JPH0837314A - シリコンダイアグラムおよびシリコン圧力センサーの製造方法 - Google Patents
シリコンダイアグラムおよびシリコン圧力センサーの製造方法Info
- Publication number
- JPH0837314A JPH0837314A JP6318736A JP31873694A JPH0837314A JP H0837314 A JPH0837314 A JP H0837314A JP 6318736 A JP6318736 A JP 6318736A JP 31873694 A JP31873694 A JP 31873694A JP H0837314 A JPH0837314 A JP H0837314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- layer
- diffusion region
- epitaxial layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 title description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明に係るシリコンダイアグラムの製造方
法は、ｎ型シリコン基板を製造する段階と；前記シリコ
ン基板にｎ+不純物を拡散させ、前記基板の上側壁の所
定の部分に、ｎ+拡散領域を形成する段階と；ｎ型シリ
コンエピタキシャル層を成長させる段階と；前記ｎ型シ
リコンエピタキシャル層に通孔を形成して、前記ｎ+拡
散領域中、所定部分を露出させる段階と；フッ酸溶液中
での陽極反応により、前記ｎ+拡散領域から多孔質シリ
コン層を形成する段階と；前記多孔質シリコン層をエッ
チングして、エアーギャップを形成する段階と；前記通
孔を密封する段階とからなる。 【効果】 基板の種類や結晶方向に関係なく、所望の形
状のシリコンダイアグラム（圧力センサー等）を正確に
製造することができる。
法は、ｎ型シリコン基板を製造する段階と；前記シリコ
ン基板にｎ+不純物を拡散させ、前記基板の上側壁の所
定の部分に、ｎ+拡散領域を形成する段階と；ｎ型シリ
コンエピタキシャル層を成長させる段階と；前記ｎ型シ
リコンエピタキシャル層に通孔を形成して、前記ｎ+拡
散領域中、所定部分を露出させる段階と；フッ酸溶液中
での陽極反応により、前記ｎ+拡散領域から多孔質シリ
コン層を形成する段階と；前記多孔質シリコン層をエッ
チングして、エアーギャップを形成する段階と；前記通
孔を密封する段階とからなる。 【効果】 基板の種類や結晶方向に関係なく、所望の形
状のシリコンダイアグラム（圧力センサー等）を正確に
製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧力センサー、加速度
センサー、振動センサー等の製造に使用される、半導体
装置の製造方法に関し、さらに詳しくは、単結晶シリコ
ンダイヤグラム、又は、圧力センサー等を、基板の種類
や結晶方向に係わりなく、円形、三角形、螺旋形等、任
意の形状にて製造するために、多孔質シリコンを応用し
た、半導体装置の製造方法に関するものである。
センサー、振動センサー等の製造に使用される、半導体
装置の製造方法に関し、さらに詳しくは、単結晶シリコ
ンダイヤグラム、又は、圧力センサー等を、基板の種類
や結晶方向に係わりなく、円形、三角形、螺旋形等、任
意の形状にて製造するために、多孔質シリコンを応用し
た、半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の単結晶シリコンダイアグラムは、
基板裏面の等方性蝕刻、又は、異方性蝕刻により製造さ
れていた。
基板裏面の等方性蝕刻、又は、異方性蝕刻により製造さ
れていた。
【０００３】等方性蝕刻法を使用する場合は、ダイアグ
ラムを任意の形状にて作成できると言う利点があるが、
好ましくないサイドエッチング現象が発生するために、
実用化されなかった。
ラムを任意の形状にて作成できると言う利点があるが、
好ましくないサイドエッチング現象が発生するために、
実用化されなかった。
【０００４】一方、異方性蝕刻法は、エッチング耐性を
有する基板（１１１）結晶面が側面に現れるので、サイ
ドエッチングを防止することはできるが、基板の結晶方
向に従って、ダイアグラムの形状が制限されるために、
４角形のダイアグラムしか製造することができないとの
問題点があった。
有する基板（１１１）結晶面が側面に現れるので、サイ
ドエッチングを防止することはできるが、基板の結晶方
向に従って、ダイアグラムの形状が制限されるために、
４角形のダイアグラムしか製造することができないとの
問題点があった。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、前記した問題点を解決するた
めに案出されたものであって、基板の結晶方向に係わり
なく、任意の形状を有するダイアグラム、又は、圧力セ
ンサーを正確に製造する方法を提供することにその目的
がある。
めに案出されたものであって、基板の結晶方向に係わり
なく、任意の形状を有するダイアグラム、又は、圧力セ
ンサーを正確に製造する方法を提供することにその目的
がある。
【０００６】
【発明の概要】前記した目的を達成するための、本発明
に係るシリコンダイアグラムの製造方法は、ｎ型シリコ
ン基板を製造する段階と；前記シリコン基板にｎ+不純
物を拡散させ、前記基板の上側壁の所定の部分にｎ+拡
散領域を形成する段階と；ｎ型シリコンエピタキシャル
