JP2005044613A - 発光装置の製造方法および発光装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 204
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 162
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 60
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 41
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 47
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 16
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 silicon oxide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
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Abstract
【解決手段】基板上に、前記第一電極を形成する工程と、前記第一電極の上に発光層を含む機能層を形成する工程と、前記機能層の上に第二電極を形成する工程と、前記第一電極と前記機能層と前記第二電極と、からなる発光部11を覆う封止層8を形成する工程と、を含み、該封止層8をインクジェット法により形成する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光装置の製造方法に関し、特に、発光装置の基板封止技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイに替わる自発光型ディスプレイとして、有機電界発光装置(陽極と陰極との間に有機材料からなる発光層を設けた構造の発光装置)の開発が急速に進んでいる。従来の有機電界発光装置の構造としては、例えば、透明基板の上に、透明電極からなる陽極、正孔注入/輸送層、有機材料からなる発光層、光透過性でない陰極、がこの順に形成されている積層構造が挙げられる。この積層構造の有機電界発光装置では、発光層で電子とホールが結合して生じた光は基板側に放射される。また、有機電界発光装置の構造として、基板側の電極(陽極)が不透明であり、陰極が透明であるものもある。この場合は、有機電界発光装置による発光は陰極側に得られる。さらに、有機電界発光装置の構造の別の例としては、基板がガラス基板等の透明基板であり、両電極が透明なものが挙げられる。この場合は、有機電界発光装置による発光は基板側および陰極側に得られる。
【0003】
有機電界発光装置の特徴は、低電圧を印加するだけで高輝度、高効率で発光が生じることにある。しかしながら、有機電界発光装置には、装置の構成部材が経時変化で劣化することに伴って、この優れた特性が得られなくなるという問題があり、特に発光特性の経時劣化が著しいことであった。その劣化要因としては、特に陰極と有機材料からなる発光層とが、大気中の酸素や水分により酸化され、発光強度の劣化をもたらすことが挙げられている。
その対策として、例えば特許文献1には、ガラス基板上に有機物EL層を覆うように耐湿性を有する光硬化性樹脂層を形成し、該光硬化性樹脂層の上に非透水性を有するガラス基板を固着して、経時劣化を防止する方法が提案されている。また、特許文献2には、電気絶縁性高分子化合物からなる保護層を設けた後、この保護層の外側に、電気絶縁性ガラス、電気絶縁性高分子化合物および電気絶縁性気密流体からなる群より選択される1つからなるシールド層を設ける方法も提案されている。
さらに、特許文献3には、基板上に第一,第二電極、第一,第二絶縁層、発光層を覆うシール板を接着した薄膜ELパネルにおいて、シール板の接着個所の内側の周辺部に、基板側に開口した溝を設け、上記溝に吸湿材を埋め込み耐湿性を向上させる方法が提案されている。
【0004】
【特許文献1】
特開平5−182759号公報
【特許文献2】
特開平5−36475号公報
【特許文献3】
特許第2686169号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
この方法によれば、有機電界発光装置の劣化の進行を大幅に抑制することが出来、長寿命化を図ることが出来るとされている。しかしながら、陽極と発光層を含む機能層と陰極とを光硬化性樹脂材料で覆う封止方法としては、スピンコート法、ディップ法、ディスペンサーによる滴下法等があり、これらの方法は樹脂材料の無駄が著しく、製造コストを低減する際の大きな問題となっていた。又、特許文献2では、電気絶縁性高分子化合物からなる保護層で覆う方法が提案されているが、その方法は真空蒸着法、スパッタ法、CVD法などであり、例えばスパッタ法では発光層にダメージが与えられて発光特性が劣化し、またCVD法では保護層形成時間が長く要し、さらに高分子化合物材料の無駄も著しく、品質向上、生産性向上、製造コスト低減、の大きな障害となっていた。さらに、シール板の内側の周縁部に吸湿材を埋め込む場合には、吸湿効果が周縁部に限られるという問題があった。
