CN112731547A - 集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法 - Google Patents

集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法 Download PDF

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王兵兵
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吴翼飞
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王洋刚
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Abstract

本发明提供了一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极；砷化镓掺杂吸收层位于阻挡层旁边，正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极设置在砷化镓掺杂吸收层左右两侧；超结构位于砷化镓掺杂吸收层上方。本发明基于超结构的偶极子共振效应，利用光场的局域增强特性，在吸收层较薄的情况下增强对入射太赫兹波的吸收，提高吸收转换效率，进而提升探测器光电响应的信噪比。基于超结构的偶极子共振特性，改变超结构的结构参数来调控共振波长，实现探测器250μm以上太赫兹波段的增强吸收，获得高性能的太赫兹探测器。

Description

集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法
技术领域
本发明涉及太赫兹探测技术领域，具体地，涉及一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法。
背景技术
GaAs阻挡杂质带阵列探测器(BIB)是一种利用杂质带电导进行辐射信号探测的器件，在中、远红外波段具有高宽带、高灵敏度、长积分时间、低暗电流等优异探测性能(廖开生，刘希辉，黄亮，等.天文用阻挡杂质带红外探测器[J].中国科学：物理力学天文学，2014,4:360-367.)，适合于低背景、微弱能量、天基宽谱信号的精确测量，在民用、军事和航空航天领域有着广泛的应用前景。因具材料有极小的杂质电离能，器件探测波长可以超过300μm，成为典型的太赫兹探测器(Stillman G,Wolfe C,Melngailis I,Parker C,TannenwaldP,Dimmock.J.Far-infrared photoconductivity in high-purity epitaxial GaAs[J].Applied Physics Letters.1968,13:83-84.)。国外很早已开始对GaAs基光电导探测器的研究，上世纪60年代Stillman在掺铬半绝缘砷化镓衬底上采用外延方式生长高纯度N型GaAs吸收层，在4.2K温度下观察到了远红外波段的非本征光电导效应；2005年，Reichertz等(Reichertz L.A,Cardozo B.L,Beeman J.W,Larsen D.I,Tschanz S,Jakob G,Katterloher R,Haegel N.M,Haller E.E,First Results on GaAs blocked impurityband(BIB)structures for far-infrared detector arrays[C],Bellingham:InfraredSpaceborne Remote Sensing 2005.)报道了砷化镓基远红外BIB探测器的初步结果，有望将探测波长极限延伸到330μm。平面型砷化镓基阻挡杂质带探测器通常在高阻衬底上采用离子注入形成吸收层，同时离子注入的深度通常小于1μm，难以形成较厚的吸收层，对入射太赫兹波吸收转换效率较低，因此对入射太赫兹辐射响应率较低。而且，国际上现有的砷化镓基阻挡杂质带探测器响应主要集中250μm附近，在250μm以上的太赫兹波段响应率显著下降，不能满足现有天文探测、安全检查的波段需求。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法。
根据本发明提供的一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极；其中：
砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极均设置在高阻砷化镓衬底上方；
砷化镓掺杂吸收层位于阻挡层旁边，正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极设置在砷化镓掺杂吸收层左右两侧；
超结构位于砷化镓掺杂吸收层上方。
优选地，砷化镓掺杂吸收层掺杂硅或碲或硫或硒离子，掺杂浓度为1×1015cm-3-1×1018cm-3。
优选地，高阻砷化镓衬底的衬底电阻率为2×106Ω·cm-8×107Ω·cm。
优选地，所述正电极接触区、负电极接触区为硅离子注入形成。
