JP5332665B2 - 光導波路デバイスおよびその製造方法，光変調器，偏波モード分散補償器ならびに光スイッチ - Google Patents

Description

本案件は、光導波路デバイスおよびその製造方法，光変調器，偏波モード分散補償器ならびに光スイッチに関する。

近年、光通信において、伝送装置の小型化・省電力化に対する要求が高まってきている。現状、伝送装置に含まれる光導波路デバイスにおいては例えばコプレーナ電極構造が採用されている。コプレーナ電極構造では、光導波路に与えられる電界により屈折率を制御することができるが、屈折率制御のために駆動電圧が増大する。
コプレーナ電極構造のほかには、光導波路直下に電極を形成することにより、光導波路に電気力線を集中させる構造も提案されている（例えば、下記の特許文献１）。

特開平１１−３２６８５３号公報

上記特許文献１に記載された技術においては、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３：ＬＮ）薄膜をエピタキシャル成長させるため、導波路直下の電極材料として、ＬＮ結晶との格子定数が整合するＺｎＯ（導電性結晶材料）を採用している。しかし、ＺｎＯなどの導電性結晶材料は、低周波領域において抵抗値が金属よりも一般的に比較的高く、高周波領域においては更に高くなることが想定される。

したがって、ＺｎＯなどの導電性結晶材料は、高周波電圧で駆動する電極として採用すると、損失が大きくなり駆動電圧の増大を招く。尚、金属は導電性結晶材料よりも抵抗値が一般的に低いが、上記引用文献１に記載された技術においては、格子定数の問題のため、導電性結晶材料に代えて金属を採用することはできない。
そこで、本案件の目的の一つは、駆動電圧を低減させ省電力化を図ることにある。

なお、前記目的に限らず、後述する発明を実施するための最良の形態に示す各構成又は作用により導かれる効果であって、従来の技術によっては得られない効果を奏することも本案件の他の目的として位置づけることができる。

たとえば、以下の手段を用いる。
（１）電気光学効果を有する基板と、該基板の第１表面および／又は該基板内に設けられた光導波路と、該基板内に空洞を形成した後に、該空洞に金属を充填することにより形成された基板内電極と、をそなえ、該基板は単一の電気光学結晶であり、該第１表面に対して垂直方向の電界変化が該光導波路の屈折率変化をもたらす、光導波路デバイスを用いることができる。
（２）（１）の光導波路デバイスを製造する方法であって、該基板内電極を形成すべき箇所について空洞を形成する工程と、該空洞に前記金属を充填する工程と、を含む光導波路デバイスの製造方法を用いることができる。

（３）（１）の光導波路デバイスを含む光変調器を用いることができる。
（４）（１）の光導波路デバイスを含む偏波モード分散補償器を用いることができる。
（５）（１）の光導波路デバイスを含む光スイッチを用いることができる。

開示の技術によれば、駆動電圧を低減させ省電力化を図ることができる利点がある。

（ａ）〜（ｄ）は第１実施形態を示す図である。 （ａ）〜（ｆ）は図１に例示する光導波路デバイスの製造工程の一例を説明するための図である。 光導波路デバイスにおける光応答(変調効率)と周波数の関係を模式的に表す図である。 （ａ）〜（ｄ）は第２実施形態を示す図である。 （ａ）〜（ｄ）は第３実施形態を示す図である。 （ａ）〜（ｄ）は第４実施形態を示す図である。 （ａ）〜（ｄ）は第５実施形態を示す図である。 （ａ）〜（ｄ）は第６実施形態を示す図である。 （ａ）〜（ｄ）は第７実施形態を示す図である。 第８実施形態を示す図である。 第９実施形態を示す図である。 第１０実施形態を示す図である。

以下、図面を参照して実施の形態を説明する。但し、以下に説明する実施形態は、あくまでも例示であり、以下に明示しない種々の変形や技術の適用を排除する意図は無い。即ち、本実施形態は、その趣旨に逸脱しない範囲において種々変形して実施することができる。
〔Ａ〕第１実施形態の説明
図１（ａ）〜図１（ｄ）は第１実施形態を示す図であり、この図１（ａ）〜図１（ｄ）において、１は光導波路デバイスである。尚、図１（ａ）は光導波路デバイス１の上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の部分的拡大図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ断面図であり、図１（ｄ）は図１（ｂ）のＢ断面図である。

光導波路デバイス１は、基板２，光導波路３，電極５，６および基板内電極７を含む。尚、図１（ｃ），図１（ｄ）に示す４は、基板２と電極５，６間に介装されるバッファ層である。ここで、基板２は、電気光学効果を有するもので、基板２の第１表面Ｓ１又は第１表面Ｓ１の裏面である第２表面Ｓ２に対して垂直方向の電界（電気力線）によって光導波路３の屈折率の変化をもたらすものを適用することができる。一例として、Ｚカットのニオブ酸リチウム基板を用いることができる。また、単一の電気光学結晶で作製された基板を用いてもよい。

また、光導波路３は、基板２の第１表面Ｓ１に形成され、図１（ａ）に例示するように、入射導波路部３ａと出射導波路部３ｂとをそなえるとともに入射導波路部３ａおよび出射導波路部３ｂ間に分岐導波路部３ｃ，３ｄをそなえるマッハツェンダ型干渉計の形状とすることができる。但し、光導波路３のパターンは一例であり、他のパターンで形成することとしてもよい。又、光導波路３については基板２の内部に形成してもよい。

さらに、電極５，６は分岐導波路部３ｃ，３ｄに対し作用するように形成することができる。この図１（ａ）〜図１（ｄ）に例示するように、電極５は、分岐導波路部３ｃの上部に形成されて、分岐導波路部３ｃに電界を印加するための進行波電極とされ、一端から送信データに従う高周波電気信号が信号源８から供給され、他端は終端抵抗９により終端される。

また、電極６は、電極５に間隔を隔てて形成される接地電極であり、下記の基板内電極７と電気的に接続するための第１電極部６ａ、および第１電極部６ａに導通する第２電極部６ｂを含む。図示の第１電極部６ａは、電極６をなす他の第２電極部６ｂよりも厚みが薄く形成される領域であって、本例では、当該第２電極部６ｂから電極５側に延在している。

