JPS6394125A - カラ−センサ - Google Patents
カラ−センサInfo
- Publication number
- JPS6394125A JPS6394125A JP61237879A JP23787986A JPS6394125A JP S6394125 A JPS6394125 A JP S6394125A JP 61237879 A JP61237879 A JP 61237879A JP 23787986 A JP23787986 A JP 23787986A JP S6394125 A JPS6394125 A JP S6394125A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color
- photoelectric sensor
- sensor
- spectral sensitivity
- photocurrent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 60
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、赤、青、緑の3原色成分の色分解能を有する
カラーセンサに関するものであり、特に、色分解フィル
タを必要としないで3原色成分の色分解をするカラーセ
ンサに関するものである。
カラーセンサに関するものであり、特に、色分解フィル
タを必要としないで3原色成分の色分解をするカラーセ
ンサに関するものである。
カラーセンサとして、特開昭58−125869号公報
に開示されているようなアモルファスシリコンのセンサ
素子に着色有機樹脂等の光学フィルタを接着して色分解
を実現するものがある。このようにカラーセンサにアモ
ルファスシリコンの光電センサを基本構成要素として用
いるのは、その受光感度特性が視感度に極めて近いから
である。
に開示されているようなアモルファスシリコンのセンサ
素子に着色有機樹脂等の光学フィルタを接着して色分解
を実現するものがある。このようにカラーセンサにアモ
ルファスシリコンの光電センサを基本構成要素として用
いるのは、その受光感度特性が視感度に極めて近いから
である。
すなわち、アモルファスシリコンの光電センサによれば
、7 Q Onm以上の近赤外領域の影響をうけず、そ
のために赤外カントフィルタを用いずに色情報の抽出が
できるのである。
、7 Q Onm以上の近赤外領域の影響をうけず、そ
のために赤外カントフィルタを用いずに色情報の抽出が
できるのである。
しかし、有機樹脂等の光学フィルタを接着することでカ
ラーセンサとするかかる従来技術によれば、光学フィル
タの分光透過率特性の経年変化や高温条件下での劣化に
より、カラーセンサとしての特性に変化が生じてしまう
という問題点があった。また、光学フィルタをセンサ素
子自体に直接接着する必要があるために、カラーセンサ
の大きさが光学フィルタの大きさの制約を受け、小型化
に限界があった。さらに、光学フィルタを設けることで
、もともと感度の低い青色側の感度がさらに低くなって
しまい、これにより青色側に色特性の特徴がある色の識
別が不十分であった。
ラーセンサとするかかる従来技術によれば、光学フィル
タの分光透過率特性の経年変化や高温条件下での劣化に
より、カラーセンサとしての特性に変化が生じてしまう
という問題点があった。また、光学フィルタをセンサ素
子自体に直接接着する必要があるために、カラーセンサ
の大きさが光学フィルタの大きさの制約を受け、小型化
に限界があった。さらに、光学フィルタを設けることで
、もともと感度の低い青色側の感度がさらに低くなって
しまい、これにより青色側に色特性の特徴がある色の識
別が不十分であった。
本発明のカラーセンサは上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、PIN構造のアモルファス半導体で構成され
分光感度が青色光に対してピークを持つ第1の光電セン
サとPIN構造のアモルファス半導体で構成され分光感
度が赤色光に対してピークを持つ第2の光電センサとが
PN接合を形成するように重ねられた積層体と、前記積
層体の両端に設けられ少なくとも一方が透明である電極
対とから構成されるものである。
のであり、PIN構造のアモルファス半導体で構成され
分光感度が青色光に対してピークを持つ第1の光電セン
サとPIN構造のアモルファス半導体で構成され分光感
度が赤色光に対してピークを持つ第2の光電センサとが
PN接合を形成するように重ねられた積層体と、前記積
層体の両端に設けられ少なくとも一方が透明である電極
対とから構成されるものである。
また、本発明の色彩測定装置は、前記カラーセンサと、
その電極対間に少なくとも3種類のバイアス電圧を印加
することができるバイアス電圧印加手段と、各バイアス
電圧に応じた光電流を検出する光電流検出手段と、前記
光電流検出手段に基づいて前記カラーセンサに入射した
光の色彩を判定する色識別手段とを備えたものである。
その電極対間に少なくとも3種類のバイアス電圧を印加
することができるバイアス電圧印加手段と、各バイアス
電圧に応じた光電流を検出する光電流検出手段と、前記
光電流検出手段に基づいて前記カラーセンサに入射した
光の色彩を判定する色識別手段とを備えたものである。
さらに、本発明の他の色彩測定装置は、前記カラーセン
サの一方の電極を3分割したものを用い、3分割した電
極のそれぞれと他方の共通電極との間に互いに異なるバ
イアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記3
分割した電極のそれぞれに得られる光電流を検出する光
電流検出手段と、前記光電流検出手段に基づいて前記カ
ラーセンサに入射した光の色彩を判定する色識別手段と
を備えたものである。
サの一方の電極を3分割したものを用い、3分割した電
極のそれぞれと他方の共通電極との間に互いに異なるバ
イアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記3
分割した電極のそれぞれに得られる光電流を検出する光
電流検出手段と、前記光電流検出手段に基づいて前記カ
ラーセンサに入射した光の色彩を判定する色識別手段と
を備えたものである。
電極間に異なるバイアス電圧を印加することにより、緑
、赤、青のそれぞれの波長帯にピークをもつ分光感度特
性が得られる。そして、これらの分光感度特性に基づい
て出力される光電流から所定の演算により色彩を判定す
る。
、赤、青のそれぞれの波長帯にピークをもつ分光感度特
性が得られる。そして、これらの分光感度特性に基づい
て出力される光電流から所定の演算により色彩を判定す
る。
以下、実施例と共に本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例であるカラーセンサ1を示す
側面図である。2は透明なガラス基板であり、3はこの
ガラス基板2上に形成された透明電極である。4は透明
電極3上に形成されたPIN構造のアモルファスシリコ
ンの光電センサであり、色彩を測定すべき物体からの反
射光あるいは透過光(以下、単に被測定光という)Aの
入射方向との関係から前段アモルファス光電センサとし
て位置付けられる。5は前段アモルファス光電センサ4
上に形成されるPIN構造のアモルファスシリコンの光
電センサであり、被測定光Aの入射方向との関係から後
段アモルファス光電センサとして位置付けられる。そし
て、この後段アモルファス光電センサ5のp層は前段ア
モルファス光電センサ4のn層に隣接して形成されてお
り、光電センサ積層体6を構成している。7は後段アモ
ルファス光電センサ5上に形成される裏面電極であり、
この裏面電極7と透明電極3からカラーセンサ1内で発
生する光電流を取り出す。
側面図である。2は透明なガラス基板であり、3はこの
ガラス基板2上に形成された透明電極である。4は透明
電極3上に形成されたPIN構造のアモルファスシリコ
ンの光電センサであり、色彩を測定すべき物体からの反
射光あるいは透過光(以下、単に被測定光という)Aの
入射方向との関係から前段アモルファス光電センサとし
て位置付けられる。5は前段アモルファス光電センサ4
上に形成されるPIN構造のアモルファスシリコンの光
電センサであり、被測定光Aの入射方向との関係から後
段アモルファス光電センサとして位置付けられる。そし
て、この後段アモルファス光電センサ5のp層は前段ア
モルファス光電センサ4のn層に隣接して形成されてお
り、光電センサ積層体6を構成している。7は後段アモ
ルファス光電センサ5上に形成される裏面電極であり、
この裏面電極7と透明電極3からカラーセンサ1内で発
生する光電流を取り出す。
つぎに、このカラーセンサ1の動作を説明する。
カラーセンサ1に、ガラス基板2側から被測定光Aが入
射されると、アモルファスシリコンの吸収係数が短波長
から長波長に向かうに従って指数関数的に減少するとい
う特性を有することから、被測定光のうちの主に短波長
成分は前段アモルファス光電センサ4の1層で吸収され
てキャリアを発生し、長波長成分は後段アモルファス光
電センサ5の1層で吸収されてキャリアを発生すること
になる。
射されると、アモルファスシリコンの吸収係数が短波長
から長波長に向かうに従って指数関数的に減少するとい
う特性を有することから、被測定光のうちの主に短波長
成分は前段アモルファス光電センサ4の1層で吸収され
てキャリアを発生し、長波長成分は後段アモルファス光
電センサ5の1層で吸収されてキャリアを発生すること
になる。
前段アモルファス光電センサ4と後段アモルファス光電
センサ5でそれぞれ発生したキャリアは、その接合面で
あるpn界面で再結合することになるが、カラーセンサ
1の光電センサ4,5がptNPIN構造のタンデム構
造となっているために、等価的にいわば2つの電流源が
直列に接続されているものとみなすことができる。した
がってカラーセンサ1で発生する光電流は、前段アモル
ファス光電センサ4のキャリアと後段アモルファス光電
センサ5のキャリアのうちの、少ない方で抑えられ決定
されることになる。
センサ5でそれぞれ発生したキャリアは、その接合面で
あるpn界面で再結合することになるが、カラーセンサ
1の光電センサ4,5がptNPIN構造のタンデム構
造となっているために、等価的にいわば2つの電流源が
直列に接続されているものとみなすことができる。した
がってカラーセンサ1で発生する光電流は、前段アモル
ファス光電センサ4のキャリアと後段アモルファス光電
センサ5のキャリアのうちの、少ない方で抑えられ決定
されることになる。
ここで、上記動作を第2図に示す特性図で説明する。第
2図は、透明電極3と裏面電極7との間に構成される前
段アモルファス光電センサ4と後段アモルファス光電セ
ンサ5の分光感度特性を示すものである。カラーセンサ
1の短波長側の分光感度特性は、キャリアの発生数の少
ない後段アモルファス光電センサ5の分光感度特性Bの
裾によって抑えられ決定される。そして、長波長側の分
光感度特性は、キャリアの発生数の少ない前段アモルフ
ァス光電センサ4の分光感度特性Aの裾によって抑えら
れ決定されることになる。したがって、カラーセンサ1
の分光感度特性は、同図の破線Cに示すようになる。
2図は、透明電極3と裏面電極7との間に構成される前
段アモルファス光電センサ4と後段アモルファス光電セ
ンサ5の分光感度特性を示すものである。カラーセンサ
1の短波長側の分光感度特性は、キャリアの発生数の少
ない後段アモルファス光電センサ5の分光感度特性Bの
裾によって抑えられ決定される。そして、長波長側の分
光感度特性は、キャリアの発生数の少ない前段アモルフ
ァス光電センサ4の分光感度特性Aの裾によって抑えら
れ決定されることになる。したがって、カラーセンサ1
の分光感度特性は、同図の破線Cに示すようになる。
ところで、カラーセンサlの前段アモルファス光電セン
サ4の1層の厚さが後段アモルファス光電センサ5の1
層の厚さより薄く形成されているときには、透明電極3
と裏面電極7を介してカラーセンサ1に逆バイアスで電
圧が印加されると、両方の1層中の電界の大きさはほぼ
同じであることから、薄い1層を有する前段アモルファ
ス光電センサ4で発生したキャリアの方が厚い1層を有
する後段アモルファス光電センサ5で発生したキャリア
よりも多(pn界面に達することになる。
サ4の1層の厚さが後段アモルファス光電センサ5の1
層の厚さより薄く形成されているときには、透明電極3
と裏面電極7を介してカラーセンサ1に逆バイアスで電
圧が印加されると、両方の1層中の電界の大きさはほぼ
同じであることから、薄い1層を有する前段アモルファ
ス光電センサ4で発生したキャリアの方が厚い1層を有
する後段アモルファス光電センサ5で発生したキャリア
よりも多(pn界面に達することになる。
したがって、比較的小さい逆バイアス電圧が印加されて
いるときには、カラ−センサ1全体で発生する光電流の
大きさは、pn界面まで到達できるキャリアの少ない後
段アモルファス光電センサ5の分光感度特性Bで決定さ
れることになる。すなわち、カラーセンサ1の分光感度
特性Cは、逆バイアス電圧の印加により、短波長側の分
光感度がほとんど増加しないのに対して、長波長側の分
光感度は大きく増加する現象が現れることになる。
いるときには、カラ−センサ1全体で発生する光電流の
大きさは、pn界面まで到達できるキャリアの少ない後
段アモルファス光電センサ5の分光感度特性Bで決定さ
れることになる。すなわち、カラーセンサ1の分光感度
特性Cは、逆バイアス電圧の印加により、短波長側の分
光感度がほとんど増加しないのに対して、長波長側の分
光感度は大きく増加する現象が現れることになる。
そして、逆バイアス電圧の印加で生ずる前段アモルファ
ス光電センサ4のIfi中の電界が、前段アモルファス
光電センサ4で発生したほとんどのキャリアがpn界面
に到達することになるという飽和現象を生じる範囲の程
度のものであるならば、カラーセンサ1の分光感度特性
は、引き続き、pn界面へのキャリア到達数の少ない後
段アモルファス光電センサ5により決定されたままであ
る。
ス光電センサ4のIfi中の電界が、前段アモルファス
光電センサ4で発生したほとんどのキャリアがpn界面
に到達することになるという飽和現象を生じる範囲の程
度のものであるならば、カラーセンサ1の分光感度特性
は、引き続き、pn界面へのキャリア到達数の少ない後
段アモルファス光電センサ5により決定されたままであ
る。
しかし、印加する逆バイアスの電圧が、この飽和現象を
生ずる電界を大きく越えるようなものになると、今度は
前段アモルファス光電センサ4のIJi中および後段ア
モルファス光電センサ5の1層中にそれぞれ極めて高い
電界が生ずると共に、pn界面中の電界もかなり大きな
ものとなる。そのため、pn界面に達する前段アモルフ
ァス光電センサ4の発生キャリアがpn界面での局在準
位を介して再結合することな(後段アモルファス光電セ
ンサ5へ注入されて裏面電極7まで抜けて(るという現
象が考えられる。すなわち、主に短波長の入射によって
前段アモルファス光電センサ4の1層中に発生したキャ
リアがいわば強制的に裏面電極7まで引っ張りこまれて
光電流として取り出されることから、カラーセンサ1の
短波長側に分光感度が大きく増加する現象が現れること
になる。
生ずる電界を大きく越えるようなものになると、今度は
前段アモルファス光電センサ4のIJi中および後段ア
モルファス光電センサ5の1層中にそれぞれ極めて高い
電界が生ずると共に、pn界面中の電界もかなり大きな
ものとなる。そのため、pn界面に達する前段アモルフ
ァス光電センサ4の発生キャリアがpn界面での局在準
位を介して再結合することな(後段アモルファス光電セ
ンサ5へ注入されて裏面電極7まで抜けて(るという現
象が考えられる。すなわち、主に短波長の入射によって
前段アモルファス光電センサ4の1層中に発生したキャ
リアがいわば強制的に裏面電極7まで引っ張りこまれて
光電流として取り出されることから、カラーセンサ1の
短波長側に分光感度が大きく増加する現象が現れること
になる。
第3図は、上述した逆バイアス印加電圧の変化に伴う分
光感度特性の変化を実証するために、本願発明者が実際
に試作したカラーセンサ1を用いて行った実験の結果を
示すものである。同図において、横軸は波長(nm)で
あり、縦軸は感度(A/W)である。ここで、この実験
に用いたカラーセンサ1は、前段アモルファス光電セン
サ4の1層の厚さが1000人、後段アモルファス光電
センサ5の1層の厚さが5000人であり、逆バイアス
電圧■、は、V、=OV、−3V、−6Vに設定されて
いる。なお、受光面積は12mm”である。
光感度特性の変化を実証するために、本願発明者が実際
に試作したカラーセンサ1を用いて行った実験の結果を
示すものである。同図において、横軸は波長(nm)で
あり、縦軸は感度(A/W)である。ここで、この実験
に用いたカラーセンサ1は、前段アモルファス光電セン
サ4の1層の厚さが1000人、後段アモルファス光電
センサ5の1層の厚さが5000人であり、逆バイアス
電圧■、は、V、=OV、−3V、−6Vに設定されて
いる。なお、受光面積は12mm”である。
この図かられかるように、逆バイアス電圧VBが0■の
ときく特性A)は、前段アモルファス光電センサ4と後
段アモルファス光電センサ5の分光感度特性の重複部分
に相当する560nm付近にピークを持った視感度に近
い感度スペクトルを示す。
ときく特性A)は、前段アモルファス光電センサ4と後
段アモルファス光電センサ5の分光感度特性の重複部分
に相当する560nm付近にピークを持った視感度に近
い感度スペクトルを示す。
また、逆バイアス電圧■、を一3vに設定すると、短波
長側の分光感度は600 nm付近にピークを持つ後段
アモルファス光電センサ5の感度スペクトルまで増大す
ることになる(特性B)。
長側の分光感度は600 nm付近にピークを持つ後段
アモルファス光電センサ5の感度スペクトルまで増大す
ることになる(特性B)。
さらに、逆バイアス電圧■、を一6Vまで増加させると
、前段アモルファス光電センサ4と後段アモルファス光
電センサ5の両者の分光感度の和に相当する感度スペク
トルが現れる(特性C)。
、前段アモルファス光電センサ4と後段アモルファス光
電センサ5の両者の分光感度の和に相当する感度スペク
トルが現れる(特性C)。
このようなカラーセンサlにおいて、逆バイアス電圧V
、がOVのときの分光感度特性をI(0)、−3Vのと
きの分光感度特性を1(−3)、−6Vのときの分光感
度特性をI(−6)と表し、Ia−1(0)
・・・(1)Ib=+(−3)−1(0
) ・・・(2)I c =I(−6) −
I(−3) −(3)を各波長毎に算出してプ
ロットすると第4図に示すような、緑、赤、青の3原色
のそれぞれにほぼ対応する色分解された分光感度特性I
a、Ib、Icが得られることになる。すなわち、Ia
の感度は、560nm付近の感度が大きく、緑に強く感
じ、Ibの感度は620nm付近の感度が太き(赤に強
く感じ、Icの感度は47Onm付近の感度が大きく青
に強(怒しることになり、十分に色分離された3色分解
のカラーセンサを構成することになる。
、がOVのときの分光感度特性をI(0)、−3Vのと
きの分光感度特性を1(−3)、−6Vのときの分光感
度特性をI(−6)と表し、Ia−1(0)
・・・(1)Ib=+(−3)−1(0
) ・・・(2)I c =I(−6) −
I(−3) −(3)を各波長毎に算出してプ
ロットすると第4図に示すような、緑、赤、青の3原色
のそれぞれにほぼ対応する色分解された分光感度特性I
a、Ib、Icが得られることになる。すなわち、Ia
の感度は、560nm付近の感度が大きく、緑に強く感
じ、Ibの感度は620nm付近の感度が太き(赤に強
く感じ、Icの感度は47Onm付近の感度が大きく青
に強(怒しることになり、十分に色分離された3色分解
のカラーセンサを構成することになる。
しかも、このカラーセンサは、アモルファスシリコンの
光電センサ上に着色有機樹脂の光学フィルタを接着して
3色分解カラーセンサとなした従来のものと比較して、
著しく青の感度が高い。すなわち、第5図は先に示した
従来のカラーセンサの分光感度特性を示すものであり、
緑や赤の分光感度のピークに比べて青の分光感度のピー
クが非常に低いことがわかる。これに対して本実施例の
カラーセンサ1によれば、第4図に示すように青の分光
感度特性Icが十分に高いことがわかる。
光電センサ上に着色有機樹脂の光学フィルタを接着して
3色分解カラーセンサとなした従来のものと比較して、
著しく青の感度が高い。すなわち、第5図は先に示した
従来のカラーセンサの分光感度特性を示すものであり、
緑や赤の分光感度のピークに比べて青の分光感度のピー
クが非常に低いことがわかる。これに対して本実施例の
カラーセンサ1によれば、第4図に示すように青の分光
感度特性Icが十分に高いことがわかる。
本実施例では、被測定光がガラス基板2側から入射され
る例を示したが、本発明はこのような構成に限定される
ものではない。たとえば、裏面電極7側から被測定光を
入射させることも可能である。このときは、裏面電極7
を透明電極で形成することが必要であるが、逆に第1図
に示す透明電極3は透明に限られることなく金属電極形
成することが可能である。また、この場合はガラス基板
2もまた透明である必要がないことからステンレスやセ
ラミックスで基板を形成することが可能となる。
る例を示したが、本発明はこのような構成に限定される
ものではない。たとえば、裏面電極7側から被測定光を
入射させることも可能である。このときは、裏面電極7
を透明電極で形成することが必要であるが、逆に第1図
に示す透明電極3は透明に限られることなく金属電極形
成することが可能である。また、この場合はガラス基板
2もまた透明である必要がないことからステンレスやセ
ラミックスで基板を形成することが可能となる。
また、前段アモルファス光電センサ4と後段アモルファ
ス光電センサ5のタンデム構造も、PINPIN構造に
限られるものではなく、NIPNIP構造であってもよ
い。
ス光電センサ5のタンデム構造も、PINPIN構造に
限られるものではなく、NIPNIP構造であってもよ
い。
さらに、本発明の動作原理の説明のために用いた第3図
の実験データは、前段アモルファス光電センサ4の1層
の厚さが1000人、後段アモルファス光電センサ5の
1層の厚さが5000人、カラーセンサ1に印加する逆
バイアス電圧がOv、−3V、−6Vのものであるが、
本発明のカラーセンサ1の構造はこれらの数値に限定さ
れるものではない。
の実験データは、前段アモルファス光電センサ4の1層
の厚さが1000人、後段アモルファス光電センサ5の
1層の厚さが5000人、カラーセンサ1に印加する逆
バイアス電圧がOv、−3V、−6Vのものであるが、
本発明のカラーセンサ1の構造はこれらの数値に限定さ
れるものではない。
しかしながら、第4図に示すようなカラーセンサとして
好ましい十分に色分離された3色分解能を得るためには
、第1に、少なくとも前段アモルファス光電センサ4の
分光感度特性と後段アモルファス光電センサ5の分光感
度特性が、第2図に示すように比較的近い相対感度を持
ちつつ緑の波長領域で交差するように、前後段アモルフ
ァス光電センサ4,5のそれぞれの1層の厚さを定める
必要がある。第2に、被測定光の入射側である前段アモ
ルファス光電センサ4の1層の厚さが、後段アモルファ
ス光電センサ5の1層の厚さよりも薄く形成される必要
がある。これにより、前段アモルファス光電センサ4の
方がより低い逆バイアス電圧の印加で飽和するからであ
る。さらに、第3として、印加する逆バイアス電圧とし
ては、前段アモルファス光電センサ4の飽和状態を保ち
つつカラーセンサ1の長波長側の分光感度を後段アモル
ファス光電センサ5の長波長側分光感度まで引き上げら
れるようなレベルと、トンネリングが発生することでカ
ラーセンサ1の短波長側の分光感度を前段アモルファス
光電センサ4の短波長側の分光感度まで引き上げられる
ようなレベルとを用意する必要がある。
好ましい十分に色分離された3色分解能を得るためには
、第1に、少なくとも前段アモルファス光電センサ4の
分光感度特性と後段アモルファス光電センサ5の分光感
度特性が、第2図に示すように比較的近い相対感度を持
ちつつ緑の波長領域で交差するように、前後段アモルフ
ァス光電センサ4,5のそれぞれの1層の厚さを定める
必要がある。第2に、被測定光の入射側である前段アモ
ルファス光電センサ4の1層の厚さが、後段アモルファ
ス光電センサ5の1層の厚さよりも薄く形成される必要
がある。これにより、前段アモルファス光電センサ4の
方がより低い逆バイアス電圧の印加で飽和するからであ
る。さらに、第3として、印加する逆バイアス電圧とし
ては、前段アモルファス光電センサ4の飽和状態を保ち
つつカラーセンサ1の長波長側の分光感度を後段アモル
ファス光電センサ5の長波長側分光感度まで引き上げら
れるようなレベルと、トンネリングが発生することでカ
ラーセンサ1の短波長側の分光感度を前段アモルファス
光電センサ4の短波長側の分光感度まで引き上げられる
ようなレベルとを用意する必要がある。
つぎに、このカラーセンサ1を用いた色彩測定装置につ
いて説明する。第6図は、本発明の色彩測定装置の一実
施例を示すブロック図である。本実施例は、カラーセン
サ1に印加する逆バイアス電圧を順次選択することによ
り光電流I(0)、1(−3) 、I(−6)を得、こ
れから演算によりI aXI bz I cを得るも
のである。
いて説明する。第6図は、本発明の色彩測定装置の一実
施例を示すブロック図である。本実施例は、カラーセン
サ1に印加する逆バイアス電圧を順次選択することによ
り光電流I(0)、1(−3) 、I(−6)を得、こ
れから演算によりI aXI bz I cを得るも
のである。
第6図において、10はカラーセンサ1に逆バイアス電
圧を印加するバイアス回路手段であり、このバイアス回
路手段10は予め設定された3種類のバイアス電圧(−
6■、−3V、OV)の一つを選択的にカラーセンサ1
に印加する。11は同期回路手段であり、バイアス回路
手段10がカラーセンサ1に印加する3種類の逆バイア
ス電圧を順次選択するための同期信号を発生する。12
は光電流検出回路手段であり、同期回路手段11からの
同期信号を用いてバイアス回路手段10の逆バイアス電
圧印加に伴って発生するカラーセンサ1の光電流を検出
する機能を有する。13は色識別回路手段であり、光電
流検出回路手段12によって得られた3種類の光電流に
対して上記(1)〜(3)式の演算を施すことによりI
a、Ib、ICを求め、これらの値から被測定光の色彩
を求める機能を有する。
圧を印加するバイアス回路手段であり、このバイアス回
路手段10は予め設定された3種類のバイアス電圧(−
6■、−3V、OV)の一つを選択的にカラーセンサ1
に印加する。11は同期回路手段であり、バイアス回路
手段10がカラーセンサ1に印加する3種類の逆バイア
ス電圧を順次選択するための同期信号を発生する。12
は光電流検出回路手段であり、同期回路手段11からの
同期信号を用いてバイアス回路手段10の逆バイアス電
圧印加に伴って発生するカラーセンサ1の光電流を検出
する機能を有する。13は色識別回路手段であり、光電
流検出回路手段12によって得られた3種類の光電流に
対して上記(1)〜(3)式の演算を施すことによりI
a、Ib、ICを求め、これらの値から被測定光の色彩
を求める機能を有する。
つぎに、このように構成された色彩測定装置の全体的な
動作を節単に説明する。バイアス回路手段10は、同期
回路手段11が発生する同期信号にしたがって、被測定
光の入射されているカラーセンサ1に逆バイアス電圧O
V、−3V、−6vを順次印加していく。光電fL検出
回路手段12は、この逆バイアス電圧の印加によって得
られる光電。
動作を節単に説明する。バイアス回路手段10は、同期
回路手段11が発生する同期信号にしたがって、被測定
光の入射されているカラーセンサ1に逆バイアス電圧O
V、−3V、−6vを順次印加していく。光電fL検出
回路手段12は、この逆バイアス電圧の印加によって得
られる光電。
流I(0) 、I’(−3) 、I(−6)を同期回路
手段11の同期信号を用いてサンプリングする。色識別
回路手段13は、光電流検出回路手段12により求めら
れたI(0) 、I(−3) 、H−6)からIa、I
b、Icを所定の演算により算出し、その結果から被測
定光の色彩を判別する。
手段11の同期信号を用いてサンプリングする。色識別
回路手段13は、光電流検出回路手段12により求めら
れたI(0) 、I(−3) 、H−6)からIa、I
b、Icを所定の演算により算出し、その結果から被測
定光の色彩を判別する。
第7図は本発明の色彩測定装置の他の実施例を示すブロ
ック図である。本実施例のカラーセンサ1は、透明電極
3が共通の電極となっており、裏面電極7が3分割され
ているものであり、実質的に3個のカラーセンサを備え
ている。20はカラーセンサ103組の電極対のそれぞ
れに所定の逆バイアス電圧を印加するバイアス回路手段
20であり、本実施例ではそれぞれの電極対に0■、−
3■、−6Vの電圧を印加するようになっている。
ック図である。本実施例のカラーセンサ1は、透明電極
3が共通の電極となっており、裏面電極7が3分割され
ているものであり、実質的に3個のカラーセンサを備え
ている。20はカラーセンサ103組の電極対のそれぞ
れに所定の逆バイアス電圧を印加するバイアス回路手段
20であり、本実施例ではそれぞれの電極対に0■、−
3■、−6Vの電圧を印加するようになっている。
21は光電流検出回路手段であり、実質的には、カラー
センサ1の3組の電極対に対応して発生する光電流を所
定のレベルまで増幅する増幅回路である。22は色識別
回路手段であり、光電流検出回路手段21によって得ら
れた3種類の光電流に対して上記(1)〜(3)式の演
算を施すことによりIa、Ib、Icを求め、これらの
値から被測定光の色彩を求めるものである。
センサ1の3組の電極対に対応して発生する光電流を所
定のレベルまで増幅する増幅回路である。22は色識別
回路手段であり、光電流検出回路手段21によって得ら
れた3種類の光電流に対して上記(1)〜(3)式の演
算を施すことによりIa、Ib、Icを求め、これらの
値から被測定光の色彩を求めるものである。
本実施例では、被測定光の入射されているカラーセンサ
1の3組の電極対のそれぞれに対して、バイアス回路手
段20が、逆バイアス電圧0■、−3V、−6Vをそれ
ぞれ印加する。光電流検出回路手段21は、この逆バイ
アス電圧の印加によって得られるカラーセンサ1からの
3種の光電流1(0) 、I(−3) 、I(−6)を
抽出し、色識別回路手段22は、この光電流1(0)
、I(−3)、I(−6)からIa、Ib、Icを所定
の演算により算出し、その結果から被測定光の色彩を判
別する。
1の3組の電極対のそれぞれに対して、バイアス回路手
段20が、逆バイアス電圧0■、−3V、−6Vをそれ
ぞれ印加する。光電流検出回路手段21は、この逆バイ
アス電圧の印加によって得られるカラーセンサ1からの
3種の光電流1(0) 、I(−3) 、I(−6)を
抽出し、色識別回路手段22は、この光電流1(0)
、I(−3)、I(−6)からIa、Ib、Icを所定
の演算により算出し、その結果から被測定光の色彩を判
別する。
上述した色彩測定装置の2つ実施例のうち、第6図に示
すものは、カラーセンサ1の受光部を非常に小さくする
ことができるため、被測定光の空間的なバラツキの影響
を除去することができ、微小な面積での色の違いを識別
できるという利点を有する。一方、第7図に示すものは
、カラーセンサ1の3種類の光電流を時系列でなく、並
列的に同時にサンプリングするので高速での色の識別が
可能になるという利点を有する。
すものは、カラーセンサ1の受光部を非常に小さくする
ことができるため、被測定光の空間的なバラツキの影響
を除去することができ、微小な面積での色の違いを識別
できるという利点を有する。一方、第7図に示すものは
、カラーセンサ1の3種類の光電流を時系列でなく、並
列的に同時にサンプリングするので高速での色の識別が
可能になるという利点を有する。
なお、本発明の色彩測定装置の回路部は、ディスクリー
トな回路部品で実現するものであってもヨ(、マたマイ
クロコンピュータで実現するものであってもよい。
トな回路部品で実現するものであってもヨ(、マたマイ
クロコンピュータで実現するものであってもよい。
以上説明したように本発明のカラーセンサによれば、電
極間に異なるバイアス電圧を印加することにより、緑、
赤、青のそれぞれの波長帯にピークをもつ分光感度特性
が得られる。すなわち、本発明のカラーセンサによれば
、従来のカラーセンサのような光学フィルタが不要であ
るので、小型化が可能であり、しかも、光学フィルタの
ために生ずる特性劣化が全く無いという利点を有する。
極間に異なるバイアス電圧を印加することにより、緑、
赤、青のそれぞれの波長帯にピークをもつ分光感度特性
が得られる。すなわち、本発明のカラーセンサによれば
、従来のカラーセンサのような光学フィルタが不要であ
るので、小型化が可能であり、しかも、光学フィルタの
ために生ずる特性劣化が全く無いという利点を有する。
また、近赤外領域に感度を有しないアモルファスシリコ
ンをベースにしているので、赤外カットフィルタも不要
である。そして、このカラーセンサを用いた本発明の色
彩測定装置によれば、これらの分光感度特性に基づいて
出力される光電流から所定の演算により色彩を判定する
ことができる。
ンをベースにしているので、赤外カットフィルタも不要
である。そして、このカラーセンサを用いた本発明の色
彩測定装置によれば、これらの分光感度特性に基づいて
出力される光電流から所定の演算により色彩を判定する
ことができる。
第1図は本発明の一実施例であるカラーセンサ1を示す
側面図、第2図はその分光感度を示す特性図、第3図は
印加電圧を変化させたときの分光感度を示す特性図、第
4図は補正した分光感度を示す特性図、第5図は従来の
カラーセンサの分光感度を示す特性図、第6図は本発明
の色彩測定装置の一実施例を示すブロック図、第7図は
本発明の色彩測定装置の他の実施例を示すブロック図で
ある。 1・・・カラーセンサ、2・・・ガラス基板、3・・・
透明電極、4・・・前段アモルファス光電センサ、5・
・・後段アモルファス光電センサ、6・・・光電センサ
積層体、7・・・裏面電極、10.20・・・バイアス
回路手段、11・・・同期回路手段、12.21・・・
光電流検出回路手段、13.22・・・色識別回路手段
。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社 浜川圭弘
側面図、第2図はその分光感度を示す特性図、第3図は
印加電圧を変化させたときの分光感度を示す特性図、第
4図は補正した分光感度を示す特性図、第5図は従来の
カラーセンサの分光感度を示す特性図、第6図は本発明
の色彩測定装置の一実施例を示すブロック図、第7図は
本発明の色彩測定装置の他の実施例を示すブロック図で
ある。 1・・・カラーセンサ、2・・・ガラス基板、3・・・
透明電極、4・・・前段アモルファス光電センサ、5・
・・後段アモルファス光電センサ、6・・・光電センサ
積層体、7・・・裏面電極、10.20・・・バイアス
回路手段、11・・・同期回路手段、12.21・・・
光電流検出回路手段、13.22・・・色識別回路手段
。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社 浜川圭弘
Claims (3)
- (1)PIN構造のアモルファス半導体で構成され分光
感度が青色光に対してピークを持つ第1の光電センサと
PIN構造のアモルファス半導体で構成され分光感度が
赤色光に対してピークを持つ第2の光電センサとがPN
接合を形成するように重ねられた積層体と、前記積層体
の両端に設けられ少なくとも一方が透明である電極対と
を備えたカラーセンサ。 - (2)PIN構造のアモルファス半導体で構成され分光
感度が青色光に対してピークを持つ第1の光電センサと
PIN構造のアモルファス半導体で構成され分光感度が
赤色光に対してピークを持つ第2の光電センサとがPN
接合を形成するように重ねられた積層体と、前記積層体
の両端に設けられ少なくとも一方が透明である電極対と
を備えたカラーセンサを有し、前記電極対間に少なくと
も3種類のバイアス電圧を印加することができるバイア
ス電圧印加手段と、各バイアス電圧に応じた光電流を検
出する光電流検出手段と、前記光電流検出手段に基づい
て前記カラーセンサに入射した光の色彩を判定する色識
別手段とを具備する色彩測定装置。 - (3)PIN構造のアモルファス半導体で構成され分光
感度が青色光に対してピークを持つ第1の光電センサと
PIN構造のアモルファス半導体で構成され分光感度が
赤色光に対してピークを持つ第2の光電センサとがPN
接合を形成するように重ねられた積層体と、前記積層体
の一端に設けられた共通電極と、前記積層体の他端に設
けられ前記共通電極とそれぞれ対向する3つの個別電極
とを備え、前記共通電極または前記個別電極の少なくと
もいずれか一方が透明であるカラーセンサを有し、前記
個別電極のそれぞれと共通電極との間に互いに異なるバ
イアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記個
別電極毎にそれぞれ光電流を検出する光電流検出手段と
、前記光電流検出手段に基づいて前記カラーセンサに入
射した光の色彩を判定する色識別手段とを具備する色彩
測定装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61237879A JPS6394125A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | カラ−センサ |
US07/105,440 US4820915A (en) | 1986-10-08 | 1987-10-05 | Color sensor with amorphous pin structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61237879A JPS6394125A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | カラ−センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6394125A true JPS6394125A (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=17021774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61237879A Pending JPS6394125A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | カラ−センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4820915A (ja) |
JP (1) | JPS6394125A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100607296B1 (ko) * | 2004-06-01 | 2006-07-31 | 이문기 | 칼라센서에 의한 드럼 연주장치 |
JP2007531290A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射検出器 |
JP2008103554A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子及び半導体基板 |
US8212285B2 (en) | 2004-03-31 | 2012-07-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation detector |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0671097B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-09-07 | 鐘淵化学工業株式会社 | カラ−センサ− |
JPH01128477A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Ricoh Co Ltd | アモルファスシリコン光センサー |
US5225706A (en) * | 1987-12-04 | 1993-07-06 | Thomson-Csf | Matrix of photosensitive elements associating a photodiode or a phototransistor and a storage capacitor |
JPH088624B2 (ja) * | 1988-03-14 | 1996-01-29 | 株式会社日立製作所 | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
US5311047A (en) * | 1988-11-16 | 1994-05-10 | National Science Council | Amorphous SI/SIC heterojunction color-sensitive phototransistor |
US4978842A (en) * | 1989-04-21 | 1990-12-18 | At&T Bell Laboratories | Programmable optical logic device with complementary inputs |
US5021645A (en) * | 1989-07-11 | 1991-06-04 | Eaton Corporation | Photoelectric color sensor for article sorting |
US5449923A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-12 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector |
IT1272248B (it) * | 1994-05-12 | 1997-06-16 | Univ Roma | Fotorivelatore a spettro variabile controllato in tensione, per applicazioni di rivelazione e ricostruzione di immagini bidimensionalia colori |
DE19723177A1 (de) | 1997-06-03 | 1998-12-10 | Daimler Benz Ag | Spannungsgesteuerter wellenlängenselektiver Photodetektor |
DE19737561C1 (de) * | 1997-08-28 | 1999-04-15 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Mehrfarbensensor |
US5965873A (en) * | 1997-09-17 | 1999-10-12 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Integrated CMOS spectrometers |
JP2001284631A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 光検出器及び光検出システム |
US6369436B1 (en) * | 2000-05-22 | 2002-04-09 | Boris Gilman | Semiconductor wavelength demultiplexer |
DE10101457A1 (de) * | 2001-01-10 | 2002-07-18 | Infineon Technologies Ag | Optoelektronisches System zur Detektion elektromagnetischer Strahlung |
JP4302901B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2009-07-29 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光体および発光システム |
DE10345410A1 (de) * | 2003-09-30 | 2005-05-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsdetektor |
JP4714428B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2011-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換膜積層型固体撮像装置及びその製造方法 |
DE102008006987A1 (de) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsempfänger und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsempfängers |
US8816461B2 (en) | 2011-09-13 | 2014-08-26 | The Boeing Company | Dichromatic photodiodes |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2986591A (en) * | 1955-10-17 | 1961-05-30 | Ibm | Photovoltaic cell |
US4011016A (en) * | 1974-04-30 | 1977-03-08 | Martin Marietta Corporation | Semiconductor radiation wavelength detector |
JPS55125680A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Yoshihiro Hamakawa | Photovoltaic element |
US4616246A (en) * | 1982-11-22 | 1986-10-07 | Chronar Corp. | Enhancement of photoconductivity in pyrolytically prepared semiconductors |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP61237879A patent/JPS6394125A/ja active Pending
-
1987
- 1987-10-05 US US07/105,440 patent/US4820915A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007531290A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射検出器 |
US8212285B2 (en) | 2004-03-31 | 2012-07-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation detector |
KR100607296B1 (ko) * | 2004-06-01 | 2006-07-31 | 이문기 | 칼라센서에 의한 드럼 연주장치 |
JP2008103554A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Fujifilm Corp | 裏面照射型撮像素子及び半導体基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4820915A (en) | 1989-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6394125A (ja) | カラ−センサ | |
US8975645B2 (en) | Optical filter | |
EP1181510B1 (en) | Position sensitive light spot detector | |
US9188482B2 (en) | Optical sensor with special discrimination | |
JPH0671097B2 (ja) | カラ−センサ− | |
JP2007292486A (ja) | 光センサ及び物体検出方法 | |
JPH0265181A (ja) | 赤外線検知装置 | |
JPH01292220A (ja) | 半導体光検出装置 | |
Vieira et al. | A new CLSP sensor for Image recognition and color separation | |
JPS6314482A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
JPS623628A (ja) | 色識別装置 | |
JPS61283837A (ja) | 波長弁別装置 | |
JP3159386B2 (ja) | 光センサ | |
JPH01266770A (ja) | 半導体位置検出器 | |
JPS6269568A (ja) | 半導体カラ−センサ | |
JPS6365325A (ja) | 光量検出回路 | |
Nakada et al. | Integrated selenium color sensor and its application to a color-recognition system | |
JPS61283838A (ja) | カラ−センサおよび色彩測定装置 | |
JPH02240531A (ja) | 光検出装置 | |
JPS61129509A (ja) | 半導体光位置検出器 | |
Kato et al. | Integrated transducer for color distinction | |
JPS63102380A (ja) | 光センサ | |
JPS6249680A (ja) | 半導体位置検出器 | |
JPH0295223A (ja) | 過熱検出装置 | |
JPS594184A (ja) | カラ−検出方式 |