JPH0590696A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH0590696A JPH0590696A JP24814991A JP24814991A JPH0590696A JP H0590696 A JPH0590696 A JP H0590696A JP 24814991 A JP24814991 A JP 24814991A JP 24814991 A JP24814991 A JP 24814991A JP H0590696 A JPH0590696 A JP H0590696A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- modulator
- layer
- insulating film
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 DFB レーザ／光変調器の集積化光源に関し，
集積化光源の高速変調特性の向上を目的とする。 【構成】 半導体基板１上に形成されたレーザ／光変調
器の集積化光源であって，レーザ側は活性層の両側の埋
込層９がエッチング除去されてメサ状に形成され，該メ
サを覆い且つ活性層上が開口された第１の絶縁膜１１上
に上部電極１３が形成され，変調器側は吸収層上が開口
され且つ該第１の絶縁膜１１より厚い第２の絶縁膜１２
上に上部電極１４が形成され，該基板裏面に下部共通電
極１５が形成されているように構成する。
集積化光源の高速変調特性の向上を目的とする。 【構成】 半導体基板１上に形成されたレーザ／光変調
器の集積化光源であって，レーザ側は活性層の両側の埋
込層９がエッチング除去されてメサ状に形成され，該メ
サを覆い且つ活性層上が開口された第１の絶縁膜１１上
に上部電極１３が形成され，変調器側は吸収層上が開口
され且つ該第１の絶縁膜１１より厚い第２の絶縁膜１２
上に上部電極１４が形成され，該基板裏面に下部共通電
極１５が形成されているように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光装置に係り，
特に分布帰還型(DFB) レーザ／光変調器の集積化光源に
関する。
特に分布帰還型(DFB) レーザ／光変調器の集積化光源に
関する。
【０００２】DFB レーザ／光変調器の集積化光源は, 超
高速光通信用光源として非常に有望視されている。
高速光通信用光源として非常に有望視されている。
【０００３】
【従来の技術】高抵抗埋込層付きのDFB レーザ／光変調
器の集積化光源における高速変調特性はDFB レーザ側は
数GHz であり，一方変調器側で10数GHz 程度である。
器の集積化光源における高速変調特性はDFB レーザ側は
数GHz であり，一方変調器側で10数GHz 程度である。
【０００４】図２(A),(B) はそれぞれDFB レーザおよび
光変調器の高速変調特性を示す図である。図は光出力の
周波数依存を示し,光出力が３dB低下する周波数はレー
ザ側は数GHz であり，変調器側で10数GHz 程度である。
光変調器の高速変調特性を示す図である。図は光出力の
周波数依存を示し,光出力が３dB低下する周波数はレー
ザ側は数GHz であり，変調器側で10数GHz 程度である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】変調器側の周波数特性
が10数GHz 程度であっても, レーザ側の周波数特性が数
GHz 程度であるため，この数GHz の周波数で変調器とレ
ーザとの間で共振を起こし, 図３に示される集積化光源
全体の周波数特性において，共振周波数でディップが観
測されることがある。
が10数GHz 程度であっても, レーザ側の周波数特性が数
GHz 程度であるため，この数GHz の周波数で変調器とレ
ーザとの間で共振を起こし, 図３に示される集積化光源
全体の周波数特性において，共振周波数でディップが観
測されることがある。
【０００６】集積化光源全体の周波数特性において，共
振周波数で光出力が逆に増加する場合もあるが，図のよ
うにディップが生ずる場合は共振周波数付近での変調は
出来なくなり，集積化光源全体の高周波特性が悪くな
る。
振周波数で光出力が逆に増加する場合もあるが，図のよ
うにディップが生ずる場合は共振周波数付近での変調は
出来なくなり，集積化光源全体の高周波特性が悪くな
る。
【０００７】本発明はDFB レーザ／光変調器の集積化光
源の高速変調特性の向上を目的とする。
源の高速変調特性の向上を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，半導
体基板上に形成されたレーザ／光変調器の集積化光源で
あって，レーザ側は活性層の両側の埋込層がエッチング
除去されてメサ状に形成され，該メサを覆い且つ活性層
上が開口された第１の絶縁膜上に上部電極が形成され，
変調器側は吸収層上が開口され且つ該第１の絶縁膜より
厚い第２の絶縁膜上に上部電極が形成され，該基板裏面
に下部共通電極が形成されている半導体発光装置により
達成される。
体基板上に形成されたレーザ／光変調器の集積化光源で
あって，レーザ側は活性層の両側の埋込層がエッチング
除去されてメサ状に形成され，該メサを覆い且つ活性層
上が開口された第１の絶縁膜上に上部電極が形成され，
変調器側は吸収層上が開口され且つ該第１の絶縁膜より
厚い第２の絶縁膜上に上部電極が形成され，該基板裏面
に下部共通電極が形成されている半導体発光装置により
達成される。
【０００９】
【作用】変調器側とレーザ側との共振をなくするため
に，レーザ側の周波数特性を極端に良くするか，または
極端に悪くすればよい。
に，レーザ側の周波数特性を極端に良くするか，または
極端に悪くすればよい。
【００１０】極端に良くするにはレーザ自体の性能を上
げる必要があり，これは構造的にかなり難しいことであ
る。一方反対に，極端に悪くするには，レーザ側の寄生
容量を大きくする等の方法がある。
げる必要があり，これは構造的にかなり難しいことであ
る。一方反対に，極端に悪くするには，レーザ側の寄生
容量を大きくする等の方法がある。
【００１１】レーザ側の寄生容量を大きくすると周波数
特性が悪くなるため，変調器側との共振がなくなる。そ
の結果，集積化光源の周波数特性は変調器の周波数特性
のみに依存し，10数GHz までのびることになる。
特性が悪くなるため，変調器側との共振がなくなる。そ
の結果，集積化光源の周波数特性は変調器の周波数特性
のみに依存し，10数GHz までのびることになる。
【００１２】
【実施例】図１ (A)〜(C) は本発明の実施例の説明図で
ある。図１(A) は長手方向の断面図である。
ある。図１(A) は長手方向の断面図である。
【００１３】図において，１はn-InP 基板，２はレーザ
の回折格子，３は光ガイド層で厚さ0.1 〜0.2 μｍのn-
InGaAsP(λ＝1.1 μｍ) 層, ４はレーザの活性層で厚さ
0.1μｍ以下のInGaAsP(λ＝1.55μｍ) 層,５は変調器の
吸収層で厚さ0.1 μｍ以下のInGaAsP(λ＝1.41〜1.43μ
ｍ) 層, ６はクラッド層で厚さ 1〜2 μｍのp-InP層,
７，８はコンタクト層で厚さ0.5 μｍのp-InGaAsP 層，
９は埋込層でp-InP層，10は電流制限層でn-InP, 11は
レーザ側の絶縁膜でSiO2膜, 12は変調器側の厚い絶縁膜
でポリイミド膜, 13はレーザの上部電極, 14は変調器の
上部電極でTi/Pt 膜, 15は共通下部電極でAuGe/Au 膜で
ある。
の回折格子，３は光ガイド層で厚さ0.1 〜0.2 μｍのn-
InGaAsP(λ＝1.1 μｍ) 層, ４はレーザの活性層で厚さ
0.1μｍ以下のInGaAsP(λ＝1.55μｍ) 層,５は変調器の
吸収層で厚さ0.1 μｍ以下のInGaAsP(λ＝1.41〜1.43μ
ｍ) 層, ６はクラッド層で厚さ 1〜2 μｍのp-InP層,
７，８はコンタクト層で厚さ0.5 μｍのp-InGaAsP 層，
９は埋込層でp-InP層，10は電流制限層でn-InP, 11は
レーザ側の絶縁膜でSiO2膜, 12は変調器側の厚い絶縁膜
でポリイミド膜, 13はレーザの上部電極, 14は変調器の
上部電極でTi/Pt 膜, 15は共通下部電極でAuGe/Au 膜で
ある。
【００１４】ここで，上記４元半導体InGaAsP の組成は
波長表示をした。なお，最近では埋込層９，電流制限層
10の代わりに高抵抗InP 層をメサの両側に埋め込んでい
る。
波長表示をした。なお，最近では埋込層９，電流制限層
10の代わりに高抵抗InP 層をメサの両側に埋め込んでい
る。
【００１５】図１(B) はレーザ側の横方向の断面図であ
る。レーザ側は埋込層を基板までメサエッチングして，
その上に, 活性層上部を幅10μｍ程度に開口した厚さ0.
5 μｍのSiO2膜11を介して幅 250μｍ程度の上部電極13
が形成される。
る。レーザ側は埋込層を基板までメサエッチングして，
その上に, 活性層上部を幅10μｍ程度に開口した厚さ0.
5 μｍのSiO2膜11を介して幅 250μｍ程度の上部電極13
が形成される。
【００１６】このようにしてレーザの寄生容量を大きく
して，変調器側との共振を防いでいる。図１(C) は変調
器側の横方向の断面図である。
して，変調器側との共振を防いでいる。図１(C) は変調
器側の横方向の断面図である。
【００１７】変調器側はレーザ側とは逆に，吸収層上部
を幅10μｍ程度に開口したSiO2膜11および厚さ３μｍの
ポリイミド膜12を介して幅 250μｍ程度の上部電極14が
形成される。
を幅10μｍ程度に開口したSiO2膜11および厚さ３μｍの
ポリイミド膜12を介して幅 250μｍ程度の上部電極14が
形成される。
【００１８】このようにして変調器の寄生容量を小さく
して，周波数特性を良くしている。
して，周波数特性を良くしている。
【００１９】
【発明の効果】本発明はDFB レーザ／光変調器の集積化
光源において，レーザ／光変調器相互の共振を防止し
て，高速変調特性を向上させることができた。
光源において，レーザ／光変調器相互の共振を防止し
て，高速変調特性を向上させることができた。
【図１】 本発明の実施例の説明図
【図２】 DFB レーザおよび光変調器の高速変調特性を
示す図
示す図
【図３】 集積化光源全体の周波数特性を示す図
１ n-InP 基板 ２ レーザの回折格子 ３ 光ガイド層でn-InGaAsP(λ＝1.1 μｍ) 層 ４ レーザの活性層でInGaAsP(λ＝1.55μｍ) 層 ５ 変調器の吸収層でInGaAsP(λ＝1.41〜1.43μｍ) 層 ６ クラッド層でp-InP 層 ７，８ コンタクト層で厚さ0.5 μｍのp-InGaAsP 層 ９ 埋込層でp-InP 層 10 電流制限層でn-InP 11 レーザ側の絶縁膜でSiO2膜 12 変調器側の絶縁膜でポリイミド膜 13 レーザの上部電極 14 変調器の上部電極 15 共通下部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成されたレーザ／光変
調器の集積化光源であって，レーザ側は活性層の両側の
埋込層がエッチング除去されてメサ状に形成され，該メ
サを覆い且つ活性層上が開口された第１の絶縁膜上に上
部電極が形成され，変調器側は吸収層上が開口され且つ
該第１の絶縁膜より厚い第２の絶縁膜上に上部電極が形
成され，該基板裏面に下部共通電極が形成されているこ
とを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24814991A JPH0590696A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24814991A JPH0590696A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590696A true JPH0590696A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17173951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24814991A Withdrawn JPH0590696A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590696A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6773943B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-08-10 | Sony Corporation | Display unit and method of fabricating the same |
| JP2017092199A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザーおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24814991A patent/JPH0590696A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6773943B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-08-10 | Sony Corporation | Display unit and method of fabricating the same |
| JP2017092199A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザーおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |