JP3399660B2 - 表面型の加速度センサの製造方法 - Google Patents
表面型の加速度センサの製造方法Info
- Publication number
- JP3399660B2 JP3399660B2 JP24312794A JP24312794A JP3399660B2 JP 3399660 B2 JP3399660 B2 JP 3399660B2 JP 24312794 A JP24312794 A JP 24312794A JP 24312794 A JP24312794 A JP 24312794A JP 3399660 B2 JP3399660 B2 JP 3399660B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- silicon
- forming
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00047—Cavities
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0118—Cantilevers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0111—Bulk micromachining
- B81C2201/0115—Porous silicon
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/96—Porous semiconductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン基板の表面側
に形成された薄膜をエッチングすることによって製造さ
れる、表面型の加速度センサの製造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、自動車におけるABS(アンチロ
ックブレーキシステム)、エアバッグシステム、サスペ
ンションコントロールシステム等に利用される加速度セ
ンサとして、例えば図23に示されるバルク型の歪みゲ
ージ式加速度センサ40が知られている。 【0003】このタイプの加速度センサ40は、直方体
状をした面方位(100)のシリコン単結晶基板41の
バルクを、その表面及び裏面の双方から選択的にエッチ
ング(結晶異方性エッチング)することによって製造さ
れる。エッチングによって形成されたカンチレバー構造
部42は、片持ち梁43とマス部44とによって構成さ
れている。マス部44は、おもりの役割を果たすもので
あり、前記片持ち梁43の先端に配置されている。片持
ち梁43の上面には、複数の歪みゲージ45が形成され
ている。従って、この加速度センサ40に加速度が印加
すると、マス部44が所定の方向に変位し、片持ち梁4
3に湾曲が生じる。このとき、片持ち梁43の上面に形
成された歪みゲージ45に歪みが生じる結果、いわゆる
シリコンのピエゾ抵抗効果によって、歪みゲージ45の
抵抗値が増加または減少する。そして、この抵抗値の変
化を検出することによって、加速度が検知される。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の加速
度センサ40の場合、所定の検出感度を得るためには、
少なくとも厚さtが200μm〜300μmのシリコン
単結晶基板41を使用して、ある程度肉厚なマス部44
を形成する必要がある。 【0005】しかし、肉厚なシリコン単結晶基板41を
裏面側からエッチングするときには、異方性エッチング
の特性(即ち、(111) 面に沿った開口角θ=125.26 °の
エッチング穴が形成されること)を考慮して、開口部a
の寸法をある程度大きく設定しなければならない。これ
に伴ってチップの幅Wも大きくなり、加速度センサ40
全体の小型化が充分に図れないという問題があった。 【0006】また、図24に示されるように、バルク型
の加速度センサ40は、通常、シリコン単結晶基板41
の裏面に塗布されたダイボンド材46を介して別の基板
47上に接合される。この場合、マス部44を変位可能
な状態にするためには、マス部44へのダイボンド材4
6の付着や、マス部44と基板47との接触を回避させ
ておく必要がある。しかし、そのためにはシリコン単結
晶基板41の裏面に台座48を配置する必要があり、加
速度センサ40の実装作業が煩雑であった。 【0007】上記のバルク型の加速度センサ40とは別
のタイプのセンサとして、シリコン基板の表面側に形成
された薄膜をエッチングすることによって製造される、
いわゆる表面型の加速度センサが知られている。例えば
特公平4−71344号公報には、この種の加速度セン
サを「陽極化成」によって製造する方法が開示されてい
る。その概要を以下に簡単に記す。 【0008】まずp型単結晶シリコン基板の一部を陽極
化成し、多孔質シリコン層を形成する。次に、その表面
にp型の単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ
る。次にそのエピタキシャル成長層の一部を除去し、そ
こから露出した多孔質シリコン層を酸化させる。次にエ
ピタキシャル成長層上面の所定部分に、n型の拡散歪み
ゲージを形成する。次に酸化された多孔質シリコン層を
ふっ酸でエッチングし、エピタキシャル成長層の下部に
空洞部を形成する。最後に前記拡散歪みゲージに電極を
形成して、表面型の加速度センサを完成させる。 【0009】ところが、この製造方法には次の〜に
記す問題点があった。即ち、p型単結晶シリコン基板
上にSi3 N4 マスクを配置し、その開口部を陽極化成
するという方法が採られているため、陽極化成部の大き
さや深さにばらつきが生じやすい。従って、処理温度や
処理時間等を厳密に設定する必要がある。ポーラスな
多孔質シリコン上へのエピタキシャル成長層の形成は、
極めて困難である。エピタキシャル成長層がp型であ
るため、拡散歪みゲージをn型にする必要がある。この
場合、拡散歪みゲージがp型であるときに比べてゲージ
ファクターが小さくなり、所望の検出感度が得られな
い。陽極化成部をエッチングした後に配線パターンの
形成が行われるため、フォトリソグラフィ工程を実施す
るときに空洞部内にレジストが入り込む。このため、レ
ジストを除去する作業が必要になる。 【0010】また、上記の特公平4−71344号公報
の加速度センサに限られず、表面型の加速度センサの場
合、一般的に大きなマス部を形成することが難しかっ
た。そのため、バルク型と同等の検出感度を備えた表面
型の加速度センサの登場が望まれていた。 【0011】 【0012】本発明は上記の課題を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、上記の優れた表面型の加
速度センサを製造する際の工程簡略化及び作業容易化を
達成することができる表面型の加速度センサの製造方法
を提供することにある。 【0013】 【0014】 【0015】 【0016】 【0017】 【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、不純物添加によって、p型単結晶シリコン基板の表
面側の所定領域に第1のp型シリコン層を形成する工程
と、前記p型単結晶シリコン基板の上面にn型単結晶シ
リコンからなる第1のエピタキシャル成長層を形成する
ことによって、同エピタキシャル成長層内に前記第1の
p型シリコン層を埋め込む工程と、不純物添加によっ
て、前記第1のエピタキシャル成長層の所定領域に第2
のp型シリコン層を形成する工程と、前記第1のエピタ
キシャル成長層の上面にn型単結晶シリコンからなる第
2のエピタキシャル成長層を形成することによって、同
エピタキシャル成長層内に前記第2のp型シリコン層を
埋め込む工程と、不純物添加によって、埋め込まれた前
記第2のp型シリコン層の上面に部分的に開口部形成用
のp型シリコン層を形成する工程と、前記エピタキシャ
ル成長層の上面にp型シリコンからなる歪みゲージを形
成する工程と、前記歪みゲージに接続する配線パターン
を形成した後、その配線パターンを覆うパッシベーショ
ン膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜の上面
にエッチングレジストを形成した状態で陽極化成処理を
行うことによって、前記各p型シリコン層を多孔質シリ
コン層に変化させる工程と、前記多孔質シリコン層をア
ルカリエッチングによって除去することにより、同多孔
質シリコン層があった部分を空洞化する工程とからなる
表面型の加速度センサの製造方法をその要旨とする。 【0018】 【0019】 【作用】請求項1に記載の発明によると、所定領域にあ
らかじめp型シリコン層を形成した後、そのp型シリコ
ン層を陽極化成するにことにより、当該部分に多孔質シ
リコン層が形成される。そして、この多孔質シリコン層
に対してアルカリエッチングを行うことにより、多孔質
シリコン層のみが選択的にエッチングされ、エピタキシ
ャル成長層に空洞部及びカンチレバー構造部が形成され
る。また、エピタキシャル成長層が2層であるため、よ
り複雑なカンチレバー構造部が形成される。 【0020】 【実施例】 〔実施例1〕以下、本発明を具体化した実施例1を図1
〜図11に基づき詳細に説明する。 【0021】図1,図2には、本実施例の表面型の加速
度センサ1の構成が概略的に示されている。面方位(1
10)のp型シリコン単結晶基板(以下、単にシリコン
基板と呼ぶ。)2の表面側中央部には、多孔質化された
p型シリコンからなる層をアルカリエッチングすること
によって得られる略正方形状の凹部3が形成されてい
る。この凹部3は、略コ字状の開口部4を有する。この
凹部3内には、カンチレバー構造部としての片持ち梁5
が上下方向に変位可能に配置されている。この片持ち梁
5は、主としてn型単結晶シリコンのエピタキシャル成
長層6によって構成されている。片持ち梁5の基端部上
面には、不純物添加によってp型シリコンからなる拡散
