JPH08186283A - 赤外線センサおよびその製造方法 - Google Patents
赤外線センサおよびその製造方法Info
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- JPH08186283A JPH08186283A JP6327240A JP32724094A JPH08186283A JP H08186283 A JPH08186283 A JP H08186283A JP 6327240 A JP6327240 A JP 6327240A JP 32724094 A JP32724094 A JP 32724094A JP H08186283 A JPH08186283 A JP H08186283A
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- infrared sensor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン酸化膜からなるブリッジ上にショッ
トキーバリアダイオードが形成できるようにして、赤外
線の検出感度を高くし得る赤外線センサおよびその製造
方法を提供する。 【構成】 シリコン基板１０上および単結晶シリコン１
４上にそれぞれＳｉＯ2膜を生成し、前記シリコン基板
１０および単結晶シリコン１４をそれぞれのＳｉＯ2膜
を対向させて直接接合し、単結晶シリコン１４にクロム
Ｃｒ等の金属シリサイド領域２４を形成して、前記シリ
コン基板１０にショットキーバリアダイオード１６を形
成し、前記ダイオード１６を受光部（検出部）１８とす
る。
トキーバリアダイオードが形成できるようにして、赤外
線の検出感度を高くし得る赤外線センサおよびその製造
方法を提供する。 【構成】 シリコン基板１０上および単結晶シリコン１
４上にそれぞれＳｉＯ2膜を生成し、前記シリコン基板
１０および単結晶シリコン１４をそれぞれのＳｉＯ2膜
を対向させて直接接合し、単結晶シリコン１４にクロム
Ｃｒ等の金属シリサイド領域２４を形成して、前記シリ
コン基板１０にショットキーバリアダイオード１６を形
成し、前記ダイオード１６を受光部（検出部）１８とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非接触での温度測定等
に使用される赤外線センサおよびその製造方法に関する
もので、赤外線センサの感度を向上させるものである。
に使用される赤外線センサおよびその製造方法に関する
もので、赤外線センサの感度を向上させるものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンなどの半導体基板（シリコンウ
ェハ）上に化学的、機械的、または真空蒸着などにより
薄膜処理する技術（マイクロマシニング等）が種々に用
いられており、その技術で赤外線センサも製造されてい
る。そのような従来の赤外線センサは、図１０（ａ）、
（ｂ）に示す構成例を有する。図１０の赤外線センサ
は、シリコン基板ａ上の凹部ｂにより空間が形成され、
かつ、この凹部ｂ空間上に４方から対角線状にシリコン
酸化物（ＳｉＯ2）のブリッジｃが延びる。このブリッ
ジｃ中央部で空中に薄膜サーミスタｄが保持されてお
り、当該薄膜サーミスタｄにより赤外線を受ける（受光
する）。前記薄膜サーミスタｄは、赤外線を受けること
による温度上昇し、その温度上昇により、前記薄膜サー
ミスタｂの抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を配線
層ｅを介して検出して赤外線の強さ等を検出する。ここ
で、前記ＳｉＯ2ブリッジｃ上に薄膜サーミスタｄを形
成するのは、サーミスタの熱容量を小さくし、感度を上
げるためである。
ェハ）上に化学的、機械的、または真空蒸着などにより
薄膜処理する技術（マイクロマシニング等）が種々に用
いられており、その技術で赤外線センサも製造されてい
る。そのような従来の赤外線センサは、図１０（ａ）、
（ｂ）に示す構成例を有する。図１０の赤外線センサ