优选地，所述超结构采用Au金属层，周期60-120μm，厚度0.5-5μm，金属线条宽度2-15μm。
优选地，正电极接触区、负电极接触区各包括电极接触区、欧姆电极形成以及电极加厚。
优选地，正电极接触区采用离子注入工艺，注入区域为高阻砷化阻挡层上表面，注入离子为硅离子，注入能量为20-50keV，注入剂量为1×1014cm-3-7×1014cm-3。
优选地，所述欧姆电极采用多层金属Au85/Ge8/Ni7；所述电极加厚采用Ni/Au。
优选地，所述超结构在所述砷化镓掺杂吸收层上采用金属沉积方式所得，所述金属沉积方式为电子束蒸发。
根据本发明提供的一种基于上述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器的制备方法，包括如下步骤：
表面处理步骤：采用丙酮和异丙醇各分别超声，去离子水冲洗，去除有机污染物；再依次用氨水溶液和盐酸溶液浸泡，去离子水冲洗，氮气吹干，以去除表面氧化物颗粒污染物；
光刻标记制备步骤：砷化镓阻挡层上表面旋涂正胶AZ5214，曝光显影，以形成光刻标记区域掩膜窗口，再采用电子束蒸发工艺制备光刻标记，在砷化镓衬底上表面蒸镀光刻标记，依次蒸镀Ni、Au金属膜，采用丙酮进行剥离、室温浸泡、超声清洗、异丙醇超声清洗、去离子水冲洗、氮气吹干；
吸收层光刻、注入与快速退火步骤：光刻胶充当离子注入掩膜层，光刻完毕后进行多次离子注入形成吸收层；
电极接触层光刻、注入与快速退火步骤：光刻胶充当离子注入掩膜层，光刻完毕后进行多次离子注入形成电极接触层，注入离子为硅离子；进行快速热退火处理，用于注入离子激活和注入损伤修复；
表面钝化步骤：通过PECVD沉积SiN薄膜，作为钝化层；
去除电极和吸收层上方的钝化层步骤：光刻、湿法腐蚀开电机孔；
欧姆接触电极沉积、合金化步骤：设计电极依次蒸镀Ni/Ge/Au三层金属，而后进行合金化处理，以形成理想的欧姆接触；
加厚电极步骤：加厚电极依次蒸镀金属Ni/Au；
超结构制备步骤：在砷化镓上表面旋涂正胶AZ4620，曝光显影，以形成光刻标记区域掩膜窗口，再采用氧气等离子体去胶工艺，进一步去除曝光显影后残留的光刻胶底膜，采用电子束蒸发工艺制备光刻标记，在砷化镓上表面蒸镀光刻标记，蒸镀Au金属膜，采用丙酮进行剥离，室温浸泡、超声清洗、异丙醇超声清洗、去离子水冲洗，氮气吹干；
封装步骤：采用砂轮划片及金丝球焊工艺，将器件正负电极引出，完成器件封装，至此完成集成超结构的平面型砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器的制备工艺。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
1、本发明基于超结构的偶极子共振效应，利用光场的局域增强特性，在吸收层较薄的情况下增强对入射太赫兹波的吸收，提高吸收转换效率，进而提升探测器光电响应的信噪比。
2、本发明根据超结构的偶极子共振特性，改变超结构的结构参数来调控共振波长，实现探测器250μm以上太赫兹波段的增强吸收，获得高性能的太赫兹探测器。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为集成超结构的平面型砷化镓基阻挡杂质带太赫兹探测器的结构示意图。
图2为集成超结构的平面型砷化镓基阻挡杂质带太赫兹探测器的超结构示意图。
图3为带有超结构的器件吸收谱与传统器件吸收光谱的对比图。
图4为带有超结构的器件在不同吸收波长下处电场分布图，其中：
图4a为416μm波长处器件中电场强度分布的水平剖面；
图4b为416μm波长处器件中电场强度Y方向分量分布的水平剖面；
图4c为390μm波长处所选器件的电场强度Y方向分量分布的水平剖面。
图5为不同超结构周期尺寸下的器件吸收光谱图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
如图1至图3所示，本发明提供了一种集成超结构的平面型砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及制备方法。基于超结构的偶极子共振效应，利用光场的局域增强特性，在吸收层较薄的情况下增强对入射太赫兹波的吸收，提高吸收转换效率，进而提升探测器光电响应的信噪比；根据超结构的偶极子共振特性，改变超结构的结构参数来调控共振波长，实现探测器250μm以上太赫兹波段的增强吸收，获得高性能的太赫兹探测器。
根据本发明提供的一种集成超结构的平面型砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及制备方法，该集成超结构的平面型阻挡杂质带探测器，从下向上依次包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺硅或碲或硫或硒的吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极。其中吸收层位于阻挡层旁边，超结构位于吸收层上方，正电极接触区及正电极位于吸收层左侧，负电极接触区及负电极位于吸收层右侧。衬底电阻率2×106Ω·cm-8×107Ω·cm的高阻砷化镓衬底。所述正、负电极接触区为硅离子注入形成。所述吸收层掺杂硅或碲或硫或硒离子，掺杂浓度为1×1015cm-3-1×1018cm-3。所述超结构采用Au金属层，周期60-120μm，厚度0.5-5μm，金属线条宽度2-15μm。
本发明还提供了一种集成超结构的平面型砷化镓基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，该集成超结构的阻挡杂质带探测器的制备工艺，包括超结构制作、欧姆电极制备、离子注入形成吸收层等步骤。
所述衬底为高阻砷化镓衬底；优选晶向<100>，掺杂砷离子，电阻率2×106Ω·cm-8×107Ω·cm。所述吸收层为衬底上表面离子注入形成，掺杂元素为硅，掺杂浓度为1×1015cm-3-1×1018cm-3。所述阻挡层位于吸收层一侧，并与之相接触。所述正电极位于吸收层区域左侧，并与之相接触。类似地，所述负电极位于阻挡层区域右侧。所述正、负电极各包括电极接触区、欧姆电极形成和电极加厚。所述正电极接触区采用离子注入工艺；注入区域为阻挡层上表面；优选地，注入离子为硅离子，注入能量为20-50keV，注入剂量为1×1014cm-3-7×1014cm-3；优选地，所述欧姆电极采用多层金属Au85/Ge8/Ni7；优选地，所述电极加厚采用Ni/Au。
所述集成超结构设置于所述吸收层上方，在所述吸收层上采用金属沉积方式所得；优选地，所述金属沉积方式为电子束蒸发；优选地，超结构的周期60-120μm，厚度0.5-5μm，金属线条宽度2-15μm。
本发明提供的一种集成超结构的平面型砷化镓基阻挡杂质带太赫兹探测器，器件结构为平面型。高阻砷化镓衬底之上依次为砷化镓掺硅吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构。吸收层上方设置超结构，其左侧与正电极相连。阻挡层右侧与负电极相连。
集成超结构的平面型阻挡杂质带探测器是在一块高阻砷化镓衬底上制备的。通过离子注入形成吸收层和电极接触层，并通过金属化工艺形成电极接触。器件的工艺流程主要包括：表面处理，光刻标记制备、吸收层光刻与注入、电极层光刻与注入、钝化、开电极孔、欧姆接触电极沉积、引线封装等。
下面对本发明提出的制备方法进行更为详细的说明：
第一步，表面处理：首先采用丙酮和异丙醇各分别超声15分钟，去离子水冲洗，去除有机污染物；再依次用体积配比为NH4OH：H2O＝1：10的溶液浸泡15分钟，体积配比为HCl：H2O＝1：10的溶液浸泡3分钟，去离子水冲洗，氮气吹干，以去除表面氧化物颗粒污染物，并在显微镜下观察是否清洗干净、有无裂痕等。
第二步，光刻标记制备：砷化镓阻挡层上表面旋涂正胶AZ5214，厚度1.2μm，曝光显影，以形成光刻标记区域掩膜窗口，再采用电子束蒸发工艺制备光刻标记，在砷化镓衬底上表面蒸镀光刻标记，真空度5×10-4Pa，依次蒸镀Ni、Au金属膜，厚度分别为20nm、180nm，采用丙酮进行剥离，室温浸泡2小时，超声清洗10分钟，异丙醇超声清洗5分钟，去离子水冲洗，氮气吹干；
第三步，吸收层光刻、注入与快速退火：光刻胶充当离子注入掩膜层，要求光刻胶厚度大于3μm，光刻完毕后进行多次离子注入形成吸收层，掺杂浓度为1×1015cm-3-1×1018cm-3，退火温度700-1000℃，退火时间20-35s。
第四步，电极接触层光刻、注入与快速退火：光刻胶充当离子注入掩膜层，要求光刻胶厚度大于3μm，光刻完毕后进行多次离子注入形成电极接触层，注入离子为硅离子，注入能量为20-50keV，注入剂量为1×1014cm-3-7×1014cm-3。而后进行快速热退火处理，用于注入离子激活和注入损伤修复，退火温度700-1000℃，退火时间20-35s。
第五步，表面钝化：通过PECVD沉积SiN薄膜，作为钝化层
第六步，去除电极和吸收层上方的钝化层：光刻、湿法腐蚀开电机孔
第七步，欧姆接触电极沉积、合金化：设计电极依次蒸镀Ni/Ge/Au三层金属，厚度分别为20nm、20nm、150nm，而后进行合金化处理，以形成理想的欧姆接触
第八步，加厚电极：加厚电极依次蒸镀金属Ni/Au，厚度分别为20nm、260nm
第九步，超结构制备：在砷化镓上表面旋涂正胶AZ4620，厚度3μm，曝光显影，以形成光刻标记区域掩膜窗口，再采用氧气等离子体去胶工艺，进一步去除曝光显影后残留的光刻胶底膜，采用电子束蒸发工艺制备光刻标记，在砷化镓上表面蒸镀光刻标记，真空度5×10-4Pa，蒸镀Au金属膜，厚度分别为1000nm,采用丙酮进行剥离，室温浸泡2小时，超声清洗10分钟，异丙醇超声清洗5分钟，去离子水冲洗，氮气吹干；
第十步，封装：采用砂轮划片及金丝球焊工艺，将器件正负电极引出，完成器件封装，至此完成集成超结构的平面型砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器的制备工艺。
本发明所涉及探测器与传统平面型砷化镓基阻挡杂质带探测器对比，结果表明该发明探测器的光谱响应性能显著提升。基于超结构的偶极子共振增强，利用光场局域和耦合增强，在吸收层较薄的情况下，实现了吸收效率的显著提高，进而提高了信噪比(器件结构如图1所示，超结构如图2所示)。通过在砷化镓基阻挡杂质带探测器上引入周期为88μm的超结构，吸收率显著提高，在159μm和416μm处有两个吸收峰，实现250μm以上太赫兹波段的光谱响应提升(如图3所示)。图4所示为带有超结构的器件在不同吸收波长下处电场分布图，表明偶极子振荡引起超结构下方的光场局域共振，增强了吸收层对入射太赫兹波的吸收效率。进一步，如图5所示，通过改变超结构的周期参数，可对器件的光谱吸收进行调控，包括吸收效率和响应峰位。因此，该探测器实现了选择性波长共振增强吸收和太赫兹波段光谱响应的可调。
通过上述的分析与说明，本发明集成超结构的平面型砷化镓基阻挡杂质带太赫兹探测器实现了光谱响应性能提升和波段可调，由此证明本发明探测器的有效性。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (10)

1.一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，其特征在于，包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极；其中：
砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极均设置在高阻砷化镓衬底上方；
砷化镓掺杂吸收层位于阻挡层旁边，正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极设置在砷化镓掺杂吸收层左右两侧；
超结构位于砷化镓掺杂吸收层上方。
2.根据权利要求1所述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，其特征在于，砷化镓掺杂吸收层掺杂硅或碲或硫或硒离子，掺杂浓度为1×1015cm-3-1×1018cm-3。
3.根据权利要求1所述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，其特征在于，高阻砷化镓衬底的衬底电阻率为2×106Ω·cm-8×107Ω·cm。
4.根据权利要求1所述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，其特征在于，所述正电极接触区、负电极接触区为硅离子注入形成。
5.根据权利要求1所述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，其特征在于，所述超结构采用Au金属层，周期60-120μm，厚度0.5-5μm，金属线条宽度2-15μm。
6.根据权利要求1所述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，其特征在于，正电极接触区、负电极接触区各包括电极接触区、欧姆电极形成以及电极加厚。
7.根据权利要求6所述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，其特征在于，正电极接触区采用离子注入工艺，注入区域为高阻砷化阻挡层上表面，注入离子为硅离子，注入能量为20-50keV，注入剂量为1×1014cm-3-7×1014cm-3。
8.根据权利要求6所述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，其特征在于，所述欧姆电极采用多层金属Au85/Ge8/Ni7；所述电极加厚采用Ni/Au。
9.根据权利要求1所述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器，其特征在于，所述超结构在所述砷化镓掺杂吸收层上采用金属沉积方式所得，所述金属沉积方式为电子束蒸发。
10.一种基于权利要求1-9所述的集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
表面处理步骤：采用丙酮和异丙醇各分别超声，去离子水冲洗，去除有机污染物；再依次用氨水溶液和盐酸溶液浸泡，去离子水冲洗，氮气吹干，以去除表面氧化物颗粒污染物；
光刻标记制备步骤：砷化镓阻挡层上表面旋涂正胶AZ5214，曝光显影，以形成光刻标记区域掩膜窗口，再采用电子束蒸发工艺制备光刻标记，在砷化镓衬底上表面蒸镀光刻标记，依次蒸镀Ni、Au金属膜，采用丙酮进行剥离、室温浸泡、超声清洗、异丙醇超声清洗、去离子水冲洗、氮气吹干；
吸收层光刻、注入与快速退火步骤：光刻胶充当离子注入掩膜层，光刻完毕后进行多次离子注入形成吸收层；
电极接触层光刻、注入与快速退火步骤：光刻胶充当离子注入掩膜层，光刻完毕后进行多次离子注入形成电极接触层，注入离子为硅离子；进行快速热退火处理，用于注入离子激活和注入损伤修复；
表面钝化步骤：通过PECVD沉积SiN薄膜，作为钝化层；
去除电极和吸收层上方的钝化层步骤：光刻、湿法腐蚀开电机孔；
欧姆接触电极沉积、合金化步骤：设计电极依次蒸镀Ni/Ge/Au三层金属，而后进行合金化处理，以形成理想的欧姆接触；
加厚电极步骤：加厚电极依次蒸镀金属Ni/Au；
超结构制备步骤：在砷化镓上表面旋涂正胶AZ4620，曝光显影，以形成光刻标记区域掩膜窗口，再采用氧气等离子体去胶工艺，进一步去除曝光显影后残留的光刻胶底膜，采用电子束蒸发工艺制备光刻标记，在砷化镓上表面蒸镀光刻标记，蒸镀Au金属膜，采用丙酮进行剥离，室温浸泡、超声清洗、异丙醇超声清洗、去离子水冲洗，氮气吹干；
封装步骤：采用砂轮划片及金丝球焊工艺，将器件正负电极引出，完成器件封装，至此完成集成超结构的平面型砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器的制备工艺。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114280770A (zh) * 2021-11-29 2022-04-05 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） 太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法
CN114927585A (zh) * 2022-04-14 2022-08-19 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） 集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4398963A (en) * 1980-11-19 1983-08-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for making non-alloyed heterojunction ohmic contacts
CN104201233A (zh) * 2014-09-09 2014-12-10 华中科技大学 基于超材料的肖特基型毫米波多谱信号探测器和制备方法
CN104241434A (zh) * 2014-09-09 2014-12-24 华中科技大学 基于超材料的太赫兹单谱信号探测器及其制备方法
CN104241401A (zh) * 2014-09-09 2014-12-24 华中科技大学 基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法
CN107195701A (zh) * 2017-05-12 2017-09-22 中国电子科技集团公司第五十研究所 台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4398963A (en) * 1980-11-19 1983-08-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for making non-alloyed heterojunction ohmic contacts
CN104201233A (zh) * 2014-09-09 2014-12-10 华中科技大学 基于超材料的肖特基型毫米波多谱信号探测器和制备方法
CN104241434A (zh) * 2014-09-09 2014-12-24 华中科技大学 基于超材料的太赫兹单谱信号探测器及其制备方法
CN104241401A (zh) * 2014-09-09 2014-12-24 华中科技大学 基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法
CN107195701A (zh) * 2017-05-12 2017-09-22 中国电子科技集团公司第五十研究所 台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
中国电力出版社《中国电力百科全书》编辑部: "《中国电力百科全书 电工技术基础卷》", 31 October 1995 *
毕克允主编；胡先发，王长河，莫火石副主编: "《微电子技术信息化武器装备的精灵》", 31 December 2012 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114280770A (zh) * 2021-11-29 2022-04-05 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） 太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法
CN114280770B (zh) * 2021-11-29 2023-08-11 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） 太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法
CN114927585A (zh) * 2022-04-14 2022-08-19 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） 集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法
CN114927585B (zh) * 2022-04-14 2023-07-21 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） 集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法

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