【0006】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、有機材料に悪影響をあたえず耐湿効果が優れ製造時の歩留まり向上、生産性コスト低減を大幅に改善することが出来る発光装置の製造方法および発光装置を提供する事を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の発光装置は、基板上に、少なくとも第一電極と、発光層を含む機能層と、第二電極と、を有する発光装置の製造方法であって、前記基板上に前記第一電極を形成する工程と、前記第一電極の上に機能層を形成する工程と、前記機能層の上に第二電極を形成する工程と、前記第一電極と前記機能層と前記第二電極とからなる発光部を覆う封止層を形成する工程と、を含み、該封止層がインクジェット法により形成されていることを特徴とする。
【0008】
このような発光装置の製造方法によると、前記第一電極と前記機能層と前記第二電極と、からなる発光部を覆う封止層をインクジェット法により封止層形成材料を塗布して形成するものとしているため、例えばスピンコート法により塗布する方法に比して、封止層形成領域のみに正確に塗布することができるため、封止層形成材料に無駄が出ない。
【0009】
本発明は、前記封止層が、樹脂材料からなる有機層と、金属酸化物または金属窒化物からなる無機層とを含むことが好ましい。
このような構成によれば、有機層が水分を防止し、無機層が酸素分子または水分子などのガス状の分子を、金属酸化物または金属窒化物と反応結合させることで除去出来るため、発光部の酸化による劣化を防止できる。なお有機層形成材料としては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等のUV硬化樹脂または熱硬化樹脂が挙げられる。これらのうちエポキシ樹脂は、耐湿性が高く可視光の透過率も高いため特に好ましい。この有機層は、例えば液状の熱硬化性エポキシ樹脂または光硬化性エポキシ樹脂をインクジェット法にて塗布した後に硬化することで容易に形成できる。また、無機層形成材料としては、酸化ケイ素(SiО2またはSiО)、酸化マグネシウム(MgО)、酸化カルシウム(CaО)、アルミニウムケイ酸塩(AlОSiО4)、ピロリン酸カリウム(K4P2О7)などの金属酸化物、または、窒化ケイ素(Si3N4)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化チタン(TiN)、窒化ホウ素(BN)などの金属窒化物が挙げられ、これら金属酸化物または金属窒化物を溶剤に混合して液状体にしてインクジェット法にて塗布することで前記無機層が形成できる。
【0010】
本発明は、前記有機層と前記無機層とが交互に複数層積層され、かつ、最下層が前記有機層であることが好ましい。このような製造方法によれば、最初に有機層形成材料をインクジェット法にて塗布し、次に無機層形成材料と有機層形成材料とをインクジェット法にて交互に塗布し、複数層積層していくことは極めて容易に実施できる。また、有機層形成領域、無機層形成領域のみに正確に塗布出来るため、材料に無駄が出ない。さらに、有機層、無機層を複数層重ねて積層することで、複数のバリア層を設置することになり、水分や酸素による酸化を一層防止できる。また、交互に複数層重ねることで、個々の有機層と、無機層との厚さを薄くすることができるため、前記封止層に可撓性を持たせることが可能になる。この場合、基板をプラスチックフィルムにすると、可撓性を有する有機電界発光装置が可能になる。また、最下層を金属酸化物または金属窒化物からなる無機層にすると、この金属酸化物または金属窒化物に接触する第二電極が酸化されるおそれがある為、最下層は樹脂材料からなる有機層が好ましい。特に、最下層を有機層とすることで、第二電極に、仕事関数の低いアルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)などの薄膜を使用することが可能になり、基板側だけでなく封止層側にも発光を取り出す有機電界発光装置の構成が可能になる。
【0011】
本発明は、前記封止層の、前記基板側とは反対側の表面に、非透水性の封止部材が固着されることが好ましい。このような製造方法によると、前記封止層の前記基板側とは反対側に形成された有機層または無機層の表面に、非透水性の封止部材を載せた状態で、有機層形成材料または無機層形成材料を硬化させて固着することにより、封止層の大気と接する表面積が封止部材の面積分減少するため、酸素および水分がさらに浸透し難くなり、発光強度の劣化をいっそう防止できる。また非透水性の封止部材の例としては、ガラス板、アクリル板、プラスチックフィルム、アルミニウム金属板、ステンレス板などがあり、光透過率の高いガラス板が特に好ましい。この理由は、発光層で電子とホールが結合して生じた光を、封止層側からも取り出すことが可能になる為である。この場合、封止部材は平板状が好ましく、さらに、この封止部材は、封止層の表面保護部材としての機能も有している。この結果、基板側から発光を取り出すボトムエミッション型だけでなく、封止層側から発光を取り出すトップエミッション型の発光装置の構成も可能であり、また基板側と封止層側との両方から発光を取り出す発光装置の構成も可能になる。
【0012】
本発明は、前記封止層の、前記基板側とは反対側の表面を平滑に形成することが好ましい。このような製造方法によれば、該封止層と非透水性の封止部材とが密着するため、封止層と非透水性の封止部材との境界面に、水分や酸素が浸透し難くなり、その結果、発光部が酸化され難くなり発光強度の劣化をいっそう防止できる。また、インクジェット法によれば封止層表面を平滑になるように封止層形成材料を塗布することは、後述するように部分的に塗布量を増減することが出来るため、容易に実現できる。さらに、前記封止層の、前記基板側とは反対側の表面に封止部材を載せる前に、該封止層の表面を機械的に削って平滑化し、そのうえに耐湿性の樹脂材料からなる接着剤を塗布してから、封止部材を載せて固着してもよい。
【0013】
本発明は、前記封止層が、前記基板上の封止層形成領域内の凸凹形状によって、その層厚に高低差が生じていることが好ましい。このような製造方法によれば、基板上の封止層形成領域内に形成された、第一電極と機能層と第二電極とからなる発光部の凸凹形状の段差を、インクジェット装置の塗布方法を変えて、例えば、吐出量を吐出位置によって変える、または吐出ピッチを吐出位置ごとに変える、等により吐出位置ごとに封止層厚を変えて吐出し、凹形状部は厚く吐出し、凸形状部は薄く吐出することで、表面を平滑にできる。その結果、封止層の上に載せるガラスなどの平板な封止部材と封止層とを密着させることができる。インクジェット法によれば、このように部分的に層厚を変えて、表面が平滑な封止層を形成することが容易に実現できる。なお、この封止層厚を部分的に変える場合は、樹脂材料からなる有機層の塗布工程にて行うのが好ましい。その理由は、無機層の厚さを変えた場合、無機層の金属酸化物または金属窒化物の種類によっては、厚くすることで可視光の透過率が低下するおそれがあるためである。
【0014】
本発明は、前記基板の第一電極が形成された面の周縁部であって、前記封止層の形成領域の外側に、インクジェット法により閉環状の樹脂材料からなる封止部を形成し、該封止部の上面に非透水性の封止部材を載せた状態で、該封止部を硬化させることを特徴とする。
【0015】
このような製造方法によれば、インクジェット法により基板の周縁部に閉環状の樹脂材料からなる封止部を正確に、かつ、容易に形成できる。さらに、非透水性の封止部材と耐湿性を備えた樹脂材料からなる封止部と基板とで発光部を密閉できるので、大気中の酸素や水分から発光部が遮蔽されて、酸化され難くなり、発光強度の劣化の生じ難い発光装置を提供出来る。また非透水性の封止部材の例としては、ガラス板、アクリル板、プラスチックフィルム、アルミニウム金属板、ステンレス板などがあり、光透過率の高いガラス板が特に好ましい。この理由は、発光層で電子とホールが結合して生じた光を、封止層側からも取り出すことが可能になる為である。さらに、封止部材の形状は、平板状だけでなく、基板側の面が開口されている箱形状でもよい。この場合、アルミニウム金属板を用いると、発光が基板側に取り出されるボトムエミッション型の発光装置となる。
また、封止部を形成する樹脂材料としては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等のUV硬化樹脂または熱硬化樹脂が挙げられ、エポキシ樹脂が耐湿性だけでなく接着機能も持つ為、特に好ましい。
【0016】
本発明は、複数の前記発光装置を1つの基板母材上に同時に形成し、前記基板母材を、個々の発光装置ごとに切断することを特徴とする。
【0017】
このような製造方法によれば、基板母材上に複数の発光装置を形成する際、個々の発光装置の封止層形成領域および/または封止部形成領域のみに、正確に封止層形成材料および樹脂材料を塗布できるため、たとえば基板母材全面に封止層形成材料および樹脂材料が塗布されてしまうスピンコート法に比較して、使用する封止層形成材料および樹脂材料に無駄がでない。さらに、スピンコート法の場合は、形成領域以外の領域に塗布された封止層形成材料および樹脂材料を取り除く工程が必要になるが、その工程も不要であり生産性が高い。次に、基板母材上に複数形成された発光装置を個々に切断することは、例えばガラス基板の場合、ガラス基板母材の表面に予めV溝状の断面を有するスクライブラインをつけておいて、このスクライブラインの溝に刃状の工具の先端を押し付けた状態で、工具に振動を加えて切断したり、またはスクライブラインの反対側の面にスキージと呼ばれる工具を、スクライブラインを狙って上方から落下させてその衝撃で切断したりする等の方法で実施される。また、基板母材はガラス基板に限らず、プラスチックフィルムでも良い。
【0018】
次に、本発明の発光装置は上記製造方法により得られたことを特徴とする。このような発光装置によると、第二電極および機能層が大気中の酸素や水分により酸化され難くなるため、発光強度が経時変化で劣化し難い長寿命の、かつ、低コストの発光装置を提供出来る.
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図1〜3を用いて本発明の発光装置の一例である有機電界発光装置の第一実施形態について説明する。図1は、この有機電界発光装置の構造を示す図であって、図3のA−A線断面に対応させた断面図である。図2は、この有機電界発光装置の製造方法の各工程を示す断面図である。図3は、この有機電界発光装置の製造過程の一状態を示す平面図であって、図2(a)の状態を示す。
【0020】
この実施形態の有機電界発光装置は、有機電界発光素子からなる発光部として、デジタル数字を構成する7個のエレメントを備えている。この有機電界発光装置は、必要に応じていずれかのエレメントを発光させることにより、デジタル数字等を表示する表示体である。また、図3の符号12より内側の範囲がこの有機電界発光装置の表示領域に相当する。
【0021】
図1および図3に示すように、この実施形態の有機電界発光装置は、透明なガラス基板1と、前記7個のエレメントに対応する透明な陽極(陽極層)2a〜2gと、各陽極2a〜2g用の配線3a〜3gと、透明な陰極層4と、陰極用の端子40と、正孔輸送層5と、有機発光層6と、有機層8aと無機層8bとからなる封止層8と、ガラス板(保護用の封止部材)9とで構成されている。また、図3の符号81より内側の範囲が封止層8の形成領域である。
【0022】
即ち、この有機電界発光装置は透過型の有機電界発光装置であり、有機電界発光素子をなす発光部(陽極層2a〜2gと陰極層4との間に正孔輸送層5および有機電界発光層6からなる機能層を有する発光部)11がガラス基板上に形成され、発光部11の反基板側(基板とは反対側)の面に透明な封止層形成材料からなる封止層8がインクジェット法により形成され、封止層8の反基板側の面に封止部材(ガラス板)9が固着されている。図1に示すように封止層8は、有機層8aと無機層8bとからなり、有機層8aと無機層8bとが交互に複数層積層され、図1では最下層が有機層8aである5層構造となっている。有機層8aと無機層8bとからなる封止層8が陰極を含む発光部11を覆うことによって、大気と接する部分から侵入する水分や酸素をブロックし、発光部11に悪影響を与えないようにすることができる。なお、ここで用いた封止層8は、ガラス基板1と封止部材9とを接着する機能も有している。また、封止層8は、有機層8aと無機層8bとを交互に複数層積層して構成されているが、少なくとも2層以上で構成されていればよい。
【0023】
陰極用の端子40は、図3に示すように、基板面内の周縁部の一箇所に、基板面の端部まで達するように、所定幅の帯状に形成されている。また、同図に示すように、各配線3a〜3gの一端は各陽極2a〜2gに接続され、全配線3a〜3gの他端は、基板面内の周縁部の陰極用端子40と並ぶ位置にまとめて、一定間隔で平行に配置されている。この配線3a〜3gの基板面内の周縁部(他端部)を、各陽極2a〜2g用の端子としている。
【0024】
図3では、各陽極2a〜2g用の端子をまとめて符号30で表示している。また、図1および図2では配線3a〜3gの表示が省略されている。この有機電界発光装置は、各端子30、40が形成されている端部を残して、ガラス基板1の全面が封止層8およびガラス板9で覆われている。図2(e)、(f)では、有機層8aと無機層8bとを省略して封止層8と図示している。この有機電界発光装置は、この露出させた陽極用の端子30と陰極用の端子40との間に駆動回路からの配線を接続して使用される。
【0025】
ガラス基板1は厚さ0.7mmのソーダガラスからなる。各陽極2a〜2g、各配線3a〜3g、および陰極用の端子40は、厚さ150nmのITO(Indium Tin Oxide)薄膜からなる。透明な陰極層4は、マグネシウムと銀との合金薄膜からなる。この陰極層4は、図3の二点鎖線41で囲われた範囲(表示領域12を含む範囲)内に形成されている。
【0026】
正孔輸送層5は、厚さ50nmのN、N’―ジフェニル―N、N’―ジナフチル―1、1’―ビフェニル―4、4’―ジアミン薄膜からなる。有機発光層6は、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体からなる厚さ50nmの薄膜である。正孔輸送層5および有機発光層6は、全陽極2a〜2gを含む中央部分に形成されている。封止層8は、エポキシ樹脂(合成樹脂)からなる有機層8aと酸化ケイ素などの金属酸化物からなる無機層8bとからなり、総厚30μmに形成されている。ガラス板(封止部材)9は厚さ0.1mmのソーダガラスからなる。この有機電界発光装置は、例えば以下のようにして形成することができる。
【0027】
先ず、透明なガラス基板1上に、ITO(Indium Tin Oxide)薄膜をスパッタリング法により形成し、この薄膜に対してフォトリソグラフィとエッチングを行うことにより、基板面内に、陽極(陽極層)2a〜2gと、各陽極2a〜2g用の配線3a〜3gと、陰極用の端子40とを形成する。図2(a)および図3はこの状態を示す。
【0028】
次に、このガラス基板1上の、全陽極2a〜2gを含む中央部分にのみ、真空蒸着法により正孔輸送層5を形成する。図2(b)はこの状態を示す。次に、正孔輸送層5の上面全体にのみ、真空蒸着法により有機発光層6を形成する。図2(c)はこの状態を示す。なお、有機発光層を高分子材料を用いて形成する場合には、インクジェット法を用いてもよい。
【0029】
次に、このガラス基板1上に、有機発光層6の上面全体と陰極用の端子40の一部を覆う範囲(図3の二点鎖線41で囲われた範囲)で、陰極層4として、マグネシウムと銀との合金からなる薄膜を真空蒸着法により形成する。これにより、ガラス基板1上に透過型の有機発光層からなる発光部11が形成される。図2(d)はこの状態を示す。
【0030】
次に、このガラス基板1上の、各端子30、40が形成されている端部を除いた範囲(図3の二点鎖線81で囲われた範囲)に、有機層8aとしてエポキシ樹脂系の樹脂材料と、無機層8bとして金属酸化物である酸化ケイ素と、をインクジェット装置により交互に塗布、積層して、表面が平滑な封止層8を形成する。図2(e)はこの状態を示す。次に、その上にガラス板9を載せた状態でこの封止層8を硬化させ、ガラス板9を封止層8に固着する。図2(f)はこの状態を示す。この図2(e)、(f)の工程は、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。また、陰極4の形成後、有機層8aを構成するエポキシ樹脂系の樹脂材料の塗布までの間に、この基板を空気に触れないようにする必要がある。
【0031】
この封止層8の形成工程は、図1に示すように、例えば、5層からなる封止層8の場合、発光部11の表面の凸凹状態に対応して、最下層の有機層8aの厚さを場所によりインクジェットヘッドからの樹脂材料の吐出量を変えて、表面が平滑になるように形成する。次に無機層8b、その次に有機層8a、と交互に所定の厚みになるように液滴を吐出して、複数層からなる封止層8を形成する。次に該封止層8の平滑に形成された表面に封止部材(ガラス板)9を載せた状態で、封止層8を硬化させて封止部材9を封止層8に固着する。これは、平板状の封止部材9と封止層8の表面とを密着させるためである。また、図には示していないが、封止層8の表面が凸凹状態の時は、封止部材9を載せる前に封止層8を硬化させ、硬化した封止層8の表面を平滑に削りその上に耐湿性を備えたエポキシ系の接着材を塗布し、封止部材9を載せた後、固着させても良い。
【0032】
インクジェット装置による封止層8の製造方法は以下の通りである。
図4に示すように、インクジェットヘッドH1に形成された複数のノズルから、有機層8aとなる耐湿性を備えたエポキシ系の樹脂材料組成物110Cを吐出する。ここではインクジェットヘッドを走査することにより、ガラス基板1および陰極層4の上の封止層形成領域に組成物110Cを吐出、充填しているが、ガラス基板1を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドH1とガラス基板1とを相対的に移動させることによっても組成物110Cを吐出、充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドH1を用いて行う工程では上記の点は同様である。
【0033】
インクジェットヘッドH1による吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドH1に形成された吐出ノズルH2を、ガラス基板1および陰極層4の上の封止層形成領域に対向して配置し、吐出ノズルH2から有機層8aとなるエポキシ系の樹脂材料液滴110Cを吐出する。この封止層形成領域にインクジェットヘッドH1を対向させ、このインクジェットヘッドH1とガラス基板1とを相対移動させながら、吐出ノズルH2から1液当たりの液量が制御された、エポキシ系の樹脂材料液滴110Cを、ガラス基板及び陰極層上の封止層形成領域に吐出する。
ここで用いる樹脂材料液滴110Cとしては、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂が好ましい。その理由は、透明性と接着材の機能と耐湿性とを兼ね備えているためである。
【0034】
次に、インクジェットヘッドH1に形成された吐出ノズルH2を、ガラス基板1および陰極層4の上の封止層形成領域に対向して配置し、ノズルH2から無機層8bとなる金属酸化物、例えば酸化ケイ素を溶媒に混合した液状体からなる液滴を、前記有機層上に吐出して無機層8bを形成する。以後、有機層と無機層とを形成する液滴を交互に吐出、積層しながら複数層からなる封止層8を形成する。この結果、耐湿性のエポキシ樹脂等から形成された有機層8aと、酸素分子または水分子などのガス状の分子を、金属酸化物または金属窒化物と反応結合させることで除去出来る、例えば酸化ケイ素からなる無機層8bと、が交互に複数層積層された封止層8が形成される。ここで、封止層8の最下層は有機層8aが好ましい。その理由は、最下層を金属酸化物または金属窒化物からなる無機層にすると、この金属酸化物または金属窒化物に接触する第二電極が酸化されるおそれがある為、最下層は樹脂材料からなる有機層8aが好ましい。特に、最下層を有機層8aとすることで、第二電極に、仕事関数の低いアルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)などの薄膜を使用することが可能になり、基板側だけでなく封止層側にも発光を取り出す有機電界発光装置の構成が可能になる。
【0035】
次に、図5、図6、図7を用いて本発明の有機電界発光装置の第二実施形態について説明する。図5は本発明の有機電界発光装置の第二実施形態を示す図である。図5は、この有機電界発光装置の構造を示す図であって、図7のA―A線断面に対応させた断面図である。図6は、この有機電界発光装置の製造方法の各工程を示す断面図である。図7は、この有機電界発光装置の製造過程の一状態を示す平面図であって、図6(a)の状態を示す。図6(e)、(f)では、有機層8aと無機層8bとを省略して封止層8と図示している。この第二実施形態では、樹脂材料からなる封止部13を、ガラス基板1上の、各端子30、40が形成されている端部を除いた範囲に閉環状(図7の二点鎖線71と72とに囲われた範囲)に、エポキシ系の樹脂材料をインクジェット法により塗布して形成し、その上に封止部材(ガラス板)9を載せた状態でこのエポキシ樹脂を硬化させる。この工程は、不活性ガス雰囲気下で行う。
【0036】
この第二実施形態では、ガラス基板1上の周縁部に閉環状の封止部13を形成し、その内側に、本発明の封止層8が陰極層4を覆うように形成されている。図7の二点鎖線81で囲われた範囲が封止層8の形成領域である。この封止部形成工程は、発光部11が形成されたガラス基板1の周縁部に樹脂材料からなりインクジェット法により形成された封止部13を配置して、ガラス基板1上に封止部13を形成し、ガラス基板1と閉環状の封止部13と封止部材(ガラス板)9とにより、発光部11を密閉する工程である。また、封止部13はインクジェット法により容易に、形成領域のみに閉環状に形成できる。第二実施形態の有機電界発光装置の製造方法の各工程は、図6(e)および(f)の工程が図2(e)および(f)の工程と異なるが、これ以外の工程は第一実施形態と同じである。すなわち、この第二実施形態では、封止層8の形成後に図6(e)に示す封止部13の形成工程をインクジェット法により行い、その後に図6(f)に示す封止部材9を封止部13の上に載せて封止部13を硬化して、封止部材9を封止部13に固着する。封止層8の形成方法は第一実施形態と同じ方法で行うことができる。また、封止層8と封止部13との形成はインクジェット法で行うため、封止部13を先に形成してもよい。この場合、この封止部形成工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極4にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水分や酸素等が陰極4に侵入して陰極4が酸化されるおそれがあるので好ましくない。さらに、図には示していないが、封止部13を形成した後に封止層8を形成し、その後、封止層8の上にインクジェット法により樹脂材料を塗布、充填して、ガラス基板1と封止部13と封止部材9とで囲われる空間を樹脂材料で埋め尽くしてもよい。
【0037】
インクジェットヘッドの構造については、図8のようなヘッドHを用いる事が出来る。更に、基板とインクジェットヘッドの配置に関しては図9のように配置することが好ましい。図8中、符号H7は前記のインクジェットヘッドH1を支持する支持基盤であり、この支持基板H7上に複数のインクジェットヘッドH1が備えられている。
【0038】
インクジェットヘッドH1のインク吐出面(基板101との対向面)には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、かつヘッドの幅方向に間隔をあけて2列で吐出ノズルが複数(例えば、1列180ノズル、合計360ノズル)設けられている。また、このインクジェットヘッドH1は、吐出ノズルを基板101側に向けるとともに、X軸(又はY軸)に対して所定角度傾いた状態で平面視略矩形状の支持板に複数(図8では1列6個、合計12個)位置決めされて支持されている。
【0039】
また図9に示すインクジェット装置において、符号115は基板101を載置するステージであり、符号116はステージ115を図中X軸方向(主走査方向)に案内するガイドレールである。またヘッドHは、支持部材111を介してガイドレール113により図中Y軸方向(副走査方向)に移動できるようになっている。さらに、ヘッドHは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドH1を主走査方向に対して所定の角度に傾けることが出来るようになっている。
【0040】
図9に示す基板101は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、1チップの領域が1つの表示装置に相当する。ここでは、複数の表示領域101aが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基板101上の左側列の表示領域101aに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール113を介してヘッドHを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール116を介して基板101を図中上側に移動させて、基板101を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドHを図中右側に移動させて基板の中央列の表示領域101aに対して組成物を塗布する。右側列にある表示領域101aに対しても前記と同様である。
尚、図8に示すヘッドH及び図9に示すインクジェット装置は、封止層形成工程および封止部形成工程のみならず、発光層形成工程に用いても良い。
【0041】
図9のインクジェット装置は、基板母材101上に複数のチップ101aが形成されている。複数のチップ101aは、第一実施形態および第二実施形態のガラス基板1に相当している。第一実施形態または第二実施形態のいずれか1つの実施形態にて製造されたチップ101aに対応する個々の有機電界発光装置は、基板母材101をインクジェット装置から取り外し、前述したスクライブ溝を分割ラインとして切断する。切断されたチップ101aは個々の本発明による有機電界発光装置となる。
【0042】
図9の基板母材101上に複数の有機電界発光装置を形成する場合、封止層8および封止部13の形成工程にインクジェット法を使うと、その形成領域のみに正確に塗布することが出来るため、使用材料に無駄が出ない。スピンコート法では基板母材101全面に塗布されてしまうため、非形成領域に塗布された樹脂材料または液滴を取り除く工程が必要になるが、インクジェット法では、その工程も不要となり生産性の高い製造方法となる。
【0043】
また、本発明は、図10に示すようなトップエミッション型の有機電界発光装置にも適用できる。この有機電界発光装置は、駆動方式がアクティブマトリックス方式である有機電界発光素子を画素として備えた表示装置であるため、各画素用のTFT(Thin Film Transistor)15が基板1上に形成されている。各画素毎に、不透明な陽極層2をTFT15と接続させて形成し、その上に正孔輸送層5、発光層6、透明な陰極層4を順次形成する。なお、この例では補助陰極45も形成されている。そして、陰極層4の上部に、透明なエポキシ樹脂からなる有機層と酸化ケイ素などからなる無機層とを交互に複数層積層した封止層8が形成されている。なお、図10では、有機層8aと無機層8bとを省略して封止層8と図示している。
【0044】
この有機電界発光装置は、基板1とは反対側(つまり、陰極層4側)に発光を得る。そのため、この有機電界発光装置では、基板1として、シリコンウエハ等の半導体基板や反射性を有する基板等を用いることができる。また、基板1上のTFT15の上を発光画素領域とすることができる。その結果、この有機電界発光装置では、開口率を70%程度まで高くすることができる。これに対して、基板側に発光が得られる従来構造のボトムエミッション型(基板が透明であり、基板側の電極層が透明であり、基板とは反対側の電極層が不透明である構造)の有機電界発光装置では、基板上のTFTの上を発光画素領域とすることが出来ないため、開口率は30%程度であった。したがって、トップエミッション型の有機電界発光装置とすることによって、従来構造の有機電界発光装置より輝度を高くする、あるいは消費電力を減らすことができる。
【0045】
さらに、本発明の有機電界発光装置は、例えば、携帯電話、モバイル型のパーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ等の各種電子機器に適用することができる。図11は、携帯電話の斜視図である。図11において、携帯電話200は、複数の操作ボタン202の他、受話口204、送話口206と共に、本発明の有機電界発光装置からなる表示パネル208を備えている。
【0046】
なお、本発明の有機電界発光装置を表示部として適用できる電子機器としては、図11の携帯電話の他にも、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、PОS端末、およびタッチパネルを備えた機器等を挙げることができる。
【0047】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲にて実施例を適宜変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施形態の有機電界発光装置の構造を示す図であって、図3のA―A線断面に対応させた断面図である。
【図2】図1の有機電界発光装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図3】図1の有機電界発光装置の製造過程の一状態を示す平面図であって、図2(a)の状態を示す。
【図4】本発明の第一実施形態の有機電界発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図5】本発明の第二実施形態の有機電界発光装置の構造を示す図であって、図7のA―A線断面に対応させた断面図である。
【図6】図5の有機電界発光装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図7】図5の有機電界発光装置の製造過程の一状態を示す平面図であって、図6(a)の状態を示す。
【図8】本発明の有機電界発光装置の製造に用いるヘッドを示す平面図である。
【図9】本発明の有機電界発光装置の製造に用いるインクジェット装置を示す平面図である。
【図10】トップエミッション型有機電界発光装置の構造を示す断面図である。
【図11】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
1…基板、8…封止層、8a…有機層、8b…無機層、9…封止部材、13…封止部、101…基板母材
Claims (9)
- 基板上に、少なくとも第一電極と、発光層を含む機能層と、第二電極と、を有する発光装置の製造方法であって、
前記基板上に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極の上に機能層を形成する工程と、
前記機能層の上に第二電極を形成する工程と、
前記第一電極と前記機能層と前記第二電極とからなる発光部を覆う封止層を形成する工程と、を含み、
該封止層がインクジェット法により形成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記封止層は、樹脂材料からなる有機層と、金属酸化物または金属窒化物からなる無機層とを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記封止層は、前記有機層と前記無機層とが交互に複数層積層され、かつ、最下層が前記有機層であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記封止層の、前記基板側とは反対側の表面に、非透水性の封止部材が固着されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記封止層の、前記基板側とは反対側の表面を平滑に形成することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の有機電界発光装置の製造方法。
- 前記封止層は、前記基板上の封止層形成領域内の凸凹形状によって、その層厚に高低差が生じていることを特徴とする請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 前記基板の第一電極が形成された面の周縁部であって、前記封止層の形成領域の外側に、インクジェット法により閉環状の樹脂材料からなる封止部を形成し、該封止部の上面に非透水性の封止部材を載せた状態で、該封止部を硬化させることを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 複数の前記発光装置を1つの基板母材上に同時に形成し、その後、前記基板母材を個々の発光装置ごとに切断することを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の製造方法により得られたことを特徴とする発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003202583A JP2005044613A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
US10/895,340 US20050053719A1 (en) | 2003-07-28 | 2004-07-21 | Method of manufacturing luminescence device, and luminescence device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003202583A JP2005044613A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005044613A true JP2005044613A (ja) | 2005-02-17 |
Family
ID=34225017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003202583A Withdrawn JP2005044613A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050053719A1 (ja) |
JP (1) | JP2005044613A (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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