層を成長させる段階と；前記ｎ型シリコンエピタキシャ
ル層に通孔を形成して、前記ｎ+拡散領域中、所定部分
を露出させる段階と；フッ酸溶液中での陽極反応によ
り、前記ｎ+拡散領域から多孔質シリコン層を形成する
段階と；前記多孔質シリコン層をエッチングして、エア
ーギャップを形成する段階と；前記通孔を密封する段階
とからなる。
に係るシリコンダイアグラムの製造方法は、ｎ型シリコ
ン基板を製造する段階と；前記シリコン基板にｎ+不純
物を拡散させ、前記基板の上側壁の所定の部分にｎ+拡
散領域を形成する段階と；ｎ型シリコンエピタキシャル
層を成長させる段階と；前記ｎ型シリコンエピタキシャ
ル層に通孔を形成して、前記ｎ+拡散領域中、所定部分
を露出させる段階と；フッ酸溶液中での陽極反応によ
り、前記ｎ+拡散領域から多孔質シリコン層を形成する
段階と；前記多孔質シリコン層をエッチングして、エア
ーギャップを形成する段階と；前記通孔を密封する段階
とからなる。
【０００７】また本発明に係る圧力センサーの製造方法
は、ｎ型シリコン基板を製造する段階と；前記シリコン
基板にｎ+不純物を拡散させ、前記基板の上側壁の所定
の部分にｎ+拡散領域を形成する段階と；ｎ型シリコン
エピタキシャル層を成長させる段階と；前記ｎ型シリコ
ンエピタキシャル層に圧抵抗を形成させる段階と；前記
圧抵抗が形成されたｎ型シリコンエピタキシャル層上
に、金属層を蒸着させる段階と；前記金属層及び前記ｎ
型シリコンエピタキシャル層に通孔を形成して、前記ｎ
+拡散領域中所定の部分を露出させる段階と；フッ酸溶
液中での陽極反応により、前記ｎ+拡散領域から多孔質
シリコン層を形成する段階と；前記金属層をパターニン
グする段階と；前記多孔質シリコン層をエッチングし
て、エアーギャップを形成する段階と；前記通孔を密封
する段階とからなる。
は、ｎ型シリコン基板を製造する段階と；前記シリコン
基板にｎ+不純物を拡散させ、前記基板の上側壁の所定
の部分にｎ+拡散領域を形成する段階と；ｎ型シリコン
エピタキシャル層を成長させる段階と；前記ｎ型シリコ
ンエピタキシャル層に圧抵抗を形成させる段階と；前記
圧抵抗が形成されたｎ型シリコンエピタキシャル層上
に、金属層を蒸着させる段階と；前記金属層及び前記ｎ
型シリコンエピタキシャル層に通孔を形成して、前記ｎ
+拡散領域中所定の部分を露出させる段階と；フッ酸溶
液中での陽極反応により、前記ｎ+拡散領域から多孔質
シリコン層を形成する段階と；前記金属層をパターニン
グする段階と；前記多孔質シリコン層をエッチングし
て、エアーギャップを形成する段階と；前記通孔を密封
する段階とからなる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の良好な実施例を、添付した
図面を参照して、詳細に説明する。
図面を参照して、詳細に説明する。
【０００９】第１図Ａ〜Ｆは、本発明に係るダイアグラ
ムの製造工程を説明するための断面図である。先ず、第
１図のＡに図示したように、ｎ型シリコン基板１（ｎ−
ｓｕｂ）を準備し、続いて、常法にて初期洗浄する。
ムの製造工程を説明するための断面図である。先ず、第
１図のＡに図示したように、ｎ型シリコン基板１（ｎ−
ｓｕｂ）を準備し、続いて、常法にて初期洗浄する。
【００１０】次に、４５００Å〜５０００Å程度の厚さ
を有する、シリコン酸化膜２ａ及び２ｂを、シリコン基
板１の上側壁および下側壁に成長させる。次に、第１図
のＢに図示したように、後述する多孔質シリコン領域を
定義するために、写真蝕刻法にて拡散窓を開け、ｎ+型
不純物源として、ＰＯＣｌ3溶液を使用して、シリコン
基板１の上側壁の所定部分に、長さ５μｍ〜２５μｍの
ｎ+拡散領域４（ｎ+−ｄｉｆｆ）を形成する。この時、
同時に他のｎ+層３がシリコン基板１の下側壁に不可避
的に形成される。
を有する、シリコン酸化膜２ａ及び２ｂを、シリコン基
板１の上側壁および下側壁に成長させる。次に、第１図
のＢに図示したように、後述する多孔質シリコン領域を
定義するために、写真蝕刻法にて拡散窓を開け、ｎ+型
不純物源として、ＰＯＣｌ3溶液を使用して、シリコン
基板１の上側壁の所定部分に、長さ５μｍ〜２５μｍの
ｎ+拡散領域４（ｎ+−ｄｉｆｆ）を形成する。この時、
同時に他のｎ+層３がシリコン基板１の下側壁に不可避
的に形成される。
【００１１】前記ｎ+層３は、後述する陽極反応におい
て有用に使用されるものであるが、本発明の構成に必ず
しも必要なものではない。次に、第１図のＣに図示した
ように、シリコン基板１の上側壁上に形成されていたシ
リコン酸化膜層２ａを除去した後に、抵抗率が５Ωｃｍ
〜１５Ωｃｍである、ｎ型シリコンエピタキシャル層５
を、３μｍ〜１０μｍの厚さにて成長させる。
て有用に使用されるものであるが、本発明の構成に必ず
しも必要なものではない。次に、第１図のＣに図示した
ように、シリコン基板１の上側壁上に形成されていたシ
リコン酸化膜層２ａを除去した後に、抵抗率が５Ωｃｍ
〜１５Ωｃｍである、ｎ型シリコンエピタキシャル層５
を、３μｍ〜１０μｍの厚さにて成長させる。
【００１２】次に、第１図のＤに図示したように、写真
蝕刻法にてｎ型シリコンエピタキシャル層５上に、通孔
１１を形成して、ｎ+拡散領域４を所定部分露出させ、
続いて、５〜４８重量％のフッ酸（ＨＦ）溶液中で２Ｖ
〜５Ｖの電圧を所定時間印加することにより、陽極反応
を行い、ｎ+拡散領域４から多孔質シリコン層９（ＰＳ
Ｌ）を形成する。
蝕刻法にてｎ型シリコンエピタキシャル層５上に、通孔
１１を形成して、ｎ+拡散領域４を所定部分露出させ、
続いて、５〜４８重量％のフッ酸（ＨＦ）溶液中で２Ｖ
〜５Ｖの電圧を所定時間印加することにより、陽極反応
を行い、ｎ+拡散領域４から多孔質シリコン層９（ＰＳ
Ｌ）を形成する。
【００１３】次に、第１図のＥに図示したように、多孔
質シリコン層９を選択的にエッチングし、非イオン水で
洗浄し、真空熱乾燥して、エアーギャップ（ａｉｒ−ｇ
ａｐ）１０を形成する。
質シリコン層９を選択的にエッチングし、非イオン水で
洗浄し、真空熱乾燥して、エアーギャップ（ａｉｒ−ｇ
ａｐ）１０を形成する。
【００１４】最後に、第１図のＦに図示したように、前
記通孔１１を用途に従って、ポリマー、金属ペースト、
ＳＯＧ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）等の密封
物１２で密封することにより、シリコンダイアグラムが
製造される。
記通孔１１を用途に従って、ポリマー、金属ペースト、
ＳＯＧ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）等の密封
物１２で密封することにより、シリコンダイアグラムが
製造される。
【００１５】第２図のＡ〜Ｇは、本発明に係る圧力セン
サーの製造工程を説明するための断面図である。第２図
において、Ａ〜Ｃにて図示された工程、即ち、ｎ型シリ
コンエピタキシャル層５を形成するまでの工程は、第１
図のＡ〜Ｃで図示された工程と同一であるため、説明は
省略する。
サーの製造工程を説明するための断面図である。第２図
において、Ａ〜Ｃにて図示された工程、即ち、ｎ型シリ
コンエピタキシャル層５を形成するまでの工程は、第１
図のＡ〜Ｃで図示された工程と同一であるため、説明は
省略する。
【００１６】次に、第２図のＤに図示したように、シリ
コン酸化層８をｎ型シリコンエピタキシャル層５上に成
長させ、写真蝕刻法によってシリコン酸化層８の所定部
分に拡散窓を開け、熱拡散法、又は、イオン注入法によ
って、複数個のＰ型圧抵抗６を、ｎ型シリコンエピタキ
シャル層５に形成させる。
コン酸化層８をｎ型シリコンエピタキシャル層５上に成
長させ、写真蝕刻法によってシリコン酸化層８の所定部
分に拡散窓を開け、熱拡散法、又は、イオン注入法によ
って、複数個のＰ型圧抵抗６を、ｎ型シリコンエピタキ
シャル層５に形成させる。
【００１７】次に、シリコン酸化層８上に、蒸着法によ
って金属層７を形成した後に熱処理する。金属層７とし
ては、たとえばＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ等が好ましく用いられ
る。ここにおいて、金属層７は、後述する陽極反応工程
における素子等の保護膜及び金属パッド（ｍｅｔａｌ
ｐａｄ）としての機能を有する。
って金属層７を形成した後に熱処理する。金属層７とし
ては、たとえばＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ等が好ましく用いられ
る。ここにおいて、金属層７は、後述する陽極反応工程
における素子等の保護膜及び金属パッド（ｍｅｔａｌ
ｐａｄ）としての機能を有する。
【００１８】次に、第２図のＥに図示したように、陽極
反応を行うための通孔１１をエッチングにより形成させ
て、ｎ+拡散領域４を所定部分露出させる。続いて、５
〜４８重量％のフッ酸（ＨＦ）溶液中で２Ｖ〜５Ｖの電
圧を所定時間印加することにより、陽極反応を行い、ｎ
+拡散領域４から多孔質シリコン層９（ＰＳＬ）を形成
する。
反応を行うための通孔１１をエッチングにより形成させ
て、ｎ+拡散領域４を所定部分露出させる。続いて、５
〜４８重量％のフッ酸（ＨＦ）溶液中で２Ｖ〜５Ｖの電
圧を所定時間印加することにより、陽極反応を行い、ｎ
+拡散領域４から多孔質シリコン層９（ＰＳＬ）を形成
する。
【００１９】次に、第２図のＦに図示したように、金属
層７を写真蝕刻法によって、所望の形状にパターニング
して導線を形成した後に、多孔質シリコン層９を、選択
的にエッチングする。
層７を写真蝕刻法によって、所望の形状にパターニング
して導線を形成した後に、多孔質シリコン層９を、選択
的にエッチングする。
【００２０】次に、基板を非イオン水で洗浄し、真空熱
乾燥して、正確なエアーギャップ１０を形成する。最後
に、第２図のＧに図示したように、通孔１１を用途に従
って、ポリマー、金属ペースト、ＳＯＧ等の密封物で密
封して、圧力センサーが製造される。
乾燥して、正確なエアーギャップ１０を形成する。最後
に、第２図のＧに図示したように、通孔１１を用途に従
って、ポリマー、金属ペースト、ＳＯＧ等の密封物で密
封して、圧力センサーが製造される。
【００２１】このように製造された圧力センサーにおい
て、ダイアグラムに、エアーギャップ１０の空気圧より
強い圧力が印加されると、ダイアグラムが撓み、これに
従って、圧抵抗６には、応力（ｓｔｒｅｓｓ）が加えら
れる。
て、ダイアグラムに、エアーギャップ１０の空気圧より
強い圧力が印加されると、ダイアグラムが撓み、これに
従って、圧抵抗６には、応力（ｓｔｒｅｓｓ）が加えら
れる。
【００２２】圧抵抗６に応力が印加されると、抵抗値が
変化し、金属層７から形成された導線を通して、前記抵
抗値を読み込んで、圧力を検出できるようになる。前記
した圧力センサーは、場合によって、触覚センサー等の
用途にも応用することができる。
変化し、金属層７から形成された導線を通して、前記抵
抗値を読み込んで、圧力を検出できるようになる。前記
した圧力センサーは、場合によって、触覚センサー等の
