JPS61187282A - 光検出素子 - Google Patents
光検出素子Info
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- JPS61187282A JPS61187282A JP60026821A JP2682185A JPS61187282A JP S61187282 A JPS61187282 A JP S61187282A JP 60026821 A JP60026821 A JP 60026821A JP 2682185 A JP2682185 A JP 2682185A JP S61187282 A JPS61187282 A JP S61187282A
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- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 241001441754 Heteralocha acutirostris Species 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光起電力効果を利用して、カラーフィルタ
を用いずにカラーセンシングを行う光検出素子に関する
ものである。
を用いずにカラーセンシングを行う光検出素子に関する
ものである。
従来の光検出素子の一例を第３図に示し説明すると、こ
の第３図は従来のカラーフィルタを用いない光検出素子
を示す断面図である。
の第３図は従来のカラーフィルタを用いない光検出素子
を示す断面図である。
図において、１は保護膜（８ｉ０ｓ）、４はｐ形シリコ
ン基板、３はこのｐ形シリコン基板４の上に形成したｎ
形層、２はこのｎ形層３の中に形成したｐ形層である。
ン基板、３はこのｐ形シリコン基板４の上に形成したｎ
形層、２はこのｎ形層３の中に形成したｐ形層である。
なお、ｈ旧およびｈｕ２はそれぞれ外部から入射する短
波長光および長波長光を示し、ａ、ｂはｎ形層２および
ｎ形層３の各電極、Ｃはｐ形シリコン基板４の電極を示
す。
波長光および長波長光を示し、ａ、ｂはｎ形層２および
ｎ形層３の各電極、Ｃはｐ形シリコン基板４の電極を示
す。
このように構成された光検出素子の動作を第３図の等何
回路である第４図を参照して説明する。
回路である第４図を参照して説明する。
まず、外部から入射する短波長光り旧は上部のｎ形層２
とｎ形層３のｐｎ接合で吸収され、第４図のフォトダイ
オードＰＤＩの光電流１１となる。
とｎ形層３のｐｎ接合で吸収され、第４図のフォトダイ
オードＰＤＩの光電流１１となる。
つぎに外部から入射する長波長光ｈｕ２は下部のｎ形層
３とｐ形シリコン基板４のｎｐ層で吸収され、第４図の
フォトダイオードＰＤｌＩの光電流ＩｓとなるＯ このようにして、フォトダイオードＰＤｌ、ＰＤｇによ
って各光電流Ｉｉ、Ｉｓが得られ、この両光電流ＩＩ、
Ｉｓの比Ｉ ２ ／Ｉ ｌの値が入射光の光に対応して
、色の判別を行うことができる。
３とｐ形シリコン基板４のｎｐ層で吸収され、第４図の
フォトダイオードＰＤｌＩの光電流ＩｓとなるＯ このようにして、フォトダイオードＰＤｌ、ＰＤｇによ
って各光電流Ｉｉ、Ｉｓが得られ、この両光電流ＩＩ、
Ｉｓの比Ｉ ２ ／Ｉ ｌの値が入射光の光に対応して
、色の判別を行うことができる。
上記のような従来の光検出素子では、色判別の分解能が
著しく低下し、色の分離に限界があるなどの問題点があ
った。
著しく低下し、色の分離に限界があるなどの問題点があ
った。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、簡単な構成によって、色判別を著しく向上すること
ができ、また、自然色に近い色再現性を実現することが
できる光検出素子を得ることを目的とする。
で、簡単な構成によって、色判別を著しく向上すること
ができ、また、自然色に近い色再現性を実現することが
できる光検出素子を得ることを目的とする。
この発明による光検出素子は、ｐｎｐｎｐ構造からなシ
入射する短波長光と中波長光および長波長光を検出して
各光電流を得る３種類のフォトダイオードと、この３種
類のフォトダイオードを制御するスイッチとを備えてな
るようにしたものである。
入射する短波長光と中波長光および長波長光を検出して
各光電流を得る３種類のフォトダイオードと、この３種
類のフォトダイオードを制御するスイッチとを備えてな
るようにしたものである。
この発明においては、３種類のフォトダイオードによっ
てそれぞれ短波長光、中波長光、長波長光に対応した光
電流を得、予めバイアスをかけておくことにより、ＭＯ
Ｂ形スイスイツチングり電位差を生じ、よ多分解能の高
い色信号を読み出すことを可能にする。
てそれぞれ短波長光、中波長光、長波長光に対応した光
電流を得、予めバイアスをかけておくことにより、ＭＯ
Ｂ形スイスイツチングり電位差を生じ、よ多分解能の高
い色信号を読み出すことを可能にする。
以下、図面に基いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による光検出素子の一実施例を示す断面
図である。
図である。
図において、１１はバイアス電圧Ｖｌをかけられた一層
目のドレイン電極、１２はバイアス電圧Ｖｇをかけられ
た二層目のドレイン電極、１３はバイアス電圧■８をか
けられた三層目のドレイン電極、１４−１．１４−２．
１４−３はそれぞれＭＯＳ形スイッチ、１５はこれら各
ＭＯＳ形スイッチ１４−１〜１４−３を同時にＯＮ状態
にするゲート電極、１６は一層目のｐ形層、１７は二層
目のｎ形層、１８は三層目のｐ形層、１９は四層目のｎ
形層、２０はｐ形基板である。
目のドレイン電極、１２はバイアス電圧Ｖｇをかけられ
た二層目のドレイン電極、１３はバイアス電圧■８をか
けられた三層目のドレイン電極、１４−１．１４−２．
１４−３はそれぞれＭＯＳ形スイッチ、１５はこれら各
ＭＯＳ形スイッチ１４−１〜１４−３を同時にＯＮ状態
にするゲート電極、１６は一層目のｐ形層、１７は二層
目のｎ形層、１８は三層目のｐ形層、１９は四層目のｎ
形層、２０はｐ形基板である。
そして、Ｖ４は四層目のｎ形層１９にかけられるバイア
ス電圧を示し、ｄ、ｅ、ｆはそれぞれ一層目のｐ形層１
６．二層目のｎ形層１７．三層目のｎ形層１８の各電極
を示す。
ス電圧を示し、ｄ、ｅ、ｆはそれぞれ一層目のｐ形層１
６．二層目のｎ形層１７．三層目のｎ形層１８の各電極
を示す。
第２図は第１図の等価回路図である。この第２図におい
て第１図と同一符号のものは相当部分を示し、ＰＤｌｉ
−ＰＤ１８はフォトダイオード、８１１゜８１２ 、５
ｉｌｌはＭＯＳスイッチで、これら各ＭＯＳスイッチＳ
ｌｌ、８１２．８１ｓはそれぞれ第１図におけるＭＯＳ
スイッチ１４−１ 、１４−２ 、１４−３に対応する
。
て第１図と同一符号のものは相当部分を示し、ＰＤｌｉ
−ＰＤ１８はフォトダイオード、８１１゜８１２ 、５
ｉｌｌはＭＯＳスイッチで、これら各ＭＯＳスイッチＳ
ｌｌ、８１２．８１ｓはそれぞれ第１図におけるＭＯＳ
スイッチ１４−１ 、１４−２ 、１４−３に対応する
。
つぎに第１図に示す実施例の動作を第２図を参 □
照して説明する。
照して説明する。
まず、光検出素子の受光面に入射した光のうち、短波長
光ｈｕｎは一層目のｐ形層１６と二層目のｎ形層１７の
ｐｎ接合に吸収され、第２図のフォトダイオードＰＤＩ
Ｉの光電流■１１となり、中波長光ｈｕ Ｉ＆は二層目
のｎ形層１１と三層目のｎ形層１８のｎｐ接合に吸収さ
れ、第２図のフォトダイオードＰＤ１２の光電流１１２
となり、さらに、長波長光ｈｕ ｌａは三層目のｎ形層
１８と四層目のｎ形層１９のｐｎ接合に吸収され、第２
図のフォトダイオードＰＤ １８の光電流Ｉｔｓとなる
。
光ｈｕｎは一層目のｐ形層１６と二層目のｎ形層１７の
ｐｎ接合に吸収され、第２図のフォトダイオードＰＤＩ
Ｉの光電流■１１となり、中波長光ｈｕ Ｉ＆は二層目
のｎ形層１１と三層目のｎ形層１８のｎｐ接合に吸収さ
れ、第２図のフォトダイオードＰＤ１２の光電流１１２
となり、さらに、長波長光ｈｕ ｌａは三層目のｎ形層
１８と四層目のｎ形層１９のｐｎ接合に吸収され、第２
図のフォトダイオードＰＤ １８の光電流Ｉｔｓとなる
。
そして、第２図に示すように、予めバイアス電圧Ｖ１．
Ｖ２ 、ＶＢ 、Ｖ４をかけていれば、ＭＯＳスイッチ
Ｓｌｌ、 Ｓ１２．５ｉｌｌを同時にＯＮ状態にすると
、電極ｄ、ｅ、ｆで電位差が生じ、波長に応じた色信号
を読み出すことができる。また、回路をリセットするに
は、第１図に示すＭＯＳスイッチ１４−１〜１４−３の
ゲート電極１５を制御して第２図に示すＭＯＳスイッチ
８１１．ＳＮ２，８１８をＯＦＦ状態にすればよい。
Ｖ２ 、ＶＢ 、Ｖ４をかけていれば、ＭＯＳスイッチ
Ｓｌｌ、 Ｓ１２．５ｉｌｌを同時にＯＮ状態にすると
、電極ｄ、ｅ、ｆで電位差が生じ、波長に応じた色信号
を読み出すことができる。また、回路をリセットするに
は、第１図に示すＭＯＳスイッチ１４−１〜１４−３の
ゲート電極１５を制御して第２図に示すＭＯＳスイッチ
８１１．ＳＮ２，８１８をＯＦＦ状態にすればよい。
このように、受光面に入射する短波長光ｈｕｕ、中波長
光ｈｕ １ｇおよび長波長光ｈｕｉａを検出して各光電
流ｌ１ｌ−Ｉｔｓを得るｐｎｐｎｐ構造の３種類のフォ
トダイオードＰＤＩＩ〜ＰＤＩＢで構成しだので、色判
別を著しく向上することができ、また、カラーフィルタ
のように、色合が微妙に影響することもなく、自然色に
近い色再現性を実現することもできる。
光ｈｕ １ｇおよび長波長光ｈｕｉａを検出して各光電
流ｌ１ｌ−Ｉｔｓを得るｐｎｐｎｐ構造の３種類のフォ
トダイオードＰＤＩＩ〜ＰＤＩＢで構成しだので、色判
別を著しく向上することができ、また、カラーフィルタ
のように、色合が微妙に影響することもなく、自然色に
近い色再現性を実現することもできる。
なお、上記実施例においては、−絵素の光検出素子とし
て作用する場合を例にとって説明したが、この発明はこ
れに限定されるものではなく、プレイ構造にすることに
よって、カラーイメージセンサとして使用することもで
きる。
て作用する場合を例にとって説明したが、この発明はこ
れに限定されるものではなく、プレイ構造にすることに
よって、カラーイメージセンサとして使用することもで
きる。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、複
雑な手段を用いることなく、３種のフォトダイオードで
構成した簡単な構成によって、色判別を著しく向上する
ことができ、また、カラーフィルタのように、フィルタ
の色合が微妙に影響することもなく、自然色に近い色再
現性を実現することができるので、実用上の効果は極め
て大である。
雑な手段を用いることなく、３種のフォトダイオードで
構成した簡単な構成によって、色判別を著しく向上する
ことができ、また、カラーフィルタのように、フィルタ
の色合が微妙に影響することもなく、自然色に近い色再
現性を実現することができるので、実用上の効果は極め
て大である。
第１図はこの発明による光検出素子の一実施例を示す断
面図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は従来の光
検出素子の一例を示す断面図、第４図は第３図の等価回
路図である。 １１〜１３・拳・・ドレイン電極、１４−１〜１４−３
・・・・ＭＯＳスイッチ、１５・・・・ゲート電極、１
６・−・・一層目のｐ形層、１７・拳・・二層目のｎ形
層、１８・・・・三層目のｐ形層、１９・・・・四層目
のｎ形層、２０１１＠＠・ｐ形基板。
面図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は従来の光
検出素子の一例を示す断面図、第４図は第３図の等価回
路図である。 １１〜１３・拳・・ドレイン電極、１４−１〜１４−３
・・・・ＭＯＳスイッチ、１５・・・・ゲート電極、１
６・−・・一層目のｐ形層、１７・拳・・二層目のｎ形
層、１８・・・・三層目のｐ形層、１９・・・・四層目
のｎ形層、２０１１＠＠・ｐ形基板。
Claims (2)
- （１）ｐｎｐｎｐ構造からなり入射する短波長光と中波
長光および長波長光を検出して各光電流を得る３種類の
フォトダイオードと、この３種類のフォトダイオードを
制御するスイッチとを備えてなることを特徴とする光検
出素子。 - （２）３種類のフォトダイオードを制御するスイッチは
、ＭＯＳ型構造のスイッチによつて構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60026821A JPS61187282A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 光検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60026821A JPS61187282A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 光検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61187282A true JPS61187282A (ja) | 1986-08-20 |
Family
ID=12203939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60026821A Pending JPS61187282A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 光検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61187282A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0232788A (ja) * | 1987-06-12 | 1990-02-02 | Hitachi Ltd | 誘導電動機の制御方法 |
| US5298771A (en) * | 1992-11-09 | 1994-03-29 | Xerox Corporation | Color imaging charge-coupled array with photosensitive layers in potential wells |
| US5506430A (en) * | 1992-03-03 | 1996-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pick-up device with differing capacitances |
| EP1078233A1 (en) * | 1998-04-24 | 2001-02-28 | Foveon, Inc. | Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well structure |
| WO2002027804A2 (en) * | 2000-09-25 | 2002-04-04 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
| US6841816B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-01-11 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group with non-sensor filter and method for fabricating such a sensor group |
| US6864557B2 (en) | 2001-06-18 | 2005-03-08 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
| US6894265B2 (en) | 2003-01-31 | 2005-05-17 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group and semiconductor integrated circuit fabrication method for fabricating same |
| EP1535236A1 (en) * | 2002-03-20 | 2005-06-01 | Symbol Technologies, Inc. | Image capture system and method |
| US6914314B2 (en) | 2003-01-31 | 2005-07-05 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group including semiconductor other than crystalline silicon and method for fabricating same |
| US6930336B1 (en) | 2001-06-18 | 2005-08-16 | Foveon, Inc. | Vertical-color-filter detector group with trench isolation |
| US6960757B2 (en) | 2001-06-18 | 2005-11-01 | Foveon, Inc. | Simplified wiring schemes for vertical color filter pixel sensors |
| US6998660B2 (en) | 2002-03-20 | 2006-02-14 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group array that emulates a pattern of single-layer sensors with efficient use of each sensor group's sensors |
| EP1630871A1 (en) * | 2003-11-10 | 2006-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | An imaging device and an imaging method |
| US7164444B1 (en) | 2002-05-17 | 2007-01-16 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group with highlight detector |
| US7166880B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-01-23 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group with carrier-collection elements of different size and method for fabricating such a sensor group |
| US7339216B1 (en) | 2003-01-31 | 2008-03-04 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group array with full-resolution top layer and lower-resolution lower layer |
| US7602430B1 (en) | 2007-04-18 | 2009-10-13 | Foveon, Inc. | High-gain multicolor pixel sensor with reset noise cancellation |
| WO2010049183A1 (en) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Combined sensor for portable communication devices |
| US7745773B1 (en) | 2008-04-11 | 2010-06-29 | Foveon, Inc. | Multi-color CMOS pixel sensor with shared row wiring and dual output lines |
| US8089109B2 (en) | 2006-07-21 | 2012-01-03 | Renesas Electronics Corporation | Photoelectric conversion device and imaging device |
| JP2013055245A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60026821A patent/JPS61187282A/ja active Pending
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0232788A (ja) * | 1987-06-12 | 1990-02-02 | Hitachi Ltd | 誘導電動機の制御方法 |
| US5506430A (en) * | 1992-03-03 | 1996-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pick-up device with differing capacitances |
| US5298771A (en) * | 1992-11-09 | 1994-03-29 | Xerox Corporation | Color imaging charge-coupled array with photosensitive layers in potential wells |
| EP1078233A1 (en) * | 1998-04-24 | 2001-02-28 | Foveon, Inc. | Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well structure |
| EP1078233A4 (en) * | 1998-04-24 | 2001-08-08 | Foveon Inc | COLOR SEPARATION IN AN ACTIVE PIXEL CELL MOSAIC USING A THREE-TUNNEL STRUCTURE |
| WO2002027804A3 (en) * | 2000-09-25 | 2003-02-20 | Foveon Inc | Vertical color filter detector group and array |
| WO2002027804A2 (en) * | 2000-09-25 | 2002-04-04 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
| US6632701B2 (en) | 2000-09-25 | 2003-10-14 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
| US6727521B2 (en) | 2000-09-25 | 2004-04-27 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
| US7132724B1 (en) | 2000-09-25 | 2006-11-07 | Foveon, Inc. | Complete-charge-transfer vertical color filter detector |
| US6864557B2 (en) | 2001-06-18 | 2005-03-08 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
| US6960757B2 (en) | 2001-06-18 | 2005-11-01 | Foveon, Inc. | Simplified wiring schemes for vertical color filter pixel sensors |
| US6930336B1 (en) | 2001-06-18 | 2005-08-16 | Foveon, Inc. | Vertical-color-filter detector group with trench isolation |
| EP1535236A4 (en) * | 2002-03-20 | 2005-08-10 | Symbol Technologies Inc | PHOTOGRAPHIC SYSTEM AND METHOD |
| US7166880B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-01-23 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group with carrier-collection elements of different size and method for fabricating such a sensor group |
| EP1535236A1 (en) * | 2002-03-20 | 2005-06-01 | Symbol Technologies, Inc. | Image capture system and method |
| US6841816B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-01-11 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group with non-sensor filter and method for fabricating such a sensor group |
| US6976629B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-12-20 | Symbol Technologies, Inc. | Image capture system and method |
| US6998660B2 (en) | 2002-03-20 | 2006-02-14 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group array that emulates a pattern of single-layer sensors with efficient use of each sensor group's sensors |
| US7164444B1 (en) | 2002-05-17 | 2007-01-16 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group with highlight detector |
| US6894265B2 (en) | 2003-01-31 | 2005-05-17 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group and semiconductor integrated circuit fabrication method for fabricating same |
| US6914314B2 (en) | 2003-01-31 | 2005-07-05 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group including semiconductor other than crystalline silicon and method for fabricating same |
| US7339216B1 (en) | 2003-01-31 | 2008-03-04 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group array with full-resolution top layer and lower-resolution lower layer |
| EP1630871A1 (en) * | 2003-11-10 | 2006-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | An imaging device and an imaging method |
| EP1630871A4 (en) * | 2003-11-10 | 2007-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | IMAGING DEVICE AND IMAGING METHOD |
| US7247851B2 (en) | 2003-11-10 | 2007-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Imaging device and an imaging method |
| US8089109B2 (en) | 2006-07-21 | 2012-01-03 | Renesas Electronics Corporation | Photoelectric conversion device and imaging device |
| US7602430B1 (en) | 2007-04-18 | 2009-10-13 | Foveon, Inc. | High-gain multicolor pixel sensor with reset noise cancellation |
| US7745773B1 (en) | 2008-04-11 | 2010-06-29 | Foveon, Inc. | Multi-color CMOS pixel sensor with shared row wiring and dual output lines |
| WO2010049183A1 (en) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Combined sensor for portable communication devices |
| JP2013055245A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
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