JP2007017254A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ダイヤフラム型の半導体圧力センサの製造方法において、平坦な面を有するダイヤフラムを高精度で形成する方法を提供する。
【解決手段】 圧力で変形するダイヤフラムを有する半導体圧力センサの製造方法が、表面および裏面がミラー面である半導体基板を準備する工程と、半導体基板の裏面に熱酸化膜を形成する熱酸化工程と、半導体基板の表面に、ゲージ抵抗層を含む検知部を形成する検知部形成工程と、半導体基板の裏面に、熱酸化膜を含むエッチングマスクを形成するパターニング工程と、エッチングマスクを用いて半導体基板を裏面からエッチングして凹部を形成し、凹部の底部をダイヤフラムとするエッチング工程とを含む。
【選択図】図3
【解決手段】 圧力で変形するダイヤフラムを有する半導体圧力センサの製造方法が、表面および裏面がミラー面である半導体基板を準備する工程と、半導体基板の裏面に熱酸化膜を形成する熱酸化工程と、半導体基板の表面に、ゲージ抵抗層を含む検知部を形成する検知部形成工程と、半導体基板の裏面に、熱酸化膜を含むエッチングマスクを形成するパターニング工程と、エッチングマスクを用いて半導体基板を裏面からエッチングして凹部を形成し、凹部の底部をダイヤフラムとするエッチング工程とを含む。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体圧力センサの製造方法に関し、特にダイヤフラム型の半導体圧力センサの製造方法に関する。
従来のダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程では、まず、前工程として、表面がミラー面である半導体基板を用いて、表面にゲージ抵抗、配線、アルミパッド等の表面パターンを形成する。続いて、後工程として、裏面を研磨して半導体基板の膜厚を薄くし、最後に、裏面にプラズマCVDでエッチングマスク(窒化シリコン膜)を形成した後、エッチングマスクを用いたウエットエッチングで半導体基板に凹部を設け、凹部の底部にダイヤフラムを形成していた。
特開平9−45928号公報
半導体基板の裏面を後工程で研磨した場合、ダメージや傷が裏面に形成され、ダイヤフラム面(凹部の底面)が荒れるという問題があった。また、凹部を形成するためのエッチングマスクの密着性が悪く、ダイヤフラム(凹部)の形状を精度良く制御できないという問題もあった。
そこで、本発明は、ダイヤフラム型の半導体圧力センサの製造方法において、平坦な面を有するダイヤフラムを高精度で形成する方法を提供することを目的とする。
本発明は、圧力で変形するダイヤフラムを有する半導体圧力センサの製造方法であって、表面および裏面がミラー面である半導体基板を準備する工程と、半導体基板の裏面に熱酸化膜を形成する熱酸化工程と、半導体基板の表面に、ゲージ抵抗層を含む検知部を形成する検知部形成工程と、半導体基板の裏面に、熱酸化膜を含むエッチングマスクを形成するパターニング工程と、エッチングマスクを用いて半導体基板を裏面からエッチングして凹部を形成し、凹部の底部をダイヤフラムとするエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法である。
以上のように、本発明にかかる製造方法では、平坦な面を有するダイヤフラムを高精度で形成したダイヤフラム型半導体圧力センサを提供することができる。
実施の形態1.
