圧しか印加することができな
い。一方、ｐｎ接合ダイオード３０６は前述の通り高感
度とするためできるだけ多数のｐｎ接合を連結すること
が望ましいが、１個のｐｎ接合につき約0.7Vのバイアス
電圧の印加が必要である。したがって、検出器のｐｎ接
合の連結数が最大でも7個以下となるため、十分な感度
を得ることができない。
【００３９】（２）キンク現象による検出器出力信号の
歪み。 検出器の出力信号は、信号出力回路の増幅器３０３、積
分器３０４、バッファ３０５を通して外部に出力され
る。この時、これらの回路の内、アナログ動作をするト
ランジスタが単結晶シリコン層に形成されていると、キ
ンク現象により出力信号に歪みが生じる。この原因を、
バッファ３０５を例に図面を参照しながら説明する。図
７はバッファ３０５の典型例であるソースフォロワ回路
の回路図である。図７において３０５ａ、３０５ｂはＮ
ＭＯＳトランジスタである。正常なソースフォロワ回路
の動作は下記の通りである。下段のＮＭＯＳトランジス
タ３０５ｂは、ゲート電圧が固定されているため、ソー
スドレイン電圧に拠らず一定のソースドレイン電流が流
れる。上段のＮＭＯＳトランジスタ３０５ａに流れるソ
ースドレイン電流は下段のＮＭＯＳトランジスタ３０５
ｂにより規制されて一定となる。このため、ＮＭＯＳト
ランジスタ３０５ａのゲートソース間の電位が一定に保
たれ、信号入力に応じた出力が得られる。ここでＮＭＯ
Ｓトランジスタ３０５ｂにキンク現象が起きると本来一
定のソースドレイン電流がソースドレイン電圧により変
動するため、ＮＭＯＳトランジスタ３０５ａのゲートソ
ース間の電位が変動してしまい、入力信号と出力信号の
比例関係が崩れ、信号に歪みが生じる。これと類似の現
象が増幅器３０３、積分器３０４のアナログ動作をする
トランジスタにおいても起こり、各々のトランジスタに
おいて出力信号が歪むこととなる。
歪み。 検出器の出力信号は、信号出力回路の増幅器３０３、積
分器３０４、バッファ３０５を通して外部に出力され
る。この時、これらの回路の内、アナログ動作をするト
ランジスタが単結晶シリコン層に形成されていると、キ
ンク現象により出力信号に歪みが生じる。この原因を、
バッファ３０５を例に図面を参照しながら説明する。図
７はバッファ３０５の典型例であるソースフォロワ回路
の回路図である。図７において３０５ａ、３０５ｂはＮ
ＭＯＳトランジスタである。正常なソースフォロワ回路
の動作は下記の通りである。下段のＮＭＯＳトランジス
タ３０５ｂは、ゲート電圧が固定されているため、ソー
スドレイン電圧に拠らず一定のソースドレイン電流が流
れる。上段のＮＭＯＳトランジスタ３０５ａに流れるソ
ースドレイン電流は下段のＮＭＯＳトランジスタ３０５
ｂにより規制されて一定となる。このため、ＮＭＯＳト
ランジスタ３０５ａのゲートソース間の電位が一定に保
たれ、信号入力に応じた出力が得られる。ここでＮＭＯ
Ｓトランジスタ３０５ｂにキンク現象が起きると本来一
定のソースドレイン電流がソースドレイン電圧により変
動するため、ＮＭＯＳトランジスタ３０５ａのゲートソ
ース間の電位が変動してしまい、入力信号と出力信号の
比例関係が崩れ、信号に歪みが生じる。これと類似の現
象が増幅器３０３、積分器３０４のアナログ動作をする
トランジスタにおいても起こり、各々のトランジスタに
おいて出力信号が歪むこととなる。
【００４０】これらの不都合を避けるため、本実施の形
態においては、信号出力回路を構成するトランジスタの
うち検出器に印加するバイアス電圧を決定するトランジ
スタ及び検出器出力信号が通過しアナログ動作をするト
ランジスタを直接単結晶シリコン基板上に形成する。
態においては、信号出力回路を構成するトランジスタの
うち検出器に印加するバイアス電圧を決定するトランジ
スタ及び検出器出力信号が通過しアナログ動作をするト
ランジスタを直接単結晶シリコン基板上に形成する。
【００４１】尚、信号出力回路を構成するトランジスタ
の内上記不都合を生じないトランジスタについては、単
結晶シリコン層に形成して寄生容量低減等の利点を生か
しても良いし、全てのトランジスタを単結晶シリコン基
板上に直接形成しても良い。
の内上記不都合を生じないトランジスタについては、単
結晶シリコン層に形成して寄生容量低減等の利点を生か
しても良いし、全てのトランジスタを単結晶シリコン基
板上に直接形成しても良い。
【００４２】次に、本発明の熱型赤外線検出器アレイの
第１の製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。図４は、本発明の製造方法の１例を示す工程断面図
である。
第１の製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。図４は、本発明の製造方法の１例を示す工程断面図
である。
【００４３】まず、図４（ａ）に示すように単結晶シリ
コン基板４００上に酸化膜４０１を介して単結晶シリコ
ン層４０２が設けられた基板を準備する。この基板は、
単結晶シリコン基板へ酸素イオン注入を行うことにより
作成されるＳＩＭＯＸ基板や、酸化膜を形成した単結晶
シリコン基板に別の単結晶シリコン基板を貼りあわせて
研磨することにより作成される貼りあわせ基板として入
手可能である。単結晶シリコン層４０２の厚みは１００
０〜２０００Å、酸化膜４０１の厚みは１０００から４
０００Åの基板が一般に入手可能である。酸化膜４０１
の厚みは薄すぎてはピンホールなどの問題が起きるが、
薄いほど検出器の熱絶縁が良好となるため１０００Å程
度とすることが望ましい。
コン基板４００上に酸化膜４０１を介して単結晶シリコ
ン層４０２が設けられた基板を準備する。この基板は、
単結晶シリコン基板へ酸素イオン注入を行うことにより
作成されるＳＩＭＯＸ基板や、酸化膜を形成した単結晶
シリコン基板に別の単結晶シリコン基板を貼りあわせて
研磨することにより作成される貼りあわせ基板として入
手可能である。単結晶シリコン層４０２の厚みは１００
０〜２０００Å、酸化膜４０１の厚みは１０００から４
０００Åの基板が一般に入手可能である。酸化膜４０１
の厚みは薄すぎてはピンホールなどの問題が起きるが、
薄いほど検出器の熱絶縁が良好となるため１０００Å程
度とすることが望ましい。
【００４４】次に、図４（ｂ）に示すように、単結晶シ
リコン基板４００上に信号出力回路を構成するトランジ
スタを形成する領域であるシリコン基板上トランジスタ
形成領域４０４ａの単結晶シリコン層４０２をエッチン
グにより除去する。この時、同時に、半導体接合素子を
単結晶シリコン層４０２に形成する領域である半導体接
合素子形成領域４０３の単結晶シリコン層４０２を島状
にエッチングする。またさらに同時に、単結晶シリコン
層４０２上に信号出力回路を構成するトランジスタを形
成する領域であるシリコン層上トランジスタ形成領域４
０４ｂの単結晶シリコン層４０２も同様に島状にエッチ
ングする。これらのエッチングにより半導体接合素子及
びを電気的分離するための単結晶シリコン層４０２の選
択酸化等が不要となる。尚、これら島状のエッチングを
行う代わりに、選択酸化等により素子の電気的分離を行
ってもよい。また、信号出力回路を構成するトランジス
タを全て単結晶シリコン基板４００上に直接形成する場
合は、前記シリコン層上トランジスタ形成領域４０４ｂ
は不要となるため、該領域の島状エッチングも選択酸化
等も不要であることはいうまでもない。
リコン基板４００上に信号出力回路を構成するトランジ
スタを形成する領域であるシリコン基板上トランジスタ
形成領域４０４ａの単結晶シリコン層４０２をエッチン
グにより除去する。この時、同時に、半導体接合素子を
単結晶シリコン層４０２に形成する領域である半導体接
合素子形成領域４０３の単結晶シリコン層４０２を島状
にエッチングする。またさらに同時に、単結晶シリコン
層４０２上に信号出力回路を構成するトランジスタを形
成する領域であるシリコン層上トランジスタ形成領域４
０４ｂの単結晶シリコン層４０２も同様に島状にエッチ
ングする。これらのエッチングにより半導体接合素子及
びを電気的分離するための単結晶シリコン層４０２の選
択酸化等が不要となる。尚、これら島状のエッチングを
行う代わりに、選択酸化等により素子の電気的分離を行
ってもよい。また、信号出力回路を構成するトランジス
タを全て単結晶シリコン基板４００上に直接形成する場
合は、前記シリコン層上トランジスタ形成領域４０４ｂ
は不要となるため、該領域の島状エッチングも選択酸化
等も不要であることはいうまでもない。
【００４５】次に、図４（ｃ）に示すように、シリコン
基板上トランジスタ形成領域４０４ａの酸化膜４０１を
エッチングにより除去する。これにより、シリコン基板
上トランジスタ形成領域４０４への単結晶シリコン基板
４００への直接のトランジスタ形成が可能となる。
基板上トランジスタ形成領域４０４ａの酸化膜４０１を
エッチングにより除去する。これにより、シリコン基板
上トランジスタ形成領域４０４への単結晶シリコン基板
４００への直接のトランジスタ形成が可能となる。
【００４６】次に、図４（ｄ）に示すように、シリコン
基板上トランジスタ形成領域４０４に形成するトランジ
スタを電気的分離するためのフィールド酸化膜４１０を
形成する。フィールド酸化膜４１０の形成には、一般的
な選択酸化の手法を用いることができる。
基板上トランジスタ形成領域４０４に形成するトランジ
スタを電気的分離するためのフィールド酸化膜４１０を
形成する。フィールド酸化膜４１０の形成には、一般的
な選択酸化の手法を用いることができる。
【００４７】次に、図５（ａ）に示すように半導体接合
素子形成領域４０３に半導体接合素子であるｐｎ接合ダ
イオード４０５を形成し、これと同時に、シリコン基板
上トランジスタ形成領域４０４ａ及びシリコン層上トラ
ンジスタ形成領域４０４ｂに信号出力回路を構成するト
ランジスタ４０６を形成する。形成には一般的なＭＯＳ
トランジスタ回路の製造手法を用いることができる。ト
ランジスタ４０６のゲート電極４０６ａを形成した後、
適当なドーピングを行いダイオード４０５のｐまたはｎ
型電極４０５ａ及びトランジスタのソース、ドレイン電
極４０６ｂを形成する。尚、ドーパンドを変える等の理
由のある時は、ｐｎ接合ダイオード４０５とトランジス
タ４０６別々に形成しても良い。
素子形成領域４０３に半導体接合素子であるｐｎ接合ダ
イオード４０５を形成し、これと同時に、シリコン基板
上トランジスタ形成領域４０４ａ及びシリコン層上トラ
ンジスタ形成領域４０４ｂに信号出力回路を構成するト
ランジスタ４０６を形成する。形成には一般的なＭＯＳ
トランジスタ回路の製造手法を用いることができる。ト
ランジスタ４０６のゲート電極４０６ａを形成した後、
適当なドーピングを行いダイオード４０５のｐまたはｎ
型電極４０５ａ及びトランジスタのソース、ドレイン電
極４０６ｂを形成する。尚、ドーパンドを変える等の理
由のある時は、ｐｎ接合ダイオード４０５とトランジス
タ４０６別々に形成しても良い。
【００４８】次に、図５（ｂ）に示すように、検出器を
構成するダイオード４０５の電極４０５ａ、４０５ｂ、
信号出力回路を構成するトランジスタ４０６のゲート電
極４０６ａ、ソースまたはドレイン電極４０６ｂなどの
間を配線４１１により連結し、保護膜４０７を形成す
る。配線４１１及び保護膜４０７は、いずれも一般的な
ＭＯＳトランジスタ回路の製造に用いられる材料、プロ
セスにより形成可能である。
構成するダイオード４０５の電極４０５ａ、４０５ｂ、
信号出力回路を構成するトランジスタ４０６のゲート電
極４０６ａ、ソースまたはドレイン電極４０６ｂなどの
間を配線４１１により連結し、保護膜４０７を形成す
る。配線４１１及び保護膜４０７は、いずれも一般的な
ＭＯＳトランジスタ回路の製造に用いられる材料、プロ
セスにより形成可能である。
【００４９】最後に、図５（ｃ）に示すように、検出器
となるダイオード４０５の下部に空洞４０８を形成す
る。空洞４０８は、保護膜４０７及び酸化膜４０１に設
けられたエッチング孔４０９から気体または液体を用い
て単結晶シリコン基板４００の一部をエッチングするこ
とにより設けられる。エッチングには異方性エッチング
及び等方性エッチングが使用できる。異方性エッチング
に用いられるエッチング溶液の例としては、水酸化カリ
ウム溶液、ヒドラジン溶液、エチレンジアミン−ピロカ
テコール−水（ＥＰＷ）溶液または水酸化テトラメチル
アンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液がある。毒性がない点で
水酸化カリウム溶液およびＴＭＡＨ溶液が好ましい。ま
た、等方性エッチングには、エッチング溶液としては弗
化水素溶液が用いられ、エッチングガスとしては四弗化
炭素ガスと酸素ガスの混合ガス、六弗化イオウガスと酸
素ガスの混合ガスまたは二弗化キセノンガスが使用され
うる。
となるダイオード４０５の下部に空洞４０８を形成す
る。空洞４０８は、保護膜４０７及び酸化膜４０１に設
けられたエッチング孔４０９から気体または液体を用い
て単結晶シリコン基板４００の一部をエッチングするこ
とにより設けられる。エッチングには異方性エッチング
及び等方性エッチングが使用できる。異方性エッチング
に用いられるエッチング溶液の例としては、水酸化カリ
ウム溶液、ヒドラジン溶液、エチレンジアミン−ピロカ
テコール−水（ＥＰＷ）溶液または水酸化テトラメチル
アンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液がある。毒性がない点で
水酸化カリウム溶液およびＴＭＡＨ溶液が好ましい。ま
た、等方性エッチングには、エッチング溶液としては弗
