JP5722082B2 - 窒化物半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、窒化物半導体レーザ装置の製造方法に関し、特に、凸状のリッジ部が形成されるｐ型クラッド層を窒化物半導体で構成する窒化物レーザダイオードの製造に適用して有効な技術に関する。

青色領域〜青紫色領域の波長帯で動作する窒化物レーザダイオードは、ＧａＡｓ系レーザダイオードに比べて波長が短いことから、直接描画装置の露光用光源などに使用されている。

従来、窒化物レーザダイオードでは、基板材料としてＧａＮ（窒化ガリウム）などが用いられ、素子構造としてリッジ導波路型が多用されている（例えば特許文献１）。リッジ導波路型の場合は、例えば有機金属気相成長法を用いてｎ型ＧａＮ基板上にｎ型クラッド層、多重量子井戸構造を有する活性層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層などの半導体層を成長させた後、ｐ型コンタクト層の上部に堆積した酸化シリコン膜をストライプ状に加工し、これをマスクとしてｐ型クラッド層をドライエッチングすることにより、凸状のリッジ部を形成する。ここで、リッジ部が形成されるｐ型クラッド層には、例えばＭｇ（マグネシウム）ドープＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）のような窒化物半導体材料が用いられる。

特開２００９−０２１４２４号公報

上記した窒化物レーザダイオードは、デバイス性能の向上および信頼性向上の観点から、動作電圧の低減、しきい値電流の低減といった特性の改善が求められているが、窒化物レーザダイオードの動作電圧の低減を妨げている原因の一つに、リッジ部とそれに接続されるｐ側電極の間のコンタクト抵抗が挙げられる。

従来、リッジ部とｐ側電極とを接続するには、まず、リッジ部が形成された基板上にパッシベーション膜を堆積し、次に、フォトリソグラフィ技術を用いてリッジ部の上面のパッシベーション膜を選択的に除去してリッジ部の上面を露出させた後、リッジ部の上部にｐ側電極を形成していた。この場合、ｐ側電極は、リッジ部の上面でのみリッジ部と接触するので、両者の接触面積が小さく、これがコンタクト抵抗の増加を招く原因となっていた。

その対策として、リッジ部の上面だけでなく、その側面をｐ側電極と接触させることによって、両者の接触面積を増やすことが考えられる。

リッジ部の上面と側面をｐ側電極と接触させるには、例えば従来方法を用いてリッジ部の上面のパッシベーション膜を除去した後、リッジ部の両側のｐ型クラッド層の上部に、リッジ部の高さよりも薄い膜厚を有するフォトレジスト膜を形成する。このような膜厚を有するフォトレジスト膜を形成するには、まず、基板上にリッジ部の高さよりも厚い膜厚を有するフォトレジスト膜を塗布し、次に、露光光量を少なめにした状態でこのフォトレジスト膜を感光させた後、現像を行う。このようにすると、フォトレジスト膜は、その表面部分（感光された部分）のみが除去されて膜厚が薄くなるので、ｐ型クラッド層の上部に、リッジ部の高さよりも薄い膜厚のフォトレジスト膜（未感光部分のフォトレジスト膜）が残る。

次に、この状態でパッシベーション膜をエッチングすると、リッジ部の側面のうち、フォトレジスト膜で覆われていない部分（例えばリッジ部の側面の上半部）のパッシベーション膜が除去され、リッジ部の側面の一部が露出する。次に、上記フォトレジスト膜を除去した後、リッジ部の上部にｐ側電極を形成すると、リッジ部の上面だけでなく、側面の一部（例えば側面の上半部）がｐ側電極と接触するので、リッジ部とｐ側電極の接触面積が増加し、コンタクト抵抗が低減する。

しかしながら、本発明者の検討によれば、窒化物レーザダイオードの場合は、その特性上、リッジ部の高さが低いために、リッジ部の両側のｐ型クラッド層の上部に、リッジ部の高さよりも薄い膜厚を有するフォトレジスト膜を形成することが困難である。

例えば赤色領域の波長帯で動作するＧａＡｓ系レーザダイオードの場合、リッジ部の高さは１．５μｍ程度であるのに対し、窒化物レーザダイオードのリッジ部の高さは０．５μｍ程度である。これは、窒化物レーザダイオードの場合、ｐ型クラッド層を構成する窒化物半導体材料の抵抗が高いため、リッジ部の高さが大きくなると（すなわち、ｐ型クラッド層の膜厚が大きくなると）、発熱量が大きくなってしまうからである。

従って、フォトレジスト膜を露光する際の露光光量を調節することによって、フォトレジスト膜の膜厚を制御する上記の方法では、リッジ部の両側のｐ型クラッド層の上部に、リッジ部の高さよりも薄い（すなわち０．５μｍ以下の）膜厚を有するフォトレジスト膜を高い寸法精度で形成することは困難である。

本発明の目的は、凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置において、リッジ部とそれに接続される電極とのコンタクト抵抗を低減することのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本願発明の好ましい一態様である窒化物半導体レーザ装置の製造方法は、以下の工程を含んでいる。
（ａ）基板上に、少なくともｎ型クラッド層、活性層、窒化物半導体を主体として構成されるｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層を成長させる工程と、
（ｂ）前記ｐ型コンタクト層の上部に形成した第１絶縁膜をマスクにして、前記ｐ型コンタクト層および前記ｐ型クラッド層をドライエッチングすることにより、前記ｐ型クラッド層の一部に凸状のリッジ部を形成する工程と、
（ｃ）前記ｐ型コンタクト層の上部に前記第１絶縁膜を残した状態で、前記基板上に第２絶縁膜からなパッシベーション膜を形成する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記リッジ部の上方に開口を設けた第１フォトレジスト膜をマスクにして前記リッジ部の上方の前記パッシベーション膜およびその下部の前記第１絶縁膜をエッチングすることにより、前記パッシベーション膜およびその下部の前記第１絶縁膜に、その底部が前記第１絶縁膜の下部の前記リッジ部に達しない程度の深さを有する第１開口を形成する工程と、
（ｅ）前記第１フォトレジスト膜を除去した後、前記基板上の全面に第２フォトレジスト膜を塗布する工程と、
（ｆ）露光光が前記第２フォトレジスト膜の底面まで到達しないような露光条件下で、少なくとも前記リッジ部とその近傍を覆う領域の前記第２フォトレジスト膜を露光する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第２フォトレジスト膜を現像することにより、前記リッジ部の上方の前記第２フォトレジスト膜を除去すると共に、前記リッジ部の両側の前記パッシベーション膜上に、その上面の高さが前記リッジ部の上面の高さよりも低くなるような膜厚を有する前記第２フォトレジスト膜を残す工程と、
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記第２フォトレジスト膜をマスクにしたウェットエッチングにより、前記リッジ部の上方の前記第１絶縁膜およびその上部のパッシベーション膜と、前記第１絶縁膜の側面を覆う前記パッシベーション膜と、前記リッジ部の側面のうち、前記第２フォトレジスト膜の上面よりも上方の部分を覆う前記パッシベーション膜とを除去し、前記ｐ型コンタクト層の上面と側面の一部とを露出させる工程と、
（ｉ）前記第２フォトレジスト膜を除去した後、前記（ｈ）工程で露出させた前記ｐ型コンタクト層の前記上面と前記側面の一部とに接する電極を形成する工程。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

リッジ部の高さが小さい場合でも、ｐ側電極をリッジ部の上面と側面とに電気的に接続させることが可能となるので、リッジ部とｐ側電極のコンタクト抵抗を低減することができ、窒化物レーザダイオードの動作電圧の低減を図ることが可能となる。

