JP2012124481A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 半導体サブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）と、
   サブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）内にある第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２、９１２）の第１のボリュームを含んだフォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）と、
   サブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）内にある第１のタイプのドーパントと反対電荷を有する第２のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第２のボリュームを含んだ接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）と、
   サブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）内にあると共にフォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）の外側周囲の周りで少なくとも部分的に延びるガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）であって、該ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第３のボリュームを含んでおり、フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）からサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）を通ってドリフトする電子または正孔のうちの１つまたは幾つかを伝導させるために接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）と該ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）のうちの少なくとも一方を接地基準（１１６）と伝導性に結合させており、該ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）と比べてフォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）のより近くに配置されているガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）と、
   を備え、
   前記ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）から該ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）まで連続して延びると共に第２のタイプのドーパントでドープされていないサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の分離部分（３１６）によってフォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）から分離されている、
   フォトダイオードアセンブリ（１００、３００、５００、７００、９００）。
2. 前記ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、互いに対して非平行の角度に向いたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の細長いドープ領域を含む、請求項１に記載のフォトダイオードアセンブリ（１００、３００、５００、７００、９００）。
3. 前記ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）の周り及び接地拡散領域の周りに延びたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の細長いドープ領域を含む、請求項１または２に記載のフォトダイオードアセンブリ（１００、３００、５００、７００、９００）。
4. 前記ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）と伝導性に結合させた調整可能な電圧源（１２０）をさらに備えており、該ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）を該電圧源（１２０）からのバイアス用電圧を受け取るように構成している、請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトダイオードアセンブリ（１００、３００、５００、７００、９００）。