歪みゲージ7が4つ形成されている。 【0022】エピタキシャル成長層6の上面には、層間
絶縁層として薄い酸化膜(SiO2膜)8が形成されて
いる。この酸化膜8の上面には、スパッタリングや真空
蒸着等の物理的成膜法によって、配線パターン9及びボ
ンディングパッド10が形成されている。また、前記酸
化膜8の所定部分、即ち拡散歪みゲージ7の両端上側と
なる部分には、層間接続用のコンタクトホール11が形
成されている。コンタクトホール11は、配線パターン
9とその下層にある拡散歪みゲージ7とを電気的に接続
している。そして、これらの配線パターン9は、シリコ
ン基板2の外縁部上面に配置されたボンディングパッド
10にそれぞれ電気的に接続されている。酸化膜8の上
面には、表層における絶縁を図るための薄いパッシベー
ション膜12が、上記の物理的成膜法によって形成され
ている。前記パッシベーション膜12の所定部分に設け
られた開口部からは、ボンディングパッド10が露出さ
れている。 【0023】図3には、加速度センサ1を別の基板(マ
ザーボード)13に実装した状態が示されている。即
ち、シリコン基板2の裏面には全体的にダイボンド材1
4が塗布され、そのダイボンド材14を介してシリコン
基板2とマザーボード13とが接合される。そして、シ
リコン基板2側のボンディングパッド10とマザーボー
ド13側のボンディングパッド15とは、ワイヤボンデ
ィング16を介して電気的に接続される。なお、前記マ
ザーボード13には、加速度センサ1からの出力電圧に
基づいて加速度を求めるための信号処理回路が形成され
ている。 【0024】また、本実施例において各部の寸法は以下
の通りである。即ち、シリコン基板2(ただし、エピタ
キシャル成長層6を含む。)の幅W及び厚さtは、約5
00μm,約500μm〜1000μmである。片持ち
梁5の厚さ、幅及び長さは、それぞれ約10μm,約2
00μm,約300μmである。片持ち梁5の底面と凹
部3の内底面との間のクリアランスは約10μmであ
る。酸化膜8の厚さ及びパッシベーション膜12の厚さ
は、それぞれ約1μm,約1μmである。 【0025】図4には、拡散歪みゲージ7(詳細には拡
散歪み抵抗R1 〜R4 )の等価回路が示されている。ブ
リッジ接続された4つの拡散歪み抵抗R1 〜R4 のう
ち、拡散歪み抵抗R1 ,R4 間のノードは、電源電圧V
ccの供給用のボンディングパッド10に接続されてい
る。一方、拡散歪み抵抗R2 ,R3 間のノードは、接地
用のボンディングパッド10に接続されている。拡散歪
み抵抗R3 ,R4 間のノードは、2つある出力用のボン
ディングパッド10のうちの一方に接続されている。拡
散歪み抵抗R1 ,R2 間のノードは、出力用のボンディ
ングパッド10のうちの他方に接続されている。なお、
図2には、片持ち梁5における各拡散歪み抵抗R1 〜R
4 のレイアウトが概略的に示されている。即ち、各拡散
歪み抵抗R1〜R4 は、R1 ,R2 ,R4 ,R3 の順に
ほぼ一直線上に配置されている。R1,R3 の長手方向
は、片持ち梁5の延びる方向と平行な関係にある。一
方、R2,R4 の長手方向は、片持ち梁5の延びる方向
と垂直な関係にある。従って、前者R1 ,R3 は〔11
0〕方向に延び、後者R2 ,R4 は〔1バー,1バー,
0〕方向に延びている。 【0026】この加速度センサ1に図1の矢印A1 の方
向から加速度が印加すると、片持ち梁5が全体的に下方
に変位し、片持ち梁5の基端部に湾曲が生じる。このと
き、拡散歪みゲージ7(拡散歪み抵抗R1 〜R4 )に歪
みが生じる結果、シリコンのピエゾ抵抗効果によって各
拡散歪みゲージ7の抵抗値が増加または減少する。そし
て、この抵抗値の変化を検出することによって、加速度
が検知される。 【0027】次に、本実施例の加速度センサ1の製造手
順を図5〜図11に基づいて説明する。まず、図5に示
されるように、直方体状をした面方位(110)のp型
単結晶シリコン基板2を用意し、このシリコン基板2の
表面に図示しないマスクを形成する。次いで、前記シリ
コン基板2に対してイオン注入等によってほう素を打ち
込み、さらにそのほう素を熱拡散させる。この結果、図
6に示されるように、シリコン基板2のほぼ中央部にp
型シリコン層21が形成される。 【0028】次に、図7に示されるように、p型シリコ
ン層21が形成されたシリコン基板2の上面に、気相成
長によってn型単結晶シリコンからなるエピタキシャル
成長層6を形成する。その結果、エピタキシャル成長層
6内にp型シリコン層21が埋め込まれた状態となる。
この後、エピタキシャル成長層6が形成されたシリコン
基板2の表面に、図示しないマスクを形成する。さら
に、フォトエッチングによってマスクの所定領域に略コ
字状の開口部を形成する。 【0029】次に、前記シリコン基板2に対してイオン
注入等によってほう素を打ち込み、さらにそのほう素を
熱拡散させる。この結果、図8に示されるように、エピ
タキシャル成長層6に、略コ字状をした開口部形成用の
p型シリコン層22が形成される。このp型シリコン層
22は、埋め込まれているp型シリコン層21の深さま
で到達する。 【0030】次に、シリコン基板2のエピタキシャル成
長層6の上面に、図示しないマスクを配置する。次い
で、前記シリコン基板2に対してイオン注入等によって
ほう素を打ち込み、さらにそのほう素を熱拡散させる。
この結果、後に片持ち梁5の基端部上面となる部分に、
4つの拡散歪みゲージ7が形成される。次に、前記シリ
コン基板2を酸素中または空気中で加熱することによ
り、その上面に酸化膜8を形成する。次いで、フォトエ
ッチングを行うことによって、図9に示されるように、
酸化膜8の所定部分にコンタクトホール11を形成す
る。 【0031】次に、このシリコン基板2に対してAlの
スパッタリングまたは真空蒸着を行った後、フォトリソ
グラフィを行うことによって、配線パターン9及びボン
ディングパッド10を形成する。次いで、CVD等によ
ってSiNやSi3 N4 などを堆積させることにより、
図10に示されるように、シリコン基板2の上面に配線
パターン9を覆うようなパッシベーション膜12を形成
する。前記パッシベーション工程において、パッシベー
ション膜12には、ボンディングパッド10を露出させ
るための開口部12aと、略コ字状の開口部12bとが
形成される。この後、p型シリコン層22の上面にあた
る酸化膜8を除去することによって、p型シリコン層2
2の上面を露出させる。 【0032】次いで、パッシベーション膜12の上面を
全体的にエッチングレジスト23で被覆する。この後、
図11に示されるように、フォトリソグラフィによっ
て、p型シリコン層22の上面にあたる部分に略コ字状
の開口部24を形成する。そして、シリコン基板2を高
濃度のふっ酸水溶液中に浸漬し、この状態でシリコン基
板2を陽極として電流を流す。前記のような陽極化成に
よってp型シリコン層21,22の部分のみを選択的に
多孔質化することにより、当該部分を多孔質シリコン層
25に変化させる。 【0033】次に、TMAH(テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド)でアルカリエッチングを行うこ
とによって、多孔質シリコン層25を異方性エッチング
する。p型シリコン層21,22は、陽極化成を経て多
孔質化することにより、アルカリに溶解しやすくなって
いる。その結果、多孔質シリコン層25があった部分に
空洞部26が容易に形成される。最後に、不要となった
エッチングレジスト23を除去すれば、図1に示される
加速度センサ1が得られる。 【0034】さて、本実施例の加速度センサ1の場合、
カンチレバー構造部である片持ち梁5が、主としてn型
単結晶シリコンのエピタキシャル成長層6からなってい
る。このため、エピタキシャル成長層6の上面に、ゲー
ジファクターの大きなp型シリコンからなる拡散歪みゲ
ージ7を形成することができる。従って、n型シリコン
からなる拡散歪みゲージを備えた従来の加速度センサに
比較して、より高感度なものにすることができる。ま
た、この加速度センサ1はいわゆる表面型であるため、
シリコン基板2の裏面側からの異方性エッチングを経る
ことなく製造することができる。よって、従来のバルク
型の加速度センサに特有の問題(即ち、(111) 面に沿っ
たエッチング穴が形成されることに伴うチップ幅Wの増
大など)も解消される。ゆえに、所定の検出感度を維持
しつつ、加速度センサ1全体の小型化を図ることができ
る。加えて、表面型の加速度センサ1であると、片持ち
梁5がシリコン基板2の底面から露出することがないた
め、ダイボンド材14の付着やマザーボード13との接
触という事態も起こらない。従って、台座を配置する必
要もなくなり、加速度センサ1の実装作業が従来に比べ
て容易になる。 【0035】そして、本実施例の製造方法によると、次
のような作用効果を奏する。第1に、所定領域にあらか
じめp型シリコン層21,22を形成した後、同層を陽
極化成する方法であるため、シリコン基板2の表面を直
接的に陽極化成する従来方法と比較して、陽極化成部の
形状や深さにばらつきが生じにくい。第2に、p型シリ
コン層21上にエピタキシャル成長層6を形成する方法
であるため、とりわけ形成が困難であるということもな
い。第3に、パッシベーション工程の完了後に陽極化成
を行う方法であるため、空洞部26が未形成の状態でエ
ッチングレジスト23を形成することができる。よっ
て、エッチングレジスト23の形成が容易になる。換言
すると、空洞部26内にエッチングレジスト23が入り
込むことがないため、面倒な除去作業を行う必要もなく
なる。また、アルカリエッチングもパッシベーション工
程の完了後に行なわれるため、配線パターン9やボンデ
ィングパッド10等がエッチャントに汚染される心配も
ない。以上のようなことから、この製造方法によると、
加速度センサ1を製造する際の工程簡略化及び作業容易
化を達成することができる。 【0036】さらに、多孔質シリコン層25を除去する
