JP2012124273A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ素子は、基板1およびIII族窒化物半導体積層構造2を含む半導体積層構造を有している。III族窒化物半導体積層構造2は、半極性面を結晶成長面とするIII族窒化物半導体からなり、Inを含む発光層10と、発光層10の一方側に配置されたp型ガイド層17と、発光層10の他方側に配置されたn型ガイド層15と、p型ガイド層17の発光層10とは反対側に配置されたp型クラッド層18と、n型ガイド層15の発光層10とは反対側に配置されたn型クラッド層14とを有する。III族窒化物半導体2は、前記結晶成長面へのc軸の射影ベクトルと平行に形成された直線状のリッジ2と、前記射影ベクトルと垂直な劈開面からなる一対のレーザ共振面21,22とを含む。
【選択図】図1
Description
青色や緑色といった短波長のレーザ光源は、DVDに代表される光ディスクへの高密度記録、画像処理、医療機器、計測機器などの分野で活用されるようになってきている。このような短波長レーザ光源は、たとえば、GaN半導体を用いたレーザダイオードで構成されている。
請求項2に記載されているように、半極性面の具体例は、{20−21}面であり、この場合に、レーザ共振面を{−1014}面にとることが好ましい。{20−21}面に直交する結晶面は、{−1014}面および{11−20}面である。{−1014}面は、{20−21}面へのc軸の射影ベクトルと垂直な結晶面であり、{11−20}面は、{20−21}面へのa軸の射影ベクトルと垂直な結晶面である。これらのうち、{−1014}面をレーザ共振面とすることによって、平坦性の良い劈開面でレーザ共振面を形成できる。
請求項3記載の発明は、前記半導体積層構造が、前記導波路に沿って前記一対のレーザ共振面の間で延びるリッジを含み、前記半導体レーザ素子が、前記半導体積層構造の前記リッジが配置されている側の表面に形成された表面電極と、前記半導体積層構造の前記表面において前記リッジの長手方向と直交する幅方向へ離れた位置に配置され、前記リッジと等しいかそれ以上の高さを有し、前記幅方向の長さが前記リッジの幅よりも大きく、かつ前記表面電極から間隔を開けて形成された受け部とをさらに含む、請求項1または2に記載の半導体レーザ素子である。
図1は、この発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子の構成を説明するための斜視図であり、図2は、図1のII−II線に沿う縦断面図であり、図3は、図1のIII−III線に沿う横断面図である。
この半導体レーザ素子70は、基板1と、基板1上に結晶成長によって形成されたIII族窒化物半導体積層構造2と、基板1の裏面(III族窒化物半導体積層構造2と反対側の表面)に接触するように形成された裏面電極としてのn側電極3と、III族窒化物半導体積層構造2の表面に接触するように形成された表面電極としてのp側電極4とを備えたファブリペロー型のものである。p側電極4は、p側オーミック電極4Aと、p側パッド電極4Bとを含む。この実施形態では、基板1およびIII族窒化物半導体積層構造2によって、半導体レーザダイオード構造を構成する半導体積層構造が形成されている。
GaNのa軸格子定数は、3.189Åであり、c軸格子定数は、5.185Åである。一方、無歪み(strain-free)の状態でのAlNのa軸格子定数は3.112Åであり、c軸格子定数は、4.982Åである。したがって、AlGaNのa軸格子定数およびc軸格子定数は、Al組成が大きいほど小さい。また、Al組成の増加に対する増加率は、c軸格子定数の方がa軸格子定数よりも大きい。よって、GaN基板上にAlGaN結晶をコヒーレントに成長させると、AlGaN結晶にはc軸方向およびa軸方向に引っ張り歪み(内部応力)が生じ、その大きさは、c軸方向の方が大きい。
発光層10は、たとえばInGaNを含むMQW(多重量子井戸:multiple-quantum well)構造を有しており、電子と正孔とが再結合することにより光が発生し、その発生した光を増幅させるための層である。
さらに、c面に対して傾斜している(平行でもなく直角でもない)結晶面は、分極方向に対して斜めに交差しているため、若干の極性のある平面、すなわち、半極性面(Semipolar Plane)である。半極性面の具体例は、{20−21}面、{11-22}面、{01−12}面、{10-1-1}面、{10-1-3}面、{11-24}面、{10-12}面などである。これらのうち、{20−21}面および{11-22}面を図4に示す。
