CN104241401B - 基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 48
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000008485 antagonism Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012358 sourcing Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有多谱、高灵敏度和高速特性，通过选择不同金属开环共振单元结构并进行单片集成可以将探测器工作于太赫兹的多个波段。
Description
技术领域
本发明属于信号探测技术领域，更具体地，涉及一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法。
背景技术
太赫兹探测在机场安检系统、通信、电子对抗和无损检测等众多领域都有着广泛地应用，常见的太赫兹探测器主要包括热探测器、肖特基二极管探测器。
在要求高速、高灵敏度、多谱信号探测的场合下，现有太赫兹探测器存在以下方面的问题：1、太赫兹探测器的谱成像装置仍需配置复杂的驱动或扫描机构，体积和质量大；2、太赫兹探测器响应速度较慢；3、太赫兹探测器的光谱探测范围不能轻易扩展。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法，其目的在于，解决现有太赫兹信号探测器中存在的体积大、响应慢、光谱探测范围不能轻易扩展的技术问题。
为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层、超材料层、欧姆电极、和一对肖特基电极，超材料层与N型砷化镓层形成肖特基接触，超材料层包括多个可以以任意方式排列的金属开环共振单元阵列，且为具有周期性微纳米结构的金属层，金属开环共振单元阵列的金属开环共振单元开孔间距t＝2～8μm，线宽d＝4～14μm，周期L＝36～100μm。
优选地，所述周期性微纳米结构的金属层包含了多种图形及其特征尺寸参数，其对于特定电磁波具有完全吸收特性。
优选地，衬底层的材料是半绝缘砷化镓、硅、或三氧化二铝。
优选地，欧姆电极的材料是镍、锗、以及金，其厚度分别为20-30nm、200-300nm和20-30nm。
优选地，肖特基电极的材料是钛和金，其厚度分别为20-30nm和200-250nm。
优选地，当超材料层用于电磁信号探测时，其周期性微纳米结构的周期应该远小于电磁信号的波长。
优选地，金属开环共振单元阵列的制作材料为钛和金，其厚度分别为20～30nm和200～250nm。
按照本发明的另一方面，提供了蒸发堆叠在一起的Ni/Ge/Au层，将Ni/Ge/Au层进行剥离，从而形成具有Ni/Ge/Au层的欧姆电极，对具有该Ni/Ge/Au层的欧姆电极退火，以形成欧姆电极；
(4)在二氧化硅层上通过正胶工艺光刻肖特基接触孔，并使用湿法腐蚀对肖特基接触孔进行腐蚀处理，以腐蚀二氧化硅层，通过负胶工艺光刻肖特基电极，采用电子束蒸发的方式依次蒸发堆叠在一起的Ni/Au层，将Ni/Au层进行剥离，从而分别形成具有Ni/Au层的超材料层和肖特基电极，超材料层直接与N型砷化镓层接触，肖特基电极设置于二氧化硅层上，且肖特基电极和超材料层之间的距离为1mm～1.5mm。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：
1、本发明基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器体积小：由于所述超材料的制作采用微纳米光刻工艺，在1mm2尺寸内可以集成数千个金属开环共振单元，将多种图形构成的金属开环共振单元阵列集成在一起，也只需要1～2cm2的空间，因此基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器体积很小、重量很轻；
2、本发明基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器响应速度较快：由于超材料层的金属开环共振单元具有完全吸收对应波段电磁信号的能力，一旦与对应太赫兹波段信号产生共振，其共振响应速度属于超高速响应，能够在极短时间内产生响应信号。
3、本发明基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器只需要交流信号发生器等少量电子资源辅助其进行工作，从而节省了外围电路资源。
4、由于超材料层可以任意增加新的金属开环共振单元阵列，因此本发明提供了一种可根据实际需要扩展信号探测范围的能力，实现可灵活扩展的宽谱太赫兹探测。
附图说明