この製造方法であると、シリコン基板2の面方位に特に
制約を受けないというメリットがある。また、本実施例
の製造方法は、基本的にはバイポーラICの製造プロセ
スに近いものである。従って、加速度センサ1とバイポ
ーラICとを一体化できるというメリットがある。この
ことは、加速度センサ1の小型化や高速化を実現するう
えで好都合である。 〔実施例2〕次に、図12〜図22に基づいて実施例2
を説明する。なお、実施例1と同様の構成については同
じ部材番号を付すかわりに、その詳細な説明を省略す
る。 【0037】図12(a),図12(b)には、本実施
例の表面型の加速度センサ31の構成が概略的に示され
ている。面方位(110)のp型シリコン単結晶基板2
の表面側中央部には、略正方形状の凹部3が形成されて
いる。前記凹部3は、矩形状をした4つの開口部4を有
している。また、この凹部3内には、実施例1とは異な
る形式のカンチレバー構造部が上下方向に変位可能に配
置されている。前記カンチレバー構造部は、4本の梁3
2と、これらの梁32により支持されたマス部33とに
よって構成されている。各梁32は、主としてn型単結
晶シリコンからなる第2のエピタキシャル成長層37に
よって構成されている。各梁32の上面には、不純物添
加によって、p型シリコンからなる拡散歪みゲージ7が
形成されている。おもりとして機能するマス部33は、
主としてn型単結晶シリコンからなる第1及び第2のエ
ピタキシャル成長層35,37によって構成されてい
る。 【0038】また、本実施例において各部の寸法は以下
の通りである。即ち、シリコン基板2(ただし、エピタ
キシャル成長層35,37を含む。)の幅W及び厚さt
は、1000μm,550μmである。第1及び第2の
エピタキシャル成長層35,37の厚さは、それぞれ約
10μm,約10μmである。その他の寸法については
実施例1と同様である。 【0039】図12(a)には、梁32における拡散歪
みゲージ7(各拡散歪み抵抗R1 〜R8 )のレイアウト
が概略的に示されている。各梁32の上面には、拡散歪
み抵抗R1 〜R8 が2つずつ形成されている。各拡散歪
み抵抗R1 〜R8 のうち、R1 とR3 ,R2 とR4 ,R
5 とR7 ,R6 とR8 がそれぞれ同じ梁32上に形成さ
れている。なお、各拡散歪み抵抗R1 〜R8 の長手方向
は、いずれも各梁32の延びる方向(即ち、<111> 方
向)と平行な関係にある。 【0040】図13には、拡散歪み抵抗R1 〜R8 の等
価回路が示されている。R1 とR2,R3 とR4 ,R5
とR6 ,R7 とR8 は、それぞれ直列に接続されてい
る。さらに、これらの8つの拡散歪み抵抗R1 〜R8
は、1つのブリッジを構成している。拡散歪み抵抗R1
,R8 間のノードは、電源電圧Vccの供給用のボンデ
ィングパッド10に接続されている。一方、拡散歪み抵
抗R4 ,R5 間のノードは、接地用のボンディングパッ
ド10に接続されている。拡散歪み抵抗R6 ,R7 間の
ノードは、2つある出力用のボンディングパッド10の
うちの一方に接続されている。拡散歪み抵抗R2 ,R3
間のノードは、出力用のボンディングパッド10のうち
の他方に接続されている。 【0041】この加速度センサ31に図12(b)の矢
印A1 の方向から加速度が印加すると、マス部33が下
方に変位し、各梁32に湾曲が生じる。このとき、拡散
歪みゲージ7(拡散歪み抵抗R1 〜R8 )に歪みが生じ
る結果、シリコンのピエゾ抵抗効果によって各拡散歪み
ゲージ7の抵抗値が増加または減少する。そして、この
抵抗値の変化を検出することによって、加速度が検知さ
れる。 【0042】次に、この加速度センサ31を製造する手
順を図14〜図22に基づいて説明する。ここでは、実
施例1との相違点を中心に説明する。まず、図14に示
されるように、直方体状をした面方位(110)のp型
単結晶シリコン基板2を用意し、このシリコン基板2の
表面に図示しないマスクを形成する。次いで、実施例1
のときと同様にほう素の不純物拡散を行い、図15に示
されるように、シリコン基板2のほぼ中央部に第1のp
型シリコン層34を形成する。 【0043】次に、図16に示されるように、第1のp
型シリコン層34が形成されたシリコン基板2の上面
に、気相成長によってn型単結晶シリコンからなる第1
のエピタキシャル成長層35を形成する。その結果、エ
ピタキシャル成長層35内に第1のp型シリコン層34
が埋め込まれた状態となる。この後、エピタキシャル成
長層35が形成されたシリコン基板2の表面に、図示し
ないマスクを形成する。さらに、フォトエッチングによ
ってマスクの所定領域に略ロ字状の開口部を形成する。
次に、前記シリコン基板2に対するほう素の不純物拡散
によって、図17に示されるように、略ロ字状の第2の
p型シリコン層36を形成する。 【0044】次に、図18に示されるように、第2のp
型シリコン層36が形成されたシリコン基板2の上面
に、気相成長によってn型単結晶シリコンからなる第2
のエピタキシャル成長層37を形成する。その結果、エ
ピタキシャル成長層37内に第2のp型シリコン層36
が埋め込まれた状態となる。この後、エピタキシャル成
長層37が形成されたシリコン基板2の表面に、図示し
ないマスクを形成する。さらに、フォトエッチングによ
ってマスクの所定領域に開口部を4つ形成する。次に、
前記シリコン基板2に対するほう素の不純物拡散によっ
て、図19に示されるように、開口部形成用のp型シリ
コン層22を4箇所に形成する。このp型シリコン層2
2は、埋め込まれている第2のp型シリコン層36の深
さまで到達する。 【0045】これ以降の製造プロセス(拡散歪みゲージ
7や酸化膜8等の形成、配線・パッシベーション工程、
エッチングレジスト23の形成、陽極化成、アルカリエ
ッチング)については、実施例1のときと同様に行われ
る(図20〜図22参照)。最後に、不要となったエッ
チングレジスト23を除去すれば、図12に示される加
速度センサ31が得られる。 【0046】さて、本実施例の加速度センサ31であっ
ても前記実施例1のときと同様の作用効果を奏すること
は明らかである。これに加えて、特にこの製造方法であ
ると、エピタキシャル成長層35,37が2層であるこ
とから、複雑な形状の空洞部26でも比較的容易に形成
することができる。従って、図12のようにマス部33
を備えたカンチレバー構造部を形成するうえで好都合で
ある。このため、本実施例によると、バルク型に匹敵す
る検出感度を達成することが可能になる。なお、マス部
33の厚さや梁32の厚さは、第1及び第2のエピタキ
シャル成長層35,37の厚さ設定により、比較的簡単
に制御することができる。 【0047】本発明は、例えば次のように変更すること
が可能である。 (1) p型単結晶シリコン基板2として面方位(11
0)以外の基板、例えば(111)基板や(100)基
板等を使用してもよい。なお、実施例1において(10
0)基板を使用すれば、より高感度にすることができ
る。 【0048】(2) TMAH以外のアルカリ系エッチ
ャントとして、例えばKOH、ヒドラジン、EPW(エ
チレンジアミン−ピロカテコール−水)等を使用しても
よい。 【0049】(3) 配線パターン9及びボンディング
パッド10を形成する金属材料として、Alのほかに例
えばAu等を選択してもよい。 (4) 実施例2において、梁32の本数、形状、レイ
アウトは実施例と異なるものでも構わない。即ち、梁3
2の本数は3本以下や5本以上でもよい。また、梁32
をマス部33のコーナー部に配置してもよい。 【0050】(5) 加速度センサ1,31を製造する
場合、n型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層6,
35,37に代えて、例えばn型の多結晶シリコン層や
アモルファスシリコン層等を形成してもよい。 【0051】(6) 実施例1,2において例示した拡
散型の歪みゲージ7に代えて、例えばCrや多結晶シリ
コン等からなる薄膜歪みゲージを形成してもよい。 (7) 実施例1において、片持ち梁5の先端部下側に
マス部33を形成してもよい。また、実施例2におい
て、マス部33を省略した構成としてもよい。 【0052】(8)シリコン基板2の表面におけるカン
チレバー構造部の周囲のスペースに、信号論理回路等と
して機能するバイポーラICを形成してもよい。 【0053】 【0054】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。 「カンチレバー構造部: 加速度が印加した時に変位す
る部分を意味し、例えば1つまたは2つ以上の梁によっ
てマス部を支持させたものや、マス部を持たない片持ち
梁のみのもの等をいう。」 「陽極化成: 電解液中で基板を陽極として電流を流す
ことにより、その基板に多孔質層を形成する一括改質加
工をいう。」 【0055】 【0056】 【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、上記の
優れた表面型の加速度センサを製造する際の工程簡略化
及び作業容易化を達成することができる。また、マス部
を備えるカンチレバー構造部を比較的容易に形成するこ
とができる。
に形成された薄膜をエッチングすることによって製造さ
れる、表面型の加速度センサの製造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、自動車におけるABS(アンチロ
ックブレーキシステム)、エアバッグシステム、サスペ
ンションコントロールシステム等に利用される加速度セ
ンサとして、例えば図23に示されるバルク型の歪みゲ
ージ式加速度センサ40が知られている。 【0003】このタイプの加速度センサ40は、直方体
状をした面方位(100)のシリコン単結晶基板41の
バルクを、その表面及び裏面の双方から選択的にエッチ
ング(結晶異方性エッチング)することによって製造さ
れる。エッチングによって形成されたカンチレバー構造
部42は、片持ち梁43とマス部44とによって構成さ
れている。マス部44は、おもりの役割を果たすもので
あり、前記片持ち梁43の先端に配置されている。片持
ち梁43の上面には、複数の歪みゲージ45が形成され
ている。従って、この加速度センサ40に加速度が印加
すると、マス部44が所定の方向に変位し、片持ち梁4
3に湾曲が生じる。このとき、片持ち梁43の上面に形
成された歪みゲージ45に歪みが生じる結果、いわゆる
シリコンのピエゾ抵抗効果によって、歪みゲージ45の
抵抗値が増加または減少する。そして、この抵抗値の変
化を検出することによって、加速度が検知される。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の加速
度センサ40の場合、所定の検出感度を得るためには、
少なくとも厚さtが200μm〜300μmのシリコン
単結晶基板41を使用して、ある程度肉厚なマス部44
を形成する必要がある。 【0005】しかし、肉厚なシリコン単結晶基板41を
裏面側からエッチングするときには、異方性エッチング
の特性(即ち、(111) 面に沿った開口角θ=125.26 °の
エッチング穴が形成されること)を考慮して、開口部a
の寸法をある程度大きく設定しなければならない。これ
に伴ってチップの幅Wも大きくなり、加速度センサ40
全体の小型化が充分に図れないという問題があった。 【0006】また、図24に示されるように、バルク型
の加速度センサ40は、通常、シリコン単結晶基板41
の裏面に塗布されたダイボンド材46を介して別の基板
47上に接合される。この場合、マス部44を変位可能
な状態にするためには、マス部44へのダイボンド材4
6の付着や、マス部44と基板47との接触を回避させ
ておく必要がある。しかし、そのためにはシリコン単結
晶基板41の裏面に台座48を配置する必要があり、加
速度センサ40の実装作業が煩雑であった。 【0007】上記のバルク型の加速度センサ40とは別
のタイプのセンサとして、シリコン基板の表面側に形成
された薄膜をエッチングすることによって製造される、
いわゆる表面型の加速度センサが知られている。例えば
特公平4−71344号公報には、この種の加速度セン
サを「陽極化成」によって製造する方法が開示されてい
る。その概要を以下に簡単に記す。 【0008】まずp型単結晶シリコン基板の一部を陽極
化成し、多孔質シリコン層を形成する。次に、その表面
にp型の単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ
る。次にそのエピタキシャル成長層の一部を除去し、そ
こから露出した多孔質シリコン層を酸化させる。次にエ
ピタキシャル成長層上面の所定部分に、n型の拡散歪み
ゲージを形成する。次に酸化された多孔質シリコン層を
ふっ酸でエッチングし、エピタキシャル成長層の下部に
空洞部を形成する。最後に前記拡散歪みゲージに電極を
形成して、表面型の加速度センサを完成させる。 【0009】ところが、この製造方法には次の〜に
記す問題点があった。即ち、p型単結晶シリコン基板
上にSi3 N4 マスクを配置し、その開口部を陽極化成
するという方法が採られているため、陽極化成部の大き
さや深さにばらつきが生じやすい。従って、処理温度や
処理時間等を厳密に設定する必要がある。ポーラスな
多孔質シリコン上へのエピタキシャル成長層の形成は、
極めて困難である。エピタキシャル成長層がp型であ
るため、拡散歪みゲージをn型にする必要がある。この
場合、拡散歪みゲージがp型であるときに比べてゲージ
ファクターが小さくなり、所望の検出感度が得られな
い。陽極化成部をエッチングした後に配線パターンの
形成が行われるため、フォトリソグラフィ工程を実施す
るときに空洞部内にレジストが入り込む。このため、レ
ジストを除去する作業が必要になる。 【0010】また、上記の特公平4−71344号公報
の加速度センサに限られず、表面型の加速度センサの場
合、一般的に大きなマス部を形成することが難しかっ
た。そのため、バルク型と同等の検出感度を備えた表面
型の加速度センサの登場が望まれていた。 【0011】 【0012】本発明は上記の課題を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、上記の優れた表面型の加
速度センサを製造する際の工程簡略化及び作業容易化を
達成することができる表面型の加速度センサの製造方法
を提供することにある。 【0013】 【0014】 【0015】 【0016】 【0017】 【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、不純物添加によって、p型単結晶シリコン基板の表
面側の所定領域に第1のp型シリコン層を形成する工程
と、前記p型単結晶シリコン基板の上面にn型単結晶シ
リコンからなる第1のエピタキシャル成長層を形成する
ことによって、同エピタキシャル成長層内に前記第1の
p型シリコン層を埋め込む工程と、不純物添加によっ
て、前記第1のエピタキシャル成長層の所定領域に第2
のp型シリコン層を形成する工程と、前記第1のエピタ
キシャル成長層の上面にn型単結晶シリコンからなる第
2のエピタキシャル成長層を形成することによって、同
エピタキシャル成長層内に前記第2のp型シリコン層を
埋め込む工程と、不純物添加によって、埋め込まれた前
記第2のp型シリコン層の上面に部分的に開口部形成用
のp型シリコン層を形成する工程と、前記エピタキシャ
ル成長層の上面にp型シリコンからなる歪みゲージを形
成する工程と、前記歪みゲージに接続する配線パターン
を形成した後、その配線パターンを覆うパッシベーショ
ン膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜の上面
にエッチングレジストを形成した状態で陽極化成処理を
行うことによって、前記各p型シリコン層を多孔質シリ
コン層に変化させる工程と、前記多孔質シリコン層をア
ルカリエッチングによって除去することにより、同多孔
質シリコン層があった部分を空洞化する工程とからなる
表面型の加速度センサの製造方法をその要旨とする。 【0018】 【0019】 【作用】請求項1に記載の発明によると、所定領域にあ
らかじめp型シリコン層を形成した後、そのp型シリコ
ン層を陽極化成するにことにより、当該部分に多孔質シ
リコン層が形成される。そして、この多孔質シリコン層
に対してアルカリエッチングを行うことにより、多孔質
シリコン層のみが選択的にエッチングされ、エピタキシ
ャル成長層に空洞部及びカンチレバー構造部が形成され
る。また、エピタキシャル成長層が2層であるため、よ
り複雑なカンチレバー構造部が形成される。 【0020】 【実施例】 〔実施例1〕以下、本発明を具体化した実施例1を図1
〜図11に基づき詳細に説明する。 【0021】図1,図2には、本実施例の表面型の加速
度センサ1の構成が概略的に示されている。面方位(1
10)のp型シリコン単結晶基板(以下、単にシリコン
基板と呼ぶ。)2の表面側中央部には、多孔質化された
p型シリコンからなる層をアルカリエッチングすること
によって得られる略正方形状の凹部3が形成されてい
る。この凹部3は、略コ字状の開口部4を有する。この
凹部3内には、カンチレバー構造部としての片持ち梁5
が上下方向に変位可能に配置されている。この片持ち梁
5は、主としてn型単結晶シリコンのエピタキシャル成
長層6によって構成されている。片持ち梁5の基端部上
面には、不純物添加によってp型シリコンからなる拡散
歪みゲージ7が4つ形成されている。 【0022】エピタキシャル成長層6の上面には、層間
絶縁層として薄い酸化膜(SiO2膜)8が形成されて
いる。この酸化膜8の上面には、スパッタリングや真空
蒸着等の物理的成膜法によって、配線パターン9及びボ
ンディングパッド10が形成されている。また、前記酸
化膜8の所定部分、即ち拡散歪みゲージ7の両端上側と
なる部分には、層間接続用のコンタクトホール11が形
成されている。コンタクトホール11は、配線パターン
9とその下層にある拡散歪みゲージ7とを電気的に接続
している。そして、これらの配線パターン9は、シリコ
ン基板2の外縁部上面に配置されたボンディングパッド
10にそれぞれ電気的に接続されている。酸化膜8の上
面には、表層における絶縁を図るための薄いパッシベー
ション膜12が、上記の物理的成膜法によって形成され
ている。前記パッシベーション膜12の所定部分に設け
られた開口部からは、ボンディングパッド10が露出さ
れている。 【0023】図3には、加速度センサ1を別の基板(マ
ザーボード)13に実装した状態が示されている。即
ち、シリコン基板2の裏面には全体的にダイボンド材1
4が塗布され、そのダイボンド材14を介してシリコン
基板2とマザーボード13とが接合される。そして、シ
リコン基板2側のボンディングパッド10とマザーボー
ド13側のボンディングパッド15とは、ワイヤボンデ
ィング16を介して電気的に接続される。なお、前記マ
ザーボード13には、加速度センサ1からの出力電圧に
基づいて加速度を求めるための信号処理回路が形成され
ている。 【0024】また、本実施例において各部の寸法は以下
の通りである。即ち、シリコン基板2(ただし、エピタ
キシャル成長層6を含む。)の幅W及び厚さtは、約5
00μm,約500μm〜1000μmである。片持ち
梁5の厚さ、幅及び長さは、それぞれ約10μm,約2
00μm,約300μmである。片持ち梁5の底面と凹
部3の内底面との間のクリアランスは約10μmであ
る。酸化膜8の厚さ及びパッシベーション膜12の厚さ
は、それぞれ約1μm,約1μmである。 【0025】図4には、拡散歪みゲージ7(詳細には拡
散歪み抵抗R1 〜R4 )の等価回路が示されている。ブ
リッジ接続された4つの拡散歪み抵抗R1 〜R4 のう
ち、拡散歪み抵抗R1 ,R4 間のノードは、電源電圧V
ccの供給用のボンディングパッド10に接続されてい
る。一方、拡散歪み抵抗R2 ,R3 間のノードは、接地
用のボンディングパッド10に接続されている。拡散歪
