JP3506795B2 - 静電容量式加速度センサの製造方法 - Google Patents
静電容量式加速度センサの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静電容量式加速度セン
サの製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、自動車におけるＡＢＳ（アンチロ
ックブレーキシステム）、エアバッグシステム、サスペ
ンションコントロールシステム等に利用される加速度セ
ンサとして、例えば図１１に示すような加速度センサ５
１が知られている。 【０００３】加速度センサ５１は静電容量式であって、
ガラス基板５２の凹部５３に形成された固定電極５４
と、シリコン基板５５のマス部５６の上面に形成された
可動電極５７とによりコンデンサが構成されている。マ
ス部５６は、シリコン基板５５に形成された片持梁５８
により支持されている。この加速度センサ５１に加速度
が印加されると、その加速度によってマス部５６が変移
して固定電極５４と可動電極５７との間隔が変化する。
即ち、固定電極５４と可動電極５７とにより構成される
コンデンサの容量が印加される加速度に応じて変化す
る。このコンデンサの容量の変化を検出することによっ
て加速度の大きさを検出することができるようになって
いる。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところで、加速度セン
サ５１は、凹部５３を形成したガラス基板５２と、表裏
両面からエッチングによりマス部５６及び片持梁５８を
形成したシリコン基板５５とが陽極接合技術等を用いて
接合され構成されている。そのため、固定電極５４と可
動電極５７との間隔を一定にすることは難しく、ばらつ
く場合がある。また、ガラス基板５２とシリコン基板５
５との熱膨張係数の違いにより、周囲の温度が変化する
と、その温度変化に従って固定電極５４と可動電極５７
との間隔が変化する。すると、両電極５４，５７により
構成されるコンデンサの容量が温度により変化するの
で、加速度を検出することができないという問題があっ
た。 【０００５】 本発明は上記問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的は、電極の間隔を精度良
く形成することができる静電容量式加速度センサを容易
に製造することができる静電容量式加速度センサの製造
方法を提供するすることにある。 【０００６】 【０００７】 【０００８】 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、不純物拡散により第２の
シリコン基板に、前記空間部に対応した領域の第１のｐ
+シリコン層を形成する工程と、前記第２のシリコン基
板表面に、前記第１のシリコン基板とマス部間の間隔に
対応した厚みの酸化膜を前記空間部に対応した領域に形
成する工程と、前記第２のシリコン基板と第１のシリコ
ン基板とを、前記酸化膜を挟んで接合する工程と、不純
物拡散により、第２のシリコン基板に、マス部に対応し
た領域に前記酸化膜に到達する深さのｎ+シリコン層を
形成する工程と、不純物拡散により、第２のシリコン基
板に、前記第１のｐ+シリコン層に到達する深さの略コ
字状の第２のｐ+シリコン層を形成する工程と、陽極化
成により、前記第１，第２のｐ+シリコン層を多孔質シ
リコン層に変化させる工程と、前記多孔質シリコン層を
アルカリエッチングにより除去する工程と、前記酸化膜
をエッチングにより除去する工程とから製造するように
した。 【００１０】 【００１１】 【００１２】 （作用） 従って 、請求項１に記載の発明によれば、先ず不純物拡
散により第２のシリコン基板に、空間部に対応した領域
の第１のｐ+シリコン層と、第１のシリコン基板とマス
部間の間隔に対応した厚みの酸化膜とが形成される。そ
の第２のシリコン基板は、酸化膜を挟んで第１のシリコ
ン基板と接合される。接合された第２シリコン基板に
は、不純物拡散により、マス部に対応した領域に酸化膜
に到達する深さのｎ+シリコン層が形成され、次に、不
純物拡散により、第１のｐ+シリコン層に到達する深さ
の略コ字状の第２のｐ+シリコン層が形成される。そし
て、陽極化成により、第１，第２のｐ+シリコン層を多
孔質シリコン層に変化され、その多孔質シリコン層がア
ルカリエッチングした後、酸化膜がエッチングにより除
去される。 【００１３】 【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１〜
図８に従って説明する。図１（ａ）（ｂ）は、本実施例
の静電容量式加速度センサ（以下、単に加速度センサと
いう）１の概略構成図である。図１（ｂ）に示すよう
に、ｎ+ 単結晶シリコンよりなる第１のシリコン基板２
の上面には、ｎ- 単結晶シリコンよりなる第２のシリコ
ン基板３が接合され、両シリコン基板２，３により半導
体基板４が構成されている。 【００１４】図１（ａ）に示すように、第２のシリコン
基板３には、略直方体状の片持梁５が形成されている。
片持梁５は、第２のシリコン基板３よりも薄く形成され
ており、片持梁５と第１のシリコン基板２上面との間に
空間部６が形成されている。 【００１５】片持梁５はｎ- 単結晶シリコンよりなり、
その基端部は第２のシリコン基板３に接続されて、片持
梁５と第２のシリコン基板３との間に所定の間隔を開け
て略コ字状の開口部７が形成されている。そして、第２
のシリコン基板３に対して後述する方法により空間部６
及び開口部７を形成することにより片持梁５が形成され
ている。従って、片持梁５は、ｎ- 単結晶シリコンによ
り構成されている。 【００１６】片持梁５には、マス部８が設けられてい
る。マス部８は、不純物拡散により形成されたｎ+ シリ
コンよりなり、略直方体状に形成されている。そのマス
部８は、片持梁５により第１のシリコン基板２の上面か
ら所定の間隔を開けて保持されている。そして、第１の
シリコン基板２とマス部８とにより、第１のシリコン基
板２を固定電極、マス部８を可動電極とするコンデンサ
が構成されている。 【００１７】また、図１（ｂ）に示すように、第２のシ
リコン基板３には、電極取り出し部９が形成されてい
る。電極取り出し部９は、第２のシリコン基板３に対し
て不純物拡散により形成されたｎ+ シリコンよりなり、
第２のシリコン基板３を貫通して第１のシリコン基板２
に電気的に接続されている。 【００１８】この加速度センサ１に加速度が印加される
と、その加速度に従って片持梁５がたわんでマス部８が
変移する。すると、第１のシリコン基板２とマス部８と
の間隔が変化する。すると、第１のシリコン基板２とマ
ス部８とにより構成されるコンデンサの容量が変化す
る。このコンデンサの容量の変化を検出することによ
り、印加される加速度を検知することができるようにな
っている。 【００１９】固定電極となる第１のシリコン基板２はｎ
+ 単結晶シリコンよりなり、可動電極となるマス部８が
形成された第２のシリコン基板はｎ- 単結晶シリコンよ
りなる。従って、第１，第２のシリコン基板２，３の熱
膨張係数は同じである。また、マス部８及び電極取り出
し部は第２のシリコン基板３に不純物拡散により形成さ
れたｎ+ シリコンである。従って、マス部８及び電極取
り出し部９の熱膨張係数は、第１，第２のシリコン基板
２，３の熱膨張係数と同じとなる。従って、加速度セン
サ１の周囲の温度が変化しても、第１のシリコン基板２
と第２のシリコン基板３は同じように変化する。更に、
マス部８及び電極取り出し部９もまた第１のシリコン基
板２と同様に変化する。その結果、固定電極となる第１
のシリコン基板２と可動電極となるマス部８との間隔は
変化しないので、第１のシリコン基板２とマス部８とに
より構成されるコンデンサの容量は温度により変化しな
い。 【００２０】図１（ｂ）に示すように、第２のシリコン
基板３の上面には、層間絶縁層として薄い酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 膜）１０が形成されている。この酸化膜１０の上面
には、スパッタリングや真空蒸着等の物理的成膜法等に
よって、配線パターン１１，１２及びボンディングパッ
ド１３，１４が形成されている。また、前記酸化膜１０
の所定部分、即ちマス部８の上側となる部分には、層間
接続用のコンタクトホール１５が、電極取り出し部９の
上側となる部分にはコンタクトホール１６が形成されて
いる。コンタクトホール１５は配線パターン１１とその
下層にあるマス部８とを電気的に接続し、コンタクトホ
ール１６は配線パターン１２とその下層にある電極取り
出し部９とを電気的に接続している。そして、これらの
配線パターン１１，１２は、シリコン基板２の外縁部上
面に配置されたボンディングパッド１３，１４にそれぞ
れ電気的に接続されている。酸化膜１０の上面には、表
層における絶縁を図るための薄いパッシベーション膜１
７が、上記の物理的成膜法等によって形成されている。
前記パッシベーション膜１７の所定部分に設けられた開
口部１７ａ，１７ｂからは、ボンディングパッド１３，
１４がそれぞれ露出されている。 【００２１】図２は、加速度センサ１の等価回路図であ
る。コンデンサＣの一方の電極は固定電極となる第１の
シリコン基板２により構成され、他方の電極は可動電極
となるマス部８により構成される。マス部８に配線パタ
ーン１１を介して接続されたボンディングパッド１３は
一方の出力端子１８を構成し、第１のシリコン基板２に
電極取り出し部９及び配線パターン１２を介して接続さ
れたボンディングパッド１４は他方の出力端子１９を構
成する。 【００２２】そして、加速度センサ１に加速度が印加さ
れると、その加速度に応じてマス部８が変移してマス部
８と第１のシリコン基板２との間隔が変化する。その間
隔の変化に応じてコンデンサＣの容量が変化する。この
コンデンサＣの容量の変化を出力端子１８，１９を介し
て検出することにより、加速度を検知することができる
ようになっている。 【００２３】尚、第２のシリコン基板３に形成された片
持梁５は、コンデンサＣに並列に接続された抵抗Ｒとな
る。片持梁５は、ｎ- シリコンよりなり、マス部８や第
１のシリコン基板２及び電極取り出し部９を構成するｎ
+ シリコンに比べて高抵抗である。そのため、片持梁５
よりなる抵抗Ｒの影響を無視することができる。 【００２４】上記のように構成された加速度センサ１を
実装する場合、別の基板（例えば、コンデンサＣの容量
変化に応じた検出信号を出力するための信号処理回路部
等を形成したマザーボード）の上面にダイボンド材等を
用いて実装する。そして、ワイヤボンディング法によ
り、図示しないボンディングワイヤを用いてボンディン
グパッド１３，１４と別の基板上に形成した配線パター
ンとを電気的に接続する。 【００２５】次に、上記の加速度センサ１の製造方法を
図３〜図８に基づいて説明する。先ず、図３に示すよう
に、ｎ- シリコンよりなる第２のシリコン基板３の表面
に図示しない酸化膜（ＳｉＯ2 膜）を形成し、その酸化
膜に対してフォトエッチングを行うことにより、空間部
６に対応した領域の開口部を形成する。その開口部から
第２のシリコン基板３に対してイオン注入等によってほ
う素を打ち込み、更にそのほう素を熱拡散させる。この
結果、第２のシリコン基板３に第１のｐ+シリコン層２
１が形成される。その後、エッチングにより酸化膜を除
去する。次に、第２のシリコン基板３の上面に、第１の
シリコン基板２とマス部８との間隔に相当する厚みの酸
化膜２２を形成し、その酸化膜２２に対してフォトエッ
チングを行うことにより、空間部６以外の領域の酸化膜
２２を除去する。 【００２６】次に、図４に示すように、第２のシリコン
基板３と、ｎ+ シリコンよりなる第１のシリコン基板２
とを酸化膜２２を挟むようにして接合して半導体基板４
を形成する。即ち、第２のシリコン基板３の上面に形成
した酸化膜２２を、第１のシリコン基板２の上面に向け
て重ね合わせて接合する。この接合方法としては、陽極
接合，直接接合，拡散接合いずれの方法を用いてもよ
い。この結果、第１，第２のシリコン基板２，３内に、
第１のｐ+ シリコン層２１と酸化膜２２とが埋め込まれ
た状態となる。次に、第２のシリコン基板３の裏面（図
４において上方）をラッピングすることにより、第１，
第２のシリコン基板２，３よりなる半導体基板４を所望
の厚さに形成する。 【００２７】図５に示すように、半導体基板４の上面
（図５において上方）に酸化膜２３を形成し、その酸化
膜２３にフォトエッチングを行うことにより、マス部８
に対応した領域の開口部２３ａを形成する。また、電極
取り出し部９に対応した領域の開口部２３ｂを形成す
る。両開口部２３ａ，２３ｂから第２のシリコン基板３
に対してイオン注入等によってリンを打ち込み、更にそ
のリンを熱拡散させる。この結果、マス部８に対応した
第１のｎ+ シリコン層２４と、電極取り出し部９に対応
した第２のｎ+ シリコン層２５とが形成される。第１の
ｎ+ シリコン層２４は、酸化膜２２に到達する深さとな
り、第２のｎ+ シリコン層２５は、第１のシリコン基板
２に到達する。その後、エッチングにより表面の酸化膜
２３を除去する。 【００２８】熱拡散処理を行う場合、第２のシリコン基
板３に打ち込まれ第１のｎ+ シリコン層２４を形成する
ための不純物は、埋め込まれた酸化膜２２により拡散が
阻害される。従って、第２のシリコン基板３に打ち込ま
れたリンは、熱拡散により酸化膜２２に到達し、その酸
化膜２２により拡散が阻害されてそれ以上深く拡散しな
い。従って、この酸化膜２２を後に説明する方法により
除去することにより、第１のシリコン基板２と第１のｎ
+ シリコン層２４、即ちマス部８との厚さを精度良く形
成することができる。 【００２９】次に、図６に示すように、半導体基板４の
上面に酸化膜２６を形成し、その酸化膜２６に対してフ
ォトエッチングを行うことによって、略コ字状の開口部
２６ａを形成する。その開口部２６ａからイオン注入等
によってほう素を打ち込み、更にそのほう素を熱拡散さ
せる。この結果、第１のｐ+ シリコン層に到達する深さ
の第２のｐ+ シリコン層２７が形成される。この後、エ
ッチングによって酸化膜２６を除去する。 【００３０】図７に示すように、半導体基板４の上面
に、層間絶縁膜として新たな酸化膜１０を形成する。次
いで、フォトエッチングを行うことによって、酸化膜１
０にコンタクトホール１５，１６を形成する。この半導
体基板４に対してアルミニウム（Ａｌ）のスパッタリン
グまたは真空蒸着を行った後、フォトリソグラフィを行
うことによって、配線パターン１１，１２及びボンディ
ングパッド１３，１４を形成する。 【００３１】次いで、ＣＶＤ等によってＳｉＮやＳｉ3
Ｎ4 などを堆積させることにより、半導体基板４の上面
にパッシベーション膜１７を形成し、配線パターン１
１，１２を被覆する。前記パッシベーション工程におい
て、パッシベーション膜１７には、ボンディングパッド
１３，１４を露出させるための開口部１７ａ，１７ｂが
形成される。また、パッシベーション膜１７には、略コ
字状の開口部１７ｃが形成される。この後、開口部１７
ｃから酸化膜１０を除去することによって、第２のｐ+
シリコン層２７の上面を露出させる。 【００３２】次いで、図８に示すように、パッシベーシ
ョン膜１７の上面を全体的にエッチングレジスト２８で
被覆する。そして、フォトリソグラフィによって、第２
のｐ + シリコン層２７の上面にあたる部分に略コ字状の
開口部２８ａを形成する。この半導体基板４に対して陽
極化成処理を行う。陽極化成処理は、電解液中で基板を
陽極として電流を流すことにより、多孔質Ｓｉ・ＳｉＯ
2 あるいは多孔質のＡｌ2 Ｏ3 を生成する工程をいう。
即ち、半導体基板４をふっ酸水溶液中に浸漬し、半導体
基板４を陽極として電流を流す。すると、開口部２８ａ
により第２のｐ + シリコン層２７のみが露出しているの
で、その第２のｐ+ シリコン層２７と第１のｐ+ シリコ
ン層２２とが選択的に多孔質シリコン層２９に変化す
る。 【００３３】次に、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド）等でアルカリエッチングを行う
ことによって、多孔質シリコン層２９をエッチングす
る。第１，第２のｐ+ シリコン層２２，２７は、陽極化
成を経て多孔質化シリコン層２９に変化させることによ
り、アルカリに溶解しやすくなっている。その結果、多
孔質シリコン層２９が選択的にエッチングされる。 【００３４】更に、酸化膜２２をふっ酸を用いて選択的
にエッチングする。この酸化膜２２を除去することによ
りマス部８と第１のシリコン基板２との間の間隔が形成
される。最後に、不要となったエッチングレジスト２８
を除去すると、図１に示される加速度センサ１が得られ
る。 【００３５】上記したように、本実施例の加速度センサ
１によれば、第１のシリコン基板２の上面に、酸化膜２
２を挟んで第２のシリコン基板３を接合した。その第２
のシリコン基板３にマス部８を形成し、酸化膜２２を除
去することにより第１のシリコン基板２とマス部８との
間を所定の間隔となるようにした。その結果、第１のシ
リコン基板２とマス部８との間隔は、酸化膜２２の膜厚
となり一定となるので、第１のシリコン基板２とマス部
８との間隔を精度良く形成することができる。 【００３６】また、ｎ+ シリコンよりなる第１のシリコ
ン基板２上面に、ｎ- シリコンよりなる第２のシリコン
基板３を接合した。その第２のシリコン基板３に対して
不純物拡散を行うことによりマス部８及び電極取り出し
部９を形成した。また、第２のシリコン基板３に対して
不純物拡散により形成した第１，第２のｐ+ シリコン層
２２，２７を多孔質シリコン層２９に変化させた後、こ
の多孔質シリコン層２９をエッチングにより除去するこ
とにより片持梁５を形成して、可動電極となるマス部８
を固定電極となる第１のシリコン基板２から間隔を開け
て保持するようにした。 【００３７】その結果、第１のシリコン基板２と、第２
のシリコン基板３，マス部８及び電極取り出し部９との
熱膨張係数が同じとなるので、周囲の温度が変化して
も、第１のシリコン基板２とマス部８との間隔が変化せ
ず精度良く保つことができる。そして、第１のシリコン
基板２とマス部８とにより構成されるコンデンサの容量
が変化しないので、温度変化に係わらずに加速度を精度
良く検出することができる。 【００３８】また、第１のシリコン基板２を固定電極と
し、その第１のシリコン基板２上に接合した第２のシリ
コン基板３に対して不純物拡散を行うことによりマス部
８を可動電極とするコンデンサを形成した。その結果、
従来の加速度センサ５１ように、ガラス基板５２に固定
電極５４、マス部５６に可動電極５７を形成する必要が
ないので、加速度センサ１の製造工程を簡単にすること
ができる。 【００３９】更にまた、加速度センサ１は、第１のシリ
コン基板２上に接合した第２のシリコン基板３に対して
マス部８等を形成した。従って、第１のシリコン基板２
に対しては、加工されていないので、加速度センサ１を
別の基板に直接実装することができ、実装が容易とな
る。 【００４０】また、配線パターン１１を介してマス部８
とボンディングパッド１４とを電気的に接続した。第２
のシリコン基板３に電極取り出し部９を形成し、その電
極取り出し部９を配線パターン１２を介してボンディン
グパッド１４に接続した。そのため、第１のシリコン基
板２とマス部８とにより構成されるコンデンサＣの容量
の変化を、加速度センサ１の表面側に形成したボンディ
ングパッド１３，１４を介して容易に出力することがで
きる。 【００４１】尚、本発明は以下のように変更してもよ
く、その場合にも同様の作用及び効果が得られる。 １）上記実施例では、片持梁５にマス部８を１つ形成し
て１次元の加速度を検出する加速度センサ１に具体化し
たが、２次元又は３次元の加速度センサに具体化しても
よい。例えば、図９（ａ）（ｂ）に示すように、加速度
センサ４１を構成する第２のシリコン基板３に形成した
片持梁５に複数のマス部８ａ〜８ｄを形成する。電極取
り出し部９は、片持梁５及びマス部８ａ〜８ｄを支持す
る支持柱となる。加速度センサ４１は、図１０に示す回
路と等価となる。即ち、各マス部８ａ〜８ｄを可動電極
とし、第１のシリコン基板２を固定電極とするコンデン
サＣ１〜Ｃ４がそれぞれ構成される。図９（ａ）に示す
ｘ軸方向の加速度が印加されると、マス部８ａ，８ｂが
変移してコンデンサＣ１，Ｃ２の容量が変化する。ま
た、ｙ軸方向の加速度が印加されると、マス部８ｃ，８
ｄが変移してコンデンサＣ３，Ｃ４の容量が変化する。
図９（ｂ）に示すＺ軸方向の加速度が印加されると、全
てのマス部８ａ〜８ｄが変移して各コンデンサＣ１〜Ｃ
４の容量が変化する。従って、各コンデンサＣ１〜Ｃ４
それぞれの容量の変化に基づいて印加される加速度とそ
の方向を検知することができる。 【００４２】２）上記実施例において、図３に示す第１
のシリコン基板２とマス部８との間隔を設定する酸化膜
２２を形成する際に、第２のシリコン基板３の上面に酸
化膜２２を形成し、空間部６以外の領域の酸化膜２２を
除去したが、空間部６のみに選択的に酸化膜２２を形成
するようにしてもよい。例えば、空間部６以外の領域に
チッ化シリコン膜を形成し、チッ化シリコン膜が酸化さ
れにくいことを利用して空間部６の領域に対応した酸化
膜２２を選択的に形成するようにする。 【００４３】３）上記実施例において、ＴＭＡＨ以外の
アルカリ系エッチャントとして、例えばＫＯＨ、ヒドラ
ジン、ＥＰＷ（エチレンジアミン−ピロカテコール−
水）等を使用してよい。 【００４４】４）上記実施例において、配線パターン１
１，１２及びボンディングパッド１３，１４を形成する
材料として、Ａｌの他に例えばＡｕ等の金属を用いて実
施してもよい。また、導電性ポリマー等を用いて実施し
てもよい。 【００４５】５）上記実施例では、マス部８を略直方体
状に形成したが、略円柱状等の任意の形状に形成するよ
うにしてもよい。 ６）上記実施例では、第１のシリコン基板２に接続する
電極取り出し部９を形成して構成するコンデンサＣの容
量変化を加速度センサ１の上面から取り出すようにした
が、第１のシリコン基板２から直接取り出すようにして
もよい。即ち、加速度センサ１を別の基板上に形成した
配線パターン上に実装する。この構成によると、マス部
８と別の基板に接続するためのボンディングワイヤを接
続するだけでよいので、実装が簡単になる。尚、このと
き、電極取り出し部９を形成せずに実施してもよい。 【００４６】７）上記実施例では、第１のシリコン基板
２とマス部８との間隔を設定する酸化膜２２を第２のシ
リコン基板３に形成したが、第１のシリコン基板２上面
に形成した後、第１，第２のシリコン基板２，３を接合
するようにしてもよい。 【００４７】８）上記実施例では、酸化膜２２を空間部
６に対応した領域に形成したが、マス部８と第１のシリ
コン基板２との間隔が開けばよく、任意の大きさで形成
してもよい。 【００４８】９）上記実施例において、第２のシリコン
基板３にコンデンサＣの容量変化に基づいた検出信号を
出力する信号処理回路部を形成してもよい。この構成に
よると、加速度をより簡単に検出することができる。 【００４９】 以上、この発明の一実施例について説明
したが、上記実施例から把握できる請求項以外の技術的
思想について、以下にその効果と共に記載する。 イ）片持梁５に複数のマス部８ａ〜８ｄを形成した。こ
の構成によると、容易に３次元加速度センサを構成する
ことができる。 【００５０】 【発明の効果】以上詳述したように、請求項１に記載の
発明によれば、電極の間隔を精度良く形成することが可
能な静電容量式加速度センサを容易に製造することが可
能な製造方法を提供することができる。
サの製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、自動車におけるＡＢＳ（アンチロ
ックブレーキシステム）、エアバッグシステム、サスペ
ンションコントロールシステム等に利用される加速度セ
ンサとして、例えば図１１に示すような加速度センサ５
１が知られている。 【０００３】加速度センサ５１は静電容量式であって、
ガラス基板５２の凹部５３に形成された固定電極５４
と、シリコン基板５５のマス部５６の上面に形成された
可動電極５７とによりコンデンサが構成されている。マ
ス部５６は、シリコン基板５５に形成された片持梁５８
により支持されている。この加速度センサ５１に加速度
が印加されると、その加速度によってマス部５６が変移
して固定電極５４と可動電極５７との間隔が変化する。
即ち、固定電極５４と可動電極５７とにより構成される
コンデンサの容量が印加される加速度に応じて変化す
る。このコンデンサの容量の変化を検出することによっ
て加速度の大きさを検出することができるようになって
いる。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところで、加速度セン
サ５１は、凹部５３を形成したガラス基板５２と、表裏
両面からエッチングによりマス部５６及び片持梁５８を
形成したシリコン基板５５とが陽極接合技術等を用いて
接合され構成されている。そのため、固定電極５４と可
動電極５７との間隔を一定にすることは難しく、ばらつ
く場合がある。また、ガラス基板５２とシリコン基板５
５との熱膨張係数の違いにより、周囲の温度が変化する
と、その温度変化に従って固定電極５４と可動電極５７
との間隔が変化する。すると、両電極５４，５７により
構成されるコンデンサの容量が温度により変化するの
で、加速度を検出することができないという問題があっ
た。 【０００５】 本発明は上記問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的は、電極の間隔を精度良
く形成することができる静電容量式加速度センサを容易
に製造することができる静電容量式加速度センサの製造
方法を提供するすることにある。 【０００６】 【０００７】 【０００８】 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、不純物拡散により第２の
シリコン基板に、前記空間部に対応した領域の第１のｐ
+シリコン層を形成する工程と、前記第２のシリコン基
板表面に、前記第１のシリコン基板とマス部間の間隔に
対応した厚みの酸化膜を前記空間部に対応した領域に形
成する工程と、前記第２のシリコン基板と第１のシリコ
ン基板とを、前記酸化膜を挟んで接合する工程と、不純
物拡散により、第２のシリコン基板に、マス部に対応し
た領域に前記酸化膜に到達する深さのｎ+シリコン層を
形成する工程と、不純物拡散により、第２のシリコン基
板に、前記第１のｐ+シリコン層に到達する深さの略コ
字状の第２のｐ+シリコン層を形成する工程と、陽極化
成により、前記第１，第２のｐ+シリコン層を多孔質シ
リコン層に変化させる工程と、前記多孔質シリコン層を
アルカリエッチングにより除去する工程と、前記酸化膜
をエッチングにより除去する工程とから製造するように
した。 【００１０】 【００１１】 【００１２】 （作用） 従って 、請求項１に記載の発明によれば、先ず不純物拡
散により第２のシリコン基板に、空間部に対応した領域
の第１のｐ+シリコン層と、第１のシリコン基板とマス
部間の間隔に対応した厚みの酸化膜とが形成される。そ
の第２のシリコン基板は、酸化膜を挟んで第１のシリコ
ン基板と接合される。接合された第２シリコン基板に
は、不純物拡散により、マス部に対応した領域に酸化膜
に到達する深さのｎ+シリコン層が形成され、次に、不
純物拡散により、第１のｐ+シリコン層に到達する深さ
の略コ字状の第２のｐ+シリコン層が形成される。そし
て、陽極化成により、第１，第２のｐ+シリコン層を多
孔質シリコン層に変化され、その多孔質シリコン層がア
ルカリエッチングした後、酸化膜がエッチングにより除
去される。 【００１３】 【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１〜
図８に従って説明する。図１（ａ）（ｂ）は、本実施例
の静電容量式加速度センサ（以下、単に加速度センサと
いう）１の概略構成図である。図１（ｂ）に示すよう
に、ｎ+ 単結晶シリコンよりなる第１のシリコン基板２
の上面には、ｎ- 単結晶シリコンよりなる第２のシリコ
ン基板３が接合され、両シリコン基板２，３により半導
体基板４が構成されている。 【００１４】図１（ａ）に示すように、第２のシリコン
基板３には、略直方体状の片持梁５が形成されている。
片持梁５は、第２のシリコン基板３よりも薄く形成され
ており、片持梁５と第１のシリコン基板２上面との間に
空間部６が形成されている。 【００１５】片持梁５はｎ- 単結晶シリコンよりなり、
その基端部は第２のシリコン基板３に接続されて、片持
梁５と第２のシリコン基板３との間に所定の間隔を開け
て略コ字状の開口部７が形成されている。そして、第２
のシリコン基板３に対して後述する方法により空間部６
及び開口部７を形成することにより片持梁５が形成され
ている。従って、片持梁５は、ｎ- 単結晶シリコンによ
り構成されている。 【００１６】片持梁５には、マス部８が設けられてい
る。マス部８は、不純物拡散により形成されたｎ+ シリ
コンよりなり、略直方体状に形成されている。そのマス
部８は、片持梁５により第１のシリコン基板２の上面か
ら所定の間隔を開けて保持されている。そして、第１の
シリコン基板２とマス部８とにより、第１のシリコン基
板２を固定電極、マス部８を可動電極とするコンデンサ
が構成されている。 【００１７】また、図１（ｂ）に示すように、第２のシ
リコン基板３には、電極取り出し部９が形成されてい
る。電極取り出し部９は、第２のシリコン基板３に対し
て不純物拡散により形成されたｎ+ シリコンよりなり、
第２のシリコン基板３を貫通して第１のシリコン基板２
に電気的に接続されている。 【００１８】この加速度センサ１に加速度が印加される
と、その加速度に従って片持梁５がたわんでマス部８が
変移する。すると、第１のシリコン基板２とマス部８と
の間隔が変化する。すると、第１のシリコン基板２とマ
ス部８とにより構成されるコンデンサの容量が変化す
る。このコンデンサの容量の変化を検出することによ
り、印加される加速度を検知することができるようにな
っている。 【００１９】固定電極となる第１のシリコン基板２はｎ
+ 単結晶シリコンよりなり、可動電極となるマス部８が
形成された第２のシリコン基板はｎ- 単結晶シリコンよ
りなる。従って、第１，第２のシリコン基板２，３の熱
膨張係数は同じである。また、マス部８及び電極取り出
し部は第２のシリコン基板３に不純物拡散により形成さ
れたｎ+ シリコンである。従って、マス部８及び電極取
り出し部９の熱膨張係数は、第１，第２のシリコン基板
２，３の熱膨張係数と同じとなる。従って、加速度セン
サ１の周囲の温度が変化しても、第１のシリコン基板２
と第２のシリコン基板３は同じように変化する。更に、
マス部８及び電極取り出し部９もまた第１のシリコン基
板２と同様に変化する。その結果、固定電極となる第１
のシリコン基板２と可動電極となるマス部８との間隔は
変化しないので、第１のシリコン基板２とマス部８とに
より構成されるコンデンサの容量は温度により変化しな
い。 【００２０】図１（ｂ）に示すように、第２のシリコン
基板３の上面には、層間絶縁層として薄い酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 膜）１０が形成されている。この酸化膜１０の上面
には、スパッタリングや真空蒸着等の物理的成膜法等に
よって、配線パターン１１，１２及びボンディングパッ
ド１３，１４が形成されている。また、前記酸化膜１０
の所定部分、即ちマス部８の上側となる部分には、層間
接続用のコンタクトホール１５が、電極取り出し部９の
上側となる部分にはコンタクトホール１６が形成されて
いる。コンタクトホール１５は配線パターン１１とその
下層にあるマス部８とを電気的に接続し、コンタクトホ
ール１６は配線パターン１２とその下層にある電極取り
出し部９とを電気的に接続している。そして、これらの
配線パターン１１，１２は、シリコン基板２の外縁部上
面に配置されたボンディングパッド１３，１４にそれぞ
れ電気的に接続されている。酸化膜１０の上面には、表
層における絶縁を図るための薄いパッシベーション膜１
７が、上記の物理的成膜法等によって形成されている。
前記パッシベーション膜１７の所定部分に設けられた開
口部１７ａ，１７ｂからは、ボンディングパッド１３，
１４がそれぞれ露出されている。 【００２１】図２は、加速度センサ１の等価回路図であ
る。コンデンサＣの一方の電極は固定電極となる第１の
シリコン基板２により構成され、他方の電極は可動電極
となるマス部８により構成される。マス部８に配線パタ
ーン１１を介して接続されたボンディングパッド１３は
一方の出力端子１８を構成し、第１のシリコン基板２に
電極取り出し部９及び配線パターン１２を介して接続さ
れたボンディングパッド１４は他方の出力端子１９を構
成する。 【００２２】そして、加速度センサ１に加速度が印加さ
れると、その加速度に応じてマス部８が変移してマス部
８と第１のシリコン基板２との間隔が変化する。その間
隔の変化に応じてコンデンサＣの容量が変化する。この
コンデンサＣの容量の変化を出力端子１８，１９を介し
て検出することにより、加速度を検知することができる
ようになっている。 【００２３】尚、第２のシリコン基板３に形成された片
持梁５は、コンデンサＣに並列に接続された抵抗Ｒとな
る。片持梁５は、ｎ- シリコンよりなり、マス部８や第
１のシリコン基板２及び電極取り出し部９を構成するｎ
+ シリコンに比べて高抵抗である。そのため、片持梁５
よりなる抵抗Ｒの影響を無視することができる。 【００２４】上記のように構成された加速度センサ１を
実装する場合、別の基板（例えば、コンデンサＣの容量
変化に応じた検出信号を出力するための信号処理回路部
等を形成したマザーボード）の上面にダイボンド材等を
用いて実装する。そして、ワイヤボンディング法によ
り、図示しないボンディングワイヤを用いてボンディン
グパッド１３，１４と別の基板上に形成した配線パター
ンとを電気的に接続する。 【００２５】次に、上記の加速度センサ１の製造方法を
図３〜図８に基づいて説明する。先ず、図３に示すよう
に、ｎ- シリコンよりなる第２のシリコン基板３の表面
に図示しない酸化膜（ＳｉＯ2 膜）を形成し、その酸化
膜に対してフォトエッチングを行うことにより、空間部
６に対応した領域の開口部を形成する。その開口部から
第２のシリコン基板３に対してイオン注入等によってほ
う素を打ち込み、更にそのほう素を熱拡散させる。この
結果、第２のシリコン基板３に第１のｐ+シリコン層２
１が形成される。その後、エッチングにより酸化膜を除
去する。次に、第２のシリコン基板３の上面に、第１の
シリコン基板２とマス部８との間隔に相当する厚みの酸
化膜２２を形成し、その酸化膜２２に対してフォトエッ
チングを行うことにより、空間部６以外の領域の酸化膜
２２を除去する。 【００２６】次に、図４に示すように、第２のシリコン
基板３と、ｎ+ シリコンよりなる第１のシリコン基板２
とを酸化膜２２を挟むようにして接合して半導体基板４
を形成する。即ち、第２のシリコン基板３の上面に形成
した酸化膜２２を、第１のシリコン基板２の上面に向け
て重ね合わせて接合する。この接合方法としては、陽極
接合，直接接合，拡散接合いずれの方法を用いてもよ
い。この結果、第１，第２のシリコン基板２，３内に、
第１のｐ+ シリコン層２１と酸化膜２２とが埋め込まれ
た状態となる。次に、第２のシリコン基板３の裏面（図
４において上方）をラッピングすることにより、第１，
第２のシリコン基板２，３よりなる半導体基板４を所望
の厚さに形成する。 【００２７】図５に示すように、半導体基板４の上面
（図５において上方）に酸化膜２３を形成し、その酸化
膜２３にフォトエッチングを行うことにより、マス部８
に対応した領域の開口部２３ａを形成する。また、電極
取り出し部９に対応した領域の開口部２３ｂを形成す
る。両開口部２３ａ，２３ｂから第２のシリコン基板３
に対してイオン注入等によってリンを打ち込み、更にそ
のリンを熱拡散させる。この結果、マス部８に対応した
第１のｎ+ シリコン層２４と、電極取り出し部９に対応
した第２のｎ+ シリコン層２５とが形成される。第１の
ｎ+ シリコン層２４は、酸化膜２２に到達する深さとな
り、第２のｎ+ シリコン層２５は、第１のシリコン基板
２に到達する。その後、エッチングにより表面の酸化膜
２３を除去する。 【００２８】熱拡散処理を行う場合、第２のシリコン基
板３に打ち込まれ第１のｎ+ シリコン層２４を形成する
ための不純物は、埋め込まれた酸化膜２２により拡散が
阻害される。従って、第２のシリコン基板３に打ち込ま
れたリンは、熱拡散により酸化膜２２に到達し、その酸
化膜２２により拡散が阻害されてそれ以上深く拡散しな
い。従って、この酸化膜２２を後に説明する方法により
除去することにより、第１のシリコン基板２と第１のｎ
+ シリコン層２４、即ちマス部８との厚さを精度良く形
成することができる。 【００２９】次に、図６に示すように、半導体基板４の
上面に酸化膜２６を形成し、その酸化膜２６に対してフ
ォトエッチングを行うことによって、略コ字状の開口部
２６ａを形成する。その開口部２６ａからイオン注入等
によってほう素を打ち込み、更にそのほう素を熱拡散さ
せる。この結果、第１のｐ+ シリコン層に到達する深さ
の第２のｐ+ シリコン層２７が形成される。この後、エ
ッチングによって酸化膜２６を除去する。 【００３０】図７に示すように、半導体基板４の上面
に、層間絶縁膜として新たな酸化膜１０を形成する。次
いで、フォトエッチングを行うことによって、酸化膜１
０にコンタクトホール１５，１６を形成する。この半導
体基板４に対してアルミニウム（Ａｌ）のスパッタリン
グまたは真空蒸着を行った後、フォトリソグラフィを行
うことによって、配線パターン１１，１２及びボンディ
ングパッド１３，１４を形成する。 【００３１】次いで、ＣＶＤ等によってＳｉＮやＳｉ3
Ｎ4 などを堆積させることにより、半導体基板４の上面
にパッシベーション膜１７を形成し、配線パターン１
１，１２を被覆する。前記パッシベーション工程におい
て、パッシベーション膜１７には、ボンディングパッド
１３，１４を露出させるための開口部１７ａ，１７ｂが
形成される。また、パッシベーション膜１７には、略コ
字状の開口部１７ｃが形成される。この後、開口部１７
ｃから酸化膜１０を除去することによって、第２のｐ+
シリコン層２７の上面を露出させる。 【００３２】次いで、図８に示すように、パッシベーシ
ョン膜１７の上面を全体的にエッチングレジスト２８で
被覆する。そして、フォトリソグラフィによって、第２
のｐ + シリコン層２７の上面にあたる部分に略コ字状の
開口部２８ａを形成する。この半導体基板４に対して陽
極化成処理を行う。陽極化成処理は、電解液中で基板を
陽極として電流を流すことにより、多孔質Ｓｉ・ＳｉＯ
2 あるいは多孔質のＡｌ2 Ｏ3 を生成する工程をいう。
即ち、半導体基板４をふっ酸水溶液中に浸漬し、半導体
基板４を陽極として電流を流す。すると、開口部２８ａ
により第２のｐ + シリコン層２７のみが露出しているの
で、その第２のｐ+ シリコン層２７と第１のｐ+ シリコ
ン層２２とが選択的に多孔質シリコン層２９に変化す
る。 【００３３】次に、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド）等でアルカリエッチングを行う
ことによって、多孔質シリコン層２９をエッチングす
る。第１，第２のｐ+ シリコン層２２，２７は、陽極化
成を経て多孔質化シリコン層２９に変化させることによ
り、アルカリに溶解しやすくなっている。その結果、多
孔質シリコン層２９が選択的にエッチングされる。 【００３４】更に、酸化膜２２をふっ酸を用いて選択的
にエッチングする。この酸化膜２２を除去することによ
りマス部８と第１のシリコン基板２との間の間隔が形成
される。最後に、不要となったエッチングレジスト２８
を除去すると、図１に示される加速度センサ１が得られ
る。 【００３５】上記したように、本実施例の加速度センサ
１によれば、第１のシリコン基板２の上面に、酸化膜２
２を挟んで第２のシリコン基板３を接合した。その第２
のシリコン基板３にマス部８を形成し、酸化膜２２を除
去することにより第１のシリコン基板２とマス部８との
間を所定の間隔となるようにした。その結果、第１のシ
リコン基板２とマス部８との間隔は、酸化膜２２の膜厚
となり一定となるので、第１のシリコン基板２とマス部
８との間隔を精度良く形成することができる。 【００３６】また、ｎ+ シリコンよりなる第１のシリコ
ン基板２上面に、ｎ- シリコンよりなる第２のシリコン
基板３を接合した。その第２のシリコン基板３に対して
不純物拡散を行うことによりマス部８及び電極取り出し
部９を形成した。また、第２のシリコン基板３に対して
不純物拡散により形成した第１，第２のｐ+ シリコン層
２２，２７を多孔質シリコン層２９に変化させた後、こ
の多孔質シリコン層２９をエッチングにより除去するこ
とにより片持梁５を形成して、可動電極となるマス部８
を固定電極となる第１のシリコン基板２から間隔を開け
て保持するようにした。 【００３７】その結果、第１のシリコン基板２と、第２
のシリコン基板３，マス部８及び電極取り出し部９との
熱膨張係数が同じとなるので、周囲の温度が変化して
も、第１のシリコン基板２とマス部８との間隔が変化せ
ず精度良く保つことができる。そして、第１のシリコン
基板２とマス部８とにより構成されるコンデンサの容量
が変化しないので、温度変化に係わらずに加速度を精度
良く検出することができる。 【００３８】また、第１のシリコン基板２を固定電極と
し、その第１のシリコン基板２上に接合した第２のシリ
コン基板３に対して不純物拡散を行うことによりマス部
８を可動電極とするコンデンサを形成した。その結果、
従来の加速度センサ５１ように、ガラス基板５２に固定
電極５４、マス部５６に可動電極５７を形成する必要が
ないので、加速度センサ１の製造工程を簡単にすること
ができる。 【００３９】更にまた、加速度センサ１は、第１のシリ
コン基板２上に接合した第２のシリコン基板３に対して
マス部８等を形成した。従って、第１のシリコン基板２
に対しては、加工されていないので、加速度センサ１を
別の基板に直接実装することができ、実装が容易とな
る。 【００４０】また、配線パターン１１を介してマス部８
とボンディングパッド１４とを電気的に接続した。第２
のシリコン基板３に電極取り出し部９を形成し、その電
極取り出し部９を配線パターン１２を介してボンディン
グパッド１４に接続した。そのため、第１のシリコン基
板２とマス部８とにより構成されるコンデンサＣの容量
の変化を、加速度センサ１の表面側に形成したボンディ
ングパッド１３，１４を介して容易に出力することがで
きる。 【００４１】尚、本発明は以下のように変更してもよ
く、その場合にも同様の作用及び効果が得られる。 １）上記実施例では、片持梁５にマス部８を１つ形成し
て１次元の加速度を検出する加速度センサ１に具体化し
たが、２次元又は３次元の加速度センサに具体化しても
よい。例えば、図９（ａ）（ｂ）に示すように、加速度
センサ４１を構成する第２のシリコン基板３に形成した
片持梁５に複数のマス部８ａ〜８ｄを形成する。電極取
り出し部９は、片持梁５及びマス部８ａ〜８ｄを支持す
る支持柱となる。加速度センサ４１は、図１０に示す回
路と等価となる。即ち、各マス部８ａ〜８ｄを可動電極
とし、第１のシリコン基板２を固定電極とするコンデン
サＣ１〜Ｃ４がそれぞれ構成される。図９（ａ）に示す
ｘ軸方向の加速度が印加されると、マス部８ａ，８ｂが
変移してコンデンサＣ１，Ｃ２の容量が変化する。ま
た、ｙ軸方向の加速度が印加されると、マス部８ｃ，８
ｄが変移してコンデンサＣ３，Ｃ４の容量が変化する。
図９（ｂ）に示すＺ軸方向の加速度が印加されると、全
てのマス部８ａ〜８ｄが変移して各コンデンサＣ１〜Ｃ
４の容量が変化する。従って、各コンデンサＣ１〜Ｃ４
それぞれの容量の変化に基づいて印加される加速度とそ
の方向を検知することができる。 【００４２】２）上記実施例において、図３に示す第１
のシリコン基板２とマス部８との間隔を設定する酸化膜
２２を形成する際に、第２のシリコン基板３の上面に酸
化膜２２を形成し、空間部６以外の領域の酸化膜２２を
除去したが、空間部６のみに選択的に酸化膜２２を形成
するようにしてもよい。例えば、空間部６以外の領域に
チッ化シリコン膜を形成し、チッ化シリコン膜が酸化さ
れにくいことを利用して空間部６の領域に対応した酸化
膜２２を選択的に形成するようにする。 【００４３】３）上記実施例において、ＴＭＡＨ以外の
アルカリ系エッチャントとして、例えばＫＯＨ、ヒドラ
ジン、ＥＰＷ（エチレンジアミン−ピロカテコール−
水）等を使用してよい。 【００４４】４）上記実施例において、配線パターン１
１，１２及びボンディングパッド１３，１４を形成する
材料として、Ａｌの他に例えばＡｕ等の金属を用いて実
施してもよい。また、導電性ポリマー等を用いて実施し
てもよい。 【００４５】５）上記実施例では、マス部８を略直方体
状に形成したが、略円柱状等の任意の形状に形成するよ
うにしてもよい。 ６）上記実施例では、第１のシリコン基板２に接続する
電極取り出し部９を形成して構成するコンデンサＣの容
量変化を加速度センサ１の上面から取り出すようにした
が、第１のシリコン基板２から直接取り出すようにして
もよい。即ち、加速度センサ１を別の基板上に形成した
配線パターン上に実装する。この構成によると、マス部
８と別の基板に接続するためのボンディングワイヤを接
続するだけでよいので、実装が簡単になる。尚、このと
き、電極取り出し部９を形成せずに実施してもよい。 【００４６】７）上記実施例では、第１のシリコン基板
２とマス部８との間隔を設定する酸化膜２２を第２のシ
リコン基板３に形成したが、第１のシリコン基板２上面
に形成した後、第１，第２のシリコン基板２，３を接合
するようにしてもよい。 【００４７】８）上記実施例では、酸化膜２２を空間部
６に対応した領域に形成したが、マス部８と第１のシリ
コン基板２との間隔が開けばよく、任意の大きさで形成
してもよい。 【００４８】９）上記実施例において、第２のシリコン
基板３にコンデンサＣの容量変化に基づいた検出信号を
出力する信号処理回路部を形成してもよい。この構成に
よると、加速度をより簡単に検出することができる。 【００４９】 以上、この発明の一実施例について説明
したが、上記実施例から把握できる請求項以外の技術的
思想について、以下にその効果と共に記載する。 イ）片持梁５に複数のマス部８ａ〜８ｄを形成した。こ
の構成によると、容易に３次元加速度センサを構成する
ことができる。 【００５０】 【発明の効果】以上詳述したように、請求項１に記載の
発明によれば、電極の間隔を精度良く形成することが可
能な静電容量式加速度センサを容易に製造することが可
能な製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 (a) は加速度センサの平面図、(b) はA-A 線
断面図。 【図２】 加速度センサの等価回路図。 【図３】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図４】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図５】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図６】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図７】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図８】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図９】 (a) は別例の加速度センサの平面図、(b) は
概略断面図。 【図１０】 別例の加速度センサの等価回路図。 【図１１】 従来の加速度センサの概略断面図。 【符号の説明】 ２…第１の単結晶シリコン基板、３…第２の単結晶シリ
コン基板、５…片持梁、８…マス部、９…電極取り出し
部。
断面図。 【図２】 加速度センサの等価回路図。 【図３】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図４】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図５】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図６】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図７】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図８】 加速度センサの製造手順を示す概略断面図。 【図９】 (a) は別例の加速度センサの平面図、(b) は
概略断面図。 【図１０】 別例の加速度センサの等価回路図。 【図１１】 従来の加速度センサの概略断面図。 【符号の説明】 ２…第１の単結晶シリコン基板、３…第２の単結晶シリ
コン基板、５…片持梁、８…マス部、９…電極取り出し
部。
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 29/84
G01P 15/125
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 不純物拡散により第２のシリコン基板
（３）に、前記空間部（６）に対応した領域の第１のｐ
+ シリコン層（２１）を形成する工程と、 前記第２のシリコン基板（３）表面に、前記第１のシリ
コン基板（２）とマス部（８）間の間隔に対応した厚み
の酸化膜（２２）を前記空間部（６）に対応した領域に
形成する工程と、 前記第２のシリコン基板（３）と第１のシリコン基板
（２）とを、前記酸化膜（２）を挟んで接合する工程
と、 不純物拡散により、第２のシリコン基板（３）に、マス
部（８）に対応した領域に前記酸化膜（２２）に到達す
る深さのｎ + シリコン層（２４）を形成する工程と、 不純物拡散により、第２のシリコン基板（３）に、前記
第１のｐ + シリコン層（２１）に到達する深さの略コ字
状の第２のｐ + シリコン層（２７）を形成する工程と、 陽極化成により、前記第１，第２のｐ + シリコン層（２
１，２７）を多孔質シリコン層（２９）に変化させる工
程と、 前記多孔質シリコン層（２９）をアルカリエッチングに
より除去する工程と、 前記酸化膜（２２）をエッチングにより除去する工程と
からなる静電容量式加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04216495A JP3506795B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 静電容量式加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04216495A JP3506795B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 静電容量式加速度センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236786A JPH08236786A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3506795B2 true JP3506795B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=12628329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04216495A Expired - Fee Related JP3506795B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 静電容量式加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3506795B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109678102A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-04-26 | 杭州士兰集成电路有限公司 | Mems结构及其制造方法 |
| CN109850840A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-06-07 | 杭州士兰集成电路有限公司 | Mems器件及其制造方法 |
-
1995
- 1995-03-01 JP JP04216495A patent/JP3506795B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08236786A (ja) | 1996-09-13 |
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