JPH06253214A - 赤外線撮像装置 - Google Patents
赤外線撮像装置Info
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- JPH06253214A JPH06253214A JP5035930A JP3593093A JPH06253214A JP H06253214 A JPH06253214 A JP H06253214A JP 5035930 A JP5035930 A JP 5035930A JP 3593093 A JP3593093 A JP 3593093A JP H06253214 A JPH06253214 A JP H06253214A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】検出器として熱電対、ボロメータ等を用い、走
査部としてＣＣＤ等を用いた熱型赤外線撮像装置におい
て、一部の検出器が異常時にＣＣＤの電荷あふれによっ
て全画素が動作不能になるのを防ぐ。 【構成】検出器が異常時に検出器出力を一定電圧内に制
限するバイパス路を有する。バイパス回路は、熱電対１
１５に並列にバイパス抵抗１１６を設けることに形成さ
れる。これによって一部の画素が異常時でも、検出器出
力を一定電圧内に制限することができ、ＣＣＤの電荷あ
ふれを防止できる。
査部としてＣＣＤ等を用いた熱型赤外線撮像装置におい
て、一部の検出器が異常時にＣＣＤの電荷あふれによっ
て全画素が動作不能になるのを防ぐ。 【構成】検出器が異常時に検出器出力を一定電圧内に制
限するバイパス路を有する。バイパス回路は、熱電対１
１５に並列にバイパス抵抗１１６を設けることに形成さ
れる。これによって一部の画素が異常時でも、検出器出
力を一定電圧内に制限することができ、ＣＣＤの電荷あ
ふれを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線撮像装置に関し、
特に検出器として熱電対、ボロメータ等を用い、走査部
として電荷結合素子（以後ＣＣＤと称す）等を用いたい
わゆる熱型赤外線撮像装置に関する。
特に検出器として熱電対、ボロメータ等を用い、走査部
として電荷結合素子（以後ＣＣＤと称す）等を用いたい
わゆる熱型赤外線撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の熱型赤外線撮像装置は、
図５（ａ）にその一例を示すように検出器としてＰ型ポ
リシリコン２０８と温接点２０９とＮ型ポリシリコン２
１０で構成される熱電対を有し、走査部としてＮ型ウェ
ル２０２とＣＣＤ電極２０３で構成されるＣＣＤと、検
出器の信号を受けてＣＣＤに電流を流す読み出しゲート
２０４とソース２０５を有する。走査部はＰ型半導体基
板２０１中に作られ、その上にＣＶＤ酸化膜２０６を積
層し、一部を空洞２１１にしてその上を横断するように
熱電対を積層する。空洞２１１は、その部分にポリシリ
コン（いわゆる犠牲層）を形成しておき、それをエッチ
ングすることで作る。この様な検出器と走査部を図５
（ｂ）のように縦横二次元に配設して赤外線撮像装置が
形成される（例えば、特開平３−２７６７７３参照）。
図５（ａ）にその一例を示すように検出器としてＰ型ポ
リシリコン２０８と温接点２０９とＮ型ポリシリコン２
１０で構成される熱電対を有し、走査部としてＮ型ウェ
ル２０２とＣＣＤ電極２０３で構成されるＣＣＤと、検
出器の信号を受けてＣＣＤに電流を流す読み出しゲート
２０４とソース２０５を有する。走査部はＰ型半導体基
板２０１中に作られ、その上にＣＶＤ酸化膜２０６を積
層し、一部を空洞２１１にしてその上を横断するように
熱電対を積層する。空洞２１１は、その部分にポリシリ
コン（いわゆる犠牲層）を形成しておき、それをエッチ
ングすることで作る。この様な検出器と走査部を図５
（ｂ）のように縦横二次元に配設して赤外線撮像装置が
形成される（例えば、特開平３−２７６７７３参照）。
【０００３】次に動作について説明する。読み出しトラ
ンジスタ２１５（図５（ａ）では読み出しゲート２０４
とソース２０５に相当する）が適度に動作するようにバ
イアス電圧端子２１３に一定バイアスＶB を加える。図
５（ａ）の上部から入射した赤外線は、ペレット表面で
吸収され、空洞２１１の上部の薄膜部分（温接点２０９
の部分）は周囲に比べ温度が上昇する。ここでバイアス
電圧配線２０７とコンタクト２１２は熱電対の冷接点に
相当し、この部分は薄膜の外側になるため、入射した熱
は基板に抜けて温度上昇はほとんどない。
ンジスタ２１５（図５（ａ）では読み出しゲート２０４
とソース２０５に相当する）が適度に動作するようにバ
イアス電圧端子２１３に一定バイアスＶB を加える。図
５（ａ）の上部から入射した赤外線は、ペレット表面で
吸収され、空洞２１１の上部の薄膜部分（温接点２０９
の部分）は周囲に比べ温度が上昇する。ここでバイアス
電圧配線２０７とコンタクト２１２は熱電対の冷接点に
相当し、この部分は薄膜の外側になるため、入射した熱
は基板に抜けて温度上昇はほとんどない。
【０００４】この温接点と冷接点の温度の差は、ゼーベ
ック効果によって起電力となり、バイアス電圧ＶB に加
算されて読み出しトランジスタ２１５のゲート（読み出
しゲート２０４）に加わる。これによってソース２０５
からＮ型ウェル２０２（垂直ＣＣＤ２１６に対応）に流
れる電子が変調され、一定期間電荷が蓄えられる。図５
（ｂ）の各画素の垂直ＣＣＤに蓄えられた電荷は、ＣＣ
Ｄの電荷転送動作によって順次水平ＣＣＤ２１９に送ら
れ、オンチップアンプ２１８を介して出力端子２１７か
ら取り出される。こうして取り出された信号は各画素の
入射赤外線量に対応し、二次元の赤外画像が得られる。
ック効果によって起電力となり、バイアス電圧ＶB に加
算されて読み出しトランジスタ２１５のゲート（読み出
しゲート２０４）に加わる。これによってソース２０５
からＮ型ウェル２０２（垂直ＣＣＤ２１６に対応）に流
れる電子が変調され、一定期間電荷が蓄えられる。図５
（ｂ）の各画素の垂直ＣＣＤに蓄えられた電荷は、ＣＣ
Ｄの電荷転送動作によって順次水平ＣＣＤ２１９に送ら
れ、オンチップアンプ２１８を介して出力端子２１７か
ら取り出される。こうして取り出された信号は各画素の
入射赤外線量に対応し、二次元の赤外画像が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の赤外線撮像
装置において感度を上げようとする場合、図５（ａ）の
空洞２１１の上の薄膜部分いわゆるダイヤフラムの厚さ
を薄くして、熱の逃げを防ぐ必要がある。さらにＰ型ポ
リシリコン２０８およびＮ型ポリシリコン２１０の熱伝
導率も比較的大きいため、この厚さ及び幅も小さくする
必要がある。また、ＣＶＤ酸化膜２０６は膜厚が薄くな
ってくるとピンホールによって熱電対のＰ型およびＮ型
のポリシリコンが空洞２１１の作成時のエッチングによ
って断線したり、プロセス上のばらつきによって一部の
ダイヤフラムが変形して断線する確率が高まってくる。
装置において感度を上げようとする場合、図５（ａ）の
空洞２１１の上の薄膜部分いわゆるダイヤフラムの厚さ
を薄くして、熱の逃げを防ぐ必要がある。さらにＰ型ポ
リシリコン２０８およびＮ型ポリシリコン２１０の熱伝
導率も比較的大きいため、この厚さ及び幅も小さくする
必要がある。また、ＣＶＤ酸化膜２０６は膜厚が薄くな
ってくるとピンホールによって熱電対のＰ型およびＮ型
のポリシリコンが空洞２１１の作成時のエッチングによ
って断線したり、プロセス上のばらつきによって一部の
ダイヤフラムが変形して断線する確率が高まってくる。
【０００６】一方、多数ある画素の内一つの画素の熱電
対が断線しても、読み出しトランジスタ２１５のゲート
が開放となり、多量の電子が垂直ＣＣＤに流れ込み周囲
の画素に順次あふれ出して機能を停止させてしまう。こ
のようにたった１つの画素の熱電対が断線しても全画素
を動作不能にするためその影響は致命的である。この現
象は感度を上げようとすると顕著になるため感度増大の
障壁となっていた。
対が断線しても、読み出しトランジスタ２１５のゲート
が開放となり、多量の電子が垂直ＣＣＤに流れ込み周囲
の画素に順次あふれ出して機能を停止させてしまう。こ
のようにたった１つの画素の熱電対が断線しても全画素