さらに、基板内電極７は、例えば銅などの金属からなり、後述の図２に例示するように、当該基板内電極７とすべき基板２の内部領域に空洞を形成するとともに、形成された空洞に材質となる金属が充填されて形成される。ここで、基板内電極７は、第１内部電極部７ａと、ビア部７ｂと、を含む。
第１内部電極部７ａは、分岐導波路部３ｃと基板２の第１表面Ｓ１の裏面である第２表面との間に形成され、信号電極５が第１表面Ｓ１に対して垂直方向の電界（電気力線）を与える面に対応する面をそなえる。即ち、図１（ｃ），図１（ｄ）に例示するように、第１内部電極部７ａは、第１表面Ｓ１に実質的に平行な面を有するように形成される。

また、図１（ｂ）〜図１（ｄ）に例示するように、第１内部電極部７ａは、分岐導波路部３ｃにおける光伝搬方向の上流側および下流側にわたり、信号電極５の幅よりも幅広に延在して形成される。図１（ｂ）においては、第１内部電極部７ａが信号電極５よりも幅広の領域を領域７ｅとして例示している。
ビア部（導通ビア）７ｂは、内部電極部７ａおよび接地電極６を電気的に接続する第１接続部の一例である。図１（ｃ）に例示するように、ビア部７ｂは、第１内部電極部７ａの幅方向の両縁に沿って形成される。本例においては、内部電極部７ａにおける上述した延在して形成される領域７ｅに沿い、間隔を置いて複数個が形成されて、内部電極部７ａと接地電極６をなす第１電極部６ａとを導通させる。

本例においては、領域７ｅについては信号電極５の両側に形成されており、ビア部７ｂは、当該両側の領域７ｅの縁に沿い、間隔を置いて形成されている。尚、図１（ｃ）に示すＡ断面においては、ビア部７ｂの断面が含まれているが、図１（ｄ）に示すＢ断面においては、ビア部７ｂの間に相当する箇所であるためビア部７ｂの断面は含まれていない。
つぎに、図１に例示する光導波路デバイス１の製造工程の一例を、図２（ａ）〜図２（ｆ）を用いて説明する。まず、図２（ａ）に示すように、ＬＮ基板２の第１表面Ｓ１に、Ｔｉ（チタン）拡散法などにより、光導波路３を形成してから、バッファ層４を形成する。

ついで、基板２における基板内電極７を形成すべき箇所について空洞を形成する。例えば、基板内電極７を形成すべき箇所について超短パルスのレーザ集光照射を行なって、当該箇所についてアモルファス化した後に選択エッチングを行なう。
具体的には、第１表面Ｓ１側からみて分岐導波路部３ｃの下の第１内部電極部７ａを形成すべき箇所、および、ビア部７ｂを形成すべき箇所１０に、超短パルスレーザの一例であるフェムト秒レーザを照射し、基板２をアモルファス化する（図２（ｂ）参照）。

フェムト秒レーザは、その基板２への照射により、焦点位置が結ばれる基板箇所がアモルファス化するようになっている。従って、例えば、フェムト秒レーザの焦点位置の軌跡が、上述の基板内電極７を形成すべき箇所を辿るように、基台に固定された基板２を移動させることで、基板２における定めた領域をアモルファス化することができる。
つぎに、図２（ｃ）に例示するように、上述のフェムト秒レーザを照射した箇所１０ａを酸、または例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）でウェットエッチングする。尚、ビア部７ｂの形成箇所に相当するアモルファス化領域は、エッチャント（エッチング液）が、第１内部電極部７ａ形成部に浸透するための進入路として作用する。これにより、第１内部電極部７ａを形成する箇所、および、ビア部７ｂを形成する箇所を空洞化することができる。図２（ｃ）の１０ｂは、上述の空洞化の工程により形成される空洞である。

上述のごとく形成された空洞１０ｂの形成に続き、その空洞１０ｂに金属を充填する。例えば、図２（ｄ）に例示するように、上述のごとく形成した空洞に金属塩（例えば、ＡｇＮＯ_３)を満たし、空洞内壁にフェムト秒レーザを照射する。これにより、空洞１０ｂの内壁に金属(例えば、Ａｇ)を析出させることができる。析出した金属は薄膜状（図２（ｄ）における金属薄膜１０ｃ参照）とすることができる。

そして、図２（ｅ）に例示するように、金属薄膜１０ｃが着いた空洞１０ｂに対して、無電解メッキ（例えば、Ｃｕ）を施し、空洞１０ｂの内部に金属（例えば、Ｃｕ）を埋め込む。これにより、基板内電極７を形成することができる。尚、上述の基板内電極７の形成領域のほか、基板２の上部に形成される、接地電極６の一部をなす第１電極部６ａについても、ここでの無電解メッキの施しにより金属の充填を行なう工程において併せて形成することができる。

さらに、上述のごとく基板内電極７を形成すると、次いで、図２（ｆ）に例示するように、基板表面Ｓ１に信号電極５および接地電極６を形成する。このとき第１内部電極部７ａに対し基板表面側から印加電圧を設定できるように、ビア部７ｂを介して第１内部電極部７ａと接地電極を接続する。具体的には、ビア部７ｂとともに形成される第１電極部６ａと電気的に接続される電極６ｂを形成する。

なお、上述の空洞１０ｂを形成する工程において、ビア部７ｂの形成箇所に相当する空洞箇所は基板表面Ｓ１に対して垂直方向に形成しているが、基板２に対して斜め方向に形成しても問題はない。更に、空洞１０ｂを形成する際には、上述の工程に代えて、基板内電極７を形成すべき箇所についてのアブレーションを用いてもよい。具体的には、上述の図２（ａ）の工程に続いて、フェムト秒レーザ照射による基板２のアブレーションを利用することにより、上述した工程を経ずに図２（ｃ）に示す空洞１０ｂを得ることも可能である。

上述のごとき光導波路デバイス１においては、信号電極５に印加する駆動電圧により、分岐導波路部３ｃの屈折率を変化させることができる。これにより、マッハツェンダ型干渉計をなす光導波路３の入射導波路部３ａから入力される光が変調されて、変調光として出射導波路部３ｂから出力されるようになっている。換言すれば、光導波路デバイス１は光変調器として適用することができる。

ここで、本例の光導波路デバイス１においては、接地電極６に電気的に接続された第１内部電極部７ａと、信号電極５と、が、分岐導波路部３ｃを挟んで対抗する面を有している。
このため、コプレーナ電極構造と比較すると、信号電極５および第１内部電極部７ａに与えられる電位差によって生じる電気力線のうち、分岐導波路部３ｃを表面Ｓ１について垂直な方向で通過するものをより集中させることができる。換言すれば、垂直な方向で通過する電気力線の本数を多くすることができる。これにより、駆動電圧の印加効率を改善できる。そして、駆動電圧の印加効率の改善により、必要な屈折率変化を生じさせるために要する電力についても抑制させることができる。

さらに、第１内部電極部７ａを金属で形成しているので、基板内に形成される電極を導電性結晶材料を使用する場合に比して、下記のように省電力化を実現できる。即ち、光導波路デバイス１において，電極（５又は７ａ）による導体損失は次式で表すことができる。

ここで，ｆは信号電極５に印加する電圧の周波数，σは電極の導電率，μは透磁率である。光導波路デバイス１における光応答(変調効率)と周波数の関係を模式的に表すと、図３のようになる。即ち、この図３に示すように、上式で表される導体損失が小さいほど、光応答が大きくなり、変調効率が高くなる。そして、高周波帯域ではその傾向が顕著になるため、例えば、光変調器，偏波モード分散補償器，光スイッチなどの、光通信に用いられるデバイスにおいて適用すると有用である。

したがって、本例のように、第１内部電極部７ａを金属のものとすることで、電極の導電率が導電性結晶材料よりも大きくなるので、上式より導体損失を低減させることが可能であるといえる。そして、導体損失が低減されると、変調効率が高くなるので駆動電圧を小さくすることができる。
このように、第１実施形態においては、導電性結晶材料を電極に採用する技術に比して、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。

〔Ｂ〕第２実施形態の説明
図４（ａ）〜図４（ｄ）は第２実施形態を示す図であり、この図４（ａ）〜図４（ｄ）において、１０は光導波路デバイスである。尚、図４（ａ）は光導波路デバイス１０の上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の部分的拡大図であり、図４（ｃ）は図４（ｂ）のＡ断面図であり、図４（ｄ）は図４（ｂ）のＢ断面図である。

図４（ａ）〜図４（ｄ）に示す光導波路デバイス１０は、第１実施形態における光導波路デバイス１（図１（ａ）〜図１（ｄ）参照）と比較して、光変調器として適用できる点などは同様であるが、接地電極１６および基板内電極１７が異なっている。尚、図中、図１（ａ）〜図１（ｄ）と同一の符号は、ほぼ同様の部分を示している。
ここで、接地電極１６については、後述のビア部１７ｂとともに形成されうる第１電極部１６ａとともに第２電極部１６ｂとをそなえるが、第１電極部１６ａについては、一部を除いて第２電極部１６ｂに覆われる。尚、図４（ａ）の符号１６ａ′は、第１電極部１６ａが第２電極部１６ｂに覆われていない箇所を示す。尚、接地電極１６のパターンについては適宜変形することが可能である。

また、基板内電極１７は、第１実施形態の基板内電極７と異なるパターンを有する第１内部電極部１７ａおよびビア部１７ｂをそなえる。第１内部電極部１７ａの幅は第１実施形態の場合よりも広く、例えば図４（ｃ），図４（ｄ）に示すように、信号電極５を挟む両接地電極１６の距離よりも長くなるように形成される。又、第１接続部の一例であるビア部１７ｂは、第１内部電極部１７ａの幅方向の両縁に沿って、又、上方の接地電極１６と第１内部電極部１７ａとが導通されるように、複数本が形成される点は、ビア部７ｂと同様である。

しかし、分岐導波路部３ｃを挟んで対向することとなるビア部１７ｂどうしの間隔については、上述の幅広の第１内部電極部１７ａの幅に相当することとなるので、第１実施形態の場合よりも間隔は広がっている。従って、分岐導波路部３ｃとビア部１７ｂとの距離を第１実施形態の場合よりも離すことができる。これにより、信号電極５からの電気力線が分岐導波路部３ｃに集中させる度合いをより高め（結晶Ｚ軸成分の電界成分を大きくでき)、電界印加効率がより高められることを可能にする。

また、第１内部電極部１７ａを金属のものとすることで、電極の導電率が導電性結晶材料よりも大きくなるので、導体損失を低減させることが可能であるといえる。そして、導体損失が低減されると、変調効率が高くなるので駆動電圧を小さくすることができる。
このように、第２実施形態においても、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。

〔Ｃ〕第３実施形態の説明
図５（ａ）〜図５（ｄ）は第３実施形態を示す図であり、この図５（ａ）〜図５（ｄ）において、２０は光導波路デバイスである。尚、図５（ａ）は光導波路デバイス２０の上面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の部分的拡大図であり、図５（ｃ）は図５（ｂ）のＡ断面図であり、図５（ｄ）は図５（ｂ）のＢ断面図である。

図５（ａ）〜図５（ｄ）に示す光導波路デバイス２０は、第２実施形態における光導波路デバイス１０と比較して、光変調器として適用できる点などは同様であるが、基板内電極２７が異なっている。尚、図中、図４（ａ）〜図４（ｄ）と同一の符号は、ほぼ同様の部分を示している。
基板内電極２７は、第２実施形態の基板内電極１７と異なるパターンを有する第１内部電極部２７ａおよびビア部２７ｂをそなえる。第１内部電極部２７ａは、光伝搬方向の上流側および下流側の端部２７ａ−１については前述の第２実施形態の電極１７と同等の幅を有しているが、端部２７ａ−１の間の中流部２７ａ−２については幅が狭められている。換言すれば、第１内部電極部２７ａは、分岐導波路部３ｃにおける光伝搬方向の上流側から下流側の両端位置の幅を他の位置の幅よりも幅広にするパターンを有している。

ビア部２７ｂは、上述の端部２７ａ−１の両縁に沿って複数個が形成されて、第１内部電極部２７ａおよび接地電極１６を導通させることができるようになっている。そして、光伝搬方向について左右に幅が広がる端部２７ａ−１に接続されるビア部１７ｂどうしの距離は、第２実施形態の場合と同様に接地電極１６の対向領域の距離に対応させることができる。これにより、第２実施形態の場合と同様に、信号電極５からの電気力線が分岐導波路部３ｃに集中させる度合いをより高め（結晶Ｚ軸成分の電界成分を大きくでき)、電界印加効率をより高められることを可能にする。

また、第１内部電極部２７ａを金属のものとすることで、電極の導電率が導電性結晶材料よりも大きくなるので、導体損失を低減させることが可能であるといえる。そして、導体損失が低減されると、変調効率が高くなるので駆動電圧を小さくすることができる。
このように、第３実施形態においても、前述の各実施形態の場合と同様に、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。

〔Ｄ〕第４実施形態の説明
図６（ａ）〜図６（ｄ）は第４実施形態を示す図であり、この図６（ａ）〜図６（ｄ）において、３０は光導波路デバイスである。尚、図６（ａ）は光導波路デバイス３０の上面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の部分的拡大図であり、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＡ断面図であり、図６（ｄ）は図６（ｂ）のＢ断面図である。

図６（ａ）〜図６（ｄ）に示す光導波路デバイス３０は、前述の各実施形態における光導波路デバイスと比較して、光変調器として適用できる点などは同様であるが、基板内電極３７が異なっている。尚、図中、既述の符号と同一の符号は、ほぼ同様の部分を示している。
基板内電極３７は、前述の各実施形態の基板内電極と異なるパターンを有する第１内部電極部３７ａをそなえているが、ビア部１７ｂについては第２実施形態におけるものと基本的に同様である。第４実施形態における第１内部電極部３７ａは、第２実施形態における第１内部電極部１７ａに比して、ビア部１７ｂが接続されていない箇所にについて幅が狭くなるように形成される。換言すれば、第１内部電極部３７ａは、分岐導波路部３ｃにおける下部位置に幹部３７ａ−１をそなえるとともに光伝搬方向に対して左右に櫛枝部３７ａ−２を有する櫛型のパターンを有している。尚、本例においては、第１内部電極部３７ａにおける光伝搬方向の上流側および下流側の端部に形成される櫛枝部３７ａ−２について、図６（ａ）に示すように、他の櫛枝部３７ａ−２に比して比較的太く形成することができる。

そして、第１接続部の一例である一つのビア部（導通ビア）１７ｂは、第１内部電極部３７ａにおける櫛枝部３７ａ−２の一つに接続されて、第１内部電極部３７と接地電極１６とを導通させる。又、ビア部１７ｂについては、前述の第２実施形態の場合と同様に、櫛枝部３７ａ−２に対応して複数そなえることができ、この場合には、各ビア部１７ｂは、図６（ｃ）に示すように、一つの櫛枝部３７ａ−２の枝先において接続される形状とすることができる。

したがって、ビア部１７ｂは、第１内部電極部３７ａおよび接地電極１６を導通させることができるようになっている。そして、左右に分かれる櫛枝部３７ａ−２に接続されるビア部１７ｂどうしの距離は、第２，第３実施形態の場合と同様に接地電極１６の対向領域の距離に対応させることができる。これにより、第２，第３実施形態の場合と同様に、信号電極５からの電気力線が分岐導波路部３ｃに集中させる度合いを高め（結晶Ｚ軸成分の電界成分を大きくでき)、電界印加効率をより高められることを可能にする。

また、第１内部電極部３７ａを金属のものとすることで、電極の導電率が導電性結晶材料よりも大きくなるので、導体損失を低減させることが可能であるといえる。そして、導体損失が低減されると、変調効率が高くなるので駆動電圧を小さくすることができる。
このように、第４実施形態においても、前述の各実施形態の場合と同様に、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。

〔Ｅ〕第５実施形態の説明
図７（ａ）〜図７（ｄ）は第５実施形態を示す図であり、この図７（ａ）〜図７（ｄ）において、４０は光導波路デバイスである。尚、図７（ａ）は光導波路デバイス４０の上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の部分的拡大図であり、図７（ｃ）は図７（ｂ）のＡ断面図であり、図７（ｄ）は図７（ｂ）のＢ断面図である。

図７（ａ）〜図７（ｄ）に示す光導波路デバイス４０は、前述の第２実施形態における光導波路デバイス１０と比較して、光変調器として適用できる点などは同様であるが、光導波路３の例えば分岐導波路部３ｃをリッジ導波路としている点が異なっている。即ち、図７（ｃ），図７（ｄ）に示すように、例えば分岐導波路部位３ｃの両側に溝２ａを形成して、分岐導波路部３ｃをリッジ導波路としている。

分岐導波路部３ｃをリッジ導波路とすることにより、光導波路３ｃ内での光の閉じ込めを促進させながら、信号電極５からの電気力線が分岐導波路部３ｃに集中させる度合いを高め、電界印加効率をより高められることを可能にする。
このように、第５実施形態においても、前述の各実施形態の場合と同様に、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。

なお、第５実施形態においては、第２実施形態における光導波路デバイス１０の光導波路３にリッジ導波路を含む構成としているが、他の実施形態における光導波路３においてにリッジ導波路を含む構成としてもよい。
〔Ｆ〕第６実施形態の説明
図８（ａ）〜図８（ｄ）は第６実施形態を示す図であり、この図８（ａ）〜図８（ｄ）において、５０は光導波路デバイスである。尚、図８（ａ）は光導波路デバイス５０の上面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）の部分的拡大図であり、図８（ｃ）は図８（ｂ）のＡ断面図であり、図８（ｄ）は図８（ｂ）のＢ断面図である。

図８（ａ）〜図８（ｄ）に示す光導波路デバイス５０は、前述の各実施形態における光導波路デバイスと光変調器として適用できる点などは同様であるが、異なる接地電極５６および基板内電極５７をそなえている。尚、図中、既述の符号と同一の符号は、ほぼ同様の部分を示している。
ここで、接地電極５６については、基板２の側面に形成されている。本例においては、基板２の長手方向に沿った基板２の長側面の一方に、分岐導波路部３ｃにおける光伝搬方向の上流側から下流側にわたって形成される。更に、基板内電極５７は、信号電極５が基板２の表面Ｓ１に対し垂直方向の電界を与える面に対応する面領域を有する第２内部電極部５７ａとともに、第２内部電極部５７ａおよび接地電極５６を電気的に接続する第２接続部の一例である複数の枝部５７ｂをそなえている。

複数の枝部５７ｂは、分岐導波路部３ｃにおける光伝搬方向の上流側および下流側に対応する両端部にわたり、間隔を置いて、第２内部電極部５７ａから接地電極５６が形成される側面箇所まで延在して形成されている。尚、図８（ｂ）におけるＡ断面は、図８（ｃ）に示すように枝部５７ｂが形成されていない断面に対応するが、図８（ｂ）におけるＢ断面は、図８（ｄ）に示すように枝部５７ｂが形成されている断面に対応している。

このように構成される光導波路デバイス５０においても、基板内電極５７は、前述の第１実施形態の場合と同様、当該基板内電極５７を形成すべき箇所について空洞を形成し（図２（ａ）〜図２（ｃ）参照）、ついで、形成した空洞に基板内電極５７のための金属を充填し（図２（ｄ），図２（ｅ））、その後、基板２の表面Ｓ１に電極５を、側面に電極５６を、それぞれ形成することにより製造することができる。

なお、図８（ｃ），図８（ｄ）に示すように、基板内電極５７に金属を充填する際に、基板２の内部に充填される金属の一部が側面に露出した部分５６ａを形成することができる。この箇所５６ａについては、接地電極５６の一部の要素として構成することができる。即ち、この場合には、上述の金属充填後に、当該箇所５６ａを覆うパターンを有する電極層５６ｂを形成することで、接地電極５６を形成することができる。

上述のごとき光導波路デバイス５０においても、接地電極５６に電気的に接続された第２内部電極部５７ａと、信号電極５と、が、分岐導波路部３ｃを挟んで対抗する面を有している。
このため、コプレーナ電極構造と比較すると、信号電極５および第１内部電極部５７ａに与えられる電位差によって生じる電気力線のうち、分岐導波路部３ｃを表面Ｓ１について垂直な方向で通過するものをより集中させることができる。換言すれば、垂直な方向で通過する電気力線の本数を多くすることができる。これにより、駆動電圧の印加効率を改善できる。そして、駆動電圧の印加効率の改善により、必要な屈折率変化を生じさせるために要する電力についても抑制させることができる。

また、第２内部電極部５７ａを金属のものとすることで、電極の導電率が導電性結晶材料よりも大きくなるので、導体損失を低減させることが可能であるといえる。そして、導体損失が低減されると、変調効率が高くなるので駆動電圧を小さくすることができる。
このように、第６実施形態においても、前述の各実施形態の場合と同様に、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。

〔Ｇ〕第７実施形態の説明
図９（ａ）〜図９（ｄ）は第７実施形態を示す図であり、この図９（ａ）〜図９（ｄ）において、６０は光導波路デバイスである。尚、図９（ａ）は光導波路デバイス５０の上面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の部分的拡大図であり、図９（ｃ）は図９（ｂ）のＡ断面図であり、図９（ｄ）は図９（ｂ）のＢ断面図である。

図９（ａ）〜図９（ｄ）に示す光導波路デバイス６０においても、光変調器として適用でき、前述の第６実施形態における光導波路デバイス５０と同様の接地電極５６を有するが、光導波路デバイス５０とは異なる基板内電極６７をそなえている。尚、図中、既述の符号と同一の符号は、ほぼ同様の部分を示している。
ここで、基板内電極６７は、信号電極５が基板２の表面Ｓ１に対し垂直方向の電界を与える面に対応する面領域を有する第２内部電極部６７ａとともに、第２内部電極部６７ａおよび接地電極５６を電気的に接続する第２接続部の一例である延在電極部６７ｂをそなえている。

延在電極部６７ｂは、基板内電極６７の一部として第２内部電極部６７ａとともに形成された延在領域であって、分岐導波路部３ｃにおける光伝搬方向の上流側および下流側にわたる箇所に、第２内部電極部６７ａから接地電極５６が形成される側面箇所まで延在して形成されている。
第７実施形態においても、基板２の内部に設けられた金属からなる基板内電極６７をそなえているので、前述の各実施形態の場合と同様に、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。

〔Ｈ〕第８実施形態の説明
図１０は第８実施形態における光導波路デバイス７０の断面図である。この光導波路デバイス７０は、基板７２，光導波路７３，電極７５，７６および基板内電極７７ａ，７７ｂを含む。基板７２は、電気光学結晶の一例であるＬＮからなり、前述の各実施形態と異なり、第１表面Ｓ１に対して水平方向の電界変化が光導波路７３の屈折率変化をもたらすようになっている。具体的には、ＬＮ基板７２はＸカットのものが用いることができる。

光導波路７３は、基板７２の第１表面Ｓ１に設けられ、一例として前述の各実施形態の場合と同様のマッハツェンダ型干渉計のパターンを適用することが可能である。この場合には、光導波路デバイス７０は前述の各実施形態の場合と同様に光変調器として適用できる。尚、光導波路７３のパターンは一例であり、他のパターンを採用することも可能である。

さらに、電極７５，７６は、基板７２のＳ１表面の上部に形成されて、光導波路７３に対し作用するように形成される。例えば、電極７５を信号電極とし電極７６を接地電極（ＧＮＤ）とすることができる。この場合には、電極７５，７６については光導波路７３の上部を隔てて間隔を置いて形成される。
また、電極７５は、金属層である第２電極部７５ｂと、第２電極部７５ｂに接続された第１電極部７５ａと、をそなえる。第１電極部７５ａは、基板内電極７７ａと当該電極７５をなす第２電極部７５ｂとの電気的導通を図るためのものであり、前述の図２に示す第１電極部６ａと同様に、後述の基板内電極７７ａと一体として形成することができる。

同様に、電極７６は、金属層である第２電極部７６ｂと、第２電極部７６ｂに接続された第１電極部７６ａと、をそなえる。第１電極部７６ａは、基板内電極７７ｂと当該電極７６をなす第２電極部７６ｂとの電気的導通を図るためのものであり、前述の図２に示す第１電極部６ａと同様に、基板内電極７７ｂと一体として形成することができる。
なお、７４は基板７２と電極７５，７６との間に積層されるバッファ層である。

基板内電極７７ａ，７７ｂは、例えば銅などの金属からなり、前述の図２の例示に準じて、当該基板内電極７７ａ，７７ｂとすべき基板７２の内部領域に空洞を形成するとともに、形成された空洞に材質となる金属（例えば銅など）が充填されて形成される。
このとき、基板内電極７７ａ，７７ｂを形成するための金属の充填と併せて、基板７２の表面に充填する金属を露出させる箇所を形成することにより、当該箇所を第１電極部７６ａ，７６ｂとすることができる。

これにより、基板内電極７７ａ，７７ｂは、それぞれ、電極７５，７６と導通させることができるようになっている。電極７５を信号電極とし電極７６を接地電極とする場合には、基板内電極７７ａ，７７ｂには、それぞれ、信号電極７５，接地電極７６からの電圧を印加することができる。
また、光導波路７３を前述の各実施形態にて例示したマッハツェンダ干渉計のパターンとする場合には、基板内電極７７ａ，７７ｂは、２つの分岐導波路部（符号３ｃ，３ｄ）の例えば一方（符号３ｃ参照）を挟むように間隔を置いて形成することができる。この場合においては、基板内電極７７ａは、電極７５と協働して、分岐導波路部３ｃに電界を印加するための進行波電極として動作させることができ、一端から送信データに従う高周波電気信号を供給するとともに他端は終端するようにしてもよい。

ここで、基板内電極７７ａ，７７ｂは、基板７２の第１表面Ｓ１に対して垂直方向の面を有して対向するとともに、光導波路７３を挟むように形成される。換言すれば、基板内電極７７ａ，７７ｂは、一対の第３内部電極部の一例である。これにより、基板内電極７７ａ，７７ｂ間に挟まれる光導波路７３には、当該基板内電極７７ａ，７７ｂ間に印加される電圧に応じて、基板７２に対して水平方向の電気力線を発生させることができる。

たとえば、基板内電極７７ａ，７７ｂを有さずに信号電極７５，７６をそなえる電極構造と比較すると、信号電極７５および接地電極７６は、基板７２の上部に形成されるので、電圧印加によって基板表面Ｓ１に平行な面間で電気力線が発生することになる。従って、この場合に発生する基板７２の表面Ｓ１に対して水平な電界強度の大きさは、表面Ｓ１に対して垂直方向の面を有して対向する基板内電極７７ａ，７７ｂが形成される場合に比べると、同等の駆動電圧のもとでは制限されることが想定できる。

すなわち、基板内電極７７ａ，７７ｂにより、電極７５，７６間に与えられる電位差によって生じる電気力線のうち、光導波路７３を表面Ｓ１について平行な方向で通過するものをより集中させることができる。換言すれば、基板表面Ｓ１に水平な方向で通過する電気力線の本数を多くすることができる。これにより、駆動電圧の印加効率を改善できる。そして、駆動電圧の印加効率の改善により、必要な屈折率変化を生じさせるために要する電力についても抑制させることができる。

また、本例の第１電極部７５ａ，７６ａは、それぞれ、第２電極部７５ｂ，７６ｂの形成領域から光導波路７３の上部側に延在して形成される部分を含む。これにより、信号電極７５および接地電極７６の間の距離を離した場合においても、光導波路７３を挟む基板内電極７７ａ，７７ｂの間隔を狭めて形成することが可能になる。第１電極部７５ａ，７６ｂの延在領域が、電極７５，７６と対応する基板内電極７７ａ，７７ｂとの橋渡しとなるからである。

さらに、基板内電極７７ａ，７７ｂを金属のものとすることで、電極の導電率が導電性結晶材料よりも大きくなるので、前述の各実施形態の場合と同様に、導体損失を低減させることが可能であるといえる。そして、導体損失が低減されると、変調効率が高くなるので駆動電圧を小さくすることができる。
このように、第８実施形態においても、前述の各実施形態の場合と同様に、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。

〔Ｉ〕第９実施形態の説明
図１１は第９実施形態における光導波路デバイス８０の断面図である。第９実施形態における光導波路デバイス８０は、第８実施形態における光導波路デバイス７０に比して、光導波路８３が基板７２の内部に形成されている点が異なっているが、その他については基本的に同様である。尚、図１１中において、図１０と同一の符号はほぼ同様の部分を示している。

なお、光導波路デバイス８０の基板内電極７７ａ，７７ｂにおける基板表面Ｓ１に対して垂直な面は、基板７２の内部に形成される光導波路８３に対して、基板表面Ｓ１に水平な電気力線を十分に通過させる大きさを定めることができる。このため、図１１に示す基板内電極７７ａ，７７ｂについては、図１０の場合よりも基板表面Ｓ１から深く空洞を形成するとともに、形成した空洞を金属で充填することとしてもよい。

第９実施形態においても、前述の第８実施形態の場合と同様に、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。
〔Ｊ〕第１０実施形態の説明
図１２は第１０実施形態における光導波路デバイス９０の断面図である。第１０実施形態における光導波路デバイス９０は、第９実施形態における光導波路デバイス８０の変形に相当する。即ち、光導波路デバイス９０は、図１１に示す光導波路デバイス８０とは異なる電極９５，９６および基板内電極９７ａ，９７ｂをそなえている。尚、既述の符号はほぼ同様の部分を示す。

ここで、電極９５，９６は、それぞれ、例えば、信号電極および接地電極として適用することができる。そして、これらの電極９５，９６は、それぞれ、後述の基板内電極９７ａ，９７ｂとともに形成されうる第１電極部９５ａ，９６ａとともに、第１電極部９５ａ，９６ａと電気的に導通する第２電極部９５ｂ、９６ｂをそなえる。図示の第１電極部９５ａ，９６ａは、それぞれ、第２電極部９５ｂ、９６ｂに覆われて電気的に導通される。尚、電極９５，９６のパターンについては適宜変形することが可能である。

また、基板内電極９７ａ，９７ｂは、第１１実施形態の基板内電極７７ａ，７７ｂと異なるパターンを有する。具体的には、基板内電極９７ａ，９７ｂは、それぞれ、第３内部電極部９７ａ−１，９７ｂ−１および接続部９７ａ−２，９７ｂ−２をそなえる。第３内部電極部９７ａ−１，９７ｂ−１は一対をなして、基板７２の第１表面Ｓ１に対して垂直方向の面を有して対向するとともに、光導波路８３を挟むように形成される。

さらに、接続部９７ａ−２は、第３内部電極部９７ａ−１とともに、電極９５をなす第１電極部９５ａと一体に金属で形成される。これにより、第３内部電極部９７ａ−１と電極９５とを電気的に導通させることが可能になる。同様に、接続部９７ｂ−２は、第３内部電極部９７ｂ−１とともに、電極９６をなす第１電極部９６ａと一体に金属で形成される。これにより、第３内部電極部９７ｂ−１と電極９６とを電気的に導通させることが可能になる。

また、図示の第１電極部９５ａ，９６ａは、それぞれ、第２電極部９５ｂ，９６ｂに覆われているので、図１０に示すもの（符号７５ａ，７６ａ）と異なり、延在領域が含まれていない。しかしながら、図１２においては、接続部９７ａ−２，９７ｂ−２をそなえているので、電極９５，９６間の距離が比較的離れている場合においても、一対の第３内部電極部９７ａ−１，９７ｂ−１間の間隔を狭めることができるようになる。

すなわち、基板内電極９７ａ，９７ｂにより、電極９５，９６間に与えられる電位差によって生じる電気力線のうち、光導波路８３を表面Ｓ１について平行な方向で通過するものをより集中させることができる。換言すれば、基板表面Ｓ１に水平な方向で通過する電気力線の本数を多くすることができる。これにより、駆動電圧の印加効率を改善できる。そして、駆動電圧の印加効率の改善により、必要な屈折率変化を生じさせるために要する電力についても抑制させることができる。

このように、第１０実施形態においても、前述の第７，第８実施形態の場合と同様に、駆動電圧を低減して省電力化を実現することができる。
なお、接続部９７ａ−２，９７ｂ−２については、図示の断面図ではＬ字形状を有しているが、他の形状を有することとしてもよい。また、接続部９７ｂ−２の光導波路８３の長手方向に渡る形状については、適宜形成することが可能であり、たとえば、連続する形状としてもよいし、櫛型状に形成することとしてもよい。

〔Ｋ〕その他
上述した実施形態にかかわらず、開示の趣旨を逸脱しない範囲において種々変形することが可能である。
たとえば、第１〜第７実施形態においては、光導波路３を基板２の内部に形成されるようにしてもよい。又、ビア部７ｂ，１７ｂ，２７ｂについては、基板表面Ｓ１に対して垂直な方向に形成されているが、基板表面Ｓ１に対して斜めに形成するようにしてもよい。

さらに、上述の各実施形態において、基板２の第１表面Ｓ１および基板２内の双方に光導波路を設けるようにしてもよい。例えば、立体交差導波路等を形成する場合においては、第１表面Ｓ１とともに基板２内に光導波路が設けられるようになる。この場合においては、基板内部の導波路および／又は基板表面の導波路に対して電圧を印加するため、適宜、基板内電極を形成することができる。

また、第８〜第１０実施形態においては、第６，第７実施形態の場合に準じて、信号電極とする電極７５，９５と、接地電極とする電極７６，９６と、を互いに異なる基板面に形成することとしてもよい。
また、上述したように、各実施形態における光導波路デバイス１，１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０を含んで、光変調器として適用できるが、その他、種々の光装置への適用が可能である。

たとえば、参照により組み込まれる文献（土居他，「PMDC 用8ch LiNbO₃ 導波路型偏波制御器＆可変DGD 光回路」，0803信学会総合大会）に記載のような偏波モード分散補償器や偏波スクランブラを、開示の光導波路デバイスを含めて適用することも可能である。又、参照により組み込まれる文献（千葉他，「サブマッハツェンダー構造を持つLiNbO₃光スイッチによる低クロストーク動作」2006 年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会）に記載のような光スイッチを、開示の光導波路デバイスを含めて適用することも可能である。

〔Ｌ〕付記
以上の実施形態に関し、下記の付記を更に開示する。
（付記１）
電気光学効果を有する基板と、
該基板の第１表面および／又は該基板内に設けられた光導波路と、
該基板内部に設けられた金属からなる基板内電極と、をそなえた光導波路デバイス。

（付記２）
該基板は単一の電気光学結晶であり、該基板内電極は、該基板内電極を形成すべき箇所に空洞を形成して、前記形成された空洞に前記金属を充填して形成された、付記１記載の光導波路デバイス。
（付記３）
該基板内電極を形成すべき箇所について超短パルスのレーザ集光照射を行なって、前記箇所についてアモルファス化した後に選択エッチングを行なうことにより、又は、前記箇所についてのアブレーションにより、前記空洞が形成された、付記２記載の光導波路デバイス。

（付記４）
該基板は、該第１表面に対して垂直方向の電界変化が該光導波路の屈折率変化をもたらす、付記１〜３のいずれか１項記載の光導波路デバイス。
（付記５）
該光導波路の上部において、該光導波路に沿って形成された信号電極と、
前記第１表面の上部において該信号電極に間隔を隔てて形成された接地電極と、をそなえ、
該基板内電極は、
該光導波路と該基板の前記第１表面の裏面である第２表面との間に形成された、該信号電極と協働して前記垂直方向の電界を与える第１内部電極部と、
該第１内部電極部および該接地電極を電気的に接続する第１接続部と、をそなえた、付記４記載の光導波路デバイス。

（付記６）
該第１内部電極部は、該光導波路における光伝搬方向の上流側および下流側にわたり、該信号電極の幅よりも幅広に形成されるとともに、
該第１接続部は、該第１内部電極部に接続されて、該第１内部電極部と該接地電極とを導通させる複数の導通ビアを含む、付記５記載の光導波路デバイス。

（付記７）
該接地電極は、該信号電極を挟んで対向する電極領域を含み、
該第１内部電極部の幅は、該信号電極における前記対向する電極領域の間の距離に相当する幅を有し、
かつ、該導通ビアは、該第１内部電極部の幅方向の両縁に沿って形成された、付記６記載の光導波路デバイス。

（付記８）
該第１内部電極部は、
該光導波路における光伝搬方向の上流側から下流側の両端位置の幅を他の位置の幅よりも幅広にするパターンを有し、
該第１接続部は、該第１内部電極部における前記幅広となる領域に接続されて、該第１内部電極部と該接地電極とを導通させる複数の導通ビアを含む、付記５記載の光導波路デバイス。

（付記９）
該第１内部電極部は、
該光導波路における下部に幹部をそなえるとともに光伝搬方向に対して左右に櫛枝部を有する櫛型のパターンを有し、
該第１接続部は、該第１内部電極部における前記櫛枝部に接続されて、該第１内部電極部と該接地電極とを導通させる導通ビアを複数個含む、付記５記載の光導波路デバイス。

（付記１０）
該光導波路は、リッジ導波路である、付記４〜９のいずれか１項記載の光導波路デバイス。
（付記１１）
該光導波路の上部において、該光導波路に沿って形成された信号電極と、
該基板の側面に形成された接地電極と、をそなえ、
該基板内電極は、該信号電極が前記垂直方向の電界を与える面に対応する面領域を有する第２内部電極部とともに、
該第２内部電極部および該接地電極を電気的に接続する第２接続部をそなえた、付記４記載の光導波路デバイス
（付記１２）
該第２接続部は、該基板内電極の一部として該第２内部電極部とともに形成された枝部であって、該光導波路における光伝搬方向の上流側および下流側に対応する両端部にわたり、間隔を置いて、前記第２内部電極部から該接地電極が形成される前記側面箇所まで延在して形成される複数の枝部を含む、付記１１記載の光導波路デバイス。

（付記１３）
該第２接続部は、該基板内電極の一部として該第２内部電極部とともに形成された延在領域であって、該光導波路における光伝搬方向の上流側および下流側にわたる箇所に、該第２内部電極部から該接地電極が形成される前記側面箇所まで延在して形成された延在電極部を含む、付記１１記載の光導波路デバイス。

（付記１４）
該基板は、該第１表面に対して水平方向の電界変化が該光導波路の屈折率変化をもたらす、付記１〜３のいずれか１項記載の光導波路デバイス。
（付記１５）
該基板内電極は、該第１表面に対して垂直方向の面を有して対向するとともに、該光導波路を挟むように形成された一対の第３内部電極部を含む、付記１４記載の光導波路デバイス。

（付記１６）
前記第１表面上において該光導波路の上部を隔てて形成された信号電極および接地電極をそなえ、
前記一対の第３内部電極部のうちの一方は、該信号電極に接続され、前記一対の第３内部電極部のうちの他方が該接地電極に接続された、付記１４記載の光導波路デバイス。

（付記１７）
付記１〜１７のいずれか１項記載の光導波路デバイスを製造する方法であって、
該基板内電極を形成すべき箇所について空洞を形成する工程と、
該空洞に前記金属を充填する工程と、を含む、光導波路デバイスの製造方法。
（付記１８）
該空洞を形成する工程は、
該基板内電極を形成すべき箇所について超短パルスのレーザ集光照射を行なって、前記箇所についてアモルファス化した後に選択エッチングを行なうことにより、又は、前記箇所についてのアブレーションにより、行なう、付記１７記載の光導波路デバイスの製造方法。

（付記１９）
付記１〜１６のいずれか１項記載の光導波路デバイスを含む、光変調器。
（付記２０）
付記１〜１６のいずれか１項記載の光導波路デバイスを含む、偏波モード分散補償器。
（付記２１）
付記１〜１６のいずれか１項記載の光導波路デバイスを含む、光スイッチ。

１，１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０ 光導波路デバイス
２，７２ 基板
２ａ 溝
３，７３，８３ 光導波路
３ａ 入射導波路部
３ｂ 出射導波路部
３ｃ，３ｄ 分岐導波路部
４ バッファ層
５ 信号電極
６，５６ 接地電極
６ａ，１６ａ，７５ａ，７６ａ，９５ａ，９６ａ 第１電極部
６ｂ，１６ｂ，７５ｂ，７６ｂ，９５ｂ，９６ｂ 第２電極部
７，１７，２７，３７，５７，６７，７７ａ，７７ｂ，９７ａ，９７ｂ 基板内電極
７ａ，１７ａ，２７ａ 第１内部電極部
７ｂ，１７ｂ，２７ｂ ビア部（第１接続部）
７ｅ 領域
８ 信号源
９ 終端抵抗
２７ａ−１ 端部
２７ａ−２ 中流部
３７ａ−１ 幹部
３７ａ−２ 櫛枝部
５７ａ，６７ａ 第２内部電極部
５７ｂ 枝部（第２接続部）
６７ｂ 延在電極部（第２接続部）
７３ 光導波路
７５，７６ 電極
９７ａ−１，９７ｂ−１ 第３内部電極部
９７ａ−２，９７ｂ−２ 接続部

Claims (7)

1. 電気光学効果を有する基板と、
   該基板の第１表面および／又は該基板内に設けられた光導波路と、
   該基板内に空洞を形成した後に、該空洞に金属を充填することにより形成された基板内電極と、をそなえ、
   該基板は単一の電気光学結晶であり、該第１表面に対して垂直方向の電界変化が該光導波路の屈折率変化をもたらす、光導波路デバイス。
2. 単一の電気光学結晶であり、且つ、電気光学効果を有する基板と、
   該基板の第１表面および／又は該基板内に設けられた光導波路と、
   該基板内部に設けられた金属からなる基板内電極と、
   該光導波路の上部において、該光導波路に沿って形成された信号電極と、
   前記第１表面の上部において該信号電極に間隔を隔てて形成された接地電極と、をそなえ、
   該基板は、該第１表面に対して垂直方向の電界変化が該光導波路の屈折率変化をもたらし、
   該基板内電極は、
   該光導波路と該基板の前記第１表面の裏面である第２表面との間に形成された、該信号電極と協働して前記垂直方向の電界を与える第１内部電極部と、
   該第１内部電極部および該接地電極を電気的に接続する第１接続部と、をそなえた、光導波路デバイス。
3. 単一の電気光学結晶であり、且つ、電気光学効果を有する基板と、
   該基板の第１表面および／又は該基板内に設けられた光導波路と、
   該基板内部に設けられた金属からなる基板内電極と、
   該光導波路の上部において、該光導波路に沿って形成された信号電極と、
   該基板の側面に形成された接地電極と、をそなえ、
   該基板は、該第１表面に対して垂直方向の電界変化が該光導波路の屈折率変化をもたらし、
   該基板内電極は、
   該信号電極が前記垂直方向の電界を与える面に対応する面領域を有する第２内部電極部と、
   該第２内部電極部および該接地電極を電気的に接続する第２接続部と、をそなえた、光導波路デバイス。
4. 請求項１〜３のいずれか１項記載の光導波路デバイスを製造する方法であって、
   該基板内電極を形成すべき箇所について空洞を形成する工程と、
   該空洞に前記金属を充填する工程と、を含む、光導波路デバイスの製造方法。
5. 請求項１〜３のいずれか１項記載の光導波路デバイスを含む、光変調器。
6. 請求項１〜３のいずれか１項記載の光導波路デバイスを含む、偏波モード分散補償器。
7. 請求項１〜３のいずれか１項記載の光導波路デバイスを含む、光スイッチ。

Images