JP3506794B2 - 加速度センサ及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコン基板上の薄膜
をエッチングすることによって製造される加速度センサ
及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】自動車におけるＡＢＳ（アンチロックブ
レーキシステム）、エアバッグシステム、サスペンショ
ンシステム等に利用される加速度センサの種類は、従来
より多岐にわたっている。そして、加速度センサの種類
の一つとしては、例えばカンチレバー構造部を備える表
面型の加速度センサが知られている。

【０００３】この種の加速度センサの場合、カンチレバ
ー構造部は、シリコン基板上の薄膜をエッチングするこ
とによって形成される。カンチレバー構造部は、おもり
としての役割を果たすマス部と、そのマス部を揺動可能
に支持する片持ち梁とによって構成されている。また、
この片持ち梁の上面には、歪みゲージが形成されてい
る。この加速度センサに加速度が加わると、マス部が所
定方向に揺動し、それに伴って片持ち梁の部分に歪みが
生じる。そして、このような歪みが生じる結果、歪みゲ
ージの抵抗値が変化し、この変化に基づいてそのときの
加速度が検出されるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来の加速度センサの場合、通常は片持ち梁が多結晶シリ
コンによって形成されていることから、充分な感度が得
られないという欠点があった。ここで、高感度化を図る
ためには、例えば通常のバイポーラウェハプロセス等に
より加速度センサを製造し、片持ち梁を単結晶シリコン
製にすればよいとも考えられる。しかしながら、未だこ
のような加速度センサは実現されていなかった。また、
片持ち梁が多結晶シリコン製である加速度センサを製造
するプロセス自体も、犠牲層エッチング等が必要である
こと等の理由から、かなり煩雑なものであった。

【０００５】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その第１の目的は、高感度な加速度センサを提
供することにある。また、その第２の目的は、上記の優
れた加速度センサを容易にかつ確実に製造することがで
きる加速度センサの製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明は、ｐ型単結晶シリコン基
板の表面に積層された薄膜の一部に、外周部及び下部に
形成される空隙に対して梁を介して支持されるマス部が
形成され、前記梁の一部に歪みゲージが形成された加速
度センサであって、前記マス部と梁とからカンチレバー
構造部が構成され、前記薄膜は、多孔質酸化シリコン層
と該多孔質酸化シリコン層（３）の表面に積層されたｎ
型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層とからなり、
前記カンチレバー構造部は、前記エピタキシャル成長層
に形成されている加速度センサをその要旨とする。

【０００７】

【０００８】 請求項２に記載の発明は、上記の加速度
センサを製造する方法であって、不純物添加によって、
ｐ型単結晶シリコン基板の上面全体に第１のｐ型シリコ
ン層を形成する工程と、前記第１のｐ型シリコン層の上
面にｎ型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層を積層
する工程と、不純物添加によって、前記エピタキシャル
成長層の上面から前記第１のｐ型シリコン層へ到達する
ように開口部形成用の第２のｐ型シリコン層を前記エピ
タキシャル成長層に形成する工程と、陽極化成処理を行
うことによって、前記第１のｐ型シリコン層及び前記第
２のｐ型シリコン層を多孔質シリコン層に変化させる工
程と、熱処理によって前記多孔質シリコン層を多孔質酸
化シリコン層に変化させる工程と、前記多孔質シリコン
層を多孔質酸化シリコン層に変化させた後、少なくとも
前記開口部形成用の第２のｐ型シリコン層に対応する部
分に開口部を持つエッチングレジストを形成する工程
と、前記エッチングレジストを形成した後、前記多孔質
酸化シリコン層の一部をエッチングすることによって、
前記マス部及び前記梁となるべき領域の外周部及び下部
に空隙を形成する工程と、前記空隙を形成した後、前記
梁の上面に前記歪みゲージを形成する工程とからなる加
速度センサの製造方法をその要旨とする。

