JP2014192475A - 窒化物光半導体素子及び光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物光半導体素子は、n型GaN基板1と、n型GaN基板1のGa面側に積層したn型バッファ層2と、n型クラッド層3と、活性層5と、上部にストライプ状のリッジ構造21を有するp型クラッド層7と、少なくともリッジ構造21の上部に形成したp型第1電極10及びp型第2電極11と、p型クラッド層7におけるリッジ構造21以外の少なくとも一部の領域からn型バッファ層2に達するまでエッチングして露出したバッファ層の露出面2A上に形成したn型電極12と、を有する。
【選択図】図3
Description
図1には、本発明の第1の実施形態に係る窒化物光半導体素子E1(窒化物系半導体レーザ)の平面図(上面図)を、図2には、窒化物光半導体素子E1の一端面近傍の斜視図を、図3には、図1のA−A’における断面図を、図4には、図1のB−B’における断面図を示した。
次に、本実施形態に係る窒化物光半導体素子E1の製造方法について図5A〜図5Iを参照しながら説明する。
次に、本発明の第2の実施形態に係る窒化物光半導体素子E2について説明する。図6には、本発明の第2の実施形態に係る窒化物光半導体素子E2の平面図(上面図)を、図7には、窒化物光半導体素子E2の一端面近傍の斜視図を示した。
次に、本発明の第3の実施形態に係る窒化物光半導体素子E3について説明する。図8は本発明の第3の実施形態に係る窒化物光半導体素子E3の一端面の斜視図、図9は図8のC−C’における断面図を示した。なお、第3の実施形態に係る窒化物光半導体素子E3についても、n型GaN基板1上への結晶成長からPSG膜形成までは第1の実施形態と同一であるため、繰り返しの説明は省略する。
図10には、第1の実施形態に係る窒化物光半導体素子E1のp型第1電極10及びp型第2電極11を、窒化物光半導体素子E1の端面から後退させた例(窒化物光半導体素子E1A)を示した。
次に、以上説明した本発明の実施形態に係る窒化物光半導体素子101を搭載した光半導体装置の例について説明する。なお、以下の窒化物光半導体素子101には上述した窒化物光半導体素子E1〜E3のいずれか、又はこれらの変形例を用いることとしてよい。
Claims (9)
- n型GaN基板と、
前記n型GaN基板のGa面側に積層したn型半導体のバッファ層と、
前記n型バッファ層に積層された、n型半導体の第1クラッド層、活性層、そして上部にストライプ状のリッジ構造を有するp型半導体の第2クラッド層と、
少なくとも前記リッジ構造の上部に形成したp型電極と、
前記n型バッファ層が露出しているバッファ層の露出面と、
前記バッファ層の露出面に設けられたn型電極と、
を有することを特徴とする窒化物光半導体素子。 - 請求項1に記載の窒化物光半導体素子であって、
前記n型GaN基板と、前記バッファ層と、前記第1クラッド層と、前記活性層と、前記第2クラッド層とを含み構成されるレーザの共振器の端面を劈開で形成した
ことを特徴とする窒化物光半導体素子。 - 請求項2に記載の窒化物光半導体素子であって、
前記バッファ層の露出面を、前記レーザの共振器の端面よりも内側に形成した
ことを特徴とする窒化物光半導体素子。 - 請求項3に記載の窒化物光半導体素子であって、
前記第2クラッド層において前記共振器の端面と接する劈開近傍領域については、前記リッジ構造の上部と同じ高さに形成した
ことを特徴とする窒化物光半導体素子。 - 請求項4に記載の窒化物光半導体素子であって、
前記リッジ構造のストライプと平行な方向についての前記劈開近傍領域の幅は、前記リッジ構造のストライプと垂直な方向の幅以下である
ことを特徴とする窒化物光半導体素子。 - 請求項2に記載の窒化物光半導体素子であって、
前記バッファ層の露出面を、前記レーザの共振器の端面まで達するように形成した
ことを特徴とする窒化物光半導体素子。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の窒化物光半導体素子であって、
前記バッファ層に形成された前記n型電極の外側であって、前記リッジ構造とは反対側にスクライブ用の加工を施してチップ化される
ことを特徴とする窒化物光半導体素子。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の窒化物光半導体素子であって、
前記n型GaN基板の前記リッジが形成された面とは逆の面に形成されたダイボンド用パッドを有する
ことを特徴とする窒化物光半導体素子。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の窒化物光半導体素子と、サブマウントとを備え、
前記窒化物光半導体素子の前記リッジが形成された面とは逆の面側を前記サブマウントに向けてマウントした
ことを特徴とする光半導体装置。
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