図1〜3は、全体が100で表される、本実施の形態にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜3を含む。
図1〜3は、全体が100で表される、本実施の形態にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜3を含む。
工程1:図1に示すように、n型シリコンの半導体基板1を準備する。半導体基板1は、表面、裏面ともに予めミラー面に加工されている。また、半導体基板1の膜厚は、最終的に形成されるダイヤフラム型半導体圧力センサ100の厚みに略等しく、例えば、400μmとする。
続いて、半導体基板1の表面および裏面に、熱酸化法により熱酸化膜(酸化シリコン膜)2を形成する。
工程2:図2に示すように、半導体基板1の表面に、半導体圧力センサの検知部を作製する。具体的には、p型の配線層(第1拡散層)3と、配線層3より不純物濃度の低い(抵抗の高い)p型のゲージ抵抗層(第2拡散層)4とを、例えば熱拡散法を用いて形成する。かかる検知部では、一般的なダイヤフラム型半導体圧力センサと同様に、ゲージ抵抗層4が、ホイートストンブリッジを形成するように、配線層3により接続されている。
続いて、配線層3に接続するようにアルミニウムからなるパッド電極5を、例えば蒸着法で形成する。更に、保護膜として、ガラスコート膜6を形成する。なお、ここまでの工程(検知部の形成工程)は前工程と呼ばれ、以下の工程(ダイヤフラムの形成工程)は後工程と呼ばれる。
工程3:図3に示すように、工程1で裏面に形成した熱酸化膜2をパターニングして、エッチングマスクを形成する。エッチングマスクは、表面のゲージ抵抗層4の位置を基準にアライメントして形成する。これにより、ダイヤフラム9のエッジ近傍にゲージ抵抗層4が配置された構造となる。
続いて、エッチングマスクを用いて半導体基板1をエッチングして凹部を形成し、その底部に残った半導体基板1をダイヤフラム9とする。エッチングには、熱酸化膜2の膜厚が薄いことを考慮して、熱酸化膜2に対するエッチング速度が遅い(例えば2μm/分)TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide)水溶液等が用いられる。
以上の工程により、図3に示すダイヤフラム型半導体圧力センサ100が完成する。なお、かかる製造工程では、上述のように両面が予めミラー面に加工され、かつ膜厚が400μm程度の半導体基板1を用いるため、半導体基板1の裏面を研磨して膜厚を減じる研磨工程が不要となる。
このように、本実施の形態1にかかる製造方法では、研磨工程を用いることなく、ミラー面である裏面をエッチングするだけでダイヤフラム9を形成することができる。このため、ダイヤフラム9の表面(凹部の底面)が、良好な平坦性を有することとなる。
また、エッチングマスクが熱酸化膜2から形成されるため、エッチングマスクと半導体基板1との密着力が強く、高精度なウエットエッチングが可能となる。
更に、裏面の研磨工程が不要となり、製造工程の短縮および製造コストの低減が可能となる。
また、エッチングマスクが熱酸化膜2から形成されるため、エッチングマスクと半導体基板1との密着力が強く、高精度なウエットエッチングが可能となる。
更に、裏面の研磨工程が不要となり、製造工程の短縮および製造コストの低減が可能となる。
ダイヤフラム型半導体圧力センサ100では、ダイヤフラム9に圧力が加わると、ダイヤフラム9が撓み、ダイヤフラム9のエッジ近傍に設けられたゲージ抵抗層4の抵抗値が変化する。従って、かかる抵抗値の変化を検出することにより、加えられた圧力を検出することができる。
なお、本実施の形態1では、n型の半導体基板1に、p型の配線層3、ゲージ抵抗層4を形成する場合について述べたが、p型の半導体基板1に、n型の配線層3、ゲージ抵抗層4を形成することも可能である(以下の実施の形態2〜5においても同じ)。
実施の形態2.
図4〜6は、全体が200で表される、本実施の形態2にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜3を含む。
図4〜6は、全体が200で表される、本実施の形態2にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜3を含む。
工程1:図4に示すように、実施の形態1の工程1、2と同様の工程により、半導体基板1の表面に半導体圧力センサの検知部を、裏面に熱酸化膜2を形成する。
続いて、例えばプラズマCVD法を用いて、裏面にプラズマ窒化膜(窒化シリコン膜)7を形成する。プラズマ窒化膜7は、低温で作製することができるため、検知部において、ゲージ抵抗層4等に含まれる不純物の熱拡散は発生しない。
続いて、例えばプラズマCVD法を用いて、裏面にプラズマ窒化膜(窒化シリコン膜)7を形成する。プラズマ窒化膜7は、低温で作製することができるため、検知部において、ゲージ抵抗層4等に含まれる不純物の熱拡散は発生しない。
工程2:図5に示すように、工程1で裏面に形成した熱酸化膜2およびプラズマ窒化膜7をパターニングして、エッチングマスクを形成する。エッチングマスクは、表面のゲージ抵抗層4の位置を基準にアライメントして形成する。
なお、エッチングマスクのパターニング工程において、プラズマ窒化膜7のエッチングはドライエッチングを用いて行い、一方、熱酸化膜2のエッチングはウエットエッチングを用いて行う。これにより、半導体基板1の裏面に、ドライエッチングによりダメージが入るのを防止できる。
工程3:エッチングマスクを用いて半導体基板1をウエットエッチングして凹部を形成し、その底部をダイヤフラム9とする。工程3では、熱酸化膜2の上にプラズマ窒化膜7が形成されているため、エッチング液として、エッチングの制御性が良いKOH水溶液を使用することができる。
以上の工程により、図6に示すダイヤフラム型半導体圧力センサ200が完成する。
以上の工程により、図6に示すダイヤフラム型半導体圧力センサ200が完成する。
このように、本実施の形態2にかかる製造方法では、上述の実施の形態1の効果に加えて、KOH水溶液を用いることにより、精度の高いウエットエッチングが可能となり、高精度のダイヤフラム9が形成できる。
また、裏面の熱酸化膜2に、前工程中に傷が形成された場合でも、その上にプラズマ窒化膜7を形成することにより、傷を覆い平坦な面を得ることができる。
また、裏面の熱酸化膜2に、前工程中に傷が形成された場合でも、その上にプラズマ窒化膜7を形成することにより、傷を覆い平坦な面を得ることができる。
実施の形態3.
図7〜11は、全体が300で表される、本実施の形態にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜5を含む。
図7〜11は、全体が300で表される、本実施の形態にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜5を含む。
工程1:図7に示すように、半導体基板1の表面および裏面に、熱酸化法により熱酸化膜2を形成する。半導体基板1は、表面、裏面ともにミラー面で、膜厚は400μmとする。
工程2:図8に示すように、裏面の熱酸化膜2の上に、熱CVD法を用いて窒化膜(窒化シリコン膜)11を形成する。かかる窒化膜11は、表面にも形成しても良い。
工程3:図9に示すように、半導体基板1の表面に半導体圧力センサの検知部を形成する。かかる工程で、裏面は保護膜である窒化膜11に覆われている。
工程4:図10に示すように、裏面に形成した熱酸化膜2および窒化膜11をパターニングして、エッチングマスクを形成する。エッチングマスクは、表面のゲージ抵抗層4の位置を基準にアライメントして形成する。
工程5:図11に示すように、エッチングマスクを用いて半導体基板1をウエットエッチングして凹部を形成し、その底面をダイヤフラム9とする。エッチング液には、例えばKOH水溶液を使用する。
以上の工程により、図11に示すダイヤフラム型半導体圧力センサ300が完成する。
以上の工程により、図11に示すダイヤフラム型半導体圧力センサ300が完成する。
このように、本実施の形態3にかかる製造方法では、上記実施の形態2の効果に加えて、更に、表面に検知部を形成する工程では、裏面の熱酸化膜2が窒化膜11で保護されており、検知部形成工程で熱酸化膜2に損傷が入るのを防止できる。この結果、エッチングマスクと半導体基板1との密着性等が向上し、より高精度でダイヤフラム9を形成することができる。
また、予め窒化膜11を形成することにより、後工程で窒化膜11を形成するよりも、製造工程が簡単になる。
実施の形態4.
図12〜15は、全体が400で表される、本実施の形態にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜4を含む。
図12〜15は、全体が400で表される、本実施の形態にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜4を含む。
工程1:図12に示すように、実施の形態3の工程1〜3と同様の工程で、半導体基板1の両面に熱酸化膜2を形成し、続いて裏面の熱酸化膜2上に窒化膜11を形成した後、半導体基板1の表面に検知部を形成する。
工程2:図13に示すように、裏面の窒化膜11を除去した後、代わりに、プラズマCVD法を用いて、プラズマ窒化膜7を形成する。プラズマ窒化膜7は、窒化膜11に比較して低温で形成することができる。
工程3:図14に示すように、裏面に形成した熱酸化膜2および窒化膜7をパターニングして、エッチングマスクを形成する。エッチングマスクは、表面のゲージ抵抗層4の位置を基準にアライメントして形成する。
工程5:図15に示すように、エッチングマスクを用いて半導体基板1をウエットエッチングして凹部を形成し、その底面をダイヤフラム9とする。エッチング液には、例えばKOH水溶液を使用する。
以上の工程により、図15に示すダイヤフラム型半導体圧力センサ400が完成する。
以上の工程により、図15に示すダイヤフラム型半導体圧力センサ400が完成する。
このように、本実施の形態4にかかる製造方法では、裏面に形成した窒化膜11を除去し、代わりにプラズマ窒化膜7を形成する。このため、表面に検知部を作製する工程で窒化膜11が損傷を受けても、新たに平坦なプラズマ窒化膜7を形成するため、損傷の無いエッチングマスクを形成することができる。この結果、ダイヤフラム9が制御良く形成できる。
実施の形態5.
図16〜20は、全体が500で表される、本実施の形態にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜5を含む。
図16〜20は、全体が500で表される、本実施の形態にかかるダイヤフラム型半導体圧力センサの製造工程の断面図である。製造工程は、以下の工程1〜5を含む。
工程1:図16に示すように、n型シリコンの半導体基板1を準備する。半導体基板1は、表面のみミラー面に加工されている。また、半導体基板1の膜厚は、例えば625μmで、後に行われる工程2(研磨工程)で400μmまで薄く研磨される。
続いて、半導体基板1の表面に、上述のような工程で検知部を形成する。
続いて、半導体基板1の表面に、上述のような工程で検知部を形成する。
工程2:図17に示すように、半導体基板1の裏面を研磨して、膜厚を400μmにする。また、裏面は略ミラー面となる。
工程3:図18に示すように、半導体基板1の裏面に、LTO(低温酸化)法で酸化膜12を形成し、更にその上に、プラズマCVD法でプラズマ窒化膜7を形成する。LTO法およびプラズマCVD法は比較的低温で行われるため、検知部において、ゲージ抵抗層4等に含まれる不純物の熱拡散は発生しない。
工程4:図19に示すように、裏面に形成した酸化膜12およびプラズマ窒化膜7をパターニングして、エッチングマスクを形成する。エッチングマスクは、表面のゲージ抵抗層4の位置を基準にアライメントして形成する。
工程5:図20に示すように、エッチングマスクを用いて半導体基板1をウエットエッチングして凹部を形成し、その底面をダイヤフラム9とする。エッチング液には、例えばKOH水溶液を使用する。
以上の工程により、図20に示すダイヤフラム型半導体圧力センサ500が完成する。
以上の工程により、図20に示すダイヤフラム型半導体圧力センサ500が完成する。
このように、本実施の形態5にかかる製造方法では、裏面の研磨工程(工程2)で裏面にダメージが形成されても、その上に酸化膜12を形成するため、酸化膜12の表面は平坦となる。このため、半導体基板1の裏面に、ダメージにより凹凸が発生しても、エッチングマスクの表面は平坦となり、高精度でダイヤフラム9を形成できる。
1 半導体基板、2 熱酸化膜、3 配線層、4 ゲージ抵抗層、5 パッド電極、6 ガラスコート膜、7 プラズマ窒化膜、9 ダイヤフラム、11 窒化膜、12 酸化膜、100 ダイヤフラム型半導体圧力センサ。
Claims (6)
- 圧力で変形するダイヤフラムを有する半導体圧力センサの製造方法であって、
表面および裏面がミラー面である半導体基板を準備する工程と、
該半導体基板の裏面に熱酸化膜を形成する熱酸化工程と、
該半導体基板の表面に、ゲージ抵抗層を含む検知部を形成する検知部形成工程と、
該半導体基板の裏面に、該熱酸化膜を含むエッチングマスクを形成するパターニング工程と、
該エッチングマスクを用いて該半導体基板を裏面からエッチングして凹部を形成し、該凹部の底部をダイヤフラムとするエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 上記エッチング工程が、上記熱酸化膜をエッチングマスクとして、TMAH水溶液で上記半導体基板をエッチングする工程であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 上記検知部形成工程の後に、上記半導体基板の裏面の上記熱酸化膜上に、プラズマ窒化膜を形成する工程を含み、
上記パターニング工程が、該熱酸化膜と該プラズマ窒化膜の2層からなるエッチングマスクを形成する工程であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 上記熱酸化工程の後に、上記半導体基板の裏面の上記熱酸化膜上に、窒化膜を形成する工程を含み、
上記パターニング工程が、該熱酸化膜と該窒化膜の2層からなるエッチングマスクを形成する工程であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 上記熱酸化工程の後に、上記半導体基板の裏面の上記熱酸化膜上に、窒化膜を形成する工程と、
上記検知部形成工程の後に、該熱酸化膜上の該窒化膜を除去して、代わりにプラズマ窒化膜を形成する工程とを含み、
上記パターニング工程が、該熱酸化膜と該プラズマ窒化膜の2層からなるエッチングマスクを形成する工程であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 圧力で変形するダイヤフラムを有する半導体圧力センサの製造方法であって、
半導体基板を準備する工程と、
該半導体基板の表面に、ゲージ抵抗層を含む検知部を形成する検知部形成工程と、
該半導体基板を裏面から研磨して膜厚を減じる工程と、
該半導体基板の裏面に、酸化膜、プラズマ窒化膜を順次形成する工程と、
該酸化膜と該プラズマ窒化膜の2層からなるエッチングマスクを形成する工程と、
該エッチングマスクを用いて該半導体基板を裏面からエッチングして凹部を形成し、該凹部の底部をダイヤフラムとするエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
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