{20−21}面を主面としたGaN単結晶基板上に結晶成長させられるIII族窒化物半導体は、{20−21}面を結晶成長面として成長する。c面を主面として結晶成長した場合には、c軸方向の分極の影響で、発光層10での発光効率が悪くなるおそれがある。これに対して、半極性面である{20−21}面を結晶成長主面とすれば、量子井戸層での分極が抑制され、発光効率が増加する。これにより、閾値の低下やスロープ効率の増加を実現できる。また、分極が少ないため、発光波長の電流依存性が抑制され、安定した発振波長を実現できる。さらに、m面を成長主面とする場合よりも、発光層10のIn組成を大きくできるので、長波長化が可能になる。
図6は、{20−21}面を結晶成長面として成長させたIII族窒化物半導体(試料)のPL(フォトルミネッセンス)偏光特性の測定結果を示す。具体的には、励起光源から試料にレーザ光を照射してフォトルミネッセンスを生じさせ、発生した光を、偏光板を通してCCD分光器で検出した。図6の横軸は、{20−21}面に平行な面内で変化させた偏光板の角度(polarizer angle)を示す。偏光板角度が0度または180度のとき、偏光板は、<−1014>方向の偏光成分(電界Eが<−1014>方向に平行な偏光成分)を通過させる。偏光板角度が90度のとき、偏光板は、<11−20>方向の偏光成分(電界Eが<11−20>方向に平行な偏光成分)を通過させる。縦軸は、フォトルミネッセンス強度(PL intensity(任意単位))を示す。
次に、この半導体レーザ素子70の製造方法について説明する。
より具体的には、ウエハ5(GaN単結晶基板の状態)の上に、n型半導体層11、発光層10およびp型半導体層12がエピタキシャル成長させられることによって、III族窒化物半導体積層構造2が形成される。
この後、p側オーミック電極4A、p側パッド電極4B、およびn側電極3が形成される。p側オーミック電極4Aおよびp側パッド電極4Bは、パターニングにより、受け部30およびその周辺の領域を除いて形成される。これにより、p側オーミック電極4Aおよびp側パッド電極4Bは、受け部30を全く覆わず、p側電極4の周縁は、受け部30から間隔を開けて位置することになる。p側電極4の形成は、たとえば、抵抗加熱または電子線ビームによる金属蒸着装置によって行うことができる。
各個別素子80は、ウエハ5上に仮想される碁盤目状の切断ライン7(仮想的な線)によって区画される各矩形領域に形成されている。切断ライン7は、共振器幅方向(a軸射影方向である<11−20>方向)に沿う端面切断ライン7aと、共振器長方向(c軸射影方向である<−1014>方向)に沿う側面切断ライン7bと、を有することになる。
次に、ウエハ5を個別素子80に分割する方法について、具体的に説明する。
図8A、図8Bおよび図8Cは、ウエハ5を個別素子80に分割する手順の概略を説明するための図解的な斜視図である。ウエハ5は、まず、共振器長方向(c軸射影方向)に直交する(すなわち、{−1014}面に平行な)端面切断ライン7aに沿って劈開される。これを以下「一次劈開」ということにする。この一次劈開により、図8Bに示すバー状体90が複数本得られる。各バー状体90の両側面91は、レーザ共振面21,22となる結晶面である。このバー状体90の側面91に、前述の絶縁膜23,24(反射率調整用の端面コート膜。図2参照)が形成される。
図9は、ウエハ5の表面におけるp側電極4および受け部30の配置を説明するための部分拡大平面図である。ウエハ5上には、複数本のリッジ20がストライプ状に形成されている。すなわち、複数本のリッジ20は、一定の間隔を開けて互いに平行に形成されている。各リッジ20は、一方向に整列した複数個の個別素子80を通るように形成されている。各リッジ20に直交する方向に沿って、端面切断ライン7aが設定されている。端面切断ライン7aは、リッジ20に平行な方向(共振器長方向)に沿って、共振器長に等しい間隔で設定されている。
裏面スクライブ工程は、図11Aに示すように、ウエハ5の裏面から端面切断ライン7aに沿ってスクライブ加工を施す工程である。ウエハ5の表面はリッジ20が形成されている主面であり、その反対の主面がウエハ5の裏面である。スクライブ加工は、レーザ加工機(レーザスクライバ)によって行ってもよいし、ダイヤモンドスクライバによって行ってもよい。スクライブ加工によって、ウエハ5の裏面側には、端面切断ライン7aに沿って、連続した端面加工痕8が形成されることになる。この端面加工痕8は、各個別素子80(半導体レーザ素子70)において、レーザ共振面21,22の幅方向全域に渡って連続することになる。端面加工痕8は、溝形状(分割ガイド溝)であってもよい。スクライブ加工の深さは、端面切断ライン7aにおけるウエハ5の厚さ(より正確には基板1およびIII族窒化物半導体積層構造2を含む半導体積層構造の厚さ)の10%以上であることが好ましい。したがって、端面加工痕8は、ウエハ5(基板1およびIII族窒化物半導体積層構造2)の裏面から、その厚さの10%以上の深さの範囲に至る下縁領域に形成されることになる。