化水素溶液が用いられ、エッチングガスとしては四弗化
炭素ガスと酸素ガスの混合ガス、六弗化イオウガスと酸
素ガスの混合ガスまたは二弗化キセノンガスが使用され
うる。
【００５０】図４及び図５に示す製造方法によれば、単
結晶シリコン層４０２上への検出器を構成する半導体接
合素子４０５の形成と、単結晶シリコン基板４００への
信号出力回路を構成するトランジスタ４０６の形成を同
時に行うことができるため、本発明の熱型赤外線検出器
を、簡略なプロセスで製造可能である。尚、ここでは半
導体接合素子４０５をｐｎ接合ダイオードとして説明し
たが、ショットキー接合ダイオード、バイポーラトラン
ジスタ、接合型電界効果トランジスタ、ＭＯＳトランジ
スタである場合も同様の方法で製造可能である。
結晶シリコン層４０２上への検出器を構成する半導体接
合素子４０５の形成と、単結晶シリコン基板４００への
信号出力回路を構成するトランジスタ４０６の形成を同
時に行うことができるため、本発明の熱型赤外線検出器
を、簡略なプロセスで製造可能である。尚、ここでは半
導体接合素子４０５をｐｎ接合ダイオードとして説明し
たが、ショットキー接合ダイオード、バイポーラトラン
ジスタ、接合型電界効果トランジスタ、ＭＯＳトランジ
スタである場合も同様の方法で製造可能である。
【００５１】図６は、本発明の熱型検出器アレイ第２の
製造方法を示す工程断面図である。
製造方法を示す工程断面図である。
【００５２】まず、図６（ａ）において図４（ａ）と同
様に単結晶シリコン基板６００上に酸化膜６０１を介し
て単結晶シリコン層６０２が設けられた基板を準備す
る。
様に単結晶シリコン基板６００上に酸化膜６０１を介し
て単結晶シリコン層６０２が設けられた基板を準備す
る。
【００５３】次に、図６（ｂ）に示すように、信号出力
回路を構成するトランジスタを単結晶シリコン基板６０
０上に直接形成する領域であるシリコン基板上トランジ
スタ形成領域６０４ａの単結晶シリコン層６０２を選択
酸化すると同時に、熱型赤外線検出器を構成する半導体
接合素子を単結晶シリコン層６０２に形成する領域であ
る半導体接合素子形成領域６０３の単結晶シリコン層を
一定間隔を空けて選択酸化する。また同時に、単結晶シ
リコン層６０２上に信号出力回路を構成するトランジス
タを形成する領域であるシリコン層上トランジスタ形成
領域６０４ｂの単結晶シリコン層６０２も同様に一定間
隔を空けて選択酸化する。選択酸化された領域にはフィ
ールド酸化膜６１２が形成される。尚、信号出力回路を
構成するトランジスタを全て単結晶シリコン基板６００
上に直接形成する場合は、前記シリコン層上トランジス
タ形成領域６０４ｂは不要となるため、該領域の選択酸
化が不要であることはいうまでもない。
回路を構成するトランジスタを単結晶シリコン基板６０
０上に直接形成する領域であるシリコン基板上トランジ
スタ形成領域６０４ａの単結晶シリコン層６０２を選択
酸化すると同時に、熱型赤外線検出器を構成する半導体
接合素子を単結晶シリコン層６０２に形成する領域であ
る半導体接合素子形成領域６０３の単結晶シリコン層を
一定間隔を空けて選択酸化する。また同時に、単結晶シ
リコン層６０２上に信号出力回路を構成するトランジス
タを形成する領域であるシリコン層上トランジスタ形成
領域６０４ｂの単結晶シリコン層６０２も同様に一定間
隔を空けて選択酸化する。選択酸化された領域にはフィ
ールド酸化膜６１２が形成される。尚、信号出力回路を
構成するトランジスタを全て単結晶シリコン基板６００
上に直接形成する場合は、前記シリコン層上トランジス
タ形成領域６０４ｂは不要となるため、該領域の選択酸
化が不要であることはいうまでもない。
【００５４】次に図６（ｃ）に示すようにシリコン基板
上トランジスタ形成領域６０４ａの選択酸化により形成
されたフィールド酸化膜６１２及び酸化膜６０１をエッ
チングにより除去する。これにより、単結晶シリコン基
板６００への直接のトランジスタ形成が可能となる。
上トランジスタ形成領域６０４ａの選択酸化により形成
されたフィールド酸化膜６１２及び酸化膜６０１をエッ
チングにより除去する。これにより、単結晶シリコン基
板６００への直接のトランジスタ形成が可能となる。
【００５５】次に、図６（ｄ）に示すように、シリコン
基板上トランジスタ形成領域６０４ａにおいて、個々の
トランジスタを電気的分離するためのフィールド酸化膜
６１０を形成する。フィールド酸化膜６１０の形成に
は、一般的な選択酸化の手法を用いることができる。
基板上トランジスタ形成領域６０４ａにおいて、個々の
トランジスタを電気的分離するためのフィールド酸化膜
６１０を形成する。フィールド酸化膜６１０の形成に
は、一般的な選択酸化の手法を用いることができる。
【００５６】図６（ｄ）の工程に引き続き、図５（ａ）
から（ｃ）と同一の工程を適用することにより、本発明
の熱型赤外線検出器アレイを製造することができる。
から（ｃ）と同一の工程を適用することにより、本発明
の熱型赤外線検出器アレイを製造することができる。
【００５７】図６及び図５に示す方法によれば、単結晶
シリコン層６０２上への検出器を構成する半導体接合素
子の形成と、単結晶シリコン基板６００への信号出力回
路のを構成するトランジスタ形成を同時に行うことがで
きる。また単結晶シリコン層６０２の端部の段差を平坦
化することができるため、段差部の膜のエッチング残り
や、配線の断線などのプロセス上の問題発生を抑制する
ことができる。
シリコン層６０２上への検出器を構成する半導体接合素
子の形成と、単結晶シリコン基板６００への信号出力回
路のを構成するトランジスタ形成を同時に行うことがで
きる。また単結晶シリコン層６０２の端部の段差を平坦
化することができるため、段差部の膜のエッチング残り
や、配線の断線などのプロセス上の問題発生を抑制する
ことができる。
【００５８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００５９】本発明に係る熱型赤外線検出器アレイは、
半導体接合素子を検出器として使用するため、検出器及
び信号出力回路が一貫製造可能であり、検出器からの出
力信号のＳ／Ｎ比が高く、また信号出力回路中のトラン
ジスタが単結晶シリコン基板上に形成されているため、
検出器への印加電圧を上げて高感度化し、検出器からの
出力信号を歪みなく外部に出力することができる。
半導体接合素子を検出器として使用するため、検出器及
び信号出力回路が一貫製造可能であり、検出器からの出
力信号のＳ／Ｎ比が高く、また信号出力回路中のトラン
ジスタが単結晶シリコン基板上に形成されているため、
検出器への印加電圧を上げて高感度化し、検出器からの
出力信号を歪みなく外部に出力することができる。
【００６０】また、本発明の熱型赤外線検出器アレイに
おいては、前記半導体接合素子の下部の単結晶シリコン
基板が一部除去して空洞化し、前記半導体接合素子を前
記酸化膜のみに支持されている構造とすることにより、
半導体接合素子の熱絶縁性が良好となり、赤外線に対す
る感度を高めることができる。
おいては、前記半導体接合素子の下部の単結晶シリコン
基板が一部除去して空洞化し、前記半導体接合素子を前
記酸化膜のみに支持されている構造とすることにより、
半導体接合素子の熱絶縁性が良好となり、赤外線に対す
る感度を高めることができる。
【００６１】さらに、本発明の熱型赤外線検出器アレイ
において、検出器を構成する半導体接合素子をダイオー
ドとすることにより、検出器の製造プロセスが簡略とな
り、必要な端子数が少ない分赤外線を吸収する有効面積
を拡大して高感度とすることができる。
において、検出器を構成する半導体接合素子をダイオー
ドとすることにより、検出器の製造プロセスが簡略とな
り、必要な端子数が少ない分赤外線を吸収する有効面積
を拡大して高感度とすることができる。
【００６２】またさらに、本発明の熱型赤外線検出器ア
レイにおいて、検出器を構成する半導体接合素子をバイ
ポーラトランジスタ、接合電界効果トランジスタ及びＭ
ＯＳトランジスタからなる群から選ばれた１つとするこ
とにより、熱型赤外線検出器アレイを低電圧で駆動する
ことが可能となる。
レイにおいて、検出器を構成する半導体接合素子をバイ
ポーラトランジスタ、接合電界効果トランジスタ及びＭ
ＯＳトランジスタからなる群から選ばれた１つとするこ
とにより、熱型赤外線検出器アレイを低電圧で駆動する
ことが可能となる。
【００６３】本発明の熱型赤外線検出器アレイの第１の
製造方法によれば、単結晶シリコン層上への半導体接合
素子の形成と、単結晶シリコン基板上への信号出力回路
を構成するトランジスタの形成を同時に行うことができ
るため、本発明の熱型赤外線検出器アレイを、簡略なプ
ロセスで製造可能である。
製造方法によれば、単結晶シリコン層上への半導体接合
素子の形成と、単結晶シリコン基板上への信号出力回路
を構成するトランジスタの形成を同時に行うことができ
るため、本発明の熱型赤外線検出器アレイを、簡略なプ
ロセスで製造可能である。
【００６４】また本発明の熱型赤外線検出器アレイの第