用途にも応用することができる。
【００２３】また、ダイアグラム上にある通孔１１を密
封する時、密封物１２を多量に搭載し、質量（錘）部
（ｍａｓｓ ｐｏｒｔｉｏｎ）として作用するように成
せば、加速度センサー、又は、振動センサーを製造する
こともできる。
封する時、密封物１２を多量に搭載し、質量（錘）部
（ｍａｓｓ ｐｏｒｔｉｏｎ）として作用するように成
せば、加速度センサー、又は、振動センサーを製造する
こともできる。
【００２４】
【発明の効果】以上において説明したように、本発明に
係るシリコンダイアグラムおよび圧力センサーの製造方
法によれば、基板の種類や結晶方向に関係なく、所望の
形状のシリコンダイアグラムや、これを利用した圧力セ
ンサーを正確に製造することができる。
係るシリコンダイアグラムおよび圧力センサーの製造方
法によれば、基板の種類や結晶方向に関係なく、所望の
形状のシリコンダイアグラムや、これを利用した圧力セ
ンサーを正確に製造することができる。
【図１】 図１Ａ〜Ｆは、本発明に係るシリコンダイア
グラムの製造工程を説明するための断面図である。
グラムの製造工程を説明するための断面図である。
【図２】 図２Ａ〜Ｇは、本発明に係る圧力センサーの
製造工程を説明するための断面図である。
製造工程を説明するための断面図である。
１…ｎ型シリコン基板 ２ａ〜２ｂ…酸化膜 ３…ｎ+層 ４…ｎ+拡散領域 ５…ｎ型シリコンエピタキシャル層 ６…圧抵抗 ７…金属層 ８…酸化膜 ９…多孔質シリコン層 １０…エアーギャップ １１…通孔 １２…密封物
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型シリコン基板を製造する段階と；前
記シリコン基板にｎ+不純物を拡散させ、前記基板の上
側壁の所定の部分にｎ+拡散領域を形成する段階と；ｎ
型シリコンエピタキシャル層を成長させる段階と；前記
ｎ型シリコンエピタキシャル層に通孔を形成して、前記
ｎ+拡散領域中、所定部分を露出させる段階と；フッ酸
溶液中での陽極反応により、前記ｎ+拡散領域から多孔
質シリコン層を形成する段階と；前記多孔質シリコン層
をエッチングして、エアーギャップを形成する段階と；
前記通孔を密封する段階とからなるシリコンダイアグラ
ムの製造方法。 - 【請求項２】 ｎ型シリコン基板を製造する段階と；前
記シリコン基板にｎ+不純物を拡散させ、前記基板の上
側壁の所定の部分にｎ+拡散領域を形成する段階と；ｎ
型シリコンエピタキシャル層を成長させる段階と；前記
ｎ型シリコンエピタキシャル層に圧抵抗を形成させる段
階と；前記圧抵抗が形成されたｎ型シリコンエピタキシ
ャル層上に、金属層を蒸着させる段階と；前記金属層及
び前記ｎ型シリコンエピタキシャル層に通孔を形成し
て、前記ｎ +拡散領域中所定の部分を露出させる段階
と；フッ酸溶液中での陽極反応により、前記ｎ+拡散領
域から多孔質シリコン層を形成する段階と；前記金属層
をパターニングする段階と；前記多孔質シリコン層をエ
ッチングして、エアーギャップを形成する段階と；前記
通孔を密封する段階とからなるシリコン圧力センサーの
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR930029499 | 1993-12-24 | ||
| KR93-29499 | 1993-12-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837314A true JPH0837314A (ja) | 1996-02-06 |
| JP2582229B2 JP2582229B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=19372531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6318736A Expired - Fee Related JP2582229B2 (ja) | 1993-12-24 | 1994-12-21 | シリコンダイアグラムおよびシリコン圧力センサーの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5445991A (ja) |
| JP (1) | JP2582229B2 (ja) |
| KR (1) | KR0155141B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502555A (ja) * | 2000-07-05 | 2004-01-29 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 半導体構成素子の製造方法並びにその方法により製造された半導体構成素子 |
| JP2006075982A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Robert Bosch Gmbh | マイクロマシニング型のセンサ素子 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329751B1 (ko) * | 1995-12-16 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 다공질실리콘막을이용한산화막제조방법 |
| US5888412A (en) * | 1996-03-04 | 1999-03-30 | Motorola, Inc. | Method for making a sculptured diaphragm |