裏面スクライブ工程は、図12Aに示すように、ウエハ5の裏面から側面切断ライン7bに沿ってスクライブ加工を施す工程である。このスクライブ加工は、一次劈開のブレーキング工程の前に行うことが好ましいが、一次劈開のスクライブ加工(端面切断ライン7aに沿ったスクライブ加工)の前であっても後であってもよい。スクライブ加工は、レーザ加工機(レーザスクライバ)によって行ってもよいし、ダイヤモンドスクライバによって行ってもよいが、一次劈開のスクライブ加工と同じ加工方法が好ましい。スクライブ加工によって、ウエハ5の裏面側には、側面切断ライン7bに沿って、側面加工痕28が形成されることになる。側面加工痕28は、溝形状(分割ガイド溝)であってもよい。スクライブ加工の深さは、側面切断ライン7bにおけるウエハ5の厚さ(より正確にはリッジ20および受け部30以外の部分における基板1およびIII族窒化物半導体積層構造2の合計の厚さ)の80%以上であることが好ましい。したがって、側面加工痕28は、ウエハ5(基板1およびIII族窒化物半導体積層構造2を含む半導体積層構造)の裏面から、その厚さの80%以上の深さの範囲に至る下縁領域に形成されることになる。
表面スクライブ工程は、図13Aに示すように、ウエハ5の表面から側面切断ライン7bに沿ってスクライブ加工を施す工程である。このスクライブ加工は、一次劈開のブレーキング工程の前に行うことが好ましいが、一次劈開のスクライブ加工(端面切断ライン7aに沿ったスクライブ加工)の前であっても後であってもよい。スクライブ加工は、レーザ加工機(レーザスクライバ)によって行ってもよいし、ダイヤモンドスクライバによって行ってもよい。スクライブ加工によって、ウエハ5の表面側には、側面切断ライン7bに沿って、側面加工痕38が形成されることになる。側面加工痕38は、溝形状(分割ガイド溝)であってもよい。スクライブ加工の深さは、側面切断ライン7bにおけるウエハ5の厚さ(より正確にはリッジ20および受け部30以外の部分における基板1およびIII族窒化物半導体積層構造2の合計の厚さ)の80%以上であることが好ましい。したがって、側面加工痕38は、ウエハ5(基板1およびIII族窒化物半導体積層構造2を含む半導体積層構造)の表面から、その厚さの80%以上の深さの範囲に至る上縁領域に形成されることになる。
2 III族窒化物半導体積層構造
3 n側電極
3a 端面後退部
3b 側面後退部
3c 端面後退部
4 p側電極
4A p側オーミック電極
4B p側パッド電極
5 ウエハ
6 絶縁層
7 切断ライン
7a 端面切断ライン
7b 側面切断ライン
8 端面加工痕
9 ブレード
10 発光層
11 n型半導体層
12 p型半導体層
13 n型GaNコンタクト層
14 n型AlInGaNクラッド層
15 n型InGaNガイド層
16 p型AlGaN電子ブロック層
17 p型InGaNガイド層
18 p型AlInGaNクラッド層
19 p型GaNコンタクト層
20 リッジ
21 レーザ共振面
22 レーザ共振面
23 絶縁膜
24 絶縁膜
25 側面
28 側面加工痕
29 ブレード
30 受け部
31 土台部
32 薄膜部
33 絶縁膜
34 絶縁膜
37 ノッチ
38 側面加工痕
39 ブレード
70 半導体レーザ素子
80 個別素子(半導体レーザ素子領域)
90 バー状体
91 バー状体の側面
Claims (4)
- 半極性面を結晶成長面とするIII族窒化物半導体からなり、Inを含む発光層と、この発光層の一方側に配置されたp型ガイド層と、前記発光層の他方側に配置されたn型ガイド層と、前記p型ガイド層の前記発光層とは反対側に配置されたp型クラッド層と、前記n型ガイド層の前記発光層とは反対側に配置されたn型クラッド層とを有する半導体積層構造を含み、
前記半導体積層構造が、前記結晶成長面へのc軸の射影ベクトルと平行に形成された直線状の導波路と、前記射影ベクトルと垂直な劈開面からなる一対のレーザ共振面とを含む、
半導体レーザ素子。 - 前記半極性面が{20−21}面であり、前記レーザ共振面が{−1014}面である、請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記半導体積層構造が、前記導波路に沿って前記一対のレーザ共振面の間で延びるリッジを含み、
前記半導体レーザ素子が、
前記半導体積層構造の前記リッジが配置されている側の表面に形成された表面電極と、
前記半導体積層構造の前記表面において前記リッジの長手方向と直交する幅方向へ離れた位置に配置され、前記リッジと等しいかそれ以上の高さを有し、前記幅方向の長さが前記リッジの幅よりも大きく、かつ前記表面電極から間隔を開けて形成された受け部とをさらに含む、
請求項1または2に記載の半導体レーザ素子。 - 前記半導体積層構造の前記表面とは反対側の裏面に形成され、前記一対のレーザ共振面から内方に後退した端面後退部を周縁に有する裏面電極をさらに含む、請求項3に記載の半導体レーザ素子。
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