本発明の一実施の形態である窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図１に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図２に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図３に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図４に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図５に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図６に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図７に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図８に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 露光・現像後に基板上に残ったフォトレジスト膜の未露光部分を原子間力顕微鏡で測定した画像である。 図９に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図１１に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。 図１２に続く窒化物レーザダイオードの製造方法を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

以下、図面を参照しながら、凸状のリッジ部を有する窒化物レーザダイオードの製造方法を工程順に説明する。

まず、図１に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１０を用意し、その上面に例えばＳｉドープＧａＮからなるｎ型バッファ層１１、ＳｉドープＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１２、ＳｉドープＧａＮからなるｎ型ガイド層１３、井戸層とバリア層とを交互に積層したアンドープＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる活性層１４、ＭｇドープＡｌＧａＮからなる電子ブロック層１５を順次成長させ、続いて電子ブロック層１５の上部に、Ａｌ：Ｇａ：Ｎの組成比が電子ブロック層１５とは異なるＭｇドープＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１６を成長させ、ｐ型クラッド層１６の上部にＭｇドープＧａＮからなるｐ型コンタクト層１７を成長させる。上記したｎ型ＧａＮ基板１０上の各半導体層は、一般的な有機金属気相成長法を用いて成長させる。また、ｐ型クラッド層１６の膜厚は、例えば５００ｎｍ程度とする。

次に、図２に示すように、例えばＣＶＤ法を用いてｐ型コンタクト層１７の上部に酸化シリコン膜１８を堆積した後、図３に示すように、酸化シリコン膜１８の上部に形成したフォトレジスト膜２６をマスクにしたドライエッチングで酸化シリコン膜１８をパターニングする。パターニングされた酸化シリコン膜１８は、図３の紙面に垂直な方向に延在するストライプ状のパターンを有している。

上記酸化シリコン膜１８は、次の工程でｐ型コンタクト層１７およびｐ型クラッド層１６をエッチングするためのマスクとして使用され、かつパッシベーション膜としても機能する。本実施の形態では、上記酸化シリコン膜１８の膜厚を、パッシベーション膜として要求される膜厚（例えば４００ｎｍ程度）よりも厚くする（例えば８００ｎｍ）。

次に、フォトレジスト膜２６を除去した後、図４に示すように、パターニングされた酸化シリコン膜１８をマスクにしてｐ型コンタクト層１７およびｐ型クラッド層１６をドライエッチングする。ｐ型コンタクト層１７を構成するＭｇドープＧａＮおよびｐ型クラッド層１６を構成するＭｇドープＡｌＧａＮをドライエッチングするには、例えば塩素系のガスを使用する。このとき、ｐ型クラッド層１６のドライエッチングを途中で停止することにより、断面形状が凸状のリッジ部１６Ａを形成する。

ｐ型クラッド層１６をドライエッチングする上記の工程では、ドライエッチングのマスクとなる酸化シリコン膜１８も僅かにエッチングされる。例えばドライエッチング前の酸化シリコン膜１８の膜厚を８００ｎｍとした場合、ドライエッチング後の膜厚は７５０ｎｍとなる。

次に、図５に示すように、リッジ部１６Ａの上部に酸化シリコン膜１８を残した状態で、ｎ型ＧａＮ基板１０の上面に窒化シリコン膜１９を堆積する。これにより、リッジ部１６Ａの上部には、酸化シリコン膜１８と窒化シリコン膜１９の２層膜からなるパッシベーション膜が形成される。また、リッジ部１６Ａの両側のｐ型クラッド層１６の上部には、窒化シリコン膜１９からなるパッシベーション膜が形成される。