【０００９】

【作用】請求項１に記載された発明によると、梁をｎ型
単結晶シリコンのエピタキシャル成長層からなるものと
したことにより、その一部にゲージファクターの大きな
ｐ型シリコンからなる歪みゲージを形成することができ
る。

【００１０】 請求項２に記載の発明によると、エピタ
キシャル成長層の下側等にあらかじめ形成された多孔質
酸化シリコン層に対し、同層を溶解するエッチャントに
よるエッチングが行われる。このとき、エッチャント
は、マス部及び梁となるべき領域の外周部上側からその
下側へと進行し、多孔質酸化シリコン層の全部または一
部を選択的に溶解する。

【００１１】

【実施例】

〔実施例１〕以下、本発明を表面型の一次元半導体加速
度センサに具体化した一実施例を図１〜図１０に基づき
詳細に説明する。

【００１２】図１，図２には、本実施例の加速度センサ
１の構成が概略的に示されている。面方位（１１０）の
ｐ型単結晶シリコン基板２の表面には、複数の層からな
る薄膜Ｍが形成されている。この薄膜Ｍの最下層は多孔
質酸化シリコン層３であり、その上にはｎ型単結晶シリ
コンのエピタキシャル成長層４が積層されている。ま
た、前記薄膜Ｍの略中央部におけるエピタキシャル成長
層４には、いわゆる片持ち式のカンチレバー構造部が形
成されている。図１，図２に示されるように、このカン
チレバー構造部は、矩形状のマス部６と、そのマス部６
をその側方から支持する１本の片持ち梁７とによって構
成されている。マス部６及び片持ち梁７の外周部及び下
部には、空隙８が形成されている。この空隙８は、薄膜
Ｍを部分的にエッチングすることによって形成される。

【００１３】片持ち梁７の基端部上面には、不純物添加
によって、ｐ型シリコンからなる拡散歪みゲージ１０が
形成されている。図１において概略的に示されるよう
に、拡散歪みゲージ１０は、片持ち梁７の上面に２つず
つ並列にレイアウトされている。各拡散歪みゲージ１０
の長手方向は、いずれも片持ち梁７の延びる方向（即
ち、<111> 方向）と直角な関係にある。

【００１４】図２に示されるように、エピタキシャル成
長層４の上面には、層間絶縁層としての薄い酸化膜（Ｓ
ｉＯ₂ 膜）１１が形成されている。この酸化膜１１の上
面には、スパッタリングや真空蒸着等の物理的成膜法に
よって、アルミニウム製の配線パターン１２及びボンデ
ィングパッド１３が形成されている。また、前記酸化膜
１１の所定部分、即ち拡散歪みゲージ１０の両端上側と
なる部分には、層間接続用のコンタクトホール１４が形
成されている。コンタクトホール１４は、配線パターン
１２とその下層にある拡散歪みゲージ１０とを電気的に
接続している。そして、これらの配線パターン１２は、
シリコン基板２の外縁部上面に配置されたボンディング
パッド１３にそれぞれ電気的に接続されている。酸化膜
１１の上面には、表層における絶縁を図るための薄いパ
ッシベーション膜１５が、上記の物理的成膜法によって
形成されている。前記パッシベーション膜１５の所定部
分に設けられた開口部からは、ボンディングパッド１３
が露出されている。

【００１５】この加速度センサ１に例えば図１の矢印Ａ
1 の方向から加速度が印加すると、片持ち梁７の基端部
を揺動中心として、マス部６が双頭矢印ＤＡ1 の方向に
沿って揺動する。すると、片持ち梁７に湾曲が生じ、２
つある拡散歪みゲージ１０にそれぞれ程度の異なる歪み
が生じる。この場合、一方の拡散歪みゲージ１０の抵抗
値が増加し、かつ他方の拡散歪みゲージ１０の抵抗値が
減少することで、両者の抵抗値のバランスが崩れる。加
速度センサ１は、このバランスの崩れを、外部にある図
示しない演算回路に対し検出信号として出力する。ま
た、同加速度センサ１に図１の矢印Ａ2 の方向から加速
度が印加すると、マス部６が双頭矢印ＤＡ2 の方向に沿
って揺動する。このとき、片持ち梁７に湾曲が生じるも
のの、両拡散歪みゲージ１０の抵抗値のバランスは崩れ
ない。さらに、図１の矢印Ａ3 の方向から加速度が印加
した場合には、マス部６に揺動が起らない。つまり、こ
の加速度センサ１では、矢印Ａ1 の方向の加速度のみが
検出されることになる。