| CN1077283C (zh) * | 1996-08-23 | 2002-01-02 | 李韫言 | 一种微细加工的热式流量传感器及其制造方法 |
| US5853601A (en) * | 1997-04-03 | 1998-12-29 | Northrop Grumman Corporation | Top-via etch technique for forming dielectric membranes |
| EP0895276A1 (en) * | 1997-07-31 | 1999-02-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for manufacturing integrated microstructures of single-crystal semiconductor material |
| EP0913921B1 (en) * | 1997-10-29 | 2006-05-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for manufacturing a semiconductor material integrated microactuator, in particular for a hard disc mobile read/write head, and a microactuator obtained thereby |
| US6331208B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor |
| SE0000271D0 (sv) * | 2000-01-28 | 2000-01-28 | Acreo Ab | A method for producing a semiconductor device of SiC |
| DE10065026A1 (de) * | 2000-12-23 | 2002-07-04 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| WO2002095913A2 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-28 | Marconi Intellectual Property (Ringfence) Inc. | Power systems power circuits and components for power systems |
| DE10154867A1 (de) * | 2001-11-08 | 2003-05-28 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiterbauelement, insbesondere mikromechanischer Drucksensor |
| KR20030039446A (ko) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | 삼성전자주식회사 | Ｆｂａｒ 제조방법 |
| US20040118621A1 (en) * | 2002-12-18 | 2004-06-24 | Curtis Marc D. | Live hydraulics for utility vehicles |
| US6928879B2 (en) * | 2003-02-26 | 2005-08-16 | Robert Bosch Gmbh | Episeal pressure sensor and method for making an episeal pressure sensor |
| DE10311795B4 (de) * | 2003-03-18 | 2012-09-27 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer Druckschalter sowie Verfahren zur Herstellung des Mikromechanischen Druckschalters |
| US6936491B2 (en) | 2003-06-04 | 2005-08-30 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating microelectromechanical systems and devices having trench isolated contacts |
| US7075160B2 (en) | 2003-06-04 | 2006-07-11 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems and devices having thin film encapsulated mechanical structures |
| US6952041B2 (en) | 2003-07-25 | 2005-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Anchors for microelectromechanical systems having an SOI substrate, and method of fabricating same |