は、シリコン基板ａ上の凹部ｂにより空間が形成され、
かつ、この凹部ｂ空間上に４方から対角線状にシリコン
酸化物（ＳｉＯ2）のブリッジｃが延びる。このブリッ
ジｃ中央部で空中に薄膜サーミスタｄが保持されてお
り、当該薄膜サーミスタｄにより赤外線を受ける（受光
する）。前記薄膜サーミスタｄは、赤外線を受けること
による温度上昇し、その温度上昇により、前記薄膜サー
ミスタｂの抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を配線
層ｅを介して検出して赤外線の強さ等を検出する。ここ
で、前記ＳｉＯ2ブリッジｃ上に薄膜サーミスタｄを形
成するのは、サーミスタの熱容量を小さくし、感度を上
げるためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の赤外線センサでは、赤外線を検出する薄膜サーミス
タｄ自体の感度が低く、感度の低い赤外線センサしか得
られなかった。これに対して、赤外線センサの検出部を
感度の高いショットキーバリアダイオード（ショットキ
ーバリア型ダイオード）を用いることが考えられるが、
従来のダイオードはＳｉＯ2膜の下部にしか形成でき
ず、したがって、前記のサーミスタに代えてＳｉＯ2ブ
リッジ上にシリコン単結晶からなるショットキーバリア
ダイオードを形成することができないという問題点があ
る。
来の赤外線センサでは、赤外線を検出する薄膜サーミス
タｄ自体の感度が低く、感度の低い赤外線センサしか得
られなかった。これに対して、赤外線センサの検出部を
感度の高いショットキーバリアダイオード（ショットキ
ーバリア型ダイオード）を用いることが考えられるが、
従来のダイオードはＳｉＯ2膜の下部にしか形成でき
ず、したがって、前記のサーミスタに代えてＳｉＯ2ブ
リッジ上にシリコン単結晶からなるショットキーバリア
ダイオードを形成することができないという問題点があ
る。
【０００４】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたものであって、シリコン酸化膜からなるブリ
ッジ上にショットキーバリアダイオードが形成できるよ
うにして、赤外線の検出感度を高くし得る赤外線センサ
およびその製造方法を提供することを課題とする。
くなされたものであって、シリコン酸化膜からなるブリ
ッジ上にショットキーバリアダイオードが形成できるよ
うにして、赤外線の検出感度を高くし得る赤外線センサ
およびその製造方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、次の構成を有する。請求項１の発明は、検
出部で赤外線を受光して当該赤外線による検出部の温度
上昇から当該赤外線を検出する赤外線センサにおいて、
第１のシリコン上にシリコン酸化膜を介して直接接合さ
れた第２のシリコンにショットキーバリアダイオードが
形成されていて、当該ダイオードを検出部とすることを
特徴とする赤外線センサである。
決するため、次の構成を有する。請求項１の発明は、検
出部で赤外線を受光して当該赤外線による検出部の温度
上昇から当該赤外線を検出する赤外線センサにおいて、
第１のシリコン上にシリコン酸化膜を介して直接接合さ
れた第２のシリコンにショットキーバリアダイオードが
形成されていて、当該ダイオードを検出部とすることを
特徴とする赤外線センサである。
【０００６】また、請求項２の発明は、検出部で赤外線
を受光して当該赤外線による検出部の温度上昇から当該
赤外線を検出する赤外線センサの製造方法において、第
１のシリコン上および第２のシリコン上にそれぞれシリ
コン酸化膜を生成する酸化膜生成工程と、前記第１のシ
リコンおよび第２のシリコンをそれぞれのシリコン酸化
膜を対向させて直接接合する接合工程と、第２のシリコ
ンに金属シリサイドを形成して、前記第２のシリコンに
ショットキーバリアダイオードを形成するダイオード形
成工程とを含んで、前記ダイオードを検出部とすること
を特徴とする赤外線センサの製造方法である。
を受光して当該赤外線による検出部の温度上昇から当該
赤外線を検出する赤外線センサの製造方法において、第
１のシリコン上および第２のシリコン上にそれぞれシリ
コン酸化膜を生成する酸化膜生成工程と、前記第１のシ
リコンおよび第２のシリコンをそれぞれのシリコン酸化
膜を対向させて直接接合する接合工程と、第２のシリコ
ンに金属シリサイドを形成して、前記第２のシリコンに
ショットキーバリアダイオードを形成するダイオード形
成工程とを含んで、前記ダイオードを検出部とすること
を特徴とする赤外線センサの製造方法である。
【０００７】
【作用】本発明者は、赤外線センサの感度を向上させる
べく、種々の検討をおこなった。そこで、赤外線センサ
の感度を上げるために、赤外線検出部を単結晶のシリコ
ンで構成し、そこにショットキーバリアーダイオードを
形成する構造を案出した。ショットキーバリアーダイオ
ードの逆方向のリーク電流は、温度に依存する。赤外線
によりダイオードが加熱されると、温度上昇を生じてそ
れによって、リーク電流が増大し赤外線を検出できる。
べく、種々の検討をおこなった。そこで、赤外線センサ
の感度を上げるために、赤外線検出部を単結晶のシリコ
ンで構成し、そこにショットキーバリアーダイオードを
形成する構造を案出した。ショットキーバリアーダイオ
ードの逆方向のリーク電流は、温度に依存する。赤外線
によりダイオードが加熱されると、温度上昇を生じてそ
れによって、リーク電流が増大し赤外線を検出できる。
【０００８】発明者は、薄膜サーミスタによる赤外線セ
ンサとクロムシリサイドを用いたショットキーバリアー
ダイオードによる赤外線センサを作成して、これらを比
較した。これらの赤外線センサを同条件で評価した所、
赤外線の検知能力を示す指標であるＢ定数（サーミスタ
定数）がつぎのようになった。すなわち、サーミスタの
Ｂ定数が約４０００Ｋであり、ショットキーバリアダイ
オードのＢ定数が約８０００Ｋである。したがって、赤
外線センサとしての感度はショットキーバリアーダイオ
ードが薄膜サーミスタの約２倍あることが分かった。
ンサとクロムシリサイドを用いたショットキーバリアー
ダイオードによる赤外線センサを作成して、これらを比
較した。これらの赤外線センサを同条件で評価した所、
赤外線の検知能力を示す指標であるＢ定数（サーミスタ
定数）がつぎのようになった。すなわち、サーミスタの
Ｂ定数が約４０００Ｋであり、ショットキーバリアダイ
オードのＢ定数が約８０００Ｋである。したがって、赤
外線センサとしての感度はショットキーバリアーダイオ
ードが薄膜サーミスタの約２倍あることが分かった。
【０００９】なお、Ｂ定数は、サーミスタの温度Ｔと抵
抗Ｒとの関係を示す次式（１）で示される。 Ｒ＝Ｒ0・expＢ（１／Ｔ−１／Ｔ0） …（１） ただし、Ｒ0は温度Ｔ0におけるサーミスタの抵抗であ
る。
抗Ｒとの関係を示す次式（１）で示される。 Ｒ＝Ｒ0・expＢ（１／Ｔ−１／Ｔ0） …（１） ただし、Ｒ0は温度Ｔ0におけるサーミスタの抵抗であ
る。
【００１０】しかしながら、ショットキーバリアーダイ
オードは単結晶に作り込む必要があり、従来の薄膜サー
ミスタのように、ＳｉＯ2上に成膜することはできな
い。そこで、発明者はＳｉＯ2を中間に入れた直接接合
ウェハ（シリコンオンインシュレーター：ＳＯＩ）を使
用した赤外線センサおよびその製造方法を発明したもの
である。
オードは単結晶に作り込む必要があり、従来の薄膜サー
ミスタのように、ＳｉＯ2上に成膜することはできな
い。そこで、発明者はＳｉＯ2を中間に入れた直接接合
ウェハ（シリコンオンインシュレーター：ＳＯＩ）を使
用した赤外線センサおよびその製造方法を発明したもの
である。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１〜図９は本発明の実施例に係る赤外線
センサの説明図である。図１は前記赤外線センサの全体
断面図、図２は前記赤外線センサの要部断面図、図３〜
図９は前記赤外線センサの製造工程説明図である。
に説明する。図１〜図９は本発明の実施例に係る赤外線
