JPS623628A - 色識別装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、色識別装置に関し、特に、色識別対置物から
の光を、各々異る色のカラーフィルタを装着した複数組
の受光素子にて受け、これらの出力を比較して色識別を
行う形式の色識別装置に関する。

［従来の技術］ 従来、この種の色識別装置としては、アモルファスＳｉ
フォトダイオード（以下、ａ−Ｓｉフォトダイオードと
略称する。）を受光素子として使用したものが知られて
いる。この受光素子は、基板上に、通常、３個のａ−Ｓ
ｉフォトダイオードを配置し、各々に、赤、緑、青のい
わゆる３原色をそれぞれ透過するカラーフィルタを装着
して構成される。

この種の色識別装置は、識別すべき色を、上記赤、緑、
青の各フィルタによりこれらの色相に分解し、分解され
た光の強さを各々対応するフォトダイオードにて検出し
、その出力電流の比から色の識別を行う。そのため、赤
、緑、青の各色が、できるだけシャープに分離され、か
つ、各色に対応する出力電流のレベルが、できるだけ近
いことが望ましい。

［発明が解決しようとする問題点］ しかし、上記従来の色識別装置は、実用Ｌ、次のような
問題点がある。

即ち２センサとして使用しているａ−Ｓｉフォトダイオ
ードの１Ｏ−１１ｕｘ以下の低照度域における感度が不
安定で、出力光電流にふらつきを生じ、そのため、低照
度における色識別が困難であるという問題がある。

また、ａ−Ｓｉフォトダイオードは、第８図に示すよう
に、短波長領域、特に、　　４００ｎｍ以下の短波長領
域では感度が低いため、青の出力電流が、赤および緑に
比べて、低くなる欠点がある。しかも、一般に、青のフ
ィルタは、赤のフィルタに比べ、透過率が悪いため、フ
ォトダイオードの感度が低いと、総合的に感度がさらに
低くなる。そのため、青系統の色については、識別の精
度が悪く、なかでも、暗い色の場合には、全く識別でき
ないという欠点がある。

さらに、ａ−Ｓｉ７オトダイオードは、　７００ｎｍ近
傍以上の長波長域でも感度を有する。一方、上記前およ
び緑のフィルタは、一般に、　７００ｎｍ近傍以上の長
波長側においても、透過率が大きくなる。そのため、本
来、青または緑のみに感度を有すべきものが、近赤外に
ついても　５〜１０％程度の感度を持つこととなり、色
識別に誤差を生ずる欠点がある。

この場合、赤外遮断フィルタを装着すれば、誤差を除去
できるが、可視光領域の透過率も下がるため、青感度が
さらに下がるという問題を新たに引き起こす。

本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、低
照度域においても安定した感度を有し、また、短波長領
域に大きな感度を有して、暗い青系統の色についても精
度よく識別ができ、しかも、　７００ｎｍ近傍以上の長
波長域では感度を有せず、青および緑フィルタの赤外域
における透過率増大に対し、赤外遮断フィルタを使用す
ることなくその影響を除去できて、赤の誤差を生じない
色識別装置を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明の上記問題点解決手段について、第１図を参照し
て説明する。即ち、本発明は、色識別対象物からの光を
、各々異なる色のカラーフィルタを装着した複数組の受
光素子にて受け、これらの出力を比較して色識別を行う
色識別装置において、 （ａ）上記各受光素子出力の和を求めると共に、各受光
素子出力の全出力に対する比を求める演算手段と。

（ｂ）予め基準となる色に対するト記各受光素子の出力
比のデータを標準データとして格納する標準データ記憶
手段と、 （ｃ）上記標準データ記憶手段の標準データの中から、
色識別対象物についての上記各受光素子出力比データに
最も近いデータを選定して、色を判別する色判別手段と
を備え、 （ｄ）かつ、上記受光素子を、透明材料からなる基板上
に、透明導電層と、著しい光導電性を有すると共にセレ
ンに対しＰＮヘテロ接合を形成する半導体薄膜と、セレ
ン結晶膜と、裏面電極とを順次積層して形成されるセレ
ンフォトダイオードにて構成してなること、 を特徴とする。

［作用］ 上記構成において、セレンフォトダイオードからなる各
受光素子に装着されたカラーフィルタは、各々の分光透
過特性に従って、識別すべき色の光から、特定の色相成
分に対応する波長の光のみを透過させ、該識別すべき色
を特定色相に分解する０通常は、赤、緑および青のいわ
ゆる３原色に分解する。

各フィルタの後にある受光素子は、ある特定色相に分解
された光を光電変換する。即ち、当該色相成分の光強度
に対応する光電流または光電圧を出力する。この各色相
の光電流または光電圧の比から色を識別することができ
る。

演算手段は、上記各受光素子の出力電流または電圧の和
を求めると共に、各受光素子出力の全出力に対する比を
求める。このように各受光素子の出力比を求めることに
より、明度相違による色識別の誤差を防いでいる。

標準データ記憶手段は、予め基準となる色に対する上記
各受光素子の出力比のデータを標準データとして格納す
る。基準となる色としては、例えば、日本工業規格の標
準色票を用いる。

色判別手段は、上記標準データ記憶手段の標準データの
中から、色識別対象物についての上記各受光素子出力比
データに最も近いデータを選定して、色を判別する。こ
こで、受光素子が３個の場合には、３個の数値の組合せ
が１色を表わすので、その数字の組が全体として近い値
の数値の組合せを標準データ記憶手段に記憶されている
数値の中から探す。

次に、上記受光素子の構造上の特徴に関する作用につい
て説明する。

上記構成において、透明導電層は、半導体薄膜に対し、
集電電極として機能する。また、透明であるので、光を
半導体薄膜まで少ない損失で入射させる作用がある。

また、上記半導体薄膜は、Ｐ型のセレンと接触してＰＮ
ヘテロ接合を形成して、光起電力を生ずるよう作用する
。この場合１本発明では、半導体薄膜として、暗抵抗率
の高いものが用いられている。そのため、暗電流を小さ
く抑えることができる。この作用は、膜厚を厚くすると
、その効果が大きくなる。ただし、膜厚を厚くし過ぎる
と、順方向電流も小さくなるので、２０ｇｍ程度以下と
することが望ましい。

さらに、上記半導体薄膜は、通常の半導体より抵抗率が
高く、その基礎吸収端が可視光の短波長側（４１０ｎｍ
）にある、そのため、当該半導体薄膜が薄い場合には、
入射光の内、青感度に影響する短波長側の光をほとんど
吸収しないので、分光感度特性において短波長側の感度
を上げるよう作用している。

上記セレン結晶膜は、その禁止帯幅が１．７７ｅＶであ
ることから、長波長側の限界波長が７００ｎｍ付近にあ
る。そのため、本発明の色識別装置の受光素子は、　？
００ｎｍより長い波長の光には感度を有しない、従って
、本発明の色識別装置は、例えば、青フィルタのように
、本来の選択透過域の他に、赤外領域にも透過率を有す
るフィルタを使用しても、透過する赤外光に全く感度が
なく、赤外遮断フィルタの装着を要しない、この結果、
赤外遮断フィルタの装着に起因する、本来の透過波長領
域の感度低下を引き起こさない。

［実施例］ 本発明の実施例について図面を参照して説明する。

〈実施例の構成〉 第２図に本発明色識別装置の一実施例の構成を示す。

同図に示す色識別装置は、赤、緑、青のカラーフィルタ
ＦＲ，ＦＣ，ＦＢを装着した受光素子１０Ｒ、ＩＯＣお
よび　ＩＯＢと、これらのアナロブ出力をディジタル出
力に変換するＡＤ変換器２０Ｒ，２０Ｇおよび２０Ｂと
、演算処理、判別処理等を行うマイクロコンピュータ３
０と、該マイクロコンピュータ３０に対し命令、データ
等を入力するキーボード４０と、デ−タを記憶保持する
外部記憶装置５０と、マイクロコンピュータ３０におけ
る処理結果を表示するディスプレイ装置６０と、処理結
果を出力するプリンタ７０とを備えて構成される。

マイクロコンピュータ３０は、演算処理、判別処理、入
出力制御等を行う中央処理装置（以下ＣＰＵと略記する
。）３１と、該ＣＰＵ３１の動作プログラム等を格納す
るリード・オンリー・メモリ（以下ＲＯＭと略記する。

）３２と、ランダムφアクセス・メモリ（以下ＲＡＭと
略記する。）３３と、入出力インタフェース３４および
３５とを有して構成される。このマイクロコンピュータ
３０により１本発明の演算手段、色判別手段および標準
データ記憶手段が構成される。

また、外部記憶装置５０は、例えば、フロッピーディス
ク・ドライブ装置からなり、動作プログラム、標準デー
タ等をフロッピーディスクに対し読出し、書込みする。

この外部記憶装置５０により、標準データ記憶手段を構
成することもできる。

受光素子１０Ｒ，１０Ｇおよび　ＩＯＢは、セレンフォ
トダイオードからなり、それぞれ個別の素子とし又構成
してもよいが、本実施例では、一体的に形成したものを
使用している。

第３図に本実施例を構成する受光素子の一例の構造を示
す。

同図に示す受光素子は、３個のセレンフォトダイオード
ＤＲ，ＤＣおよびＤＢと、対応するカラーフィルタＦＲ
，ＦＣおよびＦＢとから構成される。

各セレンフォトダイオードＤＲ，ＤＣおよびＤＢは、同
一のガラス基板１の上に各々形成されるが、本実施例で
は、裏面電極を除き、主要部を共通にする構造としであ
る。

各セレンフォトダイオードＤＲ，ＤＣおよびＤＢは、ガ
ラス基板１の上に、透明導電層２と、セレンに対しＰＮ
ヘテロ接合を形成する半導体薄膜３と、セレン結晶膜５
と、ＩＸ面電極６Ｒ，６Ｇおよび６Ｂとを順次積層して
設け、透明導電層２と裏面電極８Ｒ，６Ｇおよび６Ｂと
に各々外部導線７゜８を接続し、かつ、背面側をモール
ド９で封止して構成される。

ここで、透明材料からなる基板１上に、セレンフォトダ
イオードを３個設けているが、３原色に１個ずつ対応し
て設けたことによる。ただ、１色に複数個のフォトダイ
オードを配置することもあり得るので、３個以上となる
こともある。一方、識別すべき色が特定されている場合
であって、３原色に分解する必要がない時は、３個未満
でもよい。

上記透明導電層２は、半導体薄膜に対し高い導電性を有
し、かつ、透光性の有る材料を用いる。

この種の物質としては、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ
　ｔｉｎｏｘ　１ｄｅ）が知られている。このＩＴＯは
、通常、ガラス基板上に形成され、ＩＴＯガラスとして
知られている。この他の例としては、酸化スズや、Ｔｉ
等の金属薄膜などが挙げられる０本実施例では、シート
抵抗ｌＯΩ、光透過率８３％のＩＴＯガラス基板を使用
した。

半導体薄膜３は、Ｎ型の伝導型を有する半導体を用いる
。半導体の例としては、Ｎ型の半導体であるＴｉＯ２を
代表とするチタン酸化物がある。このチタン酸化物は、
例えば、高周波スパッタリング等の手段で被着形成され
る。

本実施例では、半導体薄膜３は、Ｔ　ｉ０２を被着して
形成しである。　ＴｉＯ２は、禁止帯幅が３．ＯｅＶの
Ｎ型の半導体であり、暗抵抗率が１０８ΩＣＩ１．疑似
太陽光１００ｍＷ／ｃ＋ｓ２下における抵抗率が１０４
Ωｃｍテ、著しい光導電性を有する。光透過率が大きく
、本実施例の膜では、９０％以上であった。その膜厚は
、適宜設定し得るが、本実施例では、約５Ｑｎｓ程度で
ある。

セレン結晶膜５は、セレンを　１〜２０μ、ｍ真空蒸着
したものを熱処理して結晶化させて形成する。

本実施例では、１０ＪＬｌの膜厚で被着しである。蒸着
原料のセレンは、９９．９９９％の高純度のものを使用
した。

裏面電極６Ｒ，６Ｇおよび６Ｂは、セレンとオーミック
接触して電極を構成するもので、本実施例では、Ａｕを
真空蒸着して形成しである。

外部導線７，８は、適当な導線からなり、導電塗料等で
接続しである。そして、モールド９は。

エポキシ樹脂等を使用し、上記各層２〜６Ｒ１６Ｇおよ
び６Ｂと、外部導線７，８とを保護すべく、基板１の裏
面側に塗着される。

カラーフィルタＦＲ，ＦＣおよびＦＢは、分解すべき色
相に対応する波長の光ついて選択的に大きな透過率を有
するもので、本実施例では、赤、緑および青を各々選択
的に透過するゼラチンフィルタを使用している。これら
のカラーフィルタＦＲ，ＦＣおよびＦＢは、上記透明基
板１の透明導電層２の形成されていない側の面の、上記
裏面電極６Ｒ，６Ｇおよび６Ｂと対応する位置に貼付す
る。

〈実施例の作用〉 上述したように構成される色識別装置の作用について、
第４図のフローチャートを中心として説明する。

色識別を行うに当って、先ず、標準データを入力してお
く必要がある。この入力は、日本工業規格に準拠した標
準色票の各色票を、所定光源、例えば、Ａ光源にて垂直
に照射し、その４５度方向の反射光を受光素子！ＯＲ、
ＩＯＣおよびＩＯＢにて、各々カラーフィルタＦＲ，Ｆ
ＧおよびＦＢを通して受光し、それらの出力比を求める
ことにより行う。

即ち、標準色票からの反射光は、本実施例の場合、各々
カラーフィルタＦＲ，ＦＣおよびＦＢにて、赤（以下Ｒ
と略記する。）、緑（以下Ｇと略記する。）、青（以下
Ｂと略記する。）の各色相成分に分解され、対応する受
光素子１０Ｒ、ＩＯＣおよび１０Ｂにて電気信号に変換
される。受光素子１０Ｒ１ｉｏｃおよびＩＯＢの出力は
、ＡＤ変換器２ＯＲ、２０Ｇおよび２０Ｂにてディジタ
ル信号に変換され、インタフェース３４を経てマイクロ
コンピュータ３０内に取込まれる。

ここで、ＲＧＢの各出力をＩＲ，ＩＧ、ＩＢとすると、
これらの和１ｏ　（第１式）と、この和Ｉｏに対する各
出力の比Ｒ”、　Ｇ”およびＢ”　（第２〜４式）とが
、ＣＰＵ３１により求められる。

１０＝　ＩＲ＋　ＩＧ＋　ＩＢ　　・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・（１）Ｒ”　＝　ＩＲ／　ｒ
ｏ　　　　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・（２）Ｇ”　＝　ＩＧ／　１．　　　　・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・（３）Ｂ”　＝　Ｉｅ
／　１．　　　　・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・（４）上記第２〜４式は、各色票毎に求められ
る。第５図は、この結果をグラフに表わしたものである
。このグラフから明らかなように、色票の色が、出力比
Ｒ中、Ｇ”およびＢ＊の組み合わせにより特定でき、こ
れにより色を識別し得る。

上記各色票毎に求められた出力比Ｒ“、Ｇ＊およびＢ◆
は、ディスプレイ装置６０に表示される。また、この結
果は、各色票毎に当該色彩名と共に順次ＲＡＭ５０内に
格納される。必要な全ての色票についての結果を格納し
終ると、ＲＡＭ５０には、各色票毎に出力比Ｒ・、Ｇ・
およびＢ◆の数値と、当該色彩名とが標準データとして
テーブル状に記憶される。

なお、この標準データを固定的なデータとして使用する
場合には、外部記憶装置５０にて、フロッピーディスク
等に記憶させておけばよい。

また、標準データは、標準色票を照射する光源の種類、
色温度等により異なる。そのため、識別に使用する光源
毎にデータを計測しておく必要がある。予め複数種の光
源について標準データを求めておけば１色識別を行う際
に、使用光源に合わせて、標準データを適宜選定でき便
利である。

次に、上記識別データを用いて、色の識別をおこなう場
合について説明する。

先ず、標準データと同じ光源により、色を識別すべき対
象物を垂直に照射する。この反射光を、４５度方向から
牛井宇＃受光素子１０Ｒ、１０Ｇおよび１０Ｂにて各々
カラーフィルタＦＲ，ＦＣおよびＦＢを通して受光し、
電気信号に変換する。この電気信号は、ＡＤ変換器２０
Ｒ、２０Ｇおよび２０Ｂにてディジタル信号に変換され
る。

ＣＰＵ３１は、適当なゲート信号を出力して、同一の色
について、受光素子１０Ｒ、ＩＯＣおよびＩＯＢに複数
回サンプリングを行わせる。このサンプリング結果は、
ＲＡＭ３３の所定領域に格納される（ステップ１）。

ＣＰＵ３１は、格納されたサンプリング結果について、
各受光素子毎の平均値ＩＲ１ＩＧ、　ＩＢを求め、これ
らの１ｍ、ＩＧ、ｒｅから、上記第１式に従って出力和
１ｏを求める（ステップ２）。

さらに、ＣＰＵ３１は、この出力和ＩＯに対する上記Ｉ
Ｒ１ＩＧ、工６の比２番、Ｇ中および日傘を第２〜４式
に従って求め、その結果をＲＡＭ３３の所定領域に格納
する（ステップ３）。

この後、ＲＡＭ３３に格納されている上記標準データを
順次読出して、上記サンプリング結果のＲ゛、Ｇｏおよ
びＢｏと比較しくステップ４）、両者が一致するまで、
標準データを順次読出して比較を続ける（ステップ５）
、ここで、サンプリングデータと標準データとの一致の
許容範囲は、その用途によって適宜設定でき、厳密な一
致であっても、また、一定の許容範囲内での一致であっ
てもよい。

不一致の場合は、テーブルアドレスを＋１しくステップ
９）、テーブルアドレスが最終アドレスでなければ、上
記ステップ４に戻り、最終アドレスであれば、「該昌の
色なし」のメツセージをＲＡＭ３３のテーブルから読出
して出力手段に送る（ステップ１０．１１）。

一方、比較を何回か繰り返して、両データが一致した時
は、当該標準データの数値の組に対応する色彩名をＲＡ
Ｍ３３のテーブルから読出して出力手段に送る（ステッ
プ１２）。

出力手段、即ち、本実施例では、ディスプレイ装置６０
およびプリンタ７０にて上記メツセージを単独でまたは
計測データと共に表示する。

なお、この場合、カラーディスプレイ装置を使用して、
該当する色ないし近似する色を、当該色彩名と共に画面
上に表示する構成とすることもできる。

ところで、本実施例の色識別装置は、従来の装置では困
難ないし不可能であった暗い青系統の色についても識別
が可能である。以下、この点について、第６図および第
７図を参照して説明する。

なお、各フォトダイオードの有効受光面積は、４ｍ層２
である。

第６図に本実施例の色識別装置の受光素子を構成する各
セレンフォトダイオードの短絡光電流対照度特性を示す
、なお、同図中、Ｒは赤フィルタ、Ｇは緑フィルタおよ
びＢは青フィルタを装着したセレンフォトダイオードを
示す。

同図のグラフにおいて明らかなように、本実施例色識別
装置の受光素子を構成する各セレンフォトダイオードは
、短絡光電流対照度特性が低照度から高照度まで直線的
に変化している。そして、最も感度の低い青フィルタを
装着したセレンフォトダイオードであっても、１１０−
２１ｕの低照度域まで測定が可能である。従って、暗い
青系統の色でも検出が可能である。

第７図に本実施例色識別装置で使用するセレンフォトダ
イオードの分光感度特性を示す、同図に示すように、本
実施例で使用するセレンフォトダイオードの分光感度特
性は、第８図に示す従来のａ−Ｓｉフォトダイオードと
異なり、３００ｎｍ近傍の短波長側にまで大きな感度を
有している。また、本実施例で使用するセレンフォトダ
イオードは、７００ｎｍ以上の長波長側には感度を有し
ない、従って、青フィルタおよび緑フィルタの７００ｎ
ｍ近傍以上の透過率増大に対し、絶対感度が低いため、
はとんど影響を受けないので、赤外遮断フィルタを必要
としない。

このように、本発明色識別装置の性能を支える特性上の
要因は、その受光素子であるセレンフォトダイオードの
分光感度特性が優れていること。

および、短絡光電流対照度特性が低照度から高照度まで
直線的であることが挙げられる。

〈実施例の変形〉 上記実施例において受光素子を構成するセレンフォトダ
イオードの形成に使用した材料は、セレンを除き、−例
を示したに過ぎない、他の材料を使用し得ることはいう
までもない。例えば、上記実施例では、半導体薄膜３と
してＴｉＯ２膜を使用しているが、これに限らず、他の
チタン酸化物、或は、その他の金属酸化物等の半導体を
使用できる。また、上記実施例では、裏面電極としてＡ
ｕを使用しているが、他の金属であってもよい。

さらに、上記実施例では、演算手段と、標準データ記憶
手段と、色判別手段とをマイクロコンピュータにて構成
しているが、マイクロコンピュータの構成は、上記のも
のに限らない。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明は、低照度域においても安定
した感度を有し、また、短波長領域に大きな感度を有し
て、暗い青系統の色についても精度よく識別ができ、し
かも、　？ＯＯｎｍ近傍以上の長波長域では感度を有せ
ず、青および緑フィルタの赤外域における透過率増大に
対し、赤外遮断フィルタを使用することなくその影響を
除去できて、赤の誤差を生じない効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明色識別装置の構成を示すブロック図、第
２図は本発明の色識別装置の一実施例の構成を示す断面
図、第３図は上記実施例にて使用される受光素子の構造
を示す断面図、第４図は上記実施例の作用を説明するた
めのフローチャート、第５図は上記実施例による標準デ
ータを示すためのグラフ、第６図は本実施例の色識別装
置の受光素子を構成するセレンフォトダイオードの短絡
光電流対照度特性を示すグラフ、第７図は同じくセレン
フォトダイオードの分光感度特性を示すグラフ、第８図
は従来の色識別装置に用いられるアモルファスＳｉフォ
トダイオードの分光感度特性を示すグラフである。 １・・・ガラス基板　　　２・・・透明導電層３・・・
半導体薄膜 ４・・・金属ないし半導体の薄膜 ５・・・セレン結晶膜 ６Ｒ，６Ｇ、６Ｂ・・・裏面電極 ７．８・・・外部導線　　９・・・モールド１０Ｒ、１
００、１０８・・・受光素子２ＯＲ、２０Ｇ　、　２０
Ｂ　・Ａ　Ｄ変換器３０・・・マイクロコビュータ ３１・・・中央処理装置（ＣＰＵ） ３２・・・リード参オンリー・メモリ（ＲＯＭ）３３・
・・ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）４０・・・
キーボード　　　５０・・・外部記憶装置６０・・・デ
ィスプレイ装置 ７０・・・プリンタ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）色識別対象物からの光を、各々異なる色のカラー
   フィルタを装着した複数組の受光素子にて受け、これら
   の出力を比較して色識別を行う色識別装置において、 上記各受光素子出力の和を求めると共に、各受光素子出
   力の全出力に対する比を求める演算手段と、 予め基準となる色に対する上記各受光素子の出力比のデ
   ータを標準データとして格納する標準データ記憶手段と
   、 上記標準データ記憶手段の標準データの中から、色識別
   対象物についての上記各受光素子出力比データに最も近
   いデータを選定して、色を判別する色判別手段とを備え
   、 かつ、上記受光素子を、透明材料からなる基板上に、透
   明導電層と、著しい光導電性を有すると共にセレンに対
   しＰＮヘテロ接合を形成する半導体薄膜と、セレン結晶
   膜と、裏面電極とを順次積層して形成されるセレンフォ
   トダイオードにて構成してなることを特徴とする色識別
   装置。
2. （２）上記受光素子を、同一透明基板上に複数個のセレ
   ンフォトダイオードを形成して構成すると共に、各セレ
   ンフォトダイオードの光入射位置に、分解すべき色相成
   分に対応するカラーフィルタを装着してなる特許請求の
   範囲第１項記載の色識別装置。
3. （３）上記半導体薄膜として、チタン酸化物を用いるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
   の色識別装置。
4. （４）上記半導体薄膜として、Ｎ型半導体であるＴｉＯ
   ＿２を用いた特許請求の範囲第１項または第２項記載の
   色識別装置。