| US6930367B2 (en) * | 2003-10-31 | 2005-08-16 | Robert Bosch Gmbh | Anti-stiction technique for thin film and wafer-bonded encapsulated microelectromechanical systems |
| US7569412B2 (en) | 2003-12-16 | 2009-08-04 | Robert Bosch Gmbh | Method for manufacturing a diaphragm sensor |
| DE102004036035B4 (de) * | 2003-12-16 | 2015-10-15 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein Halbleiterbauelement, insbesondere ein Membransensor |
| EP1544163B1 (de) * | 2003-12-16 | 2021-02-24 | Robert Bosch GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Membransensors und entsprechender Membransensor |
| US7115436B2 (en) * | 2004-02-12 | 2006-10-03 | Robert Bosch Gmbh | Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems |
| US6946728B2 (en) * | 2004-02-19 | 2005-09-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and methods for hermetic sealing of post media-filled MEMS package |
| US7068125B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Temperature controlled MEMS resonator and method for controlling resonator frequency |
| US7102467B2 (en) | 2004-04-28 | 2006-09-05 | Robert Bosch Gmbh | Method for adjusting the frequency of a MEMS resonator |
| US7449355B2 (en) * | 2005-04-27 | 2008-11-11 | Robert Bosch Gmbh | Anti-stiction technique for electromechanical systems and electromechanical device employing same |
| US20070170528A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Aaron Partridge | Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same |
| KR100928223B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2009-11-24 | 전자부품연구원 | 촉각 센서 |
| CN103644999A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-03-19 | 中国科学院半导体研究所 | 一种低量程高灵敏度mems压力传感器及其制作方法 |
| WO2018140693A1 (en) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | Northwestern University | Wireless surface mountable sensors and actuators |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3976511A (en) * | 1975-06-30 | 1976-08-24 | Ibm Corporation | Method for fabricating integrated circuit structures with full dielectric isolation by ion bombardment |
| JP2508070B2 (ja) * | 1987-04-08 | 1996-06-19 | 日本電装株式会社 | 圧力検出素子及びその製造方法 |
| JP2811768B2 (ja) * | 1989-07-17 | 1998-10-15 | 株式会社デンソー | 半導体式加速度センサおよびその製造方法 |
| JPH0723539A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-24 | Isuzu Ceramics Kenkyusho:Kk | 超高速磁石回転子 |
-
1994