み抵抗R3 ,R4 間のノードは、2つある出力用のボン
ディングパッド10のうちの一方に接続されている。拡
散歪み抵抗R1 ,R2 間のノードは、出力用のボンディ
ングパッド10のうちの他方に接続されている。なお、
図2には、片持ち梁5における各拡散歪み抵抗R1 〜R
4 のレイアウトが概略的に示されている。即ち、各拡散
歪み抵抗R1〜R4 は、R1 ,R2 ,R4 ,R3 の順に
ほぼ一直線上に配置されている。R1,R3 の長手方向
は、片持ち梁5の延びる方向と平行な関係にある。一
方、R2,R4 の長手方向は、片持ち梁5の延びる方向
と垂直な関係にある。従って、前者R1 ,R3 は〔11
0〕方向に延び、後者R2 ,R4 は〔1バー,1バー,
0〕方向に延びている。 【0026】この加速度センサ1に図1の矢印A1 の方
向から加速度が印加すると、片持ち梁5が全体的に下方
に変位し、片持ち梁5の基端部に湾曲が生じる。このと
き、拡散歪みゲージ7(拡散歪み抵抗R1 〜R4 )に歪
みが生じる結果、シリコンのピエゾ抵抗効果によって各
拡散歪みゲージ7の抵抗値が増加または減少する。そし
て、この抵抗値の変化を検出することによって、加速度
が検知される。 【0027】次に、本実施例の加速度センサ1の製造手
順を図5〜図11に基づいて説明する。まず、図5に示
されるように、直方体状をした面方位(110)のp型
単結晶シリコン基板2を用意し、このシリコン基板2の
表面に図示しないマスクを形成する。次いで、前記シリ
コン基板2に対してイオン注入等によってほう素を打ち
込み、さらにそのほう素を熱拡散させる。この結果、図
6に示されるように、シリコン基板2のほぼ中央部にp
型シリコン層21が形成される。 【0028】次に、図7に示されるように、p型シリコ
ン層21が形成されたシリコン基板2の上面に、気相成
長によってn型単結晶シリコンからなるエピタキシャル
成長層6を形成する。その結果、エピタキシャル成長層
6内にp型シリコン層21が埋め込まれた状態となる。
この後、エピタキシャル成長層6が形成されたシリコン
基板2の表面に、図示しないマスクを形成する。さら
に、フォトエッチングによってマスクの所定領域に略コ
字状の開口部を形成する。 【0029】次に、前記シリコン基板2に対してイオン
注入等によってほう素を打ち込み、さらにそのほう素を
熱拡散させる。この結果、図8に示されるように、エピ
タキシャル成長層6に、略コ字状をした開口部形成用の
p型シリコン層22が形成される。このp型シリコン層
22は、埋め込まれているp型シリコン層21の深さま
で到達する。 【0030】次に、シリコン基板2のエピタキシャル成
長層6の上面に、図示しないマスクを配置する。次い
で、前記シリコン基板2に対してイオン注入等によって
ほう素を打ち込み、さらにそのほう素を熱拡散させる。
この結果、後に片持ち梁5の基端部上面となる部分に、
4つの拡散歪みゲージ7が形成される。次に、前記シリ
コン基板2を酸素中または空気中で加熱することによ
り、その上面に酸化膜8を形成する。次いで、フォトエ
ッチングを行うことによって、図9に示されるように、
酸化膜8の所定部分にコンタクトホール11を形成す
る。 【0031】次に、このシリコン基板2に対してAlの
スパッタリングまたは真空蒸着を行った後、フォトリソ
グラフィを行うことによって、配線パターン9及びボン
ディングパッド10を形成する。次いで、CVD等によ
ってSiNやSi3 N4 などを堆積させることにより、
図10に示されるように、シリコン基板2の上面に配線
パターン9を覆うようなパッシベーション膜12を形成
する。前記パッシベーション工程において、パッシベー
ション膜12には、ボンディングパッド10を露出させ
るための開口部12aと、略コ字状の開口部12bとが
形成される。この後、p型シリコン層22の上面にあた
る酸化膜8を除去することによって、p型シリコン層2
2の上面を露出させる。 【0032】次いで、パッシベーション膜12の上面を
全体的にエッチングレジスト23で被覆する。この後、
図11に示されるように、フォトリソグラフィによっ
て、p型シリコン層22の上面にあたる部分に略コ字状
の開口部24を形成する。そして、シリコン基板2を高
濃度のふっ酸水溶液中に浸漬し、この状態でシリコン基
板2を陽極として電流を流す。前記のような陽極化成に
よってp型シリコン層21,22の部分のみを選択的に
多孔質化することにより、当該部分を多孔質シリコン層
25に変化させる。 【0033】次に、TMAH(テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド)でアルカリエッチングを行うこ
とによって、多孔質シリコン層25を異方性エッチング
する。p型シリコン層21,22は、陽極化成を経て多
孔質化することにより、アルカリに溶解しやすくなって
いる。その結果、多孔質シリコン層25があった部分に
空洞部26が容易に形成される。最後に、不要となった
エッチングレジスト23を除去すれば、図1に示される
加速度センサ1が得られる。 【0034】さて、本実施例の加速度センサ1の場合、
カンチレバー構造部である片持ち梁5が、主としてn型
単結晶シリコンのエピタキシャル成長層6からなってい
る。このため、エピタキシャル成長層6の上面に、ゲー
ジファクターの大きなp型シリコンからなる拡散歪みゲ
ージ7を形成することができる。従って、n型シリコン
からなる拡散歪みゲージを備えた従来の加速度センサに
比較して、より高感度なものにすることができる。ま
た、この加速度センサ1はいわゆる表面型であるため、
シリコン基板2の裏面側からの異方性エッチングを経る
ことなく製造することができる。よって、従来のバルク
型の加速度センサに特有の問題(即ち、(111) 面に沿っ
たエッチング穴が形成されることに伴うチップ幅Wの増
大など)も解消される。ゆえに、所定の検出感度を維持
しつつ、加速度センサ1全体の小型化を図ることができ
る。加えて、表面型の加速度センサ1であると、片持ち
梁5がシリコン基板2の底面から露出することがないた
め、ダイボンド材14の付着やマザーボード13との接
触という事態も起こらない。従って、台座を配置する必
要もなくなり、加速度センサ1の実装作業が従来に比べ
て容易になる。 【0035】そして、本実施例の製造方法によると、次
のような作用効果を奏する。第1に、所定領域にあらか
じめp型シリコン層21,22を形成した後、同層を陽
極化成する方法であるため、シリコン基板2の表面を直
接的に陽極化成する従来方法と比較して、陽極化成部の
形状や深さにばらつきが生じにくい。第2に、p型シリ
コン層21上にエピタキシャル成長層6を形成する方法
であるため、とりわけ形成が困難であるということもな
い。第3に、パッシベーション工程の完了後に陽極化成
を行う方法であるため、空洞部26が未形成の状態でエ
ッチングレジスト23を形成することができる。よっ
て、エッチングレジスト23の形成が容易になる。換言
すると、空洞部26内にエッチングレジスト23が入り
込むことがないため、面倒な除去作業を行う必要もなく
なる。また、アルカリエッチングもパッシベーション工
程の完了後に行なわれるため、配線パターン9やボンデ
ィングパッド10等がエッチャントに汚染される心配も
ない。以上のようなことから、この製造方法によると、
加速度センサ1を製造する際の工程簡略化及び作業容易
化を達成することができる。 【0036】さらに、多孔質シリコン層25を除去する
この製造方法であると、シリコン基板2の面方位に特に
制約を受けないというメリットがある。また、本実施例
の製造方法は、基本的にはバイポーラICの製造プロセ
スに近いものである。従って、加速度センサ1とバイポ
ーラICとを一体化できるというメリットがある。この
ことは、加速度センサ1の小型化や高速化を実現するう
えで好都合である。 〔実施例2〕次に、図12〜図22に基づいて実施例2
を説明する。なお、実施例1と同様の構成については同
じ部材番号を付すかわりに、その詳細な説明を省略す
る。 【0037】図12(a),図12(b)には、本実施
例の表面型の加速度センサ31の構成が概略的に示され
ている。面方位(110)のp型シリコン単結晶基板2
の表面側中央部には、略正方形状の凹部3が形成されて
いる。前記凹部3は、矩形状をした4つの開口部4を有
している。また、この凹部3内には、実施例1とは異な
る形式のカンチレバー構造部が上下方向に変位可能に配
置されている。前記カンチレバー構造部は、4本の梁3
2と、これらの梁32により支持されたマス部33とに
よって構成されている。各梁32は、主としてn型単結
晶シリコンからなる第2のエピタキシャル成長層37に
よって構成されている。各梁32の上面には、不純物添
加によって、p型シリコンからなる拡散歪みゲージ7が
形成されている。おもりとして機能するマス部33は、
主としてn型単結晶シリコンからなる第1及び第2のエ
ピタキシャル成長層35,37によって構成されてい
る。 【0038】また、本実施例において各部の寸法は以下
の通りである。即ち、シリコン基板2(ただし、エピタ
キシャル成長層35,37を含む。)の幅W及び厚さt
は、1000μm,550μmである。第1及び第2の
エピタキシャル成長層35,37の厚さは、それぞれ約
10μm,約10μmである。その他の寸法については
実施例1と同様である。 【0039】図12(a)には、梁32における拡散歪
みゲージ7(各拡散歪み抵抗R1 〜R8 )のレイアウト
が概略的に示されている。各梁32の上面には、拡散歪
み抵抗R1 〜R8 が2つずつ形成されている。各拡散歪
み抵抗R1 〜R8 のうち、R1 とR3 ,R2 とR4 ,R
5 とR7 ,R6 とR8 がそれぞれ同じ梁32上に形成さ
れている。なお、各拡散歪み抵抗R1 〜R8 の長手方向
は、いずれも各梁32の延びる方向(即ち、<111> 方
向)と平行な関係にある。 【0040】図13には、拡散歪み抵抗R1 〜R8 の等
価回路が示されている。R1 とR2,R3 とR4 ,R5