１の製造方法において、シリコン基板上トランジスタ形
成領域の単結晶シリコン層を除去する際に半導体接合素
子形成領域の単結晶シリコン層をエッチングすることに
より、半導体接合素子の電気的分離のためのフィールド
酸化膜形成が不要となり、プロセスをより簡略化でき
る。
１の製造方法において、シリコン基板上トランジスタ形
成領域の単結晶シリコン層を除去する際に半導体接合素
子形成領域の単結晶シリコン層をエッチングすることに
より、半導体接合素子の電気的分離のためのフィールド
酸化膜形成が不要となり、プロセスをより簡略化でき
る。
【００６５】本発明の熱型赤外線検出器アレイの第２の
製造方法によれば、単結晶シリコン層上への半導体接合
素子の形成と、単結晶シリコン基板への信号出力回路を
構成するトランジスタの形成を同時に行うことができる
ため、本発明の熱型赤外線検出器アレイを簡略なプロセ
スで製造可能であると共に、単結晶シリコン層の端部の
段差を平坦化することができるため、段差部の膜のエッ
チング残りや、配線の断線などのプロセス上の問題発生
を抑制することができる
製造方法によれば、単結晶シリコン層上への半導体接合
素子の形成と、単結晶シリコン基板への信号出力回路を
構成するトランジスタの形成を同時に行うことができる
ため、本発明の熱型赤外線検出器アレイを簡略なプロセ
スで製造可能であると共に、単結晶シリコン層の端部の
段差を平坦化することができるため、段差部の膜のエッ
チング残りや、配線の断線などのプロセス上の問題発生
を抑制することができる
【図１】 本発明の熱型赤外線検出器アレイの一例を示
す図面であり、（Ａ）は断面概略図、（Ｂ）は斜視概略
図である。
す図面であり、（Ａ）は断面概略図、（Ｂ）は斜視概略
図である。
【図２】 ＳＯＩ構造におけるトランジスタ特性を示す
グラフである。
グラフである。
【図３】 本発明の熱型赤外線検出器アレイの信号出力
回路の一例を示すブロック図である。
回路の一例を示すブロック図である。
【図４】 本発明の熱型赤外線検出器アレイの製造方法
の一例を示す工程断面図である。
の一例を示す工程断面図である。
【図５】 本発明の熱型赤外線検出器アレイの製造方法
の一例を示す工程断面図である。
の一例を示す工程断面図である。
【図６】 本発明の熱型赤外線検出器アレイの製造方法
の一例を示す工程断面図である。
の一例を示す工程断面図である。
【図７】 本発明の熱型赤外線検出器アレイの信号出力
回路中のバッファ回路の一例を示す回路図である。
回路中のバッファ回路の一例を示す回路図である。
【図８】 従来の熱型赤外線検出器アレイを構成するボ
ロメーター型検出器の一例を示す斜視図である。
ロメーター型検出器の一例を示す斜視図である。
１００、４００及び６００ 単結晶シリコン基板、１０
１、４０１及び６０１酸化膜、１０２、４０２及び６０
２ 単結晶シリコン層、１０３ 検出器、１０４ 信号
出力回路、１０５及び４０５ ｐｎ接合ダイオード、１
０５ａ、１０５ｂ、４０５ａ及び４０５ｂ ｐｎ接合ダ
イオードのｐ、ｎ型領域、１０６及び４０６ トランジ
スタ、１０６ａ及び４０６ａ トランジスタのゲート電
極、１０６ｂ及び４０６ｂ トランジスタのソースまた
はドレイン電極、１０７及び４０７ 保護膜、１０８及
び４０８ 空洞、１０９及び４０９ エッチング孔、４
０３及び６０３ 半導体接合素子形成領域、４０４ａ及
び６０４ａ シリコン基板上トランジスタ形成領域、４
０４ｂ及び６０４ｂシリコン層上トランジスタ形成領
域、４１０、６１０及び６１２ フィールド酸化膜、４
１１ 配線、３０１垂直シフトレジスタ、３０２ 水平
シフトレジスタ、３０３ 増幅器、３０４積分器、３０
５ バッファ、３０５ａ及び３０５ｂ ＮＭＯＳトラン
ジスタ
１、４０１及び６０１酸化膜、１０２、４０２及び６０
２ 単結晶シリコン層、１０３ 検出器、１０４ 信号
出力回路、１０５及び４０５ ｐｎ接合ダイオード、１
０５ａ、１０５ｂ、４０５ａ及び４０５ｂ ｐｎ接合ダ
イオードのｐ、ｎ型領域、１０６及び４０６ トランジ
スタ、１０６ａ及び４０６ａ トランジスタのゲート電
極、１０６ｂ及び４０６ｂ トランジスタのソースまた
はドレイン電極、１０７及び４０７ 保護膜、１０８及
び４０８ 空洞、１０９及び４０９ エッチング孔、４
０３及び６０３ 半導体接合素子形成領域、４０４ａ及
び６０４ａ シリコン基板上トランジスタ形成領域、４
０４ｂ及び６０４ｂシリコン層上トランジスタ形成領
域、４１０、６１０及び６１２ フィールド酸化膜、４
１１ 配線、３０１垂直シフトレジスタ、３０２ 水平
シフトレジスタ、３０３ 増幅器、３０４積分器、３０
５ バッファ、３０５ａ及び３０５ｂ ＮＭＯＳトラン
ジスタ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−136035（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−166497（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−330558（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−330554（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−186283（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−158583（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01J 1/02
G01J 1/42
G01J 5/02
G01J 5/20 - 5/28
H01L 27/14
H01L 35/32
H01L 37/00 - 37/02
H04N 5/30 - 5/335
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の熱型赤外線検出器と、該熱型赤外
線検出器から出力される電気信号を外部に出力する信号
出力回路を備えた熱型赤外線検出器アレイであって、 前記熱型赤外線検出器アレイが、単結晶シリコン基板上
に酸化膜を介して設けられた単結晶シリコン層を備えた
ＳＯＩ構造上に形成されており、 前記熱型赤外線検出器が、前記単結晶シリコン層に1次
元または２次元に配列して形成された半導体接合素子を
含んで成り、 前記信号出力回路を構成するトランジスタのうち、少な
くとも、検出器に印加するバイアス電圧を決定するトラ
ンジスタが、前記単結晶シリコン基板に直接形成された
ことを特徴とする熱型赤外線検出器アレイ。 - 【請求項２】 複数の熱型赤外線検出器と、該熱型赤外
線検出器から出力される電気信号を外部に出力する信号
出力回路を備えた熱型赤外線検出器アレイであって、 前記熱型赤外線検出器アレイが、単結晶シリコン基板上
に酸化膜を介して設けられた単結晶シリコン層を備えた
ＳＯＩ構造上に形成されており、 前記熱型赤外線検出器が、前記単結晶シリコン層に1次
元または２次元に配列して形成された半導体接合素子を
含んで成り、 前記信号出力回路を構成するトランジスタのうち、少な
くとも、検出器出力信号が通過しアナログ動作するトラ
ンジスタが、前記単結晶シリコン基板に直接形成された
ことを特徴とする熱型赤外線検出器アレイ。 - 【請求項３】 前記信号出力回路を構成する全てのトラ
ンジスタが、前記単結晶シリコン基板に直接形成された
ことを特徴とする請求項乃至３のいずれか１項に記載の
熱型赤外線検出器アレイ。 - 【請求項４】 前記半導体接合素子の下部の単結晶シリ
コン基板が一部除去されて空洞化しており、前記半導体
接合素子が前記酸化膜のみに支持されていることを特徴
とする請求項１又は２記載の熱型赤外線検出器アレイ。 - 【請求項５】 前記半導体接合素子がダイオードである
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載
の熱型赤外線検出器アレイ。 - 【請求項６】 前記半導体接合素子がバイポーラトラン
ジスタ、接合電界効果トランジスタ及びＭＯＳトランジ
スタからなる群から選ばれた１つであることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱型赤外線検
出器アレイ。 - 【請求項７】 複数の熱型赤外線検出器と該熱型赤外線
検出器の電気信号を外部に出力する信号出力回路を備え
た熱型赤外線検出器アレイの製造方法であって、 単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して単結晶シリコン
層を備えたＳＯＩ構造の基板において、前記信号出力回
路を構成するトランジスタを前記単結晶シリコン基板上
に直接形成する領域であるシリコン基板上トランジスタ
形成領域の前記単結晶シリコン層を除去する工程と、 前記シリコン基板上トランジスタ形成領域の前記酸化膜
を除去する工程と、 前記単結晶シリコン層に前記熱型赤外線検出器を構成す
る半導体接合素子を形成し、前記酸化膜が除去された前
記シリコン基板上トランジスタ形成領域に、前記信号出
力回路を構成するトランジスタのうち、少なくとも、検
出器に印加するバイアス電圧を決定するトランジスタを
形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線検出
器アレイの製造方法。 - 【請求項８】 複数の熱型赤外線検出器と該熱型赤外線
検出器の電気信号を外部に出力する信号出力回路を備え
た熱型赤外線検出器アレイの製造方法であって、 単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して単結晶シリコン
層を備えたＳＯＩ構造の基板において、前記信号出力回
路を構成するトランジスタを前記単結晶シリコン基板上
に直接形成する領域であるシリコン基板上トランジスタ
形成領域の前記単結晶シリコン層を除去する工程と、 前記シリコン基板上トランジスタ形成領域の前記酸化膜
を除去する工程と、 前記単結晶シリコン層に前記熱型赤外線検出器を構成す
る半導体接合素子を形成し、前記酸化膜が除去された前
記シリコン基板上トランジスタ形成領域に、前記信号出
力回路を構成するトランジスタのうち、少なくとも、検
出器出力信号が通過しアナログ動作するトランジスタを
形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線検出
器アレイの製造方法。 - 【請求項９】 前記シリコン基板上トランジスタ形成領
域の単結晶シリコン層を除去する工程において、同時に
前記半導体接合素子を前記単結晶シリコン層に形成する
領域である半導体接合素子形成領域の前記単結晶シリコ
ン層を島状にエッチングすることを特徴とする請求項７
又は８に記載の熱型赤外線検出器アレイの製造方法。 - 【請求項１０】 複数の熱型赤外線検出器と該熱型赤外
線検出器の電気信号を外部に出力する信号出力回路を備
えた熱型赤外線検出器アレイの製造方法であって、 単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して単結晶シリコン
層を備えたＳＯＩ構造の基板において、前記信号出力回
路を構成するトランジスタを前記単結晶シリコン基板上
に直接形成する領域であるシリコン基板上トランジスタ
形成領域の前記単結晶シリコン層を選択酸化すると同時
に、前記熱型赤外線検出器を構成する半導体接合素子を
前記単結晶シリコン層に形成する領域である半導体接合
素子形成領域の前記単結晶シリコン層を互いに一定間隔
を空けて選択酸化して、１次元又は２次元に配列して形
成される半導体接合素子の電気分離を行うフィールド酸
化膜を形成する工程と、 前記シリコン基板上トランジスタ形成領域の選択酸化さ
れた単結晶シリコン層及び前記酸化膜を除去する工程
と、 前記半導体接合素子形成領域に前記熱型赤外線検出器を
構成する半導体接合素子を形成し、前記シリコン基板上
トランジスタ形成領域に、前記信号出力回路を構成する
トランジスタのうち、少なくとも、検出器に印加するバ
イアス電圧を決定するトランジスタを形成する工程を含
むことを特徴とする熱型赤外線検出器アレイの製造方
法。 - 【請求項１１】 複数の熱型赤外線検出器と該熱型赤外
線検出器の電気信号を外部に出力する信号出力回路を備
えた熱型赤外線検出器アレイの製造方法であって、 単結晶シリコン基板上に酸化膜を介して単結晶シリコン
層を備えたＳＯＩ構造の基板において、前記信号出力回
路を構成するトランジスタを前記単結晶シリコン基板上
に直接形成する領域であるシリコン基板上トランジスタ
形成領域の前記単結晶シリコン層を選択酸化すると同時
に、前記熱型赤外線検出器を構成する半導体接合素子を
前記単結晶シリコン層に形成する領域である半導体接合
素子形成領域の前記単結晶シリコン層を互いに一定間隔
を空けて選択酸化して、１次元又は２次元に配列して形
成される半導体接合素子の電気分離を行うフィールド酸
化膜を形成する工程と、 前記シリコン基板上トランジスタ形成領域の選択酸化さ
れた単結晶シリコン層及び前記酸化膜を除去する工程
と、 前記半導体接合素子形成領域に前記熱型赤外線検出器を
構成する半導体接合素子を形成し、前記シリコン基板上
トランジスタ形成領域に、前記信号出力回路を構成する
トランジスタのうち、少なくとも、検出器出力信号が通
過しアナログ動作するトランジスタを形成する工程を含
むことを特徴とする熱型赤外線検出器アレイの製造方
法。
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