JP2008205139A - 窒化物系半導体レーザ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子100は、n型GaN基板1上に形成されるとともに、活性層3を含む複数の窒化物系半導体各層(2〜7)と、共振器面30と直交する方向([1−100]方向)に延びる凸状のリッジ部8と、窒化物系半導体各層(2〜7)とは異なる材料であるAu層から構成され、リッジ部8の一方の側方および他方の側方にそれぞれ形成されるリッジ保護層12とを備えている。このリッジ保護層12は、上面がリッジ部8よりも上方に配置されているとともに、リッジ部8に沿って([1−100]方向に)延びるように形成されている。また、リッジ保護層12は、側端面12aが共振器面30と同一面となるように形成されている。
【選択図】図1
Description
2 n型クラッド層(窒化物系半導体層)
3 活性層(発光層)
4 光ガイド層(窒化物系半導体層)
5 キャップ層(窒化物系半導体層)
6 p型クラッド層(窒化物系半導体層)
7 コンタクト層(窒化物系半導体層)
8 リッジ部
9 p側オーミック電極
10 電流ブロック層
11 p側パッド電極(電極層)
12、22 リッジ保護層
12a 側端面
14 n側電極
30 共振器面
30a 発光領域
100 窒化物系半導体レーザ素子
Claims (6)
- 基板上に形成され、発光層を含む複数の窒化物系半導体層と、
前記複数の窒化物系半導体層の少なくとも1つに形成され、所定の方向に延びる凸状のリッジ部と、
前記窒化物系半導体層とは異なる材料から構成され、前記リッジ部の側方に形成されるリッジ保護層とを備え、
前記リッジ保護層の上面は、前記リッジ部よりも上方に配置されていることを特徴とする、窒化物系半導体レーザ素子。 - 前記リッジ部と直交する共振器面をさらに備え、
前記リッジ保護層は、前記リッジ部の延びる方向の側端面が、前記共振器面と同一面となるように形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系半導体レーザ素子。 - 前記リッジ保護層は、前記リッジ部の一方の側方、および、前記リッジ部の他方の側方のそれぞれに形成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
- 前記リッジ部上に形成される電極層をさらに備え、
前記リッジ保護層は、前記電極層を構成する材料と同じ材料から構成されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化物系半導体レーザ素子。 - 前記リッジ保護層は、前記電極層とは別体で形成されていることを特徴とする、請求項4に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
- 前記リッジ保護層は、前記リッジ部に沿った方向に延びるように形成されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010267795A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2012124273A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2012124274A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2012174858A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の保護膜作製方法 |
JP2015041730A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 半導体レーザ素子、及び半導体レーザ装置 |
JP2018532274A (ja) * | 2015-11-06 | 2018-11-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法およびウェハ |
JP2021526732A (ja) * | 2018-06-13 | 2021-10-07 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332676A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光装置 |
JP2006066660A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2006128558A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Sony Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの実装方法、半導体レーザ実装構造体および光ディスク装置 |
-
2007
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332676A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光装置 |
JP2006066660A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2006128558A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Sony Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの実装方法、半導体レーザ実装構造体および光ディスク装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010267795A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2012124273A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2012124274A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2012174858A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の保護膜作製方法 |
JP2015041730A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 半導体レーザ素子、及び半導体レーザ装置 |
JP2018532274A (ja) * | 2015-11-06 | 2018-11-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法およびウェハ |
US20180323573A1 (en) * | 2015-11-06 | 2018-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor laser and method of producing a semiconductor laser and wafer |
JP2021526732A (ja) * | 2018-06-13 | 2021-10-07 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
JP7320540B2 (ja) | 2018-06-13 | 2023-08-03 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
US11804696B2 (en) | 2018-06-13 | 2023-10-31 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor laser and manufacturing method for a semiconductor laser |
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