とR6 ,R7 とR8 は、それぞれ直列に接続されてい
る。さらに、これらの8つの拡散歪み抵抗R1 〜R8
は、1つのブリッジを構成している。拡散歪み抵抗R1
,R8 間のノードは、電源電圧Vccの供給用のボンデ
ィングパッド10に接続されている。一方、拡散歪み抵
抗R4 ,R5 間のノードは、接地用のボンディングパッ
ド10に接続されている。拡散歪み抵抗R6 ,R7 間の
ノードは、2つある出力用のボンディングパッド10の
うちの一方に接続されている。拡散歪み抵抗R2 ,R3
間のノードは、出力用のボンディングパッド10のうち
の他方に接続されている。 【0041】この加速度センサ31に図12(b)の矢
印A1 の方向から加速度が印加すると、マス部33が下
方に変位し、各梁32に湾曲が生じる。このとき、拡散
歪みゲージ7(拡散歪み抵抗R1 〜R8 )に歪みが生じ
る結果、シリコンのピエゾ抵抗効果によって各拡散歪み
ゲージ7の抵抗値が増加または減少する。そして、この
抵抗値の変化を検出することによって、加速度が検知さ
れる。 【0042】次に、この加速度センサ31を製造する手
順を図14〜図22に基づいて説明する。ここでは、実
施例1との相違点を中心に説明する。まず、図14に示
されるように、直方体状をした面方位(110)のp型
単結晶シリコン基板2を用意し、このシリコン基板2の
表面に図示しないマスクを形成する。次いで、実施例1
のときと同様にほう素の不純物拡散を行い、図15に示
されるように、シリコン基板2のほぼ中央部に第1のp
型シリコン層34を形成する。 【0043】次に、図16に示されるように、第1のp
型シリコン層34が形成されたシリコン基板2の上面
に、気相成長によってn型単結晶シリコンからなる第1
のエピタキシャル成長層35を形成する。その結果、エ
ピタキシャル成長層35内に第1のp型シリコン層34
が埋め込まれた状態となる。この後、エピタキシャル成
長層35が形成されたシリコン基板2の表面に、図示し
ないマスクを形成する。さらに、フォトエッチングによ
ってマスクの所定領域に略ロ字状の開口部を形成する。
次に、前記シリコン基板2に対するほう素の不純物拡散
によって、図17に示されるように、略ロ字状の第2の
p型シリコン層36を形成する。 【0044】次に、図18に示されるように、第2のp
型シリコン層36が形成されたシリコン基板2の上面
に、気相成長によってn型単結晶シリコンからなる第2
のエピタキシャル成長層37を形成する。その結果、エ
ピタキシャル成長層37内に第2のp型シリコン層36
が埋め込まれた状態となる。この後、エピタキシャル成
長層37が形成されたシリコン基板2の表面に、図示し
ないマスクを形成する。さらに、フォトエッチングによ
ってマスクの所定領域に開口部を4つ形成する。次に、
前記シリコン基板2に対するほう素の不純物拡散によっ
て、図19に示されるように、開口部形成用のp型シリ
コン層22を4箇所に形成する。このp型シリコン層2
2は、埋め込まれている第2のp型シリコン層36の深
さまで到達する。 【0045】これ以降の製造プロセス(拡散歪みゲージ
7や酸化膜8等の形成、配線・パッシベーション工程、
エッチングレジスト23の形成、陽極化成、アルカリエ
ッチング)については、実施例1のときと同様に行われ
る(図20〜図22参照)。最後に、不要となったエッ
チングレジスト23を除去すれば、図12に示される加
速度センサ31が得られる。 【0046】さて、本実施例の加速度センサ31であっ
ても前記実施例1のときと同様の作用効果を奏すること
は明らかである。これに加えて、特にこの製造方法であ
ると、エピタキシャル成長層35,37が2層であるこ
とから、複雑な形状の空洞部26でも比較的容易に形成
することができる。従って、図12のようにマス部33
を備えたカンチレバー構造部を形成するうえで好都合で
ある。このため、本実施例によると、バルク型に匹敵す
る検出感度を達成することが可能になる。なお、マス部
33の厚さや梁32の厚さは、第1及び第2のエピタキ
シャル成長層35,37の厚さ設定により、比較的簡単
に制御することができる。 【0047】本発明は、例えば次のように変更すること
が可能である。 (1) p型単結晶シリコン基板2として面方位(11
0)以外の基板、例えば(111)基板や(100)基
板等を使用してもよい。なお、実施例1において(10
0)基板を使用すれば、より高感度にすることができ
る。 【0048】(2) TMAH以外のアルカリ系エッチ
ャントとして、例えばKOH、ヒドラジン、EPW(エ
チレンジアミン−ピロカテコール−水)等を使用しても
よい。 【0049】(3) 配線パターン9及びボンディング
パッド10を形成する金属材料として、Alのほかに例
えばAu等を選択してもよい。 (4) 実施例2において、梁32の本数、形状、レイ
アウトは実施例と異なるものでも構わない。即ち、梁3
2の本数は3本以下や5本以上でもよい。また、梁32
をマス部33のコーナー部に配置してもよい。 【0050】(5) 加速度センサ1,31を製造する
場合、n型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層6,
35,37に代えて、例えばn型の多結晶シリコン層や
アモルファスシリコン層等を形成してもよい。 【0051】(6) 実施例1,2において例示した拡
散型の歪みゲージ7に代えて、例えばCrや多結晶シリ
コン等からなる薄膜歪みゲージを形成してもよい。 (7) 実施例1において、片持ち梁5の先端部下側に
マス部33を形成してもよい。また、実施例2におい
て、マス部33を省略した構成としてもよい。 【0052】(8)シリコン基板2の表面におけるカン
チレバー構造部の周囲のスペースに、信号論理回路等と
して機能するバイポーラICを形成してもよい。 【0053】 【0054】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。 「カンチレバー構造部: 加速度が印加した時に変位す
る部分を意味し、例えば1つまたは2つ以上の梁によっ
てマス部を支持させたものや、マス部を持たない片持ち
梁のみのもの等をいう。」 「陽極化成: 電解液中で基板を陽極として電流を流す
ことにより、その基板に多孔質層を形成する一括改質加
工をいう。」 【0055】 【0056】 【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、上記の
優れた表面型の加速度センサを製造する際の工程簡略化
及び作業容易化を達成することができる。また、マス部
を備えるカンチレバー構造部を比較的容易に形成するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の表面式の加速度センサを示す概略断
面図。 【図2】同じくその概略平面図。 【図3】同加速度センサを実装した状態を示す概略断面
図。 【図4】同加速度センサの等価回路図。 【図5】(a)は同加速度センサの製造手順を示す概略
断面図、(b)はその概略平面図。 【図6】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平面
図。 【図7】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平面
図。 【図8】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平面
図。 【図9】同じく(a)は(b)のA−A線における概略
断面図、(b)は概略平面図。 【図10】同じく(a)は(b)のB−B線における概
略断面図、(b)は概略平面図。 【図11】同じく概略断面図。 【図12】(a)は実施例2の加速度センサを示す概略
平面図、(b)は(a)のC−C線における概略断面
図。 【図13】同じくその等価回路図。 【図14】(a)は実施例2の加速度センサを示す概略
平面図、(b)はその概略断面図。 【図15】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平
面図。 【図16】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平
面図。 【図17】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平
面図。 【図18】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平
面図。 【図19】同じく(a)は(b)のD−D線における概
略断面図、(b)は概略平面図。 【図20】同じく(a)は(b)のE−E線における概
略断面図、(b)は概略平面図。 【図21】同じく概略断面図。 【図22】同じく概略断面図。 【図23】従来のバルク型の加速度センサを示す概略断
面図。 【図24】同加速度センサを実装した状態を示す概略断
面図。 【符号の説明】 1…表面型の加速度センサ、2…p型単結晶シリコン基
板、3…凹部、5…カンチレバー構造部としての片持ち
梁、6…エピタキシャル成長層、7…歪みゲージ、9…
配線パターン、12…パッシベーション膜、21…p型
シリコン層、22…開口部形成用のp型シリコン層、2
3…エッチングレジスト、25…多孔質シリコン層、3
2…(カンチレバー構造部の一部としての)梁、33…
(カンチレバー構造部の一部としての)マス部、34…
第1のp型シリコン層、35…第1のエピタキシャル成
長層、36…第2のp型シリコン層、37…第2のエピ
タキシャル成長層。
面図。 【図2】同じくその概略平面図。 【図3】同加速度センサを実装した状態を示す概略断面
図。 【図4】同加速度センサの等価回路図。 【図5】(a)は同加速度センサの製造手順を示す概略
断面図、(b)はその概略平面図。 【図6】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平面
図。 【図7】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平面