センサの説明図である。図１は前記赤外線センサの全体
断面図、図２は前記赤外線センサの要部断面図、図３〜
図９は前記赤外線センサの製造工程説明図である。
【００１２】実施例の赤外線センサは、単結晶のシリコ
ン基板（例えばシリコンウェハ）１０上にＳｉＯ2膜１
２を介して直接接合された単結晶シリコン（例えばシリ
コンウェハ）１４にショットキーバリアダイオード１６
が形成されていて、当該ダイオード１６を受光部（検出
部）１８とするものである。
ン基板（例えばシリコンウェハ）１０上にＳｉＯ2膜１
２を介して直接接合された単結晶シリコン（例えばシリ
コンウェハ）１４にショットキーバリアダイオード１６
が形成されていて、当該ダイオード１６を受光部（検出
部）１８とするものである。
【００１３】実施例では、前記ＳｉＯ2膜１２を挟んで
前記ダイオードの下部に位置するシリコン基板１０に空
洞２０がエッチングされて、前記ＳｉＯ2膜１２の薄膜
からなるブリッジ２２が形成されており、前記ダイオー
ド１６の他は前記図１０の赤外線センサとほぼ同様であ
るのでその詳細な説明は略する。なお、前記ブリッジ２
２は微細で中に浮く薄膜形状であってその中央部に受光
部１８が形成される。また、前記受光部１８の薄膜によ
る支持は前記ブリッジ２２のようなエアーブリッジに限
定されず、カンチレバー型、両端支持型、ダイアフラム
型等の種々の構成を取り得る。
前記ダイオードの下部に位置するシリコン基板１０に空
洞２０がエッチングされて、前記ＳｉＯ2膜１２の薄膜
からなるブリッジ２２が形成されており、前記ダイオー
ド１６の他は前記図１０の赤外線センサとほぼ同様であ
るのでその詳細な説明は略する。なお、前記ブリッジ２
２は微細で中に浮く薄膜形状であってその中央部に受光
部１８が形成される。また、前記受光部１８の薄膜によ
る支持は前記ブリッジ２２のようなエアーブリッジに限
定されず、カンチレバー型、両端支持型、ダイアフラム
型等の種々の構成を取り得る。
【００１４】前記ショットキバリアダイオード１６は単
結晶シリコン１４にクロムＣｒのシリサイド領域２４が
生成されていてそれに接する形でガードリング用のｐ+
領域２６ａ、カソードコンタクト用のｎ+領域２６ｂが
ドーピングで形成されている。また、前記シリサイド領
域２４からはアルミニウムからなる配線層２８が前記シ
ョットキバリアダイオード１６上面を這う形で形成され
る。また、当該配線層２８と前記ショットキバリアダイ
オード１６との間にはＳｉＯ2膜の絶縁層３０が形成さ
れている。なお、シリコン基板１０の下面にＳｉＯ2膜
２９が成膜される。
結晶シリコン１４にクロムＣｒのシリサイド領域２４が
生成されていてそれに接する形でガードリング用のｐ+
領域２６ａ、カソードコンタクト用のｎ+領域２６ｂが
ドーピングで形成されている。また、前記シリサイド領
域２４からはアルミニウムからなる配線層２８が前記シ
ョットキバリアダイオード１６上面を這う形で形成され
る。また、当該配線層２８と前記ショットキバリアダイ
オード１６との間にはＳｉＯ2膜の絶縁層３０が形成さ
れている。なお、シリコン基板１０の下面にＳｉＯ2膜
２９が成膜される。
【００１５】次に、前記赤外線センサの製造方法を図３
〜図９にしたがって、製造工程順に説明する。まず、図
３のように、シリコン基板１０上および単結晶シリコン
１４上にウェハの状態のまま熱酸化等して、それぞれＳ
ｉＯ2膜１２ａおよび１２ｂを生成する（生成工程）。
次いで、前記シリコン基板１０および単結晶シリコン１
４上をそれぞれのＳｉＯ2膜１２ａおよび１２ｂ同士を
対向させて直接接合により貼り合わせる（接合工程）。
〜図９にしたがって、製造工程順に説明する。まず、図
３のように、シリコン基板１０上および単結晶シリコン
１４上にウェハの状態のまま熱酸化等して、それぞれＳ
ｉＯ2膜１２ａおよび１２ｂを生成する（生成工程）。
次いで、前記シリコン基板１０および単結晶シリコン１
４上をそれぞれのＳｉＯ2膜１２ａおよび１２ｂ同士を
対向させて直接接合により貼り合わせる（接合工程）。
【００１６】次いで、図４のように、貼り合わせ後に前
記単結晶シリコン１４の貼り合わせ側の反対側を前記シ
ョットキバリアダイオード１６の形成に都合の良い厚さ
まで研磨する。次いで、図５のように、ショットキバリ
アダイオード１６形成のための拡散工程を行う。すなわ
ち、単結晶シリコン１４の上面にＳｉＯ2からなる酸化
膜３２を形成する。フォトリソ（レジストのフォトマス
クを露光作成）によるマスキング後に必要な部分にドー
ピングにより前記ｐ+領域２６ａを生成する。さらにフ
ォトリソによるマスキング後に、必要な部分にドーピン
グにより前記ｎ+領域２６ｂを生成する。なお、シリコ
ン基板１０の下面を酸化してＳｉＯ2膜２９を成膜す
る。
記単結晶シリコン１４の貼り合わせ側の反対側を前記シ
ョットキバリアダイオード１６の形成に都合の良い厚さ
まで研磨する。次いで、図５のように、ショットキバリ
アダイオード１６形成のための拡散工程を行う。すなわ
ち、単結晶シリコン１４の上面にＳｉＯ2からなる酸化
膜３２を形成する。フォトリソ（レジストのフォトマス
クを露光作成）によるマスキング後に必要な部分にドー
ピングにより前記ｐ+領域２６ａを生成する。さらにフ
ォトリソによるマスキング後に、必要な部分にドーピン
グにより前記ｎ+領域２６ｂを生成する。なお、シリコ
ン基板１０の下面を酸化してＳｉＯ2膜２９を成膜す
る。
【００１７】次いで図６のように、前記フォトリソによ
りマスキングして、前記ショットキバリアダイオード１
６の形成箇所以外の上側の前記シリコン１４をエッチン
グして、山形にアイランド３４を残す。この場合のエッ
チング液はＫＯＨ、ＥＰＷ、ＴＭＡＨ、ヒドラジン等を
用いることができる。そして、エッチング後に前記アイ
ランド３４の側壁にＳｉＯ2を形成するため酸化を行
う。
りマスキングして、前記ショットキバリアダイオード１
６の形成箇所以外の上側の前記シリコン１４をエッチン
グして、山形にアイランド３４を残す。この場合のエッ
チング液はＫＯＨ、ＥＰＷ、ＴＭＡＨ、ヒドラジン等を
用いることができる。そして、エッチング後に前記アイ
ランド３４の側壁にＳｉＯ2を形成するため酸化を行
う。
【００１８】次いで、図７のように、ショットキバリア
ダイオード１６用のシリサイド２４を形成する。すなわ
ち、フォトリソによりフォトマスクを形成して前記アイ
ランド３４の所定部分の前記酸化膜３６を除去してそこ
にシリサイド用金属膜（クロムＣｒ膜）をパターニング
する。さらに、フォトリソによりフォトマスクを形成し
て熱処理（例えば４５０〜５５０°Ｃ）して、前記金属
膜をシリサイド（ＣｒＳｉ2）化してシリサイド領域２
４を形成する。これにより、ショットキーバリアダイオ
ード１６は前記シリコン基板１０上に前記ＳｉＯ2膜を
介して形成される（ショットキーバリアダイオード作成
工程）。
ダイオード１６用のシリサイド２４を形成する。すなわ
ち、フォトリソによりフォトマスクを形成して前記アイ
ランド３４の所定部分の前記酸化膜３６を除去してそこ
にシリサイド用金属膜（クロムＣｒ膜）をパターニング
する。さらに、フォトリソによりフォトマスクを形成し
て熱処理（例えば４５０〜５５０°Ｃ）して、前記金属
膜をシリサイド（ＣｒＳｉ2）化してシリサイド領域２
４を形成する。これにより、ショットキーバリアダイオ
ード１６は前記シリコン基板１０上に前記ＳｉＯ2膜を
介して形成される（ショットキーバリアダイオード作成
工程）。
【００１９】次いで、図８のように、表面にアルミニウ
ムからなる金属層を形成し、所要の配線層２８を形成す
る。これにより、前記ショットキーバリアダイオード１
６を外部とつなぐ配線層２８が形成される。次いで、図
９に示すように、フォトリソ後にヒドラジンエッチング
液などでシリコン基板１０をエッチングして空洞２０を
形成することにより、ブリッジ２２を形成する。これに
より、赤外線センサがシリコン基板１０上で完成する。
その後は、この赤外線センサの作られたウェハを各チッ
プにカットする。
ムからなる金属層を形成し、所要の配線層２８を形成す
る。これにより、前記ショットキーバリアダイオード１
６を外部とつなぐ配線層２８が形成される。次いで、図
９に示すように、フォトリソ後にヒドラジンエッチング
液などでシリコン基板１０をエッチングして空洞２０を
形成することにより、ブリッジ２２を形成する。これに
より、赤外線センサがシリコン基板１０上で完成する。
その後は、この赤外線センサの作られたウェハを各チッ
プにカットする。
【００２０】実施例では、前記プロセスにより、薄膜サ
ーミスタよりもＢ定数の大きい単結晶ショットキーバリ
アダイオードを同じ構造のＳｉＯ2ブリッジ２２上に形
成でき、感度の高い赤外線センサを得ることができる。
また、前記のようにブリッジ２２をエアーブリッジ構造
にしてその上に受光部を設けたので、温度変化に対し
て、敏感なセンサが得られる。
ーミスタよりもＢ定数の大きい単結晶ショットキーバリ
アダイオードを同じ構造のＳｉＯ2ブリッジ２２上に形
成でき、感度の高い赤外線センサを得ることができる。
また、前記のようにブリッジ２２をエアーブリッジ構造
にしてその上に受光部を設けたので、温度変化に対し
て、敏感なセンサが得られる。
【００２１】なお、本発明は、前記実施例に限定され
ず、金属シリサイドはクロムＣｒによるものに限定され
ず、その他、ニッケルＮｉ、白金Ｐｔ、チタンＴｉ等に
よっても、同様のショットキーバリアダイオードを作成
することが可能である。また、前記受光部１８の薄膜に
よる支持は前記ブリッジ２２のようなエアーブリッジに
限定されず、カンチレバー型、両端支持型、ダイアフラ
ム型等の種々の構成を取り得る。シリコン基板および単
結晶シリコンはいずれも純粋なシリコンＳｉであること
に限定されないことはもちろんであり、必要な不純物等
を含みあるいは化合物であるシリコンでよいことはもち
ろんである。
ず、金属シリサイドはクロムＣｒによるものに限定され
ず、その他、ニッケルＮｉ、白金Ｐｔ、チタンＴｉ等に
よっても、同様のショットキーバリアダイオードを作成
することが可能である。また、前記受光部１８の薄膜に
よる支持は前記ブリッジ２２のようなエアーブリッジに
限定されず、カンチレバー型、両端支持型、ダイアフラ
ム型等の種々の構成を取り得る。シリコン基板および単
結晶シリコンはいずれも純粋なシリコンＳｉであること
に限定されないことはもちろんであり、必要な不純物等
を含みあるいは化合物であるシリコンでよいことはもち
ろんである。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、シリ
コン酸化膜からなるブリッジ上に赤外線検出感度の高い
ショットキーバリアダイオードを形成できるようにし、
赤外線の検出感度を高くし得る。
コン酸化膜からなるブリッジ上に赤外線検出感度の高い
ショットキーバリアダイオードを形成できるようにし、
赤外線の検出感度を高くし得る。
【図１】本発明の実施例に係る赤外線センサの全体断面
図である。
図である。
【図２】図１のII部を詳細に示す赤外線センサの要部断
面図である。
面図である。
【図３】図１の赤外線センサの製造工程説明図である。
【図４】図１の赤外線センサの製造工程説明図である。
【図５】図１の赤外線センサの製造工程説明図である。
【図６】図１の赤外線センサの製造工程説明図である。
【図７】図１の赤外線センサの製造工程説明図である。
【図８】図１の赤外線センサの製造工程説明図である。
【図９】図１の赤外線センサの製造工程説明図である。
【図１０】（ａ）は従来の赤外線センサの構成を説明す
る平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。
る平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。
１０ シリコン基板 １２ ＳｉＯ2膜 １２ａおよび１２ｂ シリコン基板、単結晶に形成され
たＳｉＯ2膜 １４ 単結晶シリコン １６ ショットキーバリアダイオード １８ 受光部 ２０ 空洞 ２２ ブリッジ ２４ シリサイド領域 ２６ａ ガードリング用ｐ+領域 ２６ｂ カソードコンタクト用のｎ+領域 ２８ 配線層
たＳｉＯ2膜 １４ 単結晶シリコン １６ ショットキーバリアダイオード １８ 受光部 ２０ 空洞 ２２ ブリッジ ２４ シリサイド領域 ２６ａ ガードリング用ｐ+領域 ２６ｂ カソードコンタクト用のｎ+領域 ２８ 配線層
Claims (2)
- 【請求項１】 検出部で赤外線を受光して当該赤外線に
よる検出部の温度上昇から当該赤外線を検出する赤外線
センサにおいて、 第１のシリコン上にシリコン酸化膜を介して直接接合さ
れた第２のシリコンにショットキーバリアダイオードが
形成されていて、当該ダイオードを検出部とすることを
特徴とする赤外線センサ。 - 【請求項２】 検出部で赤外線を受光して当該赤外線に
よる検出部の温度上昇から当該赤外線を検出する赤外線
センサの製造方法において、 第１のシリコン上および第２のシリコン上にそれぞれシ
リコン酸化膜を生成する酸化膜生成工程と、 前記第１のシリコンおよび第２のシリコンをそれぞれの
シリコン酸化膜を対向させて直接接合する接合工程と、 第２のシリコンに金属シリサイドを形成して、前記第２
のシリコンにショットキーバリアダイオードを形成する
ダイオード形成工程と、 を含んで、前記ダイオードを検出部とすることを特徴と
する赤外線センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6327240A JPH08186283A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6327240A JPH08186283A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186283A true JPH08186283A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18196901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6327240A Pending JPH08186283A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08186283A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465786B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-10-15 | Micron Technology, Inc. | Deep infrared photodiode for a CMOS imager |
| US6483111B1 (en) | 1998-09-14 | 2002-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thermal infrared-detector array and method of fabrication thereof |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP6327240A patent/JPH08186283A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6483111B1 (en) | 1998-09-14 | 2002-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thermal infrared-detector array and method of fabrication thereof |
| US6465786B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-10-15 | Micron Technology, Inc. | Deep infrared photodiode for a CMOS imager |
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