JPS60158675A - ダイヤフラムセンサ - Google Patents

ダイヤフラムセンサ

Info

Publication number
JPS60158675A
JPS60158675A JP59013672A JP1367284A JPS60158675A JP S60158675 A JPS60158675 A JP S60158675A JP 59013672 A JP59013672 A JP 59013672A JP 1367284 A JP1367284 A JP 1367284A JP S60158675 A JPS60158675 A JP S60158675A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
oxide film
layer
etching
single crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59013672A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0712086B2 (ja
Inventor
Kazuji Yamada
一二 山田
Yutaka Kobayashi
裕 小林
Hiroji Kawakami
寛児 川上
Satoshi Shimada
智 嶋田
Masanori Tanabe
田辺　正則
Shigeyuki Kobori
小堀　重幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59013672A priority Critical patent/JPH0712086B2/ja
Priority to KR1019850000462A priority patent/KR920007793B1/ko
Priority to EP85100776A priority patent/EP0150827B1/en
Priority to DE8585100776T priority patent/DE3571694D1/de
Priority to US06/694,990 priority patent/US4670969A/en
Publication of JPS60158675A publication Critical patent/JPS60158675A/ja
Publication of JPH0712086B2 publication Critical patent/JPH0712086B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/012—Bonding, e.g. electrostatic for strain gauges
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/159—Strain gauges
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/168—V-Grooves
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49103—Strain gauge making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ダイヤ７ラムセンサに関する。
〔発明の背景〕
シリコンの一部領域をエツチング等で薄く加工したダイ
ヤスラム構造を有するセンサの代表例とシテシリコン圧
力センサがちる。このシリコン圧力センサにおいては、
ダイヤフラムの板厚が特性を大きく左右する。そのため
、シリコン圧力センサの製造にあってはダイヤフラムの
板厚を精度よく加工する技術が重要となる。その技術は
Ｕ、Ｓ。
ｐａｔ　、４００３．１２７で与えられ、その概要を第
１図を用いて説明する。１はシリコン圧力センサチツブ
を示す。２は単結晶シリコン、３はダイヤフラム、４は
拡散抵抗層、５ａ、５ｂは抵抗層４に電流を流すための
パッド、°。
５ｃ、５ａはボンディングされたワイヤ、６は酸化１１
’％　７　ｂ上にエピタキシャル成長させたポリシリコ
ン層、７ａ、７ｂは酸化膜である。
この素子の機能は、ダイヤフラム３に圧力が加えられる
と、ダイヤフラム３がたわみその結果抵抗層４の抵抗値
が変化する。その抵抗変化をワイヤ５ｃ、５ｃｉでとり
だすものである。
そして、このような７リコン圧力センサは次の手順で製
造される。（１）シリコン単結晶２を酸化し酸化膜７ｂ
を作る。（２）この酸化ｔｇ　７　ｂ上にポリシリコン
ロをエピタキシャル成長させる。このとき酸化膜上に成
長したシリコンは、ポリシリコンにしかなりえず単結晶
は作られないものである。（３）ポリシリコンロ中に抵
抗４を拡散形成する。（４）通常の方法で、パッド５ａ
、５ｂを形成する。（５）エツチング技術を用いて、ダ
イヤフラム３を形成する。（６）マウントするため、ワ
イヤ５Ｃ，５ｄをポンティングする。
この構造のセンサは、ダイヤフラム形成のためシリコン
エツチングのストッパに酸化＋１！Ｉ　３を使うため精
度よくエツチングできる利点があるけれども、拡散抵抗
４がポリシリコンロ中に形成されるため、ピエゾ抵抗効
果が単結晶に比較し小さくなること、強度も単結晶に比
べ小さくなるという、圧力センサにとっては重大な欠点
がめったものである。
以上の欠点を補うものとしてＵ、８．Ｐａｔ。
３８１９１１が知られている。第２図にその概要を示す
。機能は先の例と同じである。製法手順は次のとおりで
、まず、（１）単結晶シリコン２の表面を酸化した後、
ポリシリコン層６と形成する。（２）単結晶シリコン２
中に拡散抵抗層４ａ、４ｂを形成する。（３）ダイヤフ
ラム３を形成する。
この方法によれば、先の例と同様酸化膜７ｂをエツチン
グのストｕパにできるので精度の高いエツチングがでヘ
ル〜しか１２、単結晶シリコン２の板厚が通常２５μと
極めて薄いため、２５μのウェハを得ることは加工上困
難なうえ、ポリシリコンをエピタキシャルするプロセス
が、ウェハを割らないようにする機械的強度のうえでむ
ずかしい。
仮に、厚いウェハ２を使用しようとすれば、必要厚さに
研磨するという煩雑な工程を必要とする。
さらにポリシリコン層６を厚く形成しようとするとポリ
クリコン層６にクラック等割れが生ずる弊害を有する。
さらにウェハに大きなそりが発生し、ホトリソクラフイ
が精度よくできなくなるという欠点も有する。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、特性がよくかつ加工精度の良好なダイ
ヤフラムセンサを提供するものである。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために本発明は、単結晶シリ
コンからなる基板上に酸化膜を介して形成された再結晶
層にセンサ素子が形成され、前記単結晶シリコンが前記
酸化膜をストッパとして部分エツチングされているもの
である。
〔発明の実施例〕
本発明の実施例を第３図に示す。８は第１図で示したも
のと同じ機能を有する圧力センサの圧力検出部である。
９は、圧力検出部８を構成する基板で比抵抗１Ωｍ以上
のｐ又はｎ形シリコンである。１０は基板９上に形成さ
れた酸化膜、１１は酸化膜１０上に形成された再結晶層
からなシ、一般に０．５Ω国以上の比抵抗を有するｎ形
シリコンである。１２はダイヤフラム部で、その領域に
対応した基板９はエツチングで除去されているもので、
この際酸化膜１０はエツチング時のエツチングストッパ
になっている。１３ａ−１３ｄは再結晶層１１に拡散形
成されたピエゾ抵抗層、１４ａ〜１４ｄはその電極部で
ある。
このような構成において、（１）酸化膜１０はアルカリ
エツチングのための良好なストッパ材であるため、エツ
チング時間はその正確さを必要とせず、かつ所定のダイ
ヤフラム厚を精度よく形成できる。
（２）エツチング領域裏面の状態に左右されやすかった
ダイヤフラム面が酸化膜面であるため鏡面が保持される
。
（３）ダイヤフラム裏面が酸化膜でカバーされるため耐
環境性に優れている。
（４）ダイヤフラム厚さは再結晶層厚さで決定されるも
のであり、その厚さは一般に２５μｍ程度であるのでウ
ェハ内±５％の厚さばらつきがあったとしても±１．３
μｍの厚さばらつきであるため、従来のウェハ平行度７
μｍから生ずるダイヤフラムばらつき±３．５μｍｎを
大きく改善できる。
再結晶層表面にも酸化膜を形成することが普通で、この
とき表ｍｌと裏面の酸化膜で応力のバランスがとれる。
この効果はダイヤフラムの応力を測定する。
次にこのようなシリコン圧力センサの製造方法を第４図
（ａ）ないしくｅ）を用いて説明する。第４図において
第３図に対応する部材は同一記号で示している。
（ａ）たとえば１〜５Ω副のｐあるいはｎ形単結晶ウェ
ハ９の両面にそれぞれ酸化膜１０および１０′を形成す
る。
（ｂ）前記酸化膜１０上に多結晶シリコン１１を５ＩＩ
（４を用いてたい積される。たい漬方法は、真空蒸着法
等が用いられる。
（Ｃ）多結晶シリコン１１を局所的に溶融させる装置１
５（装置１ｔ１５の直下の多結晶シリコンが局所的に融
点１４１２０以上になる７、ｏｎｅｍｅ　Ｌｔ　ｉｎｇ
　）をウェハの右端から左端まで移動することによって
、多結晶層１１を単結晶層にかえることができる（帯域
溶融法）。装置１５については、色々研究が進められ、
例えばＹ、　Ｋｏｂａｙａｓｌｌｉｅｔｅｌ　”　Ｚｏ
ｎｇＭｅｌｔｉｎｇ　Ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉ
ｏｎ　ｏｆＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　１９ｉ１
ｉｃｏｎ　Ｆｉｌｎｓ　ｏｎＦｕｓｅｄ　１９ｉ１ｉｃ
ａ　５ｕｂＳｔｒａｔｅＳ　［ＪＳｉｎｇ　ＲＦＨｅａ
ｔｅｄ　Ｃａｒｌ）Ｏｎ　５ｕｓｃｅｐｔｏｒ　”　Ｉ
ＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎ　［）ｅｖｉｃｅ　１ｅｔｔ　
、　、　ＶｏＬ　、　ＥＤＬ−４゜Ａ５．ｐｐ１３２　