図。 【図8】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平面
図。 【図9】同じく(a)は(b)のA−A線における概略
断面図、(b)は概略平面図。 【図10】同じく(a)は(b)のB−B線における概
略断面図、(b)は概略平面図。 【図11】同じく概略断面図。 【図12】(a)は実施例2の加速度センサを示す概略
平面図、(b)は(a)のC−C線における概略断面
図。 【図13】同じくその等価回路図。 【図14】(a)は実施例2の加速度センサを示す概略
平面図、(b)はその概略断面図。 【図15】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平
面図。 【図16】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平
面図。 【図17】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平
面図。 【図18】同じく(a)は概略断面図、(b)は概略平
面図。 【図19】同じく(a)は(b)のD−D線における概
略断面図、(b)は概略平面図。 【図20】同じく(a)は(b)のE−E線における概
略断面図、(b)は概略平面図。 【図21】同じく概略断面図。 【図22】同じく概略断面図。 【図23】従来のバルク型の加速度センサを示す概略断
面図。 【図24】同加速度センサを実装した状態を示す概略断
面図。 【符号の説明】 1…表面型の加速度センサ、2…p型単結晶シリコン基
板、3…凹部、5…カンチレバー構造部としての片持ち
梁、6…エピタキシャル成長層、7…歪みゲージ、9…
配線パターン、12…パッシベーション膜、21…p型
シリコン層、22…開口部形成用のp型シリコン層、2
3…エッチングレジスト、25…多孔質シリコン層、3
2…(カンチレバー構造部の一部としての)梁、33…
(カンチレバー構造部の一部としての)マス部、34…
第1のp型シリコン層、35…第1のエピタキシャル成
長層、36…第2のp型シリコン層、37…第2のエピ
タキシャル成長層。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平3−255369(JP,A)
特開 平5−90115(JP,A)
特開 昭64−50532(JP,A)
特開 昭56−87372(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 29/84
G01P 15/12
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 不純物添加によって、p型単結晶シリコ
ン基板(2)の表面側の所定領域に第1のp型シリコン
層(34)を形成する工程と、 前記p型単結晶シリコン基板(2)の上面にn型単結晶
シリコンからなる第1のエピタキシャル成長層(35)
を形成することによって、同エピタキシャル成長層(3
5)内に前記第1のp型シリコン層(34)を埋め込む
工程と、 不純物添加によって、前記第1のエピタキシャル成長層
(35)の所定領域に第2のp型シリコン層(36)を
形成する工程と、 前記第1のエピタキシャル成長層(35)の上面にn型
単結晶シリコンからなる第2のエピタキシャル成長層
(37)を形成することによって、同エピタキシャル成
長層(37)内に前記第2のp型シリコン層(36)を
埋め込む工程と、 不純物添加によって、埋め込まれた前記第2のp型シリ
コン層(36)の上面に部分的に開口部形成用のp型シ
リコン層(22)を形成する工程と、 前記エピタキシャル成長層(37)の上面にp型シリコ
ンからなる歪みゲージ(7)を形成する工程と、 前記歪みゲージ(7)に接続する配線パターン(9)を
形成した後、その配線パターン(9)を覆うパッシベー
ション膜(12)を形成する工程と、 前記パッシベーション膜(12)の上面にエッチングレ
ジスト(23)を形成した状態で陽極化成処理を行うこ
とによって、前記各p型シリコン層(34,36,2
2)を多孔質シリコン層(25)に変化させる工程と、 前記多孔質シリコン層(25)をアルカリエッチングに
よって除去することにより、同多孔質シリコン層(2
5)があった部分を空洞化する工程とからなる表面型の
加速度センサの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24312794A JP3399660B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 表面型の加速度センサの製造方法 |
US08/538,697 US5659138A (en) | 1994-10-06 | 1995-10-03 | Surface type acceleration sensor |
DE19537314A DE19537314A1 (de) | 1994-10-06 | 1995-10-06 | Beschleunigungssensor des Oberflächentyps und Verfahren zu seiner Herstellung |
US08/622,877 US5665250A (en) | 1994-10-06 | 1996-03-29 | Method of manufacturing surface type acceleration sensor method of manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24312794A JP3399660B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 表面型の加速度センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08111533A JPH08111533A (ja) | 1996-04-30 |
JP3399660B2 true JP3399660B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=17099211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24312794A Expired - Fee Related JP3399660B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 表面型の加速度センサの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5659138A (ja) |
JP (1) | JP3399660B2 (ja) |
DE (1) | DE19537314A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5658698A (en) * | 1994-01-31 | 1997-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same |
JP3301334B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2002-07-15 | 三菱電機株式会社 | センサ素子及びその製造方法 |
US5952573A (en) * | 1997-05-05 | 1999-09-14 | Hughes Electronics Corporation | Micro-beam motion sensor |
JPH1154478A (ja) * | 1997-06-05 | 1999-02-26 | Tokai Rika Co Ltd | シリコン基板における陽極化成方法及び表面型の加速度センサの製造方法 |
JPH10340885A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Tokai Rika Co Ltd | シリコン基板における陽極化成方法 |
US6242336B1 (en) * | 1997-11-06 | 2001-06-05 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device having multilevel interconnection structure and method for fabricating the same |
US6107210A (en) * | 1998-08-19 | 2000-08-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Maskless method for fabricating a low-loss microwave power sensor device |
EP1043770B1 (en) * | 1999-04-09 | 2006-03-01 | STMicroelectronics S.r.l. | Formation of buried cavities in a monocrystalline semiconductor wafer and a wafer |
US6635910B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-10-21 | Measurement Specialties, Inc. | Silicon strain gage having a thin layer of highly conductive silicon |
DE10032579B4 (de) * | 2000-07-05 | 2020-07-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
