JP5458893B2 - ガラス、発光装置用の被覆材および発光装置 - Google Patents

ガラス、発光装置用の被覆材および発光装置 Download PDF

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Description

本発明は、ガラスに関し、特に、発光ダイオード(LED)装置等の発光装置用の被覆材として使用されるガラスに関する。
従来より発光ダイオード(LED)装置において、LED素子と該LED素子を担持する基板とを封止、被覆する被覆材として、樹脂等の有機材料が使用されている。しかしながら、樹脂製の被覆材は、装置稼働時に生じる熱、光および/または環境中の水分による劣化を受け易く、寿命が短いという問題があり、樹脂製の被覆材に代わる安定な代替材料に対して強い要望がある。
このような問題を軽減し得る、熱、光および/または環境中の水分に対して安定な代替材として、ガラス製の被覆材が考えられる。しかしながら、従来の一般的なガラス製被覆材では、ガラスの軟化点上の制約から、500℃程度またはそれ以上の被覆処理温度が必要となる。LED装置を構成する各種部品にとって、このような高温による被覆処理は、信頼性の観点からは好ましくない。このため、ガラスを被覆材として適用するためには、500℃未満の被覆処理温度で被覆処理を行うことが可能なガラスが必要となる。
なお、被覆処理温度が400℃〜430℃の、陰極線管(CRT)封止用のP−SnO系ガラスを開示している特許文献1がある。
特開平7−69672号公報
前述のように、特許文献1は、CRT封止(ガラスパネルとガラスファンネルとの封止)を目的としている。そのため、特許文献1のガラスは、ガラスの強度を最重要視して組成を決定している。つまり、特許文献1のガラスは、ガラス転移点(Tg)を250〜275℃まで低下させ、意図的に、ガラスを結晶化させることにより、その強度を得るようにしている。すなわち、特許文献1は、結晶化を犠牲にして、強度の向上を図っている。
また、特許文献1のガラスは、CRTという封止対象物の面積が大きいものを想定して組成を決定している。そのため、封止温度での粘性を下げる必要があり、意図的に、ガラス転移点(Tg)を下げている。
しかしながら、特許文献1のガラスでは、LED装置のような小型の発光装置の被覆材としては不適である。理由の一つとしては、大型装置の被覆材としてのガラスでは問題とならない結晶は、小型装置の被覆材としてのガラス(特に、発光装置の被覆材としてのガラス)では、光取り出し効率を低下させるという致命的な問題になり得るからである。つまり、特許文献1のガラスでは、ガラスに発生したわずかな結晶でも、被覆材としてのガラスは小さいため、その結晶が発光装置の発した光の進行を妨げ、発光装置の光量を低下させてしまう。また、他の理由としては、大型装置の被覆材としてのガラスでは問題とならない粘性は、小型装置の被覆材としてのガラスでは、製造の作業効率を低下させるという問題につながり得るからである。つまり、特許文献1のガラスでは、ガラスの粘度が低く、小型装置上に流動化したガラスが留まりにくく、所望の厚さで封止しにくい。
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、400℃以下の被覆処理温度での被覆が可能であるとともに、長期にわたって劣化、変質が生じ難いガラスを提供することを目的とする。
また、そのようなガラスで構成された発光装置用の被覆材、さらにはそのような被覆材を有する発光装置を提供することを目的とする。
本発明では、酸化物基準のmol%表示で、
27%〜33%のP
50%〜70%のSnO、
0〜10%のZnO、
0.5%〜5%のCaO、
0〜5%のB
0〜3%のGa
0〜3%のIn、および
0〜3%のLa
を含むことを特徴とするガラスが提供される。
ここで、ガラスとしては、酸化物基準のmol%表示で、52%〜63%のSnO、かつP+SnOを合計で85%〜92%含有することが好ましい。
さらに、Pの含有量は、酸化物基準のmol%表示で、27%〜30%であることが好ましい。
また、CaOの含有量は、酸化物基準のmol%表示で、3%〜5%であることが好ましい。
さらに、本発明は、ベース基板上に配置された光学素子と、該光学素子を被覆する被覆材とを有する発光装置であって、前記被覆材は、前述のガラスで構成されている発光装置である。
本発明では、400℃以下の被覆処理温度での透明なガラス被覆が可能であるとともに、長期にわたって劣化、変質が生じ難いガラスを提供することが可能となる。また、そのようなガラスで構成された発光装置用の被覆材、さらにはそのような被覆材を有する発光装置を提供することが可能となる。
本発明によるガラスのDTA測定結果の一例を示したグラフである。 横軸はT(温度、℃)であり、縦軸は、Te(熱起電力、μV)である。 本発明による発光装置の断面の一例を示した図である。 DTAデータからガラス転移温度(Tg)を求める際の操作を模式的に示した図である。横軸はT(温度、℃)であり、縦軸は、Te(熱起電力、μV)である。
符号の説明
1 LED装置
100 発光部
101 素子用基板
102 LED素子
103 正極
104 負極
110 被覆部
115 被覆材
120 ベース基板
130a、130b 配線。
本発明の実施形態を、添付した図面を参照にして以下に詳細に説明する。下記の実施形態は、一例として示されたもので、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で、種々の変形をして実施することが可能である。
最初に、本発明のガラスについて説明する。
本発明のガラスは、酸化物基準のmol%表示で、
27%〜33%のP
50%〜70%のSnO、
0〜10%のZnO、
0.5%〜5%のCaO、
0〜5%のB
0〜3%のGa
0〜3%のIn、および
0〜3%のLa
を含むことを特徴とする。
このような本発明によるガラスでは、400℃以下での被覆処理が可能となる。また、本発明によるガラスは、ガラス転温度(Tg)がほぼ285℃〜300℃程度になり、比較的高いという特徴を有する。
一般に、ガラスをLED装置のような発光装置の被覆材として使用した場合、ガラスの軟化点上の制約から、500℃程度またはそれ以上の被覆処理温度が必要となる。しかしながらこのような高温の被覆処理では、発光装置を構成する各部品が熱により損傷し、装置の信頼性が損なわれる恐れがある。
そこで、このような問題に対処するため、400℃程度で被覆処理が可能なP−SnO系のガラス(以下、「従来のガラス」という)が提案されている。しかしながら「従来のガラス」は、ガラス転温度(Tg)が250℃〜275℃の範囲となっている。
確かに、ガラス製の被覆材において、被覆処理の温度を低下させるためには、ガラス転温度(Tg)を低下させることが有効である。しかしながら、P−SnO系のガラスにおいて、ガラス転温度(Tg)の低下が顕著になると、以下のような弊害が生じる。
すなわち、P−SnO系ガラスのガラス転温度(Tg)を低下させるためには、Pの含有量を相対的に多くする必要がある。しかしながら、Pの含有量が多くなるとともに、ガラスの化学的安定性は、低下する。これは、この組成範囲の近傍では、Pが環境中の水分と反応し易くなるからである。特に、Pの含有量が33mol%を超えると、この影響は顕著になる。このような被覆材の化学的安定性の低下の結果、被覆材は、時間とともに劣化、変質する。特に、被覆材が変質により着色(例えば、白色化、黒色化)されると、被覆材の透明性が損なわれ、被覆材が「不透明化」してしまう。
ここで、LED装置のような小型の発光装置の場合、装置内で使用される被覆材は、LED素子からの光放射を妨害しないよう、十分に透明である必要がある。そのため、被覆材に前述のような「不透明化」現象が生じると、その領域がたとえ僅かであっても、LED装置からの光出力は、有意に低下してしまう。
これに対して、本発明によるガラスは、400℃以下での被覆処理が可能であるのみならず、ガラス転温度(Tg)がほぼ285℃〜300℃の範囲で、比較的高いという特徴を有する。このようなガラスでは、組成物中のPの含有量が有意に抑制されており(33mol%以下)、化学的安定性の低下が有意に抑制される。従って、ガラスの環境因子(例えば、水分)による劣化および変質の進行、さらには「不透明化」が有意に抑制される。従って、本発明によるガラスでは、長期にわたって適正な透明性を維持することができるという効果が得られる。
また本発明によるガラスは、長期間安定な発光装置の被覆材として使用することができる。また、Tgがほぼ285℃〜300℃の範囲のため、粘性率も高くなり、小型装置の被覆材として最適である。
図1には、本発明によるガラスの示差熱分析(DTA:Differential Thermal Analysis)結果を示す。この測定は、110mgのガラスサンプルを用い、10℃/分の昇温速度で、室温から450℃までサンプルを昇温することにより得られたものである。測定には、セイコーインスツル社製示差熱分析装置EXSTAR6000TG/DTAを用いた。なお、図1の縦軸は熱起電力Te(μV)、横軸は温度T(℃)を示す。また、このガラスは、酸化物基準のmol%で計算して、30%のP、60%のSnO、7%のZnOおよび3%のCaOを含むものである。
以下、本発明によるガラスに含まれる各種成分の概略的な特徴、および適当な含有量について説明する。なお、以下に示す各成分の特徴は、一例を示したものであり、その成分が有する他の特性および効果を否定するものではない。
は、ガラスを安定化させる成分であり、必須である。Pの含有量が27mol%を下回ると、ガラス転移温度(Tg)が高くなるおそれがある。また、前述のように、Pの含有量が33mol%を超えると、環境(特に水分)に対する耐久性が低下するおそれがある。Pの含有量は、特に、27mol%〜30mol%であることが好ましい。
SnOは、ガラスの流動性を増す成分であり、必須である。SnOの含有量が50mol%を下回ると、軟化点が高くなりすぎ、流動性が悪くなる。また、SnOの含有量が70mol%を超えると、ガラス化が困難になる。特に、SnOの含有量を52mol%〜63mol%とし、かつP+SnOの合計含有量を85mol%〜92mol%とすることにより、Tgがより好ましい範囲となる。
ZnOは、必須ではないが、ガラスの耐水性を向上させ、熱膨張係数を低下させる等の効果を有するため、0〜10mol%の範囲で添加することが好ましい。ZnOの含有量が10mol%を超えると、失透が析出しやすくなる。なお、ZnOの含有量は、SnOの含有量の1/7以下であることが好ましい。ZnOの含有量がSnOの含有量の1/7を超えると、軟化点が高くなりすぎ、および/または結晶化が促進されるおそれがある。
CaOは、ガラスの結晶化を抑制することができるとともに、熱膨張係数を低下させる成分であり、必須である。ただしCaOの含有量が0.5mol%未満では結晶化が抑制されないおそれがある。含有量は、より好ましくは1mol%以上とされる。また、CaOの含有量が5mol%を超えると、ガラスが不安定になる。特に、3mol%〜5mol%とすると、広い温度範囲で透明でかつ軟化する封止が可能になり、好ましい。
は、必須ではないが、CaOによる結晶化抑制をサポートする化合物として、5mol%まで含有してもよい。5mol%を超えると、屈折率が小さくなる上、耐水性等の化学的耐久性が低下するおそれがある。CaOとBの含有量の総和A(A=CaO+Bの合計含有mol%)は、0.5mol%〜5mol%の範囲であることが好ましい。Aが0.5mol%を下回ると、結晶化の抑制効果が得られなくなる。また、Aが5mol%を超えると、軟化点が高くなりすぎるという問題が生じ得る。
Gaは、耐水性を向上させ、ガラスを安定化させるために、3mol%まで含有してもよい。3mol%を超えると、軟化点が高くなり、被処理温度が400℃以下の被覆材としての適用が難しくなるおそれがある。Gaは、2mol%以下であることが好ましく、1mol%以下であることがより好ましい。
Inは、耐水性を向上させ、ガラスを安定化させるために、3mol%まで含有してもよい。3mol%を超えると、軟化点が高くなり、被覆処理温度が400℃以下の被覆材としての適用が難しくなる。Inの含有量の上限は、好ましくは2mol%であり、より好ましくは1mol%である。
Laは、耐水性を向上させ、ガラスを安定化させるために、3mol%まで含有してもよい。3mol%を超えると、軟化点が高くなり、被覆処理温度が400℃以下の被覆材としての適用が難しくなる。Laの含有量の上限は、好ましくは2mol%であり、より好ましくは1mol%である。
本発明のガラスは、実質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分、例えば、MgO、SrO、Bi、Y、Gd、Ce、CeO、TiO、TeO、Ta等を添加してもよい。
なお、本発明のガラスは、PbOを実質的に含有しないことが好ましい。また、本発明のガラスは、LiO、NaO、KO等を実質的に含有しないことが好ましい。これらの化合物は、ガラス中に有意な含有量で存在すると、半導体素子へのイオン拡散による劣化が生じるおそれがあるからである。また、本発明のガラスは、MnO、Fe、Co、WO等を実質的に含有しないことが好ましい。これらの化合物は、ガラス中に有意な含有量で存在すると、着色により、ガラスの透明性が損なわれる恐れがあるからである。
本発明のガラスの熱膨張係数(α)の上限は、好ましくは130×10−7/℃であり、より好ましくは128×10−7/℃である。また熱膨張係数(α)の下限は、好ましくは110×10−7/℃であり、より好ましくは115×10−7/℃である。熱膨張係数(α)が110×10−7/℃未満では、ガラス転移温度(Tg)が上昇する。また、熱膨張係数(α)が130×10−7/℃を超えると、ガラスで発光素子を被覆した後、この素子を室温まで冷却する過程においてまたはその後の工程において、ガラスの発光素子に接する部分を起点として割れが発生する恐れがある。
上記組成を有する本発明によるガラスは、ガラス被覆部を有する発光装置の被覆材として使用することができる。そこで以下、LED装置を例に、本発明のガラスが被覆材として適用された、発光装置の構成を説明する。なお、本発明によるガラスは、他の発光装置の被覆材としても適用し得ることは、明らかである。
図2には、本発明によるLED装置1の断面図の一例を模式的に示す。LED装置1は、ベース基板120と、該ベース基板120上に置載された発光部100と、該発光部100を被覆する被覆部110と、を有する。
ベース基板120の発光部100が置載される側の表面には、複数の配線130(130a、および130b)が形成されている。
ベース基板120は、例えば、純度98.0%〜99.5%、厚さ0.2mm〜1.2mmの矩形状のアルミナ等の無機材料からなる基板で構成される。ベース基板120の表面に形成された配線130a、および130bは、例えば金ペーストで形成された金配線であってもよい。
発光部100は、素子用基板101の上にLED素子102を設置することにより構成される。LED素子102は、素子用基板101とは反対の側に、正極103および負極104を有する。発光部100は、これらの電極103、および104が前述のベース基板120の配線130a、および130bのそれぞれと接するようにして、ベース基板120上に配置される。
LED素子102は、例えば、波長が360〜480nmの紫外光または青色光を放出するLEDで構成され、GaNにInを添加したInGaNを発光層とする量子井戸構造のLED(InGaN系LED)であっても良い。ただし、これ以外の仕様のLEDを使用しても良いことは、当然である。素子用基板101の熱膨張係数は、例えば、70×10−7〜90×10−7/℃である。通常の場合、素子用基板101の材料には、熱膨張係数が約80×10−7/℃であるサファイアが使用される。
被覆部110は、被覆材115で構成され、この被覆材115は、前述の組成のガラスで構成される。
このような発光装置1では、発光部100を覆う被覆材115を400℃以下の被覆処理温度で設置することができる。従って、発光装置1を構成する各部品の熱損傷を有意に抑制することができる。また、この被覆材のガラス転移温度(Tg)は、285℃〜300℃の範囲にある。従って、「従来のガラス」において問題となり得る、環境中の水分による変質および劣化、ならびに「不透明化」の進行が有意に抑制される。これにより、長期にわたって安定な光出力を示す発光装置を提供することができる。
以下、本発明の実施例によりさらに詳細に説明するが、これらに限定して解釈されるものではない。
表1を用いて、実施例及び比較例について説明する。表中の例1〜例8は、実施例であり、例9は比較例である。
(例1)
以下の方法で、酸化物基準のmol%で計算して、30%のP、60%のSnO、7%のZnOおよび3%のCaOを含むガラス(例1に係るガラス)を調製した。
まず、SnO、ZnOおよびCaOの各粉末を所定量秤量後、2gのサッカロースを添加し、十分に混合した。この混合粉末を「テフロン」(登録商標)容器に入れ、200mlのイオン交換水を添加し撹拌することにより、混合粉末のスラリーを調製した。
次に、このスラリー中に正リン酸水溶液(85質量% HPOを含む)を添加し、混合溶液を作製した。なお、正リン酸水溶液の注入の際には、水分の突沸が生じないよう、スラリーを撹拌した状態で、少しずつ正リン酸水溶液を注入した。次に、得られた混合液を「テフロン」(登録商標)シートを敷設したステンレス製バット内に注入した。このバットを、十分に換気しながら、200℃で3時間保持し、乾燥することにより、200gの重量のクッキー状の固形物を得た。
なお、各粉末および正リン酸水溶液は、最終的に得られる固形物(200g)中に含まれる各成分が、前述のモル濃度となるように秤量した。
次に、得られた固形物を石英製るつぼに入れ、るつぼの上部に石英製蓋を配置後、このるつぼを1100℃で40分間保持し、固形物を溶解した。なお、溶融ガラスを均質化するため、この溶解処理の途中、一度だけるつぼを炉から取り出し、蓋を取り外して、石英棒を用いて攪拌を行った。その後、再度るつぼに蓋をして、このるつぼを炉内に戻した。1100℃で40分間の溶融処理が完了した後、このるつぼを炉から取り出した。さらに、溶融物を板状のガラスに成形するため、るつぼ内の溶融ガラスをカーボン型に注入した。その後、このカーボン型から取り出したガラスを315℃に保持された別の電気炉に入れ、この電気炉内で1時間保持した後、12時間かけて室温まで冷却した。
このような工程を経て、例1に係るガラスを得た。
なお、上記工程では、ガラスに含まれるPの原料として、正リン酸溶液を使用した。しかしながら正リン酸溶液の代わりに、リン酸亜鉛、リン酸スズ、リン酸カルシウム、リン酸アルミニウム等の粉末原料を用いることもできる。この場合、ガラスに含まれる全ての成分を固体状粉末で準備することができるため、スラリーと粉末の混合工程を省略することができる。
(例2)
例1と同様の方法により、酸化物基準のmol%で計算して、30%のP、60%のSnO、5%のZnO、および5%のCaOを含むガラス(例2に係るガラス)を調製した。
(例3)
例1と同様の方法により、酸化物基準のmol%で計算して、30%のP、60%のSnO、9%のZnO、および1%のCaOを含むガラス(例3に係るガラス)を調製した。
(例4)
例1と同様の方法により、酸化物基準のmol%で計算して、30%のP、60%のSnO、6%のZnO、3%のCaO、および1%のBを含むガラス(例4に係るガラス)を調製した。
(例5)
例1と同様の方法により、酸化物基準のmol%で計算して、30%のP、62%のSnO、4%のZnO、3%のCaO、および1%のBを含むガラス(例5に係るガラス)を調製した。
(例6)
例1と同様の方法により、酸化物基準のmol%で計算して、30%のP、60%のSnO、8.5%のZnO、0.5%のCaO、および1%のBを含むガラス(例6に係るガラス)を調製した。
(例7)
例1と同様の方法により、酸化物基準のmol%で計算して、30%のP、60%のSnO、9.5%のZnO、および0.5%のCaOを含むガラス(例7に係るガラス)を調製した。
(例8)
例1と同様の方法により、酸化物基準のmol%で計算して、32%のP、58%のSnO、8%のZnO、および2%のCaOを含むガラス(例8に係るガラス)を調製した。
(例9)
例1と同様の方法により、酸化物基準のmol%で計算して、30%のP、60%のSnO、9.5%のZnO、および0.5%のBを含むガラス(例9に係るガラス)を調製した。
(ガラス転移温度(Tg)の測定)
前述の各例に係るガラスのサンプルを用いて、ガラス転移温度(Tg)を測定した。転移温度の測定には、示差熱分析装置(セイコーインスツル社製示差熱分析装置EXSTAR6000TG/DTA)を用いた。粉末状に加工したサンプル110mgを白金パンに充填し、これを室温から500℃まで、10℃/分の昇温速度で昇温した。
ガラス転移温度(Tg)は、示差熱分析の測定結果から、図3に示すような操作により算定した。まず、低温側の吸熱ピークAが生じる温度よりも低温側の領域において、平坦部分と一致するように、直線L1を引く。次に、吸熱ピークAの変曲点B以降の曲線部分と一致するように、直線L2を引く。このようにして得られた2本の直線の交点Cを、ガラス転移温度(Tg)とした。
(熱膨張係数αの測定)
各サンプルを直径5mm、長さ20mmの円柱状に加工して試料を作製した。この試料を10℃/分の昇温速度で250℃まで昇温し、熱膨張計(ブルカーエイエックスエス社製水平示差検出式熱膨張計TD5010)を用いて、各温度での膨張係数を測定した。100〜250℃での値を25℃刻みで求め、その平均値を熱膨張係数αとした。
(固化時の結晶化有無の評価)
各サンプル(200g)を1100℃で溶融させた状態で、カーボン製の型に注入し、サンプルが固化するまでの間に、ガラス内部に結晶析出が生じるかどうかを目視で観察した。
(封止試験)
各サンプルを赤外線集光炉で加熱温度を360℃、370℃、380℃、390℃、400℃にして封止を行った。各温度での封止の状況を観察した。表1中の封止温度における「○」は「透明でありかつ軟化した」を意味し、「※1」は「透明であったが軟化しなかった」を意味し、「※2」は「白濁しており軟化しなかった」を意味し、「※3」は「軟化はしたが白濁していた」を意味している。
(耐候性試験)
例5および例8のサンプルを恒温恒湿槽に入れ、80℃80%RH下で保持し、約1000時間耐候性試験を行った。その後、460nmでの分光透過率を測定し、50%以上であったものを「○」とし、50%未満であったものを「△」とした。
各測定結果を表1にまとめて示す。この結果から、本発明によるガラスは、いずれもガラス転移温度(Tg)が285℃〜300℃の範囲であることがわかった。また、ガラスの熱膨張係数は、121.1〜127.2×10−7/℃の範囲であった。さらに、ある程度広い封止温度範囲を持ち、透明でかつ軟化させることができ、耐候性にも優れたものであった。
なお、表1中、「−」は、測定、評価などが未実施であることを意味する。
表1と同様に、以下の表2に示すガラス組成でも、表1の例1〜例8のガラスと同等のガラスを得ることができる。
(被覆材としての特性評価)
次に、実際に本発明によるガラスを用いて、LED素子の被覆処理を行い、本発明によるガラスの被覆材としての適性を評価した。
例4および例6のガラスを、厚みが約1.5mmになるように加工した後、両表面を鏡面研磨した。その後、このガラスを寸法が約1.5mm×約1.5mmとなるように切断して、被覆材サンプルを調製した。
金の配線パターンを形成したアルミナ製ベース基板(寸法:縦14mm×横14mm×厚さ1mm)、およびLED素子(豊田合成社製:E1C60−0B011−03)に接続バンプが形成された部品を用意した。このLED素子を、フリップチップ形式でベース基板に実装した。
このフリップチップ実装したLED素子の上に、被覆材サンプルを載置した状態で、LED素子を電気炉に入れ、毎分100℃の速度で、室温から400℃まで昇温した。温度が400℃に到達後、同温度でLED素子を2分間保持し、ガラス板を軟化流動させた。これにより、LED素子がガラスで被覆され、LED装置が形成された。その後、このLED装置を、毎分100℃の速度で室温まで冷却した。室温に達してから、LED装置を炉から取り出し、被覆材の状態を目視観察したところ、ガラスの表面および内部に気泡は認められなかった。
次にこのようにして得られたLED装置の特性を評価するため、LED装置の両電極間に、直流電圧を印加し、青色の発光が生じる発光開始電圧を測定した。得られた発光開始電圧は、2.2〜2.4Vの範囲であり、ベアチップとほぼ同じ値であった。以上のことから、本発明によるガラスを被覆材として使用したLED装置において、各部品に損傷等の異常は生じていないことがわかった。
このように本発明によるガラスを用いて、400℃以下の温度での被覆処理を行うことが可能である。
本発明のガラスは、液晶パネル用バックライト光源、一般照明ならびに自動車用ヘッドライドなどに用いられるLED素子の被覆および/または封止に利用することができる。

なお、2008年1月10日に出願された日本特許出願2008−003553号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (8)

  1. 酸化物基準のmol%表示で、
    27%〜30%のP
    50%〜70%のSnO、
    0〜10%のZnO、
    0.5%〜5%のCaO、
    0〜5%のB
    0〜3%のGa
    0〜3%のIn、および
    0〜3%のLa
    を含み、
    ガラス転移温度が285℃〜300℃の範囲であることを特徴とするガラス。
  2. 酸化物基準のmol%表示で、52%〜63%のSnO、および
    +SnOの合計で85%〜92%を含む請求項1に記載のガラス。
  3. CaOの含有量は、酸化物基準のmol%表示で、3%〜5%である請求項1または2に記載のガラス。
  4. 酸化物基準のmol%表示で、Li O、Na O、およびK Oを実質的に含有しない請求項1乃至3のいずれか一つに記載のガラス。
  5. 酸化物基準のmol%表示で、B を必ず含み、CaOとB の含有量の合計が0.5〜5%の範囲である請求項1乃至4のいずれか一つに記載のガラス。
  6. 請求項1〜のいずれか1項に記載のガラスで構成された発光装置用の被覆材。
  7. ベース基板上に配置された光学素子と、該光学素子を被覆する被覆材とを有する発光装置であって、
    前記被覆材は、請求項1〜のいずれか1項に記載のガラスで構成されていることを特徴とする発光装置。
  8. 前記光学素子が、発光ダイオード(LED)であることを特徴とする請求項に記載の発光装置。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5471095B2 (ja) * 2009-07-09 2014-04-16 旭硝子株式会社 封着用ガラス
CA2817577A1 (en) 2010-11-10 2012-05-18 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
WO2012063492A1 (ja) * 2010-11-12 2012-05-18 国立大学法人京都大学 白色発光ガラス、ガラス被覆発光素子及び発光装置
UA115767C2 (uk) 2011-01-10 2017-12-26 Інфініті Фармасьютікалз, Інк. Способи отримання ізохінолінонів і тверді форми ізохінолінонів
JP5585467B2 (ja) 2011-01-20 2014-09-10 旭硝子株式会社 ガラス、発光装置用のガラス被覆材および発光装置
JP5729550B2 (ja) * 2011-03-16 2015-06-03 日本電気硝子株式会社 光学ガラス
US8969363B2 (en) 2011-07-19 2015-03-03 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
US9056877B2 (en) 2011-07-19 2015-06-16 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
PE20141371A1 (es) 2011-08-29 2014-10-13 Infinity Pharmaceuticals Inc Compuestos heterociclicos y usos de los mismos
WO2013049332A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Inhibitors of monoacylglycerol lipase and methods of their use
JP5919867B2 (ja) * 2012-02-16 2016-05-18 東京電力株式会社 低光弾性ガラスおよびこれを用いた光ファイバ
US8940742B2 (en) 2012-04-10 2015-01-27 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
HUE040126T2 (hu) 2012-11-01 2019-02-28 Infinity Pharmaceuticals Inc Rákok kezelése PI3 kináz izoform modulátorok alkalmazásával
NZ629037A (en) 2013-03-15 2017-04-28 Infinity Pharmaceuticals Inc Salts and solid forms of isoquinolinones and composition comprising and methods of using the same
BR112015029969A2 (pt) 2013-05-30 2017-07-25 Infinity Pharmaceuticals Inc tratamento de câncer usando moduladores de isoformas quinase pi3
KR102096053B1 (ko) * 2013-07-25 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
EA201690713A1 (ru) 2013-10-04 2016-08-31 Инфинити Фармасьютикалз, Инк. Гетероциклические соединения и их применения
WO2015051241A1 (en) 2013-10-04 2015-04-09 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
US20160244452A1 (en) 2013-10-21 2016-08-25 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
DK3119397T3 (da) 2014-03-19 2022-03-28 Infinity Pharmaceuticals Inc Heterocykliske forbindelser til anvendelse i behandling af PI3K-gamma-medierede lidelser
US20150320754A1 (en) 2014-04-16 2015-11-12 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Combination therapies
WO2015160975A2 (en) 2014-04-16 2015-10-22 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Combination therapies
WO2015168079A1 (en) 2014-04-29 2015-11-05 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Pyrimidine or pyridine derivatives useful as pi3k inhibitors
EA034691B1 (ru) 2014-06-19 2020-03-06 Ариад Фармасьютикалз, Инк. Гетероарильные соединения для ингибирования киназ
US9708348B2 (en) 2014-10-03 2017-07-18 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Trisubstituted bicyclic heterocyclic compounds with kinase activities and uses thereof
WO2017214269A1 (en) 2016-06-08 2017-12-14 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
KR20190033526A (ko) 2016-06-24 2019-03-29 인피니티 파마슈티칼스, 인코포레이티드 병용 요법
KR20210096138A (ko) 2018-11-26 2021-08-04 오웬스 코닝 인텔렉츄얼 캐피탈 엘엘씨 비탄성률이 향상된 고성능 섬유 유리 조성물
CA3117892A1 (en) 2018-11-26 2020-06-04 Owens Corning Intellectual Capital, Llc High performance fiberglass composition with improved elastic modulus

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08301631A (ja) * 1995-03-07 1996-11-19 Asahi Glass Co Ltd プラズマディスプレイパネル
JPH09235136A (ja) * 1995-12-25 1997-09-09 Asahi Glass Co Ltd 低融点ガラス組成物および封着用ガラスセラミックス組成物
JPH10316451A (ja) * 1997-03-19 1998-12-02 Fujitsu Ltd 透明絶縁性被膜形成用低融点ガラス
JP2001139344A (ja) * 1999-11-05 2001-05-22 Asahi Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラスおよびガラスフリット
JP2001302279A (ja) * 2000-04-21 2001-10-31 Asahi Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラスおよびガラスフリット
JP2005015280A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Central Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラス
JP2008019421A (ja) * 2006-06-14 2008-01-31 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光体複合材料及び蛍光体複合部材

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5281560A (en) 1993-06-21 1994-01-25 Corning Incorporated Non-lead sealing glasses
JPH09175833A (ja) * 1995-01-05 1997-07-08 Asahi Glass Co Ltd 封着用ガラスセラミックス組成物
US5714840A (en) * 1995-03-07 1998-02-03 Asahi Glass Company Ltd. Plasma display panel
JP4596358B2 (ja) * 2004-05-11 2010-12-08 日本電気硝子株式会社 封止用ガラス
JP4529173B2 (ja) * 2004-06-11 2010-08-25 日本電気硝子株式会社 封止用ガラスおよび封止方法
WO2006112417A1 (ja) 2005-04-15 2006-10-26 Asahi Glass Company, Limited ガラス封止発光素子、ガラス封止発光素子付き回路基板およびそれらの製造方法
JP2006310375A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Asahi Glass Co Ltd 発光ダイオード素子被覆用ガラスおよびガラス被覆発光ダイオード素子
KR20080113051A (ko) 2006-04-24 2008-12-26 아사히 가라스 가부시키가이샤 발광 장치
EP2023408A4 (en) 2006-05-18 2011-06-29 Asahi Glass Co Ltd PROCESS FOR MANUFACTURING AN ILLUMINATING ELEMENT AND LIGHTING ELEMENT
WO2008041771A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Asahi Glass Co., Ltd. Glass coated light emitting element, wiring board with light emitting element, method for producing wiring board with light emitting element, lighting device and projector
WO2008146886A1 (ja) 2007-05-30 2008-12-04 Asahi Glass Company, Limited 光学素子被覆用ガラス、ガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置
JPWO2009031684A1 (ja) 2007-09-07 2010-12-16 旭硝子株式会社 ガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08301631A (ja) * 1995-03-07 1996-11-19 Asahi Glass Co Ltd プラズマディスプレイパネル
JPH09235136A (ja) * 1995-12-25 1997-09-09 Asahi Glass Co Ltd 低融点ガラス組成物および封着用ガラスセラミックス組成物
JPH10316451A (ja) * 1997-03-19 1998-12-02 Fujitsu Ltd 透明絶縁性被膜形成用低融点ガラス
JP2001139344A (ja) * 1999-11-05 2001-05-22 Asahi Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラスおよびガラスフリット
JP2001302279A (ja) * 2000-04-21 2001-10-31 Asahi Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラスおよびガラスフリット
JP2005015280A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Central Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラス
JP2008019421A (ja) * 2006-06-14 2008-01-31 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光体複合材料及び蛍光体複合部材

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