【００１６】次に、この加速度センサ１を製造する手順
を図３〜図１０に基づいて詳細に説明する。基本的に、
この加速度センサ１は、通常のバイポーラウェハプロセ
スを経て製造することができる。まず、直方体状をした
面方位（１１０）のｐ型単結晶シリコン基板２を用意す
る。このシリコン基板２に対してイオン注入等によって
ほう素を打ち込み、さらにそのほう素を熱拡散させる。
その結果、図３に示されるように、シリコン基板２の上
面全体にｐ型シリコン層２１が形成される。

【００１７】次に、図４に示されるように、形成された
ｐ型シリコン層２１の上面に、気相成長によってｎ型単
結晶シリコンのエピタキシャル成長層４を積層する。そ
の結果、エピタキシャル成長層４内にｐ型シリコン層２
１が埋め込まれた状態となる。なお、本実施例の場合、
埋め込まれた状態でのｐ型シリコン層２１の厚さは２μ
ｍ〜５μｍ程度になる。

【００１８】次に、フォトリソグラフィによって、エピ
タキシャル成長層４の上面にマスク２３を形成する。こ
のマスク２３は、後にマス部６及び片持ち梁７となるべ
き領域に対応した位置に開口部２３ａを有する。ここ
で、ほう素の打ち込み・熱拡散を行うことによって、図
５，図６に示されるように、マスク２３から露出してい
る領域に開口部形成用のｐ型シリコン層２２を形成す
る。なお、このｐ型シリコン層２２は、埋め込まれてい
るｐ型シリコン層２１の深さまで到達する。

【００１９】次いで、シリコン基板２をふっ酸水溶液中
に浸漬し、この状態でシリコン基板２を陽極として電流
を流す。前記のような陽極化成処理によってｐ型シリコ
ン層２１，２２の部分のみを選択的に多孔質化すること
により、図７に示されるように、当該部分を多孔質シリ
コン層２４に変化させる。本実施例では、そのときの好
適な条件として、ふっ酸水溶液の温度を２０℃〜３０℃
に、処理時間を１０分〜２０分に、通電量を２０ｍＡ／
ｃｍ² 〜５０ｍＡ／ｃｍ² に設定している。かかる範囲
を逸脱すると、処理効率が悪化するおそれがある。そし
て、上記の陽極化成の後、不要となったマスク２３を剥
離する。

【００２０】次に、シリコン基板２を高温の酸化雰囲気
中に晒すことによって、図８に示されるように、多孔質
シリコン層２４を全体的に多孔質酸化シリコン層３に変
化させる。多孔質化されたシリコン部分は、多孔質化さ
れていない他の部分に比較して酸化レートが大きい。よ
って、多孔質シリコン層２４のみが選択的に改質され
る。また、このような熱酸化処理を行うと、シリコン基
板２の外表面に薄い酸化膜２５が形成される。本実施例
では、熱酸化工程における好適な条件として、処理温度
を１０００℃〜１０５０℃に、処理時間を３０分〜４０
分に設定している。

【００２１】次いで酸化膜２５を剥離した後、フォトリ
ソグラフィを行うことによって、開口部形成用のｐ型シ
リコン層２２に対応する部分に開口部２６ａを持つエッ
チングレジスト２６を形成する。そして、ふっ酸をエッ
チャントとして、多孔質酸化シリコン層３のエッチング
を行う。なお、本実施例では、処理温度を２０℃〜３０
℃に、処理時間を１分〜２分に設定している。また、前
記エッチングレジスト２６は、エッチャントであるふっ
酸に耐えうるもの（例えばＳｉＮ，Ｓｉ₃ Ｎ₄等）であ
る必要がある。

【００２２】この処理を行った場合、ふっ酸はマス部６
及び片持ち梁７となるべき領域の外周部上側から下側へ
と徐々に進行し、その部分の多孔質酸化シリコン層３を
選択的に溶解する。これは、多孔質酸化シリコン層３
は、多孔質化されていない部分に比較して、ふっ酸に溶
解しやすいことに起因する。そして、ふっ酸はさらにマ
ス部６及び片持ち梁７となる領域の外周部からその中心
部へと進行し、多孔質酸化シリコン層３を選択的に溶解
する。以上の結果、図９に示されるように、前記領域の
外周部及び下部に空隙８が形成され、溶け残った部分が
マス部６及び片持ち梁７となる。なお、図１に示される
ように、マス部６の面積は、矩形状のカンチレバー構造
部形成エリアＲ1 の面積に比較して、いくぶん小さいも
のとなっている。その理由は、加速度印加時におけるマ
ス部６の揺動スペースを確保するためばかりでなく、ふ
っ酸によるエッチングの制御性を確保するためである。
つまり、カンチレバー構造部形成エリアＲ1 の外周部に
エッチングが及ぶ前に、マス部６の下部がエッチングさ
れるようにするためである。従って、カンチレバー構造
部形成エリアＲ1 の面積に対するマス部６の面積の比
は、０．５〜０．６程度であることが好ましい。

【００２３】次に、前記エッチングレジスト２６におけ
る別の位置に開口部２６ｂを形成した後、ほう素の打ち
込み・熱拡散を行う。その結果、図１０に示されるよう
に、片持ち梁７の上面に拡散歪みゲージ１０が形成され
る。この後、シリコン基板２の熱酸化によって酸化膜１
１を形成し、さらにフォトエッチングによってその酸化
膜１１の所定部分にコンタクトホール１４を形成する。
このシリコン基板２に対してアルミニウムのスパッタリ
ング及びフォトリソグラフィを行うことによって、配線
パターン１２及びボンディングパッド１３を形成する。
そして、最後にＣＶＤ等によってＳｉＮ，Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等
を堆積させることにより、最外層にパッシベーション膜
１５を形成する。図１，図２の加速度センサ１は、以上
のようなプロセスを経て作製される。

【００２４】さて、本実施例の加速度センサ１による
と、片持ち梁７がｎ型単結晶シリコンのエピタキシャル
成長層４からなるという特徴がある。このため、片持ち
梁を多孔質シリコンで構成した従来のものと比較して、
その一部にゲージファクターの大きなｐ型シリコンから
なる拡散歪みゲージ１０を形成することができる。従っ
て、同じ加速度が付加したときに出力される電流の値も
大きい。ゆえに、加速度に対する反応性が確実に向上
し、加速度センサ１の高感度化が図られる。しかも、こ
の加速度センサ１では、２つの拡散歪みゲージ１０が片
持ち梁７の上面において片持ち梁７の延びる方向に対し
て直角にかつ並列に配置されている。従って、特定方向
の加速度を正確に検出することができる。このことも加
速度センサ１の高感度化に貢献する一要因となってい
る。

【００２５】 また、基本的にバイポーラウェハプロセ
スによる本実施例の製造方法では、所定領域にあらかじ
めｐ型シリコン層２１，２２を形成した後にこれらを陽
極化成する、という手法が採用されている。従って、シ
リコン基板２を直接的に陽極化成する従来の方法と比べ
て、陽極化成部の深さ等にばらつきが生じにくい。よっ
て、空隙８の形成精度、即ちマス部６及び片持ち梁７の
形成精度が向上する。また、従来の製造方法のような犠
牲層エッチング等も不要になることから、工程簡略化及
び作業容易化を達成することができる。従って、上記の
優れた加速度センサ１を容易にかつ確実に製造すること
ができる。なお、このプロセスであると、カンチレバー
構造部とシリコン基板２とを絶縁することができるとい
う利点もある。 〔参考例〕 次に、参考例における表面型の一次元半導体加速度セン
サ３１を図１１〜図２０に基づき詳細に説明する。

【００２６】 図１１，図１２には、本参考例の加速度
センサ３１の構成が概略的に示されている。面方位（１
１０）のｐ型単結晶シリコン基板２の表面には、薄膜Ｍ
が形成されている。ただし、前記実施例１とは異なり、
多孔質酸化シリコン層３は既に完全に除去されているた
め、ｎ型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層４のみ
が積層された状態となっている。この加速度センサ３１
におけるその他の構成については、基本的には実施例１
の構成と同一である。従って、共通部分については同じ
番号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００２７】 次に、この加速度センサ３１を製造する
手順を図１３〜図２０に基づいて簡単に説明する。参考
例の加速度センサ３１は、基本的には実施例１と同様の
プロセス、即ち通常のバイポーラウェハプロセスを経て
製造することができる。まず、面方位（１１０）のｐ型
単結晶シリコン基板２を用意し、上述した方法で不純物
添加を行う。その結果、シリコン基板２の上面にｐ型シ
リコン層２１が形成される。ただし、本参考例では実施
例１とは異なり、シリコン基板２の上面中央部にｐ型シ
リコン層２１を矩形状に形成する（図１３参照）。

【００２８】次に、図１４に示されるように、形成され
たｐ型シリコン層２１の上面に、気相成長によってｎ型
単結晶シリコンのエピタキシャル成長層４を積層する。
その後、フォトリソグラフィによって、エピタキシャル
成長層４の上面にマスク２３を形成する。ここで、上述
した不純物添加を再び行うことによって、図１５，図１
６に示されるように、マスク２３から露出している領域
に開口部形成用のｐ型シリコン層２２を形成する。

【００２９】次いで、シリコン基板２に対する陽極化成
処理によって、ｐ型シリコン層２１，２２の部分のみを
選択的に多孔質化する。その結果、図１７に示されるよ
うに、当該部分を多孔質シリコン層２４に変化させる。
上記の陽極化成の後、不要となったマスク２３を剥離す
る。

【００３０】次に、シリコン基板２を高温の酸化雰囲気
中に晒すことによって、図１８に示されるように、多孔
質シリコン層２４を全体的に多孔質酸化シリコン層３に
変化させる。次いで酸化膜２５を剥離した後、フォトリ
ソグラフィによって、開口部形成用のｐ型シリコン層２
２にエッチングレジスト２６を形成する。そして、ふっ
酸をエッチャントとして、多孔質酸化シリコン層３のエ
ッチングを行う。

【００３１】 この処理を行った場合、ふっ酸はマス部
６及び片持ち梁７となるべき領域の外周部上側から下側
へと徐々に進行し、その部分の多孔質酸化シリコン層３
を選択的に溶解する。これは、多孔質酸化シリコン層３
は、多孔質化されていない部分に比較して、ふっ酸に溶
解しやすいことに起因する。そして、ふっ酸はさらにマ
ス部６及び片持ち梁７となる領域の外周部からその中心
部へと進行し、多孔質酸化シリコン層３を選択的に溶解
する。以上の結果、図１９に示されるように、前記領域
の外周部及び下部に空隙８が形成され、溶け残った部分
がマス部６及び片持ち梁７となる。なお、本参考例で
は、多孔質体シリコン層３を完全に除去する点が実施例
１の製造方法と異なっている。

【００３２】次に、前記エッチングレジスト２６におけ
る別の位置に開口部２６ｂを形成した後、ほう素の打ち
込み・熱拡散を行う。その結果、図２０に示されるよう
に、片持ち梁７の上面に拡散歪みゲージ１０が形成され
る。この後、実施例１の手順に準じて、酸化膜１１、コ
ンタクトホール１４、配線パターン１２、ボンディング
パッド１３及びパッシベーション膜１５を形成する。図
１１，図１２の加速度センサ３１は、以上のようなプロ
セスを経て作製される。

【００３３】 上述したような参考例の加速度センサ３
１及びその製造方法であっても、実施例１と同等の作用
効果を奏することはいうまでもない。これに加えて、本
参考例の製造方法であると、多孔質シリコン層３のエッ
チング制御がより容易になるというメリットがある。従
って、よりいっそうの作業容易化を図ることが可能とな
る。

【００３４】 なお、本発明は上記実施例１及び参考例
のみに限定されることはなく、例えば次のように変更す
ることが可能である。 （１）ｐ型単結晶シリコン基板２として面方位(110)以
外の基板、例えば(111)基板や(100)基板等を使用しても
よい。なお、実施例１及び参考例において(100)基板を
使用すれば、より高感度にすることができる。

【００３５】（２） ＴＭＡＨ以外のアルカリ系エッチ
ャントとして、例えばＫＯＨ、ヒドラジン、ＥＰＷ（エ
チレンジアミン−ピロカテコール−水）等を使用しても
よい。

【００３６】 （３）カンチレバー構造部は実施例１及
び参考例のような片持ち式に限られることはなく、例え
ば４本の梁７によってマス部６を支持したＨブリッジ状
であってももよい。勿論、梁７を２本や３本にしたり、
５本以上にしてもよい。

【００３７】 （４）実施例１及び参考例において例示
した拡散型の歪みゲージ１０に代えて、例えばＣｒや多
結晶シリコン等からなる薄膜歪みゲージを形成してもよ
い。（５）ゲージ形成工程やパッシベーション工程を、
ふっ酸によるエッチング工程の前または熱酸化工程の前
に実施してもよい。

【００３８】（６） １つのカンチレバー構造部形成エ
リアＲ1 に、２つ以上のカンチレバー構造部を形成する
ことにより、２次元または３次元の加速度センサを構成
することも可能である。

【００３９】 （７）シリコン基板２の表面におけるカ
ンチレバー構造部の周囲のスペースに、信号論理回路等
として機能するバイポーラＩＣを形成してもよい。ここ
で、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、
前述した実施例１、参考例及び別例によって把握される
技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。

【００４０】（１） 請求項１において、カンチレバー
構造部の周囲にバイポーラＩＣを形成する。この構成で
あると、加速度センサの小型化及び高速化が達成でき
る。 （２） 請求項１において、拡散歪みゲージは、片持ち
梁の上面において同片持ち梁の延びる方向と直角に形成
されること。この構成であると、より高感度化を達成で
きる。

【００４１】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。 「陽極化成： 電解液中で基板を陽極として電流を流す
ことにより、その基板に多孔質層を形成する一括改質加
工をいう。」

【００４２】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１に記載の
発明によれば、高感度な加速度センサを提供することが
できる。請求項２に記載の発明によれば、このように優
れた加速度センサを容易にかつ確実に製造することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の加速度センサを示す概略斜視図。

【図２】同加速度センサのＡ−Ａ線における断面図。

【図３】同加速度センサの製造手順を示す概略断面図。

【図４】同加速度センサの製造手順を示す概略断面図。

【図５】同加速度センサの製造手順を示す概略平面図。

【図６】同加速度センサの製造手順を示す概略断面図。

【図７】同加速度センサの製造手順を示す概略断面図。

【図８】同加速度センサの製造手順を示す概略断面図。

【図９】同加速度センサの製造手順を示す概略断面図。

【図１０】同加速度センサの製造手順を示す概略断面
図。

【図１１】参考例の加速度センサを示す概略斜視図。

【図１２】同加速度センサのＢ−Ｂ線における断面図。

【図１３】同加速度センサの製造手順を示す概略断面
図。

【図１４】同加速度センサの製造手順を示す概略断面
図。

【図１５】同加速度センサの製造手順を示す概略断面
図。

【図１６】同加速度センサの製造手順を示す概略断面
図。

【図１７】同加速度センサの製造手順を示す概略断面
図。

【図１８】同加速度センサの製造手順を示す概略断面
図。

【図１９】同加速度センサの製造手順を示す概略断面
図。

【図２０】同加速度センサの製造手順を示す概略断面
図。

【符号の説明】

１，３１…加速度センサ、２…ｐ型単結晶シリコン基
板、３…多孔質酸化シリコン層、４…エピタキシャル成
長層、６…マス部、７…（片持ち）梁、８…空隙、１０
…歪みゲージ、１１，１２…ｐ型シリコン層、２４…多
孔質シリコン層、２６…エッチングレジスト、２６ａ…
開口部、Ｍ…薄膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 29/84 G01P 15/12

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｐ型単結晶シリコン基板（２）の表面に
   積層された薄膜（Ｍ）の一部に、外周部及び下部に形成
   される空隙（８）に対して梁（７）を介して支持される
   マス部（６）が形成され、前記梁（７）の一部に歪みゲ
   ージ（１０）が形成された加速度センサ（１）であっ
   て、前記マス部（６）と梁（７）とからカンチレバー構造部
   が構成され、 前記薄膜（Ｍ）は、多孔質酸化シリコン層（３）と該多
   孔質酸化シリコン層（３）の表面に積層されたｎ型単結
   晶シリコンのエピタキシャル成長層（４）とからなり、
   前記カンチレバー構造部は、前記エピタキシャル成長層
   （４）に形成されている加速度センサ。
2. 【請求項２】 ｐ型単結晶シリコン基板（２）の表面に
   積層された薄膜（Ｍ）の一部にマス部（６）と梁（７）
   とからなるカンチレバー構造部が形成され、その梁
   （７）の一部に歪みゲージ（１０）が形成された加速度
   センサ（１）を製造する方法であって、 不純物添加によって、ｐ型単結晶シリコン基板（２）の
   上面全体に第１のｐ型シリコン層（２１）を形成する工
   程と、 前記第１のｐ型シリコン層（２１）の上面にｎ型単結晶
   シリコンのエピタキシャル成長層（４）を積層する工程
   と、 不純物添加によって、前記エピタキシャル成長層（４）
   の上面から前記第１のｐ型シリコン層（２１）へ到達す
   るように開口部形成用の第２のｐ型シリコン層（２２）
   を前記エピタキシャル成長層（４）に形成する工程と、 陽極化成処理を行うことによって、前記第１のｐ型シリ
   コン層（２１）及び前記第２のｐ型シリコン層（２２）
   を多孔質シリコン層（２４）に変化させる工程と、 熱処理によって前記多孔質シリコン層（２４）を多孔質
   酸化シリコン層（３）に変化させる工程と、 前記多孔質シリコン層（２４）を多孔質酸化シリコン層
   （３）に変化させた後、少なくとも前記開口部形成用の
   第２のｐ型シリコン層（２２）に対応する部分に開口部
   （２６ａ）を持つエッチングレジスト（２６）を形成す
   る工程と、 前記エッチングレジスト（２６）を形成した後、前記多
   孔質酸化シリコン層（３）の一部をエッチングすること
   によって、前記マス部（６）及び前記梁（７）となるべ
   き領域の外周部及び下部に空隙（８）を形成する工程
   と、 前記空隙（８）を形成した後、前記梁（７）の上面に前
   記歪みゲージ（１０）を形成する工程とからなる 加速度
   センサの製造方法。