- 1994-12-06 KR KR1019940032959A patent/KR0155141B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-12-21 JP JP6318736A patent/JP2582229B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-23 US US08/371,271 patent/US5445991A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502555A (ja) * | 2000-07-05 | 2004-01-29 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 半導体構成素子の製造方法並びにその方法により製造された半導体構成素子 |
| US8123963B2 (en) | 2000-07-05 | 2012-02-28 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component produced according to the method |
| USRE44995E1 (en) | 2000-07-05 | 2014-07-08 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component produced according to the method |
| JP2006075982A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Robert Bosch Gmbh | マイクロマシニング型のセンサ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0155141B1 (ko) | 1998-10-15 |
| JP2582229B2 (ja) | 1997-02-19 |
| KR950020963A (ko) | 1995-07-26 |
| US5445991A (en) | 1995-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2582229B2 (ja) | シリコンダイアグラムおよびシリコン圧力センサーの製造方法 | |
| Bell et al. | Porous silicon as a sacrificial material | |
| JP3493068B2 (ja) | 結晶性材料からなる加速度センサおよびこの加速度センサの製造方法 | |
| US5616514A (en) | Method of fabricating a micromechanical sensor | |
| JP2005062196A (ja) | マイクロメカニックセンサおよびその製造方法 | |
| EP1105344A1 (de) | Mikromechanischer sensor und verfahren zu seiner herstellung | |
| CN209815676U (zh) | 一种mems结构 | |
| US20020179563A1 (en) | Application of a strain-compensated heavily doped etch stop for silicon structure formation | |
| US6702637B2 (en) | Method of forming a small gap and its application to the fabrication of a lateral FED | |
| JPS6376484A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JP2004521755A (ja) | 表面マイクロメカニカル構造体の製造方法並びにセンサ | |
| KR940010316A (ko) | 전하저장전극 제조 방법 | |
| JPH11135806A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JPH11307441A (ja) | シリコンメンブレン構造体及びその製造方法 | |
| JPH10117026A (ja) | シリコン微細機械素子の製造方法 | |
| CN211504500U (zh) | 一种微压传感器 | |
| JP2817230B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6315422A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04329676A (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JPS58216453A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11340189A (ja) | マイクロマシン製造における凹部又は貫通孔の形成方法 | |
| JP2853325B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02281760A (ja) | 単結晶薄模部材の製造方法 | |
| JPH0573276B2 (ja) | ||
| CN114506811A (zh) | 一种mems器件及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |