JP5053412B2 - ガラス基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

ガラス基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という)の基板として用いるのに好適なガラス基板とそれを用いた有機EL素子に関する。
エレクトロルミネッセンス(EL)素子とは、固体蛍光性物質(発光体)の電界発光(エレクトロルミネッセンス)といわれる現象を利用した発光デバイスであり、無機系材料を発光体として用いた無機EL素子が実用化され、液晶ディスプレイのバックライトやフラットディスプレイ等への応用展開がなされているのが現状である。このような状況下、簡素な工程でかつ低コストでの作製が可能であると期待されている有機EL素子の実用化を目指した研究開発が盛んに行われており、一部では実用化に至るまでの発展を遂げている。
有機ELなどの発光体より光を発光させた場合、通常は基板、透明導電膜、発光体膜(有機EL膜)などの屈折率の違いから、発光体部分で発生した光の一部しか基板の外側に取り出せない。つまり、出光面であるガラス基板と、大気との屈折率の差から、有機EL膜から発光した光は、臨界角以上の角度でガラス基板に入射する場合、ガラス基板と大気の界面において全反射してしまい、ガラス基板から放出されず、基板ガラス内部に閉じ込められてしまう。
従来の有機EL素子においては、ガラス基板は平面であり、表面が平滑であるため、一般的に発生した光の約35%の光が、基板内での屈折と反射により消費されてしまい、基板から外に取り出せない、といった問題があり、有機EL素子用の基板としては、光取出し効率の向上が不可欠である。
そのため、ガラス基板の大気面に細かい凹凸を形成して、発光を拡散させて、光取出し効率を向上する発明が知られている。(例えば、特許文献1を参照)。
特開2008−112592号公報
しかしながら、特許文献1に記載の発明においては、発光強度が高い時(高電力を投入した時)には、基板正面の照度が高くなるが、発光強度が小さい時には、光が拡散してしまう分、照度が高くならないという問題点があった。
本発明は、前述した問題点に鑑みてなされたもので、その目的とすることは、低照度から高照度にかけて広い照度範囲で光の取出し効率の高いガラス基板およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
すなわち、本発明は、以下の発明を提供するものである。
(1)有機エレクトロルミネッセンス素子の基板に用いる短冊状のガラス基板であって、厚さが30μm以上300μm以下であり、少なくとも一方の面は凸の曲率を持ち、幅方向の反りが0.5μm/mm以上であり、少なくとも他方の面の表面粗さRaが0.2nm以下であることを特徴とするガラス基板。
(2)前記ガラス基板の凸の曲率を持つ面の、幅方向の反りが(2.5/t)μm/mm以下(t(mm):基板の厚さ)であることを特徴とする(1)に記載のガラス基板。
(3)アスペクト比(=ガラス基板の幅/ガラス基板の厚み)が1.5以上であり、前記ガラス基板の幅が5cm以下であることを特徴とする(1)または(2)に記載のガラス基板。
(4)(1)〜(3)のいずれか1項に記載のガラス基板の前記他方の面上に、透明電極層が形成されていることを特徴とする透明電極層付きガラス基板。
(5)(1)〜(3)のいずれか1項に記載のガラス基板の前記他方の面上に、透明電極層と、有機EL層と、陰極電極層とをこの順に積層してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(6)(5)に記載の前記有機エレクトロルミネッセンス素子を複数枚配置した有機エレクトロルミネッセンス素子。
本発明によれば、低照度から高照度にかけて広い照度範囲で光の取出し効率の高いガラス基板およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
本発明に係るガラス基板1の斜視図。 (a)、(b)本発明における反りと曲率の関係を説明する図。 (a)本発明に係る透明電極層付きガラス基板5の断面図、(b)本発明に係る有機EL層11の断面図。 (a)本発明に係る有機EL素子21の斜視図、(b)有機EL素子21の湾曲時の模式図。 実施例1、2、比較例1、2の輝度−発光効率特性を示すグラフ。
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を詳細に説明する。図1は、本発明に係るガラス基板1を示す図である。ガラス基板1は、短冊状の薄いガラス板であり、短手方向(幅方向)に湾曲している。なお、図面は各構成要素を模式的にあらわしたものであり、大きさや各構成要素の比率は実際の大きさや比率を表したものではない。
ガラス基板1は、例えば無水ケイ酸等からなる母材ガラス板を加熱して軟化させ、延伸して形成する、いわゆるリドロー法により製造することができる。
リドロー法を実施するための加熱延伸装置は、ヒータを有し母材ガラス板を加熱する加熱炉と、加熱炉に母材ガラス板を送り込む母材送り機構と、加熱炉からガラス条を引き出す引き取り機構と、ガラス条の表面に溝を形刻して切断し、所定の長さの薄板ガラスを成形するためのカッターとを備える。薄板ガラスは、母材ガラス板を加熱炉によって加熱、延伸して所定の厚さに形成したガラス条を、所定の長さに切断して成形される。幅方向に湾曲させるには、加熱炉内の温度条件を不均一にするなどすればよい。
ガラス基板1は、厚さが30μm〜300μmであると、基板内を横方向(厚さ方向に直交する方向)に進む光を抑えられるだけでなく、フレキシブル性も得られて好ましい。厚みが30μmより薄いガラスは、基本的に製造が困難である上、あまりに薄くしすぎると十分な強度が得られない。逆に、厚みが300μmより厚いガラスは、十分なフレキシブル性を有しない。
ガラス基板1の幅方向の反りは、0.5μm/mm以上(1.2/t)μm/mm以下(t(mm);基板の厚さ)であることが好ましい。ここでいう反りとは、図2(a)に示すように、厚みの中心点を幅方向に結び、両端の中心点を通る直線と、凹または凸の頂点との距離bを幅aで除した値で定義する。反りが0.5μm/mmより小さいと、発光部から出た光の、ガラス基板と大気の境界面への入射角を出来るだけ小さく押さえて(臨界角以上の角度を抑えて)基板から放出される光を多くするという効果が十分に得られない。また、反りが(2.5/t)μm/mmより大きいと、光の取出し効率は高くなるが、曲げ歪が大きくなって(0.2%以上)基板の機械的強度が劣化してしまう。
図2(a)に示すようなガラス基板において、曲率との関係を図にすると、図2(b)のようになる。ここで、曲率rと反りとの関係を求めると、角度θ=a/r[rad]となり、x=r・cos(θ/2)となる。
よって、
反り=b/a
=(r−x)/a
=r(1−cos(θ/2))/a
=r(1−cos(a/2r))/a
となる。
一方、ガラス基板にかかる曲げ歪みε=t/(2r+t) (t:板厚)とすると、r=t(1−ε)/2εとなる。
これを、上の反りの式に代入すると、反りは、tとεとaにより定まる。
曲げ歪みεを、0.2%程度まで許容すると、幅a=5mmのとき、t=0.003〜0.3mmの範囲において反りとtの積は、約2.5となる。
なお、曲げ歪みεを、0.1%程度までしか許容しない場合、幅a=5mmのとき、t=0.003〜0.3mmにおいて反りとtの積は、約1.25となる。
ガラス基板1の長手方向の反りは、平坦であってもよく、0.5μm/mm以下であることが好ましい。また、ガラス基板1の長手方向の長さは、有機EL素子の用途により変わるが、例えば10W蛍光灯に対応する照明装置に使用する場合は330mmである。
ガラス基板の表面粗さは、少なくとも片面は観察領域1μm以下において、Ra(算術平均粗さ:JIS B0601−1994)が0.2nm以下であることが好ましい。Raが0.2nm以下であると、有機EL素子用基板として用いる場合には、電流のリークやショート、ダークスポットの発生を防止することができる。
ガラス基板の幅方向は、最大で50mm程度であることが好ましい。
図3(a)は、ガラス基板1の上に、透明電極層3を設けた、透明導電膜つきガラス基板5を、図1でのA−A´断面図、つまり長手方向に対して垂直な断面図である。透明電極層3は、ガラス基板1の凹面側に製膜される。
透明電極層3は、例えば、ITO、SnO、ZnO等の透明導電材料を使用することができ、膜厚は100nm程度である。透明電極層3の表面粗さは、観察領域1μm以下において、算術平均粗さRaが5nm以下であることが好ましい。Raが5nm以下であると、有機EL素子用基板として用いる場合には、電流のリークやショート、ダークスポットの発生を防止することができる。透明電極層3の成膜方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相成長法(PVD法)や、プラズマ化学気相成長法、熱化学気相成長法、光化学気相成長法等の化学気相成長法(CVD法)が利用できる。
図3(b)は、透明電極層付きのガラス基板5に、更に、有機EL層7と陰極電極層9が設けられた有機EL素子11を、長手方向に対して垂直に切断した断面図である。図3(b)に示すように、本実施形態に係る有機EL素子11は、ガラス基板1の上に形成された透明電極層3と、正孔輸送層13、有機発光層15、電子輸送層17、電子注入層19を有する有機EL層7と、陰極電極層9とを備えている。
有機EL層7は少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層を追加してもよい。各層の形成には、成膜時のダメージが少ない成膜方法を選択することが好ましい。例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法といった周知の方法を適用することが可能である。また、有機EL層を構成する各層の材料としては、当技術分野において周知のものを使用することが可能である。
有機EL層7は、緑色発光の有機EL素子の場合、膜厚10nmのCuPC(銅フタロシアニン)からなる正孔輸送層13、膜厚50nmのα−NPD(ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン)からなる有機発光層15と、膜厚65nmのAlq3からなる電子輸送層17と、膜厚0.5nmのLiF(フッ化リチウム)からなる電子注入層19とから構成される。
なお、青色発光の有機EL素子の場合、有機発光層15として、最大膜厚20nmのバソクプロイン(BCP)膜を形成する。また、赤色発光の有機EL素子の場合、正孔輸送層と電子輸送層の間にAlq3に2,3,7,8,12,13,17,18−オクタデシル−21H,23H−白金ポルフィリン(PtOEP)を6質量%ドープした膜(最大厚み30nm)を形成する。
陰極層9は、Cr,Ni,Ag,Cu,またはAu等の金属材料を使用することができ、その厚さは100nm程度である。
有機EL素子11は、単独でも、例えば携帯電話やPDAのディスプレイとして使用できるが、図4(a)に示すように、複数の有機EL素子11を組み合わせた有機EL素子21として使用してもよい。有機EL素子21は、例えば、照明装置やディスプレイとして使用できる。有機EL素子21は、複数の有機EL素子11を樹脂でラミネートすることで、フレキシブル性を保ちながら一体化することができる。
また、図4(b)は、湾曲させた有機EL素子21を上方向から見た模式図である。有機EL素子21は、図4(b)に示すように、湾曲させた際、有機EL素子11の間のつなぎ目を利用して湾曲することができ、個別の有機EL素子11を大きく曲げることなくフレキシブル性を達成することができるため、ガラス基板1上に形成した有機EL層7などに無理な力がかかることを防ぐことができる。
本発明によれば、湾曲可能なフレキシブル性を有し、低照度から高照度にかけて広い照度範囲で光の取出し効率の高い有機EL素子用のガラス基板を提供することができる。
本発明においては、以下の方法で発光の取出し効率を高めることができる。
1:発光部から出た光の、ガラス基板と大気の境界面への入射角を出来るだけ小さく押さえて(臨界角以上の角度を抑えて)基板から放出される光を多くする。
2:基板の厚さを薄くして、横方向に進む光を抑える。
以上、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しえることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
以下、本発明について実施例および比較例を用いて具体的に説明する。
(実施例1)
石英からなる幅250mm、厚さ5mmの母材ガラス板を加熱炉で加熱延伸し、幅5mm、厚さ0.1mmの長尺ガラス基板にリドローした。ガラス基板の厚さは中央部が0.1mm、両端部が0.105mm、反りが1μm/mmであった。また、ガラス基板の凹面側の粗さは、Ra=0.2nmであった。加熱炉から出たガラス基板の全面に、熱CVD法によりSnOを100nm成膜した。次いで接着剤のついた厚さ30μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを片面に貼りつけた。この長尺ガラス基板をキャプスタンで引き取った後、導電性樹脂テープを層間紙として挟み込みながら所定の大きさのリールに巻き取った。SnO膜の表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡)によって測定したところ、Raは3nm、Ry(最大高さ:JIS B0601−1994)は15nmであった。
次に、この透明電極層付きガラス基板上に有機EL素子の作製を行うため、長さ30mmに切り出し、PETフィルムを剥がした後、中性洗剤、脱イオン水、アセトン、イソプロピルアルコールを用いて順次超音波洗浄を行い、さらに紫外線オゾン方式で基板洗浄を行った。次に、抵抗加熱式真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに配置したα−NPDと、別のモリブデン製加工ボートに配置したAlq3を介して、真空チャンバー内を1×10−4Paの減圧状態として、ガラス基板の凹面側に、厚み60nmのα−NPD膜からなる正孔輸送層を形成後、その上に厚み65nmのAlq3膜を形成した。次に、真空チャンバー内を2×10−4Paの減圧状態として真空蒸着により、厚み100nmのAl陰極を形成して、緑色(主波長513nm)に発光する有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子の発光面積は5mm×20mmであった。
(実施例2)
ホウ珪酸系ガラスからなる幅250mm、厚さ5mmの母材ガラス板を加熱炉で加熱延伸し、幅5mm、厚さ0.1mmの薄板ガラス条にリドローした。加熱炉から出たガラス基板の全面に、熱CVD法によりSnOを70nm成膜した。次いで接着剤のついた厚さ30μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを片面に貼りつけた。このフィルム状基材をキャプスタンで引き取った後、導電性樹脂テープを層間紙として挟み込みながら所定の大きさのリールに巻き取った。SnO膜の表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡)によって測定したところ、Raは2nm、Ryは10nmであった。
ガラス基板の厚さは中央部が0.1mm、両端部が0.105mm、反りが10μm/mmであった。また、ガラス基板の凹面側の粗さは、Ra=0.2nmであった。
次に、実施例1と同様の手順により、ガラス基板の凹面側に有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子の発光面積は5mm×20mmであった。
(比較例1)
実施例2の透明電極層付きガラス基板を用いて、実施例1と同様の手順により、ガラス基板の凸面側に有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子の発光面積は5mm×20mmであった。
(比較例2)
30mm×30mm ×1.3mmの青板ガラス基板(反り0.4μm/mm)の片面に、酸化インジウムスズ(ITO)セラミックターゲット(In:SnO=90重量%:10重量%)から、DCスパッタリング法を用いて、厚み150nmのITO透明膜からなる陽極を形成した。その後、実施例1と同様の手順により、ガラス基板上に有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子の発光面積は5mm×20mmであった。
実施例と比較例の条件を表1に簡単にまとめた。
以上に説明した実施例1、2及び比較例1、2の各有機EL素子の輝度−発光効率特性を測定した。輝度−発光効率特性の測定結果を図5に示す。
図5に示すように、実施例1,2の有機EL素子は、特に200cd/m以下の低輝度側で、比較例1,2に比べて高い発光効率を示し、光取出し効率の向上が見られた。
1………ガラス基板
3………透明電極層
5………透明電極層付きガラス基板
7………有機EL層
9………陰極電極層
11………有機EL素子
13………正孔輸送層
15………有機発光層
17………電子輸送層
19………電子注入層
21………有機EL素子

Claims (6)

  1. 有機エレクトロルミネッセンス素子の基板に用いる短冊状のガラス基板であって、
    厚さが30μm以上300μm以下であり、
    少なくとも一方の面は凸の曲率を持ち、幅方向の反りが0.5μm/mm以上であり、
    少なくとも他方の面の表面粗さRaが0.2nm以下である
    ことを特徴とするガラス基板。
  2. 前記ガラス基板の凸の曲率を持つ面の、幅方向の反りが(2.5/t)μm/mm以下(t(mm):基板の厚さ)であることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板。
  3. アスペクト比(=ガラス基板の幅/ガラス基板の厚み)が1.5以上であり、
    前記ガラス基板の幅が5cm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガラス基板。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のガラス基板の前記他方の面上に、透明電極層が形成されていることを特徴とする透明電極層付きガラス基板。
  5. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のガラス基板の前記他方の面上に、透明電極層と、有機EL層と、陰極電極層とをこの順に積層してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 請求項5に記載の前記有機エレクトロルミネッセンス素子を複数枚配置した有機エレクトロルミネッセンス素子。
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