图1是本发明基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器的纵向剖面示意图。
图2是本发明基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器的俯视示意图。
图3是本发明超材料层的示意图。
图4是本发明的超材料层中金属开环共振单元阵列的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
本发明的基本思路在于，本发明可根据所设计的金属开环共振单元对应的电磁共振频率集合，执行集合内任意波谱的切入和跳转，通过超材料层中的金属开环共振单元的电磁共振导致金属发热改变金属电阻率实现电磁波信号的能量收集，并通过外接交流信号将电阻率的变化提取出来，从而探测太赫兹信号。
本发明的一个方面在于提供一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，如图1所示，包括自下而上依次设置的衬底层1、N型砷化镓层2、二氧化硅层3、超材料层4、欧姆电极5和一对肖特基电极61和62。其中，N型砷化镓层2设置于衬底层1上面，二氧化硅层3设置于N型砷化镓层2上面，超材料层4设置于N型砷化镓层2上面，欧姆电极5设置于N型砷化镓层2上面，肖特基电极61和62设置于二氧化硅层3上面，欧姆电极5和一对肖特基电极61和62分别设置于超材料层4的左右两端。
超材料层4为具有周期性微纳米结构的金属层，所述周期性微纳米结构的金属层包含了多种图形及其特征尺寸参数，其对于特定电磁波具有完全吸收特性。
衬底层1可选用但不限于半绝缘砷化镓，还可以是硅、三氧化二铝等。
肖特基二极管的欧姆电极5可选用但不限于镍、锗、金，其厚度优选为20-30nm、200-300nm和20-30nm；肖特基电极61和62可选用但不限于钛、金，其厚度优选为20-30nm和200-250nm。
超材料层4由周期性微纳金属结构构成，其与N型砷化镓层2形成肖特基接触，具有对特定电磁波的完全吸收性能，可以通过调整周期性微纳金属结构的尺寸对其工作波段进行优化。
当超材料层4用于电磁信号探测时，超材料层4采用的周期性微纳米结构的周期应该远小于对应信号的波长，从而满足亚波长器件的实际工作性能。
如图2和3所示，超材料层4包括多个金属开环共振单元阵列41、42、43、44、45和46，应该理解图示的数量并不应被理解为限制该阵列的数量，该阵列的数量可以是大于或等于2的整数，其中金属开环共振单元阵列41～46的共振频率分别对应于一个特定的太赫兹波长。为了清晰地展示工作于太赫兹波段的超材料结构和特征尺寸参数，本实施例将超材料层4中的金属开环共振单元阵列41进行了放大，如图4所示。金属开环共振单元阵列41的金属开环共振单元制作材料为钛、金，厚度分别为20～30nm和200～250nm，与N型砷化镓层2形成肖特基接触，当工作于太赫兹波段时，开孔间距t＝2～8μm，线宽d＝4～14μm，周期L＝36～100μm，中间连线倾角θ＝0～90度，中间连线长度p＝10～100μm，中间连线宽度f≤d/4；
上述由不同图形组成的金属开环共振单元阵列等效为多个LC共振电路，当目标电磁波信号7垂直入射到超材料层4后，这些LC共振电路将与太赫兹波段内特定波长的电磁波产生共振，吸收入射电磁波7中相应波长的能量，进而使得金属开环共振单元发热升温，由于金属开环共振单元中间连接线区域又细又长，共振时的表面电流经过该区域时由于电阻的突然变大必然导致温度迅速升高，从而迅速改变金属开环共振单元金属的电阻率；通过施加2V交流电压于一对肖特基电极61和62上，当交流电压峰峰值变化幅度超过设定阈值时，表明该金属开环共振单元探测到了对应波长的信号，如有多个交流电压峰峰值变化幅度超过设定阈值时，表明有多个金属开环共振单元探测到了对应波长的信号；通过施加0～5V反向直流偏压于肖欧姆电极5上，使得超材料层4的金属与N型砷化镓层2接触区域的耗尽层宽度增大，提高超材料层4对入射电磁波7的吸收效率，并进一步增大金属开环共振单元的电阻率，从而使得肖特基电极61和62检测到的交流电压峰峰值更加明显，实现太赫兹多谱信号的探测。
本发明基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器的制备方法包括如下步骤：
(1)在衬底层1上通过金属有机化合物化学气相淀积法注入Si离子，掺杂浓度为1×1016cm-3～9×1018cm-3，由此形成N型砷化镓层2，其厚度为1um～2um；
(2)在N型砷化镓层2上通过等离子体增强化学气相淀积法制备二氧化硅层3，其厚度为300nm～400nm；
(3)在二氧化硅层3上通过正胶工艺光刻欧姆电极接触孔，并使用湿法腐蚀对欧姆电极接触孔进行腐蚀处理，通过负胶工艺光刻欧姆电极，再采用电子束蒸发的方式依次蒸发堆叠在一起的Ni/Ge/Au层(其厚度分别为20-30nm/200-300nm/20-30nm)，将Ni/Ge/Au层进行剥离，从而形成具有Ni/Ge/Au层(其厚度分别为20-30nm/200-300nm/20-30nm)的欧姆电极，对具有该Ni/Ge/Au层的欧姆电极退火，从而形成欧姆电极5；
(4)在二氧化硅层3上先通过正胶工艺光刻肖特基接触孔，并使用湿法腐蚀对肖特基接触孔进行腐蚀处理，以腐蚀二氧化硅层3，通过负胶工艺光刻肖特基电极，采用电子束蒸发的方式依次蒸发堆叠在一起的Ni/Au层(其厚度分别为200-250nm/20-30nm)，将Ni/Au层进行剥离，从而分别形成具有Ni/Au层(其厚度分别为200nm/20nm)的超材料层4和肖特基电极61和62，其中超材料层4直接与N型砷化镓层2接触，肖特基电极61和62设置于二氧化硅层3上，且肖特基电极61和62和超材料层4之间的距离为1mm～1.5mm。
因此，本发明采用了肖特基二极管结构，其以超材料层的金属开环共振单元阵列作为完全吸光介质，通过电阻率的变化导致交流信号峰峰值的改变获得超宽谱域信号探测能力；同时可以通过优化设计金属开环共振单元的特征尺寸参数与形状，获得更多工作于太赫兹波段的吸光超材料。将上述若干金属开环共振单元阵列进行分组编号，分别对应于太赫兹波长1、太赫兹波长2、太赫兹波长3，……，太赫兹波长N，其中N为金属开环共振单元阵列的数量，通过上述制备方案集成于以单片砷化镓为衬底的肖特基二极管中，实现太赫兹多谱信号探测器。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层、超材料层、欧姆电极、和一对肖特基电极，其特征在于，超材料层与N型砷化镓层形成肖特基接触，N型砷化镓层设置于衬底层上面，二氧化硅层设置于N型砷化镓层上面，超材料层设置于N型砷化镓层上面，欧姆电极设置于N型砷化镓层上面，肖特基电极设置于二氧化硅层上面，欧姆电极和一对肖特基电极分别设置于超材料层的左右两端，超材料层包括多个可以以任意方式排列的金属开环共振单元阵列，且为具有周期性微纳米结构的金属层，金属开环共振单元阵列的金属开环共振单元开孔间距t＝2～8μm，线宽d＝4～14μm，周期L＝36～100μm。
2.根据权利要求1所述的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，其特征在于，所述周期性微纳米结构的金属层包含了多种图形及其特征尺寸参数，其对于特定电磁波具有完全吸收特性。
3.根据权利要求1所述的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，其特征在于，衬底层的材料是半绝缘砷化镓、硅、或三氧化二铝。
4.根据权利要求1所述的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，其特征在于，欧姆电极的材料是镍、锗、以及金，其厚度分别为20-30nm、200-300nm和20-30nm。
5.根据权利要求1所述的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，其特征在于，肖特基电极的材料是钛和金，其厚度分别为20-30nm和200-250nm。
6.根据权利要求1所述的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，其特征在于，当超材料层用于电磁信号探测时，其周期性微纳米结构的周期应该远小于电磁信号的波长。
7.根据权利要求1所述的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，其特征在于，金属开环共振单元阵列的制作材料为钛和金，其厚度分别为20～30nm和200～250nm。
8.一种根据权利要求1至7中任意一项所述基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在衬底层上通过金属有机化合物化学气相淀积法注入Si离子，掺杂浓度为1×1016cm-3～9×1018cm-3，由此形成N型砷化镓层；
(2)在N型砷化镓层上通过等离子体增强化学气相淀积法制备二氧化硅层；
(3)在二氧化硅层3上通过正胶工艺光刻欧姆电极接触孔，并使用湿法腐蚀对欧姆电极接触孔进行腐蚀处理，通过负胶工艺光刻欧姆电极，采用电子束蒸发的方式依次蒸发堆叠在一起的Ni/Ge/Au层，将Ni/Ge/Au层进行剥离，从而形成具有Ni/Ge/Au层的欧姆电极，对具有该Ni/Ge/Au层的欧姆电极退火，以形成欧姆电极；