１３４　（１９８３）に詳しく報告されている。
次に、図示しないが、単結晶層化した層１１に通常の拡
散工程でピエゾ抵抗、電極を形成する。
（ｄ）　８面ダイヤフラムを形成する部分１６の酸化膜
を除去し、 （ｅ）アルカリエツチングすることにより、ダイヤフラ
ム１２が形成される。このとき酸化膜１０がエツチング
ストッパとなり、ダイヤフラム面が、エツチング時間と
は関係なく決定される。
この後、各センサ毎にダイシングすることによって第３
図の圧力検出チップが得られる。
再結晶方法によって、単結晶１１を得る更に良好な方法
を第５図に示す。第４図に対応した部材は同一記号を付
している。第４図と異なる工程を説明すると、（ａ）’
において、酸化膜１０の一部分を除去し、基板９の表面
が露出する領域１７を設ける。この領域はウェハ全面に
一様にある必要はなく、たとえばウェハの周辺部のみで
あってもよい。本例ではチップの切り代部分（ダイシン
グ部分）をその領域にあてている。
（ｂ）多結晶シリコン１１を堆積すると前記領域１７に
おいて多結晶シリコンと基板９が接合する。
（Ｃ）多結晶シリコン１１を局所的に溶融させる装置１
５を図中右端から左端まで移動させると領域　。
１７が核となり基板９の結晶方向に多結晶１１も単結晶
化しやすい傾向となる。その後の工程は第４図の場合と
同様である。この実施例では、第４図の場合と比較し、
１工程増えるものの、（１）より良質な単、清晶層１１
を得ることができる。（２）再結晶層１１と基板９を同
一電位に保てる等の利点を有する。
ここで、さらにより厚い単結晶層１１を得る方法を第６
図に示す。
（ａ）例えば第４図（Ｃ）の工程後、単結晶層１１が得
られるが、その単結晶層上に通常のエピタキシャル層１
１’を追加する方法である。この方法を採れば、比較的
薄い（０，５〜１μｍ）多結晶シリコン層１１を単結晶
化しておけばよいので、単結晶化の作業が容易である。
（ｂ）は（ａ）と同様であるが多結晶シリコン層１１と
基板ａを接合させる領域１７を設けた例である。
このような製造方法を採る場合、再結晶化層１１に埋込
層を形成した後エピタキシャル層１１′を形成できるこ
とから、第７図に示したように集積回路（ＩＣ）用に適
した構造とすることができる。すなわち、第７図におい
て、ｐ形多結晶シリコン層１１を単結晶化した後、ｎ形
埋込層１８を拡散する。その後、ｎ形エピタキシャル層
１１′を形成する。そのとき埋込層１８は熱拡散でエピ
タキシャル層１１内に広がシ埋込層の１９を形成する。
ｐ形絶縁領域２０を形成することにより、ＩＣに必要な
島領域２１が形成できるものである。
更に他の実施例を第８図に示す。これは酸化膜をダイヤ
フラムとする超薄膜構造体である。（ａ）が断面図で、
（ｂ）が傾視図である。各部の部品には第４図の符号を
対応させているものである。
第４図の（ｄ）工程後、単結晶層１１の必要なパターン
のみを残し他を除去すれば第８図の構造体が得られる。
このとき、単結晶層１１は薄い方が、酸化膜ダイヤフラ
ムに影響する応力が小さいので有効である。この構造体
を圧力センサとして使用する場合には、ダイヤフラム板
厚を酸化膜厚にできるので、１μｍ程度のダイヤフラム
形成が可能であるため、極めて微小圧力を測定すること
ができる。
以上、説明はわかりやすいため、圧力センサで行なった
が、ダイヤフラムを利用する素子あるいは、素子の一部
を薄膜又は厚さが異なる３次元構造体として使う素子で
あれば、本発明がすべて適用できることは明らかである
。
シリコンの微細加技術を利用してビーム２３を形成する
ため、ビームから周辺肉厚部との固定部２６への熱流を
小さくすることができる。そして、すべて一体構造であ
るので、固体化が小形な流量センサを提供できる効果が
ある。また、ｐｎ接合を使うことがないため、リーク電
流を非常に小さくすることができるとともに高温度で使
用が可能である。
このように、常に薄膜構造体のみならず、３次元微細構
造体製造に適していることがわかる。
〔発明の効果〕
以上述べたことから明らかなように本発明によるダイヤ
フラムセンサによれば、特性がよく加工精度の良好なも
のが得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のダイヤフラムセンサの一例ヲ示す斜視断
面図、第２図は従来のダイヤフラムセンサの他の例を示
す断面図、第３図は本発明によるダイヤフラムセンサの
一実施例を示す一部破断斜視図、第４図（ａ）ないしく
ｅ）は本発明によるダイヤフラムセンサの製造方法の一
実施例を示す工程図、第５図（ａ）ないしくｅ）は本発
明によるダイヤフラムセンサの製造方法の他の実施例を
示す工程図、第６図（ａ）、　（ｂ）はそれぞれ本発明
によるダイヤフラムセンサの製造方法の他の実施列を示
す説明図、第７図は本発明によるダイヤフラムセンサの
製造方法の他の実施例を示す説明図、第８図（ａ）、　
（ｂ）は本発明によるダイヤフラムセンサの他の実施列
を示す構成図で第８図（ａ）は断面図、第８図（ｂ）は
一部破断斜視図である。 ９・・・シリコン基体、１０・・・酸化膜、１１・・・
再結晶層、１３・・・拡散層、１２・・・ダイヤフラム
。 代理人　弁理士　鵜沼辰之 第１図 半２図 第３図 ８４団 第５図 竿６０ ０ （ｂ） ＄７図 Ｈ′８図 （ａ） ｚ （ｂ） 第１頁の続き ＠発明者　１）辺　正　則　日立市幸町３丁目所内 ＠発明者　小　堀　重　幸　日立市幸町３丁目所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、単結晶シリコンからなる基板上に酸化膜を介して形
    成された再結晶ｊ−にセンサ素子が形成され、前記単結
    晶シリコンが前記酸化膜をストッパとして部分エツチン
    グされていることを特徴とするダイヤフラムセンサ。
JP59013672A 1984-01-27 1984-01-27 ダイヤフラムセンサの製造方法 Expired - Lifetime JPH0712086B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59013672A JPH0712086B2 (ja) 1984-01-27 1984-01-27 ダイヤフラムセンサの製造方法
KR1019850000462A KR920007793B1 (ko) 1984-01-27 1985-01-25 다이어프램형 실리콘압력센서의 제조방법
EP85100776A EP0150827B1 (en) 1984-01-27 1985-01-25 Method of making silicon diaphragm pressure sensor
DE8585100776T DE3571694D1 (en) 1984-01-27 1985-01-25 Method of making silicon diaphragm pressure sensor
US06/694,990 US4670969A (en) 1984-01-27 1985-01-25 Method of making silicon diaphragm pressure sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59013672A JPH0712086B2 (ja) 1984-01-27 1984-01-27 ダイヤフラムセンサの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60158675A true JPS60158675A (ja) 1985-08-20
JPH0712086B2 JPH0712086B2 (ja) 1995-02-08

Family

ID=11839681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59013672A Expired - Lifetime JPH0712086B2 (ja) 1984-01-27 1984-01-27 ダイヤフラムセンサの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4670969A (ja)
EP (1) EP0150827B1 (ja)
JP (1) JPH0712086B2 (ja)
KR (1) KR920007793B1 (ja)
DE (1) DE3571694D1 (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1314410C (en) * 1986-12-08 1993-03-16 Masanori Nishiguchi Wiring structure of semiconductor pressure sensor
US4721938A (en) * 1986-12-22 1988-01-26 Delco Electronics Corporation Process for forming a silicon pressure transducer
US5167158A (en) * 1987-10-07 1992-12-01 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Semiconductor film pressure sensor and method of manufacturing same
GB2215914B (en) * 1988-03-17 1991-07-03 Emi Plc Thorn A microengineered diaphragm pressure switch and a method of manufacture thereof
US4808549A (en) * 1988-05-27 1989-02-28 Ford Motor Company Method for fabricating a silicon force transducer
DE68913257T2 (de) * 1988-10-02 1994-07-07 Canon Kk Gegenstand aus Kristall und Verfahren zu seiner Herstellung.
FR2643148B1 (fr) * 1989-02-15 1991-12-06 Schlumberger Ind Sa Capteur de pression du type semiconducteur sur isolant
US5223444A (en) * 1989-02-15 1993-06-29 Societe D'applications Generales Method for making a pressure sensor of the semiconductor-on-insulator type
US4889590A (en) * 1989-04-27 1989-12-26 Motorola Inc. Semiconductor pressure sensor means and method
FR2656738B1 (fr) * 1989-12-29 1995-03-17 Telemecanique Procede pour fabriquer un dispositif semiconducteur, dispositif et composant semiconducteur obtenus par le procede.
JP2890601B2 (ja) * 1990-02-08 1999-05-17 株式会社デンソー 半導体センサ
DE4017265A1 (de) * 1990-05-29 1991-12-05 Fraunhofer Ges Forschung Mikromechanisches bauelement und verfahren zur herstellung desselben
JPH04105369A (ja) * 1990-08-24 1992-04-07 Honda Motor Co Ltd 半導体センサ
US5068203A (en) * 1990-09-04 1991-11-26 Delco Electronics Corporation Method for forming thin silicon membrane or beam
CA2058024A1 (en) * 1990-12-19 1992-06-20 Jeffrey S. Haviland Integrated sensor array
US5969591A (en) * 1991-03-28 1999-10-19 The Foxboro Company Single-sided differential pressure sensor
US5225377A (en) * 1991-05-03 1993-07-06 Honeywell Inc. Method for micromachining semiconductor material
US5155061A (en) * 1991-06-03 1992-10-13 Allied-Signal Inc. Method for fabricating a silicon pressure sensor incorporating silicon-on-insulator structures
US6903084B2 (en) 1991-08-29 2005-06-07 Sterix Limited Steroid sulphatase inhibitors
DE4201910C2 (de) * 1991-11-29 1995-05-11 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur für eine integrierte Leistungsschaltung mit einem vertikalen Leistungsbauelement
US6140143A (en) * 1992-02-10 2000-10-31 Lucas Novasensor Inc. Method of producing a buried boss diaphragm structure in silicon
US5616514A (en) * 1993-06-03 1997-04-01 Robert Bosch Gmbh Method of fabricating a micromechanical sensor
DE4318466B4 (de) * 1993-06-03 2004-12-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensors
US5738731A (en) * 1993-11-19 1998-04-14 Mega Chips Corporation Photovoltaic device
DE69512544T2 (de) * 1994-03-18 2000-05-25 Foxboro Co Halbleiter-Druckwandler mit Einkristall-Silizium-Membran und Einkristall-Dehnungsmessstreifen und Herstellungsverfahren dazu
US6247369B1 (en) 1995-04-04 2001-06-19 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics Of Space Administration Multi-channel electronically scanned cryogenic pressure sensor and method for making same
US5591679A (en) * 1995-04-12 1997-01-07 Sensonor A/S Sealed cavity arrangement method
JP3624597B2 (ja) * 1996-12-10 2005-03-02 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
TW365057B (en) * 1997-12-31 1999-07-21 Ind Tech Res Inst Manufacturing method for micro-mirror on the silicon substrate
US6297069B1 (en) * 1999-01-28 2001-10-02 Honeywell Inc. Method for supporting during fabrication mechanical members of semi-conductive dies, wafers, and devices and an associated intermediate device assembly
US7335650B2 (en) * 2000-01-14 2008-02-26 Sterix Limited Composition
US6564642B1 (en) 2000-11-02 2003-05-20 Kavlico Corporation Stable differential pressure measuring system
US6581468B2 (en) 2001-03-22 2003-06-24 Kavlico Corporation Independent-excitation cross-coupled differential-pressure transducer
JP4890689B2 (ja) * 2001-07-24 2012-03-07 オリンパス株式会社 三次元構造体の製造方法及び揺動体の製造方法
US6608370B1 (en) * 2002-01-28 2003-08-19 Motorola, Inc. Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same
JP2007017254A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサの製造方法
TWI305474B (en) * 2006-04-10 2009-01-11 Touch Micro System Tech Method of fabricating a diaphragm of a capacitive microphone device
CN106872527B (zh) * 2017-01-16 2019-10-29 沈阳工业大学 单晶高温合金再结晶的检测方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5277686A (en) * 1975-12-24 1977-06-30 Nippon Denso Co Ltd Manufacture of semiconductor diaphragm

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3819431A (en) * 1971-10-05 1974-06-25 Kulite Semiconductor Products Method of making transducers employing integral protective coatings and supports
US3893228A (en) * 1972-10-02 1975-07-08 Motorola Inc Silicon pressure sensor
GB1399988A (en) * 1972-10-02 1975-07-02 Motorola Inc Silicon pressure sensor
US3941629A (en) * 1974-04-11 1976-03-02 General Motors Corporation Diaphragm formation on silicon substrate
US4003127A (en) * 1974-11-25 1977-01-18 General Motors Corporation Polycrystalline silicon pressure transducer
US4141765A (en) * 1975-02-17 1979-02-27 Siemens Aktiengesellschaft Process for the production of extremely flat silicon troughs by selective etching with subsequent rate controlled epitaxial refill
NL7810549A (nl) * 1978-10-23 1980-04-25 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
US4323417A (en) * 1980-05-06 1982-04-06 Texas Instruments Incorporated Method of producing monocrystal on insulator
US4523964A (en) * 1981-02-12 1985-06-18 Becton, Dickinson And Company High temperature layered silicon structures
US4448632A (en) * 1981-05-25 1984-05-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of fabricating semiconductor devices
US4494300A (en) * 1981-06-30 1985-01-22 International Business Machines, Inc. Process for forming transistors using silicon ribbons as substrates
US4510671A (en) * 1981-08-31 1985-04-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Dielectrically isolated transducer employing single crystal strain gages
US4522661A (en) * 1983-06-24 1985-06-11 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Low defect, high purity crystalline layers grown by selective deposition

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5277686A (en) * 1975-12-24 1977-06-30 Nippon Denso Co Ltd Manufacture of semiconductor diaphragm

Also Published As

Publication number Publication date
KR920007793B1 (ko) 1992-09-17
KR850005738A (ko) 1985-08-28
EP0150827A3 (en) 1986-08-27
JPH0712086B2 (ja) 1995-02-08
EP0150827A2 (en) 1985-08-07
DE3571694D1 (en) 1989-08-24
EP0150827B1 (en) 1989-07-19
US4670969A (en) 1987-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60158675A (ja) ダイヤフラムセンサ
JP2560140B2 (ja) 半導体装置
JPS59117271A (ja) 圧力感知素子を有する半導体装置とその製造法
JP2940293B2 (ja) 半導体加速度センサの製造方法
JP3489309B2 (ja) 半導体力学量センサの製造方法および異方性エッチングマスク
JP3399660B2 (ja) 表面型の加速度センサの製造方法
US5172205A (en) Piezoresistive semiconductor device suitable for use in a pressure sensor
JP2918299B2 (ja) 半導体圧力センサおよびそれを有する半導体装置の製造方法
JP2558549B2 (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
JPH11142270A (ja) 多結晶性半導体材料のダイアフラムを有する集積ピエゾ抵抗性圧力センサおよびその製造方法
JP3290047B2 (ja) 加速度センサ及びその製造方法
JPS63308390A (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JPH02218172A (ja) 半導体加速度センサの製造方法
JPH07183477A (ja) 半導体基板の製造方法
JPH0779167B2 (ja) 集積化半導体圧力センサ
JPH06221945A (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
JPH07107938B2 (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JPS62266875A (ja) 半導体圧力センサ
JPS6062164A (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JPS63237482A (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JPH03284871A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH06331471A (ja) 半導体圧力センサ
JPH02143465A (ja) 半導体センサおよびその製造方法
JPH05102494A (ja) シリコンダイアフラム圧力センサの製造方法
JP2540973B2 (ja) 半導体加速度センサ