ｎ型ＧａＮ基板１０の上面に上記窒化シリコン膜１９を堆積する際は、図５に示すように、縦方向（ｎ型ＧａＮ基板１０の上面に垂直な方向）の膜厚が横方向（ｎ型ＧａＮ基板１０の上面に水平な方向）の膜厚よりも大きくなるような条件で堆積し、リッジ部１６Ａの側面に堆積される窒化シリコン膜１９の膜厚を出来るだけ薄くすることが望ましい。ここでは、スパッタリング法を用い、縦方向の膜厚が１６０ｎｍ程度の窒化シリコン膜１９を堆積する。

次に、図６に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１０の上面にフォトレジスト膜２０を塗布した後、その一部を選択的に露光・現像することにより、リッジ部１６Ａの上方のフォトレジスト膜２０に開口２０Ａを形成する。

次に、図７に示すように、上記フォトレジスト膜２０をマスクにして、開口２０Ａの下部の窒化シリコン膜１９、酸化シリコン膜１８を順次ドライエッチングすることにより、リッジ部１６Ａの上方に開口２１を形成する。

このとき、開口２１の底部にリッジ部１６Ａの上面が露出すると、リッジ部１６Ａの上面がドライエッチングされてダメージ（結晶欠陥）が発生するので、酸化シリコン膜１８のドライエッチングを途中で停止し、開口２１の底部にリッジ部１６Ａの上面が露出しないようにする。前述したように、酸化シリコン膜１８は、パッシベーション膜として要求される膜厚よりも厚い膜厚で形成されているので、リッジ部１６Ａの上面が露出する前に酸化シリコン膜１８のドライエッチングを停止することは容易に制御できる。

次に、フォトレジスト膜２０を除去した後、図８に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１０の上面に、リッジ部１６Ａの上部の窒化シリコン膜１９を覆う程度の膜厚を有する第２のフォトレジスト膜２２を塗布する。続いて、少なくともリッジ部１６Ａとその近傍の上方に光透過領域２３Ａを設けたフォトマスク２３を使って、フォトレジスト膜２２を露光する。このとき、露光光量を少なめに調節してフォトレジスト膜２２を露光し、露光光がフォトレジスト膜２２の底部まで到達しないようにする。

次に、図９に示すように、フォトレジスト膜２２を現像し、露光された部分のみを除去することによって、ｎ型ＧａＮ基板１０の上面にフォトレジスト膜２２の未露光部分を残す。このとき、リッジ部１６Ａの両側のｐ型クラッド層１６上に残ったフォトレジスト膜２２の上面の高さは、リッジ部１６Ａの上面の高さよりも低くなる。

このように、本実施の形態の製造方法では、リッジ部１６Ａの上部に厚い膜厚の酸化シリコン膜１８を形成するので、この酸化シリコン膜１８の上部の窒化シリコン膜１９と、リッジ部１６Ａの両側のｐ型コンタクト層１７上に形成された窒化シリコン膜１９との段差は、酸化シリコン膜１８がない場合に比べて大きくなる。すなわち、リッジ部１６Ａの上部に厚い膜厚の酸化シリコン膜１８を形成することにより、リッジ部１６Ａが形成された領域とその周囲との実効的な段差が大きくなる。これにより、リッジ部１６Ａの両側に塗布されたフォトレジスト膜２２の膜厚を厚くすることができるので、フォトレジスト膜２２を露光する際の露光光量を調節することによって、リッジ部１６Ａの両側にフォトレジスト膜２２の未露光部分を残す際、その上面の高さ（未露光部分の膜厚）を高い寸法精度で制御することができる。

これに対し、リッジ部１６Ａの上部に酸化シリコン膜１８を形成しない場合は、リッジ部１６Ａの上部の窒化シリコン膜１９と、リッジ部１６Ａの両側のｐ型クラッド層１６上に形成された窒化シリコン膜１９との段差が小さくなるので、リッジ部１６Ａの両側に塗布されたフォトレジスト膜２２の膜厚も薄くなる。従って、この場合は、フォトレジスト膜２２の表面から中途部分までを露光し、その下方に所望の膜厚の未露光部分を残すことが困難になる。

図１０は、上記した露光・現像後にｎ型ＧａＮ基板１０の上面に残ったフォトレジスト膜２２の未露光部分を原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）で測定した画像である。

次に、図１１に示すように、フォトレジスト膜２２を残した状態でｎ型ＧａＮ基板１０の上面をエッチングすることにより、リッジ部１６Ａの上方の酸化シリコン膜１８を除去する。このとき、ドライエッチングで酸化シリコン膜１８を除去すると、リッジ部１６Ａの表面にドライエッチングのダメージ（結晶欠陥）が生じるため、フッ酸系の薬液を用いたウェットエッチングで酸化シリコン膜１８を除去する。

前述したように、酸化シリコン膜１８の上面には、あらかじめ開口２１が形成されているので、開口２１の内部に入り込んだフッ酸系の薬液によって酸化シリコン膜１８のエッチングが進行する。この時、エッチング時間を適当に調整することにより、酸化シリコン膜１８のエッチングを縦方向だけでなく、横方向にも進行させることができる。

そして、酸化シリコン膜１８がエッチングされて消失すると、酸化シリコン膜１８の上部の窒化シリコン膜１９も取り除かれるので、ｐ型コンタクト層１７の上面が露出する。また、リッジ部１６Ａの側面および酸化シリコン膜１８の側面には薄い窒化シリコン膜１９が形成されているが、窒化シリコン膜１９の膜厚が薄い場合は、上記の薬液によって除去されるので、リッジ部１６Ａの側面の一部も露出する。

なお、リッジ部１６Ａの側面および酸化シリコン膜１８の側面を覆っている窒化シリコン膜１９の膜厚が比較的厚い場合は、熱リン酸系の薬液を用いたウェットエッチングで上記側面の窒化シリコン膜１９を除去した後、フッ酸系の薬液で酸化シリコン膜１８を除去してもよい。この場合は、酸化シリコン膜１８の側面からもエッチングが進行するので、酸化シリコン膜１８を短時間で除去することができる。

次に、図１２に示すように、例えば真空蒸着法を用いてｎ型ＧａＮ基板１０の表面にＡｕ（金）膜などの金属膜を被着し、続いてこれらの金属膜をパターニングすることによって、ｐ型コンタクト層１７の上面と側面の一部とに電気的に接続されるｐ側電極２４を形成する。

次に、ｎ型ＧａＮ基板１０の裏面を研削して基板厚を１００μｍ程度まで薄くした後、図１３に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１０の裏面にｎ側電極２５を形成する。ｎ側電極２５は、例えばｎ型ＧａＮ基板１０の裏面側全面にＴｉ（チタン）膜およびＡｌ膜を順次堆積することによっって形成する。

本実施の形態の製造方法によれば、リッジ部１６Ａの高さ（膜厚）が０．５μｍ以下であっても、リッジ部１６Ａの側面を高い寸法精度で露出させることができるので、ｐ側電極２４をｐ型コンタクト層１７の上面と側面の一部とに電気的に接続させることが可能となる。

これにより、リッジ部１６Ａとｐ側電極２４のコンタクト抵抗を低減することができるので、窒化物レーザダイオードの動作電圧の低減を図ることができ、特性の向上した窒化物レーザダイオードを製造することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、前記実施の形態では、ｐ型クラッド層をＡｌＧａＮで構成した例について述べたが、本発明は、ｐ型クラッド層が他の窒化物半導体材料で構成される場合にも適用することができる。

また、前記実施の形態では、基板材料としてｎ型ＧａＮを使用した例について述べたが、サファイア、ＳｉＣ（炭化珪素）など、窒化物半導体が成長しうる基板材料であれば、如何なる基板材料を用いてもよい。

本発明は、凸状のリッジ部が形成されるｐ型クラッド層を窒化物半導体で構成した窒化物レーザダイオードの製造に適用することができる。

１０ ｎ型ＧａＮ基板
１１ ｎ型バッファ層
１２ ｎ型クラッド層
１３ ｎ型ガイド層
１４ 活性層
１５ 電子ブロック層
１６ ｐ型クラッド層
１６Ａ リッジ部
１７ ｐ型コンタクト層
１８ 酸化シリコン膜
１９ 窒化シリコン膜
２０Ａ 開口
２１ 開口
２２ フォトレジスト膜
２３ フォトマスク
２３Ａ 透過領域
２４ ｐ側電極
２５ ｎ側電極
２６ フォトレジスト膜

Claims (5)

1. （ａ）基板上に、少なくともｎ型クラッド層、活性層、窒化物半導体を主体として構成されるｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層を成長させる工程と、
   （ｂ）前記ｐ型コンタクト層の上部に形成した第１絶縁膜をマスクにして、前記ｐ型コンタクト層および前記ｐ型クラッド層をドライエッチングすることにより、前記ｐ型クラッド層の一部に凸状のリッジ部を形成する工程と、
   （ｃ）前記ｐ型コンタクト層の上部に前記第１絶縁膜を残した状態で、前記基板上に第２絶縁膜からなるパッシベーション膜を形成する工程と、
   （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記リッジ部の上方に開口を設けた第１フォトレジスト膜をマスクにして前記リッジ部の上方の前記パッシベーション膜およびその下部の前記第１絶縁膜をエッチングすることにより、前記パッシベーション膜およびその下部の前記第１絶縁膜に、その底部が前記第１絶縁膜の下部の前記リッジ部に達しない程度の深さを有する第１開口を形成する工程と、
   （ｅ）前記第１フォトレジスト膜を除去した後、前記基板上の全面に第２フォトレジスト膜を塗布する工程と、
   （ｆ）露光光が前記第２フォトレジスト膜の底面まで到達しないような露光条件下で、少なくとも前記リッジ部とその近傍を覆う領域の前記第２フォトレジスト膜を露光する工程と、
   （ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第２フォトレジスト膜を現像することにより、前記リッジ部の上方の前記第２フォトレジスト膜を除去すると共に、前記リッジ部の両側の前記パッシベーション膜上に、その上面の高さが前記リッジ部の上面の高さよりも低くなるような膜厚を有する前記第２フォトレジスト膜を残す工程と、
   （ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記第２フォトレジスト膜をマスクにしたウェットエッチングにより、前記リッジ部の上方の前記第１絶縁膜およびその上部のパッシベーション膜と、前記第１絶縁膜の側面を覆う前記パッシベーション膜と、前記リッジ部の側面のうち、前記第２フォトレジスト膜の上面よりも上方の部分を覆う前記パッシベーション膜とを除去し、前記ｐ型コンタクト層の上面と側面の一部とを露出させる工程と、
   （ｉ）前記第２フォトレジスト膜を除去した後、前記（ｈ）工程で露出させた前記ｐ型コンタクト層の前記上面と前記側面の一部とに接する電極を形成する工程と、を含み、
   前記第１絶縁膜は前記リッジ部の高さよりも厚い、
   ことを特徴とする窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
2. 前記（ｈ）工程では、前記第１絶縁膜に形成された前記第１開口を通じて前記第１絶縁膜に薬液を接触させることによって、前記第１絶縁膜をウェットエッチングすることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
3. 前記第１絶縁膜は酸化シリコン膜からなり、前記パッシベーション膜を構成する前記第２絶縁膜は、窒化シリコン膜からなることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
4. 前記（ｃ）工程では、前記第２絶縁膜をスパッタリング法で堆積することにより、前記リッジ部の側面に堆積される前記第２絶縁膜の膜厚を、前記リッジ部の上方に堆積される前記第２絶縁膜の膜厚よりも薄くすることを特徴とする請求項３記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
5. 前記窒化物半導体レーザ装置は、窒化物レーザダイオードであることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。