(4)在二氧化硅层上通过正胶工艺光刻肖特基接触孔，并使用湿法腐蚀对肖特基接触孔进行腐蚀处理，以腐蚀二氧化硅层，通过负胶工艺光刻肖特基电极，采用电子束蒸发的方式依次蒸发堆叠在一起的Ni/Au层，将Ni/Au层进行剥离，从而分别形成具有Ni/Au层的超材料层和肖特基电极，超材料层直接与N型砷化镓层接触，肖特基电极设置于二氧化硅层上，且肖特基电极和超材料层之间的距离为1mm～1.5mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410455189.3A CN104241401B (zh) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410455189.3A CN104241401B (zh) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104241401A CN104241401A (zh) | 2014-12-24 |
| CN104241401B true CN104241401B (zh) | 2016-06-01 |
Family
ID=52229150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410455189.3A Active CN104241401B (zh) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104241401B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107195700B (zh) * | 2017-05-12 | 2019-09-17 | 中国电子科技集团公司第五十研究所 | 电场分布均匀的硅掺磷阻挡杂质带探测器及其制作方法 |
| CN107195701B (zh) * | 2017-05-12 | 2019-09-17 | 中国电子科技集团公司第五十研究所 | 台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法 |
| CN109994838A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 深圳光启尖端技术有限责任公司 | 一种可控吸波超材料 |
| CN110388984A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-10-29 | 中国科学院沈阳自动化研究所 | 一种宽频带太赫兹波探测器 |
| CN111739950B (zh) * | 2019-03-19 | 2022-03-18 | 国家纳米科学中心 | 太赫兹光电探测器 |
| CN114512556B (zh) * | 2020-11-16 | 2023-11-03 | 北京索通新动能科技有限公司 | 一种基于非对称超材料结构的光电探测器 |
| CN112731547A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-30 | 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） | 集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法 |
| CN113670848B (zh) * | 2021-08-23 | 2022-08-02 | 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 | 基于像素化结构的高分辨率宽带太赫兹探测器和探测方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102054891B (zh) * | 2010-10-13 | 2012-10-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 室温太赫兹波探测器 |
| JP6095284B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2017-03-15 | キヤノン株式会社 | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 |
| CN204130553U (zh) * | 2014-09-09 | 2015-01-28 | 华中科技大学 | 基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器 |
-
2014
- 2014-09-09 CN CN201410455189.3A patent/CN104241401B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104241401A (zh) | 2014-12-24 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |