JP6330548B2 - 変調器およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910006091 NiCrSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2255—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic component in an electric waveguide structure
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
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Description
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
(2)前記終端抵抗の上には、樹脂が設けられていることが好ましい。上が空気の場合と比較して、終端抵抗が保護され、放熱性が高まるからである。
(3)前記進行波型電極は、前記樹脂部に形成された開口を介して前記終端抵抗と接続されており、前記開口の前記基板の上面に対する角度は、70°以下であることが好ましい。高周波特性の劣化が抑制されるからである。
(4)前記終端抵抗の厚みは、前記樹脂部の表面の算術平均粗さRa以下であることが好ましい。終端抵抗の特性ばらつき抑制の効果が大きくなるからである。
他の本願発明は、(5)基板上に、メサ状の光導波路を含んで構成されるマッハツェンダ変調器を形成する工程と、前記基板上に、樹脂を介さないで終端抵抗を形成する工程と、前記マッハツェンダ変調器のアームおよび前記終端抵抗に進行波型電極を接続する工程と、を含む変調器の製造方法である。終端抵抗が基板上において、樹脂部下に形成されることから、終端抵抗の特性のばらつきを抑制することができる。
(6)前記基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜に対してウェットエッチングを施し、前記ウェットエッチングを施した後の前記絶縁膜上に前記終端抵抗を形成することが好ましい。ドライエッチングと比較して、エッチング後の残渣物を抑制できるからである。
本発明の実施形態に係る変調器およびその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図2は、実施形態に係る変調器100の模式的な上面図である。以下、図1の変調器1と異なる点について説明する。なお、変調器1と同じ構成については、同じ符号を付すことによって説明を省略する。図2で例示するように、変調器100においては、終端抵抗50a,50bが、樹脂部の下であって、基板10上において絶縁膜を介して配置されている。また、進行波型電極31aの代わりに進行波型電極34aが設けられ、進行波型電極31bの代わりに進行波型電極34bが設けられ、グランド電極32の代わりにグランド電極35が設けられ、接続電極56が新たに設けられている。以下、この構成の詳細について説明する。
10 基板
11 下クラッド層
12 コア層
13 上クラッド層
14 コンタクト層
21 入力導波路
22 光カプラ
23a,23b 変調導波路
24 光カプラ
25 出力導波路
31a,31b 進行波型電極
32 グランド電極
33a,33b 位相調整電極
34a,34b 進行波型電極
35 グランド電極
40a,40b 高周波電源
41 第1絶縁膜
42 第1樹脂層
43 第2絶縁膜
44 第2樹脂層
45 第3絶縁膜
50a,50b 終端抵抗
51 TiW層
52 Au層
53 Ti/Pt/Au層
54 TiW層
55 Au層
56 接続電極
57 TiW層
58 Au層
60 キャパシタ
61 レジストパターン
62 レジストパターン
63 薄膜
64 Ti/Pt/Au層
65 TiW層
66 Au層
67 TiW層
68 Au層
100 変調器
Claims (6)
- 基板上に形成されたメサ状の光導波路を含んで構成されるマッハツェンダ変調器と、
前記メサ状の光導波路上に設けられた樹脂部と、
前記マッハツェンダ変調器のアームに接続された進行波型電極と、
前記進行波型電極が接続された終端抵抗と、を備え、
前記終端抵抗は、前記基板上において、前記樹脂部の下に配置されている、変調器。 - 前記終端抵抗の上には、樹脂が設けられている、請求項1記載の変調器。
- 前記進行波型電極は、前記樹脂部に形成された開口を介して前記終端抵抗と接続されており、
前記開口の前記基板の上面に対する角度は、70°以下である、請求項1または2記載の変調器。 - 前記終端抵抗の厚みは、前記樹脂部の表面の段差よりも大きい、請求項1〜3のいずれか一項に記載の変調器。
- 基板上に、メサ状の光導波路を含んで構成されるマッハツェンダ変調器を形成する工程と、
前記基板上に、樹脂を介さないで終端抵抗を形成する工程と、
前記マッハツェンダ変調器のアームおよび前記終端抵抗に進行波型電極を接続する工程と、を含む変調器の製造方法。 - 前記基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に対してウェットエッチングを施し、
前記ウェットエッチングを施した後の前記絶縁膜上に前記終端抵抗を形成する、請求項5記載の変調器の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014150163A JP6330548B2 (ja) | 2014-07-23 | 2014-07-23 | 変調器およびその製造方法 |
US14/805,142 US9638980B2 (en) | 2014-07-23 | 2015-07-21 | Modulator and production method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014150163A JP6330548B2 (ja) | 2014-07-23 | 2014-07-23 | 変調器およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016024409A JP2016024409A (ja) | 2016-02-08 |
JP6330548B2 true JP6330548B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=55166665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014150163A Active JP6330548B2 (ja) | 2014-07-23 | 2014-07-23 | 変調器およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9638980B2 (ja) |
JP (1) | JP6330548B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6610044B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2019-11-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光変調器および半導体光変調器の製造方法 |
JP6330549B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2018-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP6183479B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-23 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
JP2020003600A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | 住友電気工業株式会社 | マッハツェンダ変調器 |
US11726382B1 (en) * | 2020-12-29 | 2023-08-15 | Acacia Communications, Inc. | Methods for adjusting a modulator for optimal power |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2375614B (en) * | 2000-04-06 | 2003-07-16 | Bookham Technology Plc | Optical modulator with pre-determined frequency chirp |
US6310700B1 (en) * | 2000-09-15 | 2001-10-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Velocity matching electrode structure for electro-optic modulators |
JP2004126108A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 半導体光変調器及び光変調システム |
JP4956296B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2012-06-20 | アンリツ株式会社 | 光変調器 |
JP5104598B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-12-19 | 富士通株式会社 | マッハツェンダ型光変調器 |
JP5267105B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2013-08-21 | 富士通株式会社 | 光モジュール及びその製造方法、光送信器 |
JP5332665B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2013-11-06 | 富士通株式会社 | 光導波路デバイスおよびその製造方法,光変調器,偏波モード分散補償器ならびに光スイッチ |
JP2012118272A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光変調装置、光変調器の制御方法、及び光変調器の制御装置 |
JP2013054134A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Anritsu Corp | 光変調器モジュール |
JP2013113917A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光変調装置及びその制御方法 |
EP3079007B1 (en) * | 2012-01-12 | 2019-01-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mach-zehnder modulator arrangement and method for operating a mach-zehnder modulator arrangement |
EP2615489B1 (en) * | 2012-01-12 | 2017-09-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mach-zehnder modulator arrangement and method for operating a mach-zehnder modulator arrangement |
US9008469B2 (en) * | 2012-11-09 | 2015-04-14 | Teraxion Inc. | Mach-zehnder optical modulator having an asymmetrically-loaded traveling wave electrode |
JP6063903B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2017-01-18 | 株式会社フジクラ | 高周波回路及び光変調器 |
JP6610044B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2019-11-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光変調器および半導体光変調器の製造方法 |
JP6330549B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2018-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体素子およびその製造方法 |
-
2014
- 2014-07-23 JP JP2014150163A patent/JP6330548B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-21 US US14/805,142 patent/US9638980B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160026063A1 (en) | 2016-01-28 |
US9638980B2 (en) | 2017-05-02 |
JP2016024409A (ja) | 2016-02-08 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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