を動作不能にするためその影響は致命的である。この現
象は感度を上げようとすると顕著になるため感度増大の
障壁となっていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、赤外線を電気
信号に変換する複数の検出器と、この複数の検出器の出
力信号を走査して信号を取り出す走査部とを有する赤外
線撮像装置において、検出器が断線等の異常動作時に、
検出器出力を一定電圧内に制限するバイパス回路を備え
ていることを特徴とする。バイパス回路としては、一端
を一定電圧に接続した抵抗を用いるか、一端を一定電圧
に接続した整流器を用いるか、または周期的にスイッチ
ングを行うトランジスタを用いる。また、異常画素の抽
出と周辺画素による補完の手段を備えることもできる。
信号に変換する複数の検出器と、この複数の検出器の出
力信号を走査して信号を取り出す走査部とを有する赤外
線撮像装置において、検出器が断線等の異常動作時に、
検出器出力を一定電圧内に制限するバイパス回路を備え
ていることを特徴とする。バイパス回路としては、一端
を一定電圧に接続した抵抗を用いるか、一端を一定電圧
に接続した整流器を用いるか、または周期的にスイッチ
ングを行うトランジスタを用いる。また、異常画素の抽
出と周辺画素による補完の手段を備えることもできる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）は、本発明の第１の実施例の赤外線撮像
装置を構成する半導体チップの断面図である。このチッ
プの製造に当っては、ホトリソグラフィ技術及び不純物
拡散技術を用いて、まずＰ型半導体基板１０１中にＮ型
ウェル１０２およびソース１０５を形成する。次にＣＶ
Ｄ（化学気相成長）技術を用いてポリシリコンからなる
ＣＣＤ電極１０３と読み出しゲート１０４を形成し、そ
の上にＣＶＤ酸化膜１０６を積層する。次に空洞１１１
ができる部分にポリシリコンを成長する。この部分は後
にエッチングして空洞とされる（犠牲層）。次にＰ型ポ
リシリコン１０８，Ｎ型ポリシリコン１１０およびバイ
パス抵抗１１３を積層し、アルミニウム電極であるバイ
アス電圧配線１０７，温接点１０９，コンタクト１１２
を積層し、カバーとなる酸化膜を形成する。最後に、表
面から空洞１１１（ポリシリコン）部分に通じるスルー
ホールをあけてポリシリコンをエッチングして空洞化す
る。
る。図１（ａ）は、本発明の第１の実施例の赤外線撮像
装置を構成する半導体チップの断面図である。このチッ
プの製造に当っては、ホトリソグラフィ技術及び不純物
拡散技術を用いて、まずＰ型半導体基板１０１中にＮ型
ウェル１０２およびソース１０５を形成する。次にＣＶ
Ｄ（化学気相成長）技術を用いてポリシリコンからなる
ＣＣＤ電極１０３と読み出しゲート１０４を形成し、そ
の上にＣＶＤ酸化膜１０６を積層する。次に空洞１１１
ができる部分にポリシリコンを成長する。この部分は後
にエッチングして空洞とされる（犠牲層）。次にＰ型ポ
リシリコン１０８，Ｎ型ポリシリコン１１０およびバイ
パス抵抗１１３を積層し、アルミニウム電極であるバイ
アス電圧配線１０７，温接点１０９，コンタクト１１２
を積層し、カバーとなる酸化膜を形成する。最後に、表
面から空洞１１１（ポリシリコン）部分に通じるスルー
ホールをあけてポリシリコンをエッチングして空洞化す
る。
【０００９】図１（ａ）の等価回路を図１（ｂ）に示
す。Ｐ型ポリシリコン１０８，温接点１０９およびＮ型
ポリシリコン１１０は熱電対１１５に相当し、下層部分
が空洞となっており、上下合わせて数千オングストロー
ムの薄い酸化膜ではさまれている。この薄い膜（ダイヤ
フラム）が横方向の熱伝導を下げ、温接点１０９の温度
を上げて感度を上昇させる。バイアス電圧配線１０７お
よびコンタクト１１２は冷接点に相当し、ダイヤフラム
の外側に対してほぼ基板温度となっている。この温接点
と冷接点の温度差が熱起電力となってバイアス電源１１
４のバイアス電圧に加算されて読み出しトランジスタ１
１７の読み出しゲート０４に加わる。読み出しトランジ
スタは、ゲート電圧に対して指数関数的にドレイン電流
が変化する弱反転状態で使用する。バイアス電圧は読み
出しゲートが弱反転となるように設定する。これによっ
てバイアス電流と熱起電力が増幅された信号電流とが流
れ、ソース１０５からＮ型ウェル１０２（垂直ＣＣＤ１
１８）に電子が注入される。
す。Ｐ型ポリシリコン１０８，温接点１０９およびＮ型
ポリシリコン１１０は熱電対１１５に相当し、下層部分
が空洞となっており、上下合わせて数千オングストロー
ムの薄い酸化膜ではさまれている。この薄い膜（ダイヤ
フラム）が横方向の熱伝導を下げ、温接点１０９の温度
を上げて感度を上昇させる。バイアス電圧配線１０７お
よびコンタクト１１２は冷接点に相当し、ダイヤフラム
の外側に対してほぼ基板温度となっている。この温接点
と冷接点の温度差が熱起電力となってバイアス電源１１
４のバイアス電圧に加算されて読み出しトランジスタ１
１７の読み出しゲート０４に加わる。読み出しトランジ
スタは、ゲート電圧に対して指数関数的にドレイン電流
が変化する弱反転状態で使用する。バイアス電圧は読み
出しゲートが弱反転となるように設定する。これによっ
てバイアス電流と熱起電力が増幅された信号電流とが流
れ、ソース１０５からＮ型ウェル１０２（垂直ＣＣＤ１
１８）に電子が注入される。
【００１０】一定期間この電流は蓄積（積分）された
後、従来例と同様に水平ＣＣＤ，出力へと転送される。
ここでダイヤフラムの酸化膜にピンホールがあり、熱電
対が断線した場合、通常なら読み出しゲートが開放とな
り多量の電子がＣＣＤに流れ込み、全面の画素を動作不
能にするのであるが、本実施例ではバイパス抵抗１１６
（１１３）によって読み出しトランジスタ１１７のゲー
トはバイアス電圧に固定され問題はない。
後、従来例と同様に水平ＣＣＤ，出力へと転送される。
ここでダイヤフラムの酸化膜にピンホールがあり、熱電
対が断線した場合、通常なら読み出しゲートが開放とな
り多量の電子がＣＣＤに流れ込み、全面の画素を動作不
能にするのであるが、本実施例ではバイパス抵抗１１６
（１１３）によって読み出しトランジスタ１１７のゲー
トはバイアス電圧に固定され問題はない。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例を示す等価回
路図である。この実施例では熱電対１２０に並列にバイ
パスダイオード１２１を接続している。その他は第１の
実施例と同じである。この実施例においても熱電対１２
０の断線時には、読み出しトランジスタ１２２のゲート
は、バイアス電源１１９のバイアス電圧＋ＶF （ダイオ
ードの順方向電圧）以下の電圧に制限されるので画素を
動作不能にすることはない。
路図である。この実施例では熱電対１２０に並列にバイ
パスダイオード１２１を接続している。その他は第１の
実施例と同じである。この実施例においても熱電対１２
０の断線時には、読み出しトランジスタ１２２のゲート
は、バイアス電源１１９のバイアス電圧＋ＶF （ダイオ
ードの順方向電圧）以下の電圧に制限されるので画素を
動作不能にすることはない。
【００１２】図３は本発明の第３の実施例を示す等価回
路図である。この実施例では熱電対１２５の出力側とア
ースとの間にバイアストランジスタ１２７を接続してい
る。その他は第１の実施例と同じである。この場合もバ
イアストランジスタ１２７を周期的にスイッチングする
ことで読み出しトランジスタ１２８のゲートを一定電圧
内に制限することができ問題を回避できる。
路図である。この実施例では熱電対１２５の出力側とア
ースとの間にバイアストランジスタ１２７を接続してい
る。その他は第１の実施例と同じである。この場合もバ
イアストランジスタ１２７を周期的にスイッチングする
ことで読み出しトランジスタ１２８のゲートを一定電圧
内に制限することができ問題を回避できる。
【００１３】不良画素は通常数個所であるが、バイパス
回路を使用して電子のあふれを回避してもその画素はキ
ズとして残り表示品位を損ねる。不良画素は一定電圧に
固定されるため、全面に赤外線を入射して正常画素に信
号を加えて判定すれば容易に不良画素の抽出ができる。
図４は、不良画素の座標を記憶しておき、周辺画素によ
る補完を行なって正常画面と大差のない画像を得られる
ようにした赤外線撮像装置の実施例を示すブロック図で
ある。
回路を使用して電子のあふれを回避してもその画素はキ
ズとして残り表示品位を損ねる。不良画素は一定電圧に
固定されるため、全面に赤外線を入射して正常画素に信
号を加えて判定すれば容易に不良画素の抽出ができる。
図４は、不良画素の座標を記憶しておき、周辺画素によ
る補完を行なって正常画面と大差のない画像を得られる
ようにした赤外線撮像装置の実施例を示すブロック図で
ある。
【００１４】図４において赤外線撮像装置３０１は、上
述したバイパス回路を備えたものであり、ＣＣＤ駆動回
路３０２は垂直ＣＣＤおよび水平ＣＣＤを駆動して各画
素の信号を取り出すための回路である。通常は主として
この２つで赤外線映像を得る事ができるが、本実施例で
はさらに不良画素の抽出と、周辺画素による補完の手段
を備える。まず、装置の検査時に赤外線撮像装置３０１
の全面に一定の赤外線を当てる。ＣＣＤを駆動すると入
射赤外線量に応じた各画素の信号が順次得られるが、熱
電対が断線した不良画素ではこの赤外線量に応じた成分
が無い。不良画素判定装置３０４はこの差を判定して不
良画素を断定する。中央演算装置３０３は不良画素の位
置を不良画素座標メモリ３０５に記録する。このメモリ
はＰＲＯＭ（プログラム可能不揮発性メモリ）で構成さ
れ、不良画素の抽出は製品検査時の１回だけで良い。通
常の撮像時は、赤外線撮像装置３０１の出力は、アナロ
グデジタル変換器３０６に入力され画像メモリ３０７に
順次蓄えられる。この内容は、デジタルアナログ変換器
３０８によって通常の映像信号に変換されるが、中央演
算装置３０３は、不良画素座標メモリ３０５を参照して
座標が不良画素の場所に来た所で上下左右等の周辺画素
のデータを演算して補完データを作り出す。これによっ
て不良画素による欠陥のない正常な信号が得られる。
述したバイパス回路を備えたものであり、ＣＣＤ駆動回
路３０２は垂直ＣＣＤおよび水平ＣＣＤを駆動して各画
素の信号を取り出すための回路である。通常は主として
この２つで赤外線映像を得る事ができるが、本実施例で
はさらに不良画素の抽出と、周辺画素による補完の手段
を備える。まず、装置の検査時に赤外線撮像装置３０１
の全面に一定の赤外線を当てる。ＣＣＤを駆動すると入
射赤外線量に応じた各画素の信号が順次得られるが、熱
電対が断線した不良画素ではこの赤外線量に応じた成分
が無い。不良画素判定装置３０４はこの差を判定して不
良画素を断定する。中央演算装置３０３は不良画素の位
置を不良画素座標メモリ３０５に記録する。このメモリ
はＰＲＯＭ（プログラム可能不揮発性メモリ）で構成さ
れ、不良画素の抽出は製品検査時の１回だけで良い。通
常の撮像時は、赤外線撮像装置３０１の出力は、アナロ
グデジタル変換器３０６に入力され画像メモリ３０７に
順次蓄えられる。この内容は、デジタルアナログ変換器
３０８によって通常の映像信号に変換されるが、中央演
算装置３０３は、不良画素座標メモリ３０５を参照して
座標が不良画素の場所に来た所で上下左右等の周辺画素
のデータを演算して補完データを作り出す。これによっ
て不良画素による欠陥のない正常な信号が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、感度を上げようと
してダイヤフラム及び熱電対を薄くしていくと、熱電対
の断線がある確率で発生する。本発明は、このような状
態でも全画素を動作不能にする電荷あふれを回避するこ
とができ、歩留りを大幅に改善することができる。例え
ばＸ行Ｙ列の画素数の赤外線撮像装置において、１つの
熱電対の断線確率がａであるとすると、通常は１画素で
も断線するとそのチップは不良となるため、歩留りは
（１−ａ）XYとなる。ａ＝１／ＸＹつまり１チップに１
個の断線確率で歩留りはほぼ０となる。一方本発明で
は、仮りにバイパス回路の断線もａとすると、どれか１
つの画素が熱電対、バイパス共に切れた場合に不良とな
るため、歩留りは（１−ａ2 ）XYとなる。ａ＝１／ＸＹ
の場合でもこの値は約１−（１／ＸＹ）となりほぼ１に
等しい。さらに不良画素の抽出と周辺画素による補完を
行うことで正常画面と大差のない画像を得ることがで
き、高感度・高品位・低価格の赤外線撮像装置が実現で
きる。
してダイヤフラム及び熱電対を薄くしていくと、熱電対
の断線がある確率で発生する。本発明は、このような状
態でも全画素を動作不能にする電荷あふれを回避するこ
とができ、歩留りを大幅に改善することができる。例え
ばＸ行Ｙ列の画素数の赤外線撮像装置において、１つの
熱電対の断線確率がａであるとすると、通常は１画素で
も断線するとそのチップは不良となるため、歩留りは
（１−ａ）XYとなる。ａ＝１／ＸＹつまり１チップに１
個の断線確率で歩留りはほぼ０となる。一方本発明で
は、仮りにバイパス回路の断線もａとすると、どれか１
つの画素が熱電対、バイパス共に切れた場合に不良とな
るため、歩留りは（１−ａ2 ）XYとなる。ａ＝１／ＸＹ
の場合でもこの値は約１−（１／ＸＹ）となりほぼ１に
等しい。さらに不良画素の抽出と周辺画素による補完を
行うことで正常画面と大差のない画像を得ることがで
き、高感度・高品位・低価格の赤外線撮像装置が実現で
きる。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の断面
図及び等価回路図である。
図及び等価回路図である。
【図２】本発明の第２の実施例の等価回路図である。
【図３】本発明の第３の実施例の等価回路図である。
【図４】本発明の第４の実施例のブロック図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は従来例の断面図及び等価回路
図である。
図である。
１０１ Ｐ型半導体基板 １０２ Ｎ型ウェル １０３ ＣＣＤ電極 １０４ 読み出しゲート １０５ ソース １０６ ＣＶＤ酸化膜 １０７ バイアス電位配線 １０８ Ｐ型ポリシリコン １０９ 温接点 １１０ Ｎ型ポリシリコン １１１ 空洞 １１２ コンタクト １１３，１１６ バイパス抵抗 １１４，１１９，１２４ バイアス電源 １１５，１２０，１２５ 熱電対 １１７，１２２，１２８ 読み出しトランジスタ １１８，１２３，１２９ 垂直ＣＣＤ １２１ バイパスダイオード １２６ クロック端子 １２７ バイパストランジスタ ３０１ 赤外線撮像装置 ３０２ ＣＣＤ駆動回路 ３０３ 中央演算装置 ３０４ 不良画素判定装置 ３０５ 不良画素座標メモリ ３０６ アナログデジタル変換器 ３０７ 画像メモリ ３０８ デジタルアナログ変換器
Claims (5)
- 【請求項１】 赤外線を電気信号に変換する複数の検出
器と、この複数の検出器の出力信号を走査して信号を取
り出す走査部とを有する赤外線撮像装置において、前記
検出器が異常動作時に検出器出力を一定電圧内に制限す
るバイパス回路を備えることを特徴とする赤外線撮像装
置。 - 【請求項２】 バイパス回路として一端を一定電圧に接
続した抵抗を用いることを特徴とする請求項１記載の赤
外線撮像装置。 - 【請求項３】 バイパス回路として一端を一定電圧に接
続した整流器を用いることを特徴とする請求項１記載の
赤外線撮像装置。 - 【請求項４】 バイパス回路として周期的にスイッチン
グを行うトランジスタを用いることを特徴とする請求項
１記載の赤外線撮像装置。 - 【請求項５】 異常画素の抽出と周辺画素による補完の
手段を備えることを特徴とする請求項１記載の赤外線撮
像装置。
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|---|---|---|---|
| JP5035930A JPH0767151B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 赤外線撮像装置 |
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| JPH0767151B2 JPH0767151B2 (ja) | 1995-07-19 |
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Family Applications (1)
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