JP5841340B2 - 窒化物半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
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Description
11 n型バッファ層
12 n型クラッド層
13 n型ガイド層
14 活性層
15 電子ブロック層
16 p型クラッド層
16A リッジ部
17 p型コンタクト層
18、20 酸化シリコン膜
19 フォトレジスト膜
21 p側電極
22 n側電極
Claims (3)
- (a)基板上に、少なくともn型クラッド層、活性層、およびAlGaNを主体として構成されるp型クラッド層を成長させる工程と、
(b)前記p型クラッド層の上部に形成した絶縁膜をマスクにして、前記p型クラッド層をドライエッチングすることにより、前記p型クラッド層の一部に断面形状が凸状のリッジ部を形成する工程と、
(c)前記(b)工程の後、前記リッジ部の側面及び前記p型クラッド層の表面を、前記リッジ部の側面のダメージを除去しつつ、前記p型クラッド層の表面のダメージを残すように、薬液で異方的にウェットエッチングすることにより、前記ドライエッチングで生じた前記リッジ部の側面のダメージ層を除去する工程と、
を含み、
前記薬液として、熱リン酸を用いることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記(b)工程では、前記凸状のリッジ部の側面にテーパが形成され、
前記(c)工程では、前記凸状のリッジ部の側面が垂直になることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記基板として、表面面方位が(0001)のGaN基板を用いることを特徴とする請求項1又は2記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011048726A JP5841340B2 (ja) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | 窒化物半導体レーザ装置の製造方法 |
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JP2011048726A JP5841340B2 (ja) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | 窒化物半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
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JP2012186330A JP2012186330A (ja) | 2012-09-27 |
JP5841340B2 true JP5841340B2 (ja) | 2016-01-13 |
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ID=47016123
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JP2011048726A Active JP5841340B2 (ja) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | 窒化物半導体レーザ装置の製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5841340B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7261546B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2023-04-20 | 住友化学株式会社 | 構造体 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3557011B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2004-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子、及びその製造方法 |
JPH098355A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | 3−5族化合物半導体の製造方法 |
JPH098356A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | 3−5族化合物半導体用電極の製造方法 |
JP2877063B2 (ja) * | 1995-11-06 | 1999-03-31 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP3936109B2 (ja) * | 1999-04-26 | 2007-06-27 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2004071657A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体素子、iii族窒化物半導体基板およびiii族窒化物半導体素子の製造方法 |
JP2005268725A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JP5019913B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-09-05 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP2009218569A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-09-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体からなる発光素子とその製造方法 |
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2011
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012186330A (ja) | 2012-09-27 |
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