JP2021012146A - 半導体圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents
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また、半導体圧力センサの基準圧力室が第一のシリコン基板に接合された第二のシリコン基板の接合面に設けられるとともに、第二のシリコン基板の裏面側に感圧素子部が設けられ、基準圧力室となる凹部が一定の深さとなるように設けられた例が開示されている(例えば、特許文献2)。
本願の実施の形態1による半導体圧力センサ100について、図1および図2を用いて説明する。図1は実施の形態1による半導体圧力センサ100が多数作り込まれた一枚のウェハ101の断面図であり、ウェハ101から個々の半導体圧力センサ100を切り離すダイシングを行う前段階の状態を示している。図2は、図1のウェハ101に設けられた1チップ分の半導体圧力センサ100を示す要部拡大断面図と基準圧力室10(圧力室、キャビティ)の平面図である。
図1に示すように、ダイシング前の段階ではウェハ101の平面(ウェハ101端部のテラス部12以外の面部)には多数の半導体圧力センサ100が行列配置されている。
例えば、測定圧力が4気圧程度までであれば、ダイヤフラム5の厚さは10〜30μm、ダイヤフラム5の平面形状は一辺が200〜500μm程度の正方形に設定することができる。
次に、本願の実施の形態2による半導体圧力センサ100の製造方法について、図3から図6の工程図を用いて説明する。上述の実施の形態1において示した半導体圧力センサ100を得るための製造方法は様々あるが、この実施の形態2においては、基準圧力室10となる凹部3の形成順として最も適した製造方法の一つについて説明する。
この実施の形態2による半導体圧力センサの製造方法では、凹部3を形成する際、まずアライメントマーク4の形成と同時に第一の凹部3aを凹部3の形成領域の全面に形成し、基準圧力室10を縁取る縁部31を得、次に、その縁部31を残して第一の凹部3aの底面を掘り下げることによって第二の凹部3bを形成し、第二の凹部3bの内部空間と第二の凹部3bの直上に位置する第一の凹部3aの内部空間とによって主凹部30を得る工程を含んでいる。
まず、図3のように、ウェハ101よりなる第一のシリコン基板1に、後工程においてゲージ抵抗6等を形成する際の位置合わせに必要となるアライメントマーク4と、ダイヤフラム5の外形形状を規定する基準圧力室10の一部となる第一の凹部3aとを同時に、プラズマエッチング等によって形成する。アライメントマーク4、凹部3はともに1〜2μm程度の深さに形成される。
なお、第一の凹部3aとアライメントマーク4とは、別工程において形成することも可能であるが、同時に形成することによって工程数増大を抑制することが可能であることは言うまでもない。
次に、ステッパーを用いてアライメントマーク4に対して位置合わせし、ダイヤフラム5の所定の位置にゲージ抵抗6等の感圧素子部を形成することで圧力検出部20が完成する。
なお、図示した半導体圧力センサ100はウェハ101に作り込まれたダイシング前の状態であるため、その後、個々の半導体圧力センサ100の寸法となるようにダイシングライン部に沿って切断することで、個別のチップに加工することができる。このとき、アライメントマーク4がダイシングライン部上に配置されていれば、アライメントマーク4の切除が可能であることは言うまでもない。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
2 第二のシリコン基板、 3 凹部、3a 第一の凹部、 3b 第二の凹部、
4 アライメントマーク、 5 ダイヤフラム、 6 ゲージ抵抗、 7 保護膜、
8 酸化膜、 10 基準圧力室、 12 テラス部、 20 圧力検出部、
30 主凹部、 31 縁部、 100 半導体圧力センサ、 101 ウェハ
Claims (4)
- 一主面に基準圧力室となる凹部が形成された第一のシリコン基板、
上記第一のシリコン基板の上記一主面に酸化膜を介して接合され、上記凹部を覆う第二のシリコン基板、
上記凹部の上方に位置する上記第二のシリコン基板に形成されたダイヤフラムと、上記ダイヤフラムに形成された感圧素子部とを含む圧力検出部を備え、
上記基準圧力室は、上記第一のシリコン基板の上記一主面の開口領域の輪郭を構成する縁部と、上記縁部の内側に位置する主凹部とを有し、上記主凹部は上記縁部よりも深く形成されたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 上記縁部と上記主凹部の底面部は、各々、上記一主面に平行な平坦面であることを特徴とする請求項1記載の半導体圧力センサ。
- 第一のシリコン基板の一主面の基準圧力室の形成領域を掘り下げ、第一の凹部を形成する工程、
上記第一の凹部の輪郭を形成する縁部を残し、上記縁部の内側の上記第一の凹部の底面部を掘り下げて上記基準圧力室の主凹部を構成する第二の凹部を形成する工程、
上記第一のシリコン基板の上記一主面に酸化膜を介して第二のシリコン基板を接合し、上記第一の凹部と上記第二の凹部よりなる凹部を上記第二のシリコン基板によって覆い上記基準圧力室を形成する工程、
上記第二のシリコン基板を加工し、上記基準圧力室の上方にダイヤフラムを形成する工程、
上記第二のシリコン基板に感圧素子部を形成する工程を含むことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 上記第一の凹部の形成と同時に、上記第一のシリコン基板の上記一主面の上記第一の凹部が形成されない領域に、上記第一の凹部と同じ深さにアライメントマークを形成することを特徴とする請求項3記載の半導体圧力センサの製造方法。
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