US6800988B1 (en) * | 2000-07-11 | 2004-10-05 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Voltage and light induced strains in porous crystalline materials and uses thereof |
ITVA20000042A1 (it) * | 2000-12-15 | 2002-06-15 | St Microelectronics Srl | Sensore di pressione monoliticamente integrato e relativo processo direalizzazione. |
US6461944B2 (en) * | 2001-02-07 | 2002-10-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Methods for growth of relatively large step-free SiC crystal surfaces |
JP3969228B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2007-09-05 | 松下電工株式会社 | 機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ |
DE60316729T2 (de) * | 2002-12-27 | 2008-07-24 | Nanonord A/S | Kragträgersensor sowohl mit longitudinal- als auch transversal-piezoresistenzkoeffizienten |
US20050172717A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-11 | General Electric Company | Micromechanical device with thinned cantilever structure and related methods |
US20050181572A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-18 | Verhoeven Tracy B. | Method for acoustically isolating an acoustic resonator from a substrate |
DE102005004329A1 (de) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Sensorelement zur Messung einer Beschleunigung und Verfahren zu seiner Herstellung |
HUP0600488A2 (en) * | 2006-06-13 | 2008-05-28 | Mta Mueszaki Fiz Es Anyagtudom | Method for producing micromechanical elements can be integrated into cmos technology, carrying monolith si and monolith sio produced by porous si micromanufacturing process |
JP2011226941A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Seiko Epson Corp | 振動型力検出センサー、及び振動型力検出装置 |
CN101968495B (zh) * | 2010-07-27 | 2013-03-06 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 在单硅片上单面微加工制作的悬臂梁加速度传感器及方法 |
US10809139B2 (en) * | 2018-02-14 | 2020-10-20 | Carefusion 303, Inc. | Integrated sensor to monitor fluid delivery |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4131524A (en) * | 1969-11-24 | 1978-12-26 | U.S. Philips Corporation | Manufacture of semiconductor devices |
US3893228A (en) * | 1972-10-02 | 1975-07-08 | Motorola Inc | Silicon pressure sensor |
US4737473A (en) * | 1985-03-26 | 1988-04-12 | Endevco Corporation | Piezoresistive transducer |
CN1018844B (zh) * | 1990-06-02 | 1992-10-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 防锈干膜润滑剂 |
US5232866A (en) * | 1991-10-23 | 1993-08-03 | International Business Machines Corporation | Isolated films using an air dielectric |
-
1994
- 1994-10-06 JP JP24312794A patent/JP3399660B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-10-03 US US08/538,697 patent/US5659138A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-06 DE DE19537314A patent/DE19537314A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-03-29 US US08/622,877 patent/US5665250A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5659138A (en) | 1997-08-19 |
DE19537314A1 (de) | 1996-04-11 |
US5665250A (en) | 1997-09-09 |
JPH08111533A (ja) | 1996-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3399660B2 (ja) | 表面型の加速度センサの製造方法 | |
JP2940293B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
JP3305516B2 (ja) | 静電容量式加速度センサ及びその製造方法 | |
JP2811768B2 (ja) | 半導体式加速度センサおよびその製造方法 | |
JPH0453267B2 (ja) | ||
JP2560140B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3489309B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法および異方性エッチングマスク | |
JPS60158675A (ja) | ダイヤフラムセンサ | |
JPH08236784A (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
JP2918299B2 (ja) | 半導体圧力センサおよびそれを有する半導体装置の製造方法 | |
JPH01318265A (ja) | モノリシック感圧集積回路及びその製造方法 | |
US6617191B1 (en) | Method for anodizing silicon substrates for surface type acceleration sensors | |
JPH11142270A (ja) | 多結晶性半導体材料のダイアフラムを有する集積ピエゾ抵抗性圧力センサおよびその製造方法 | |
JP2822486B2 (ja) | 感歪センサおよびその製造方法 | |
JP3478894B2 (ja) | 表面型の加速度センサ | |
JP3530250B2 (ja) | 静電容量式加速度センサの製造方法 | |
JP3506794B2 (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
JPH11103074A (ja) | シリコン基板の陽極化成方法及びそれを利用した加速度センサの製造方法 | |
JP3116384B2 (ja) | 半導体歪センサおよびその製造方法 | |
JP2936926B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
JP3478895B2 (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
JP2600393B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
JP3506795B2 (ja) | 静電容量式加速度センサの製造方法 | |
JP3478896B2 (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
JPH08236789A (ja) | 静電容量式加速度センサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |