JP2022145802A - 有機発光ダイオードの封止方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機発光ダイオード(organic light emitting diode)の封止方法を提供する。【解決手段】基板にはそれぞれが導体層を有する複数のOLEDを含む。OLED上にコーティングが形成され、該コーティングは、OLED構造及び少なくとも部分的にコンタクト層のそれぞれの上に形成された第1無機層と、第1無機層上のバッファ層と、バッファ層上の第2無機層とを含み、バッファ層は、第1無機層と接触する第1無機インターフェイス層と、第2無機層と接触する第2無機インターフェイス層と、第1無機インターフェイス層と前記第2無機インターフェイス層とに挟まれた有機層とを含む。【選択図】図8
Description
[関連出願]
本願は、2016年11月6日に出願した米国仮出願第62/418,175号の優先権を主張し、その開示のすべてが言及によって本明細書に援用される。
本願は、2016年11月6日に出願した米国仮出願第62/418,175号の優先権を主張し、その開示のすべてが言及によって本明細書に援用される。
[技術分野]
本願の実施形態は、有機発光ダイオード(organic light emitting diode)の封止方法及び装置に関する。また、本願の実施形態は、OLEDディスプレイ及びタッチスクリーンの製造方法及び装置にも関する。
本願の実施形態は、有機発光ダイオード(organic light emitting diode)の封止方法及び装置に関する。また、本願の実施形態は、OLEDディスプレイ及びタッチスクリーンの製造方法及び装置にも関する。
[関連技術の説明]
有機発光ディスプレイ(Organic lightemitting displays、OLED)は、そのより低い消費電力、より軽い重量、広色域、より大きい視野角、より速い反応時間、より高いコントラストのため勢いを増しており、また程度の差はあるが、従来の液晶ディスプレイ(liquid crystal displays、LCD)と比較して可撓性を可能にしている。しかしながら、OLED構造は、ディスプレイの性能を大きく下げる湿気や酸素の取り込みの影響を受けやすい。OLED構造を保護するため、交互の無機薄膜層と有機薄膜層とを含む、封止を行うことが必要である。
有機発光ディスプレイ(Organic lightemitting displays、OLED)は、そのより低い消費電力、より軽い重量、広色域、より大きい視野角、より速い反応時間、より高いコントラストのため勢いを増しており、また程度の差はあるが、従来の液晶ディスプレイ(liquid crystal displays、LCD)と比較して可撓性を可能にしている。しかしながら、OLED構造は、ディスプレイの性能を大きく下げる湿気や酸素の取り込みの影響を受けやすい。OLED構造を保護するため、交互の無機薄膜層と有機薄膜層とを含む、封止を行うことが必要である。
以下の本発明の発明の概要は、本発明におけるいくつかの態様及び特徴の基本的な理解を得るために包含される。この発明の概要は本発明の広範囲の概略ではなく、それ自体特に本発明の不可欠な又は重要な要素を特定すること、又は本発明の範囲を詳述することを意図しない。その唯一の目的は、以下に記載されるより詳細な説明の前置きとして簡易な形態で本発明のいくつかの概念を提示することにある。
本発明の一実施形態において、同じプロセスチャンバにおいて、無機層(SiNx、SiOx、SiON、Al2O3など)と、(チューナブル無機・有機特性の)バッファ層と、無機層とを形成するステップを含む、有機発光ダイオードの封止方法が提供される。
本発明の他の実施形態において、異なるプロセスチャンバにおいて、無機層と、一次有機層と、無機層とを形成するステップを含む、有機発光ダイオードの封止方法が提供される。
他の実施形態において、チューナブルバッファ層は、規定量の、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)又はテトラメチルジシロキサン(TMDSO)又は類似の有機ケイ素類縁体、好ましくはTMDSOなどの気化有機ケイ素化合物と、不活性ガス(例えば、ヘリウム、アルゴンなど)と、酸化性ガス(例えば、酸素、亜酸化窒素など)との混合物から、PECVDによって作製することができる。
他の実施形態において、封止前のマスクアライメントは、プロセスチャンバの外部だが、真空内で行われる。
他の実施形態において、装置は、マスクの保管のためのマスクチャンバを有することができる。
この明細書に含まれるともにこの明細書の一部をなす添付の図面は、本発明の実施形態を例示するものであり、詳細な説明とともに本発明の原理を記載して示す役割を担う。図面は、概略的に例示の実施形態の主な特徴を示すことが意図される。図面は、実際の実施形態のすべての特徴も示される要素の相対的寸法も示すことを意図するものではなく、正確な縮尺で描かれていない。
1つ以上の本発明の実施形態は一例として示され、同様の参照符号が類似する構成要素を表す添付の図面の図において限定するものではない。
ここで、創意に富んだ封入システム及び方法の実施形態を図面に関して記載する。種々の実施形態又はそれらの組合せは、異なる用途に、又は異なる有利性を得るために、用いることができる。得ようとする結果によって、本明細書に開示する種々の特徴は、利点を要件や制約と両立させて、部分的に又はそのすべて、単独又は他の特徴と組み合わせて使用することができる。ゆえに、特定の有利性は種々の実施形態において強調されるが、開示の実施形態に限定されるわけではない。すなわち、本明細書に開示の特徴は、それらが記載される実施形態に限定されるわけではなく、他の特徴と「様々に組み合わせられ」て、他の実施形態に組み込むことができる。
本願は、マスクアライメントがプロセスチャンバの外部にあるワンチャンバ処理又はマルチチャンバ処理を使用する、基板に配置されたOLED構造の薄膜封止のための方法及びシステムを提供する。基板とマスクとは、ともにプロセスチャンバ内に搬送されて成膜を行う。この構成において、良好なパーティクルパフォーマンスを備えた精度の高いアライメントをなすことができる。
図1は、ワンチャンバ処理の実施形態の封止方法のフロー図である。ワンチャンバ処理は、既にその上に形成されたOLED構造を有する基板をシステムに提供して、ステップ100から開始される。また、基板はOLED構造の通電を可能にするためにコンタクト層を有する。ステップ105において、マスクは基板上に配置されて、OLED構造を露出しながらコンタクトの一部がマスクされるようにアライメントされる。アライメント後、マスクと基板とは、プロセスチャンバ内にともに移送されて必要な成膜を行う。ステップ110において、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどであり得る第1無機層をOLED構造及びマスク上に成膜する。ステップ115において、チューナブルバッファ層を作製し、酸化剤及び有機ケイ素類縁体の流量比は、以下により詳細に説明するように、変化する。低い比は実質的に主に有機のバッファ層をもたらす一方で、より高い比は実質的に主に無機の層をもたらすものである。この目的は、バッファ層の大部分が実質的に主に有機でありながら、バッファ層とその上下層との間のインターフェイス(境界部)が実質的に主に無機のものであるバッファ層を設けることである。層の無機特性により、湿気及び酸素に対する良好なバリアが得らえる。層の有機特性により、応力低減及びパーティクル被覆が得らえる。ステップ120では、無機層を設けて封止を完了する。より厳密な封止要件を満たすために、処理シーケンス全体を繰り返す必要があり得る。
ゆえに、この態様において、LED構造をマスクして部分的にコンタクト部分を被覆するとともにLED構造を露出させるステップと、マスクによって無機層を形成するステップと、無機層上に異なる有機成分及び無機成分を有するチューナブルバッファ層を形成するステップと、チューナブルバッファ層上にキャップ無機層を形成するステップとを含む、LEDデバイスを封止する方法が提供される。
図2A~図2Dは、3つの異なるマスクを使用して、本発明の実施形態において形成した封止層の断面図を示す。図2Aにおいて、基板200は、コンタクト層205とOLED構造210とを有する。図2A~図2Dは、この実施形態の特徴を強調するために基板及びマスクの小断面のみを示すということが留意される。具体的に、マスク215は、マスクが基板200上に適切にアライメントされると、OLED構造210を完全に露出させてコンタクト層205の縁部のみを被覆するように、開口部を有する。そして、無機層220を所定位置のマスクを用いて形成する。処理の終了時、図2Bに示すように、マスクは取り外され、第1マスク215より小さい開口部を有する第2マスク217が基板にアライメントされて、無機層220の縁部とコンタクト層205の縁部とを被覆する。そして、チューナブルバッファ層225をマスク217の開口部を介して無機層220上に形成する。マスク217は第1マスク215より小さい開口部を有するので、チューナブルバッファ層225は無機層220全体を被覆しない、すなわちバッファ層225は第2マスク217によって被覆された無機層220の縁部に到達しない。この処理の終了時、図2Cに示すように、第3マスク219を基板上にアライメントする。マスク219は、未コーティングのコンタクト層の縁部、露出させた無機層220の縁部、及びチューナブルバッファ層225全体を露出させるように、第1マスクより大きい開口部を有する。上部無機層230を所定位置の第3マスクを用いて形成する。第3マスク219は、第2マスクの開口部よりも大きく、第1マスクより大きい開口部を有するので、上部無機層230は、符号235によって示すように、チューナブルバッファ層225を完全に封止する。そして、マスクは取り外され、最終構造が図2Dに示される。
他の実施形態において、図2A~図2Dに関して概要を示した処理が、第3マスク219を使用する代わりに第3段階において第1マスクを再び使用することを除いて、行われる。また、これはチューナブルバッファ層の完全封止も行う。さらに、バッファ層のチューナブル無機特性は、後のキャップ無機層によって有機層が完全に封止されるので、この場合には必要とされないことがある。したがって、本明細書に記載の説明において、いずれか2つ又は3つのマスクを伴う図2A~図2Dの実施形態を使用して、特別なチューナブル無機層が記載されるが、任意の標準バッファ層を使用することができる。例として、バッファ層はプラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン(plasma-polymerizedhexamethyldisiloxane、PP-HMDSO)であり得る。
ゆえに、他の態様において、LEDを封止する方法が提供され、該方法は、無機層を形成し、無機層はLED構造全体上に延びるがLEDのコンタクト層を部分的に露出するステップと、無機層上に有機バッファ層を形成し、有機層は無機層上に延びるが無機層の周縁部を部分的に露出するステップと、キャップ無機層を形成し、キャップ無機層が有機バッファ層全体及び露出された無機層の周縁部上に延びるステップとを含む。有機バッファ層は、無機層と接触する第1インターフェイス層、キャップ無機層と接触する第2インターフェイス層、及び第1インターフェイス層と第2インターフェイス層とに挟まれた有機層を含むことができる。
図3は、標準バッファ層に使用可能なpp-HMDSOの化学構造を示す。一実施形態において、チューナブルバッファ層は、図4に示すように、2つのCH3結合をH結合で置換することによって、プラズマ重合テトラメチルジシロキサン(pp-TMDSO)から形成される。そうした化学式は、本明細書においてpp-TMDSOとして呼称される。チューニングは、層形成時にTMDSO及びO2ガスのフローを制御して、プラズマに印加されるRF電力を適切に調節することで行われる。具体的に、一実施形態において、TMDSOに対するO2の流量比が8以上に保持されて、無機層、すなわちSiO2を形成する一方、比が2以下に保持されて、軟加硫シリコーン層、例えば室温加硫シリコーン(Room-Temperature-Vulcanizingsilicone、RTV)を形成する。
ゆえに、一実施形態において、第1無機層の形成後、例えば図1のステップ110又は図2Aのステップ後、バッファ層を形成するステップが3つのサブステップに分けられる。まず、TMDSOに対するO2の比が8以上になるように調節されて、SiOxインターフェイス薄層を形成し、そして、比は2以下になるように変更されて、軟バッファ層を形成し、そして、バッファ層形成処理の終了に向かって、比を8以上に戻して、SiOxのインターフェイス薄層を形成する。その後、処理を本明細書に記載のように進める。バッファ層の作製時、比を徐々に変化させて、インターフェイス層が軟バッファ層に移行するようにできるということが留意される。得られた構造は図5に示され、バッファ層225は、硬インターフェイス層221、軟バッファ層222、及び硬インターフェイス層223からなる。
上述のように、本発明の種々の実施形態において、チューナブルバッファ層は、プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサンHMDSO(pp-HMDSO)又はプラズマ重合テトラメチルジシロキサン(pp-TMDSO)、好ましくはpp-TMDSOであり得る。pp-TMDSOにより、より大きい成膜速度とより良好なパーティクルパフォーマンスを得る。使用される組成にかかわらず、HMDSOに対するO2の比又はTMDSOに対するO2の比を制御するプロセスは、図5に示すように、硬インターフェイス層と軟バルクバッファ層とを形成するように利用することができる。
図6は、OLED上に保護層を形成するための、一実施形態における装置のブロック図を示す。基板は、入口ロードロックチャンバ600でシステムに入る。ロードロック600内に適切な真空レベルが得られたら、基板をマスク1アライメントチャンバ605に移動させる。そして、マスク保管チャンバ615からのマスクをマスクアライメントチャンバ605に移送して、基板に配置及びアライメントする。そして、マスクとともに基板を無機層形成チャンバ610に移送する。チャンバ610は、例えばプラズマ成膜チャンバなどであり得る。第1無機層を形成したら、基板はマスクアライメントチャンバ605に戻り、第1マスクが取り外される。第2マスクをマスク保管チャンバ615から得て、マスク2アライメントチャンバ620において基板に配置及びアライメントする。そして、マスクを有する基板は、これもプラズマ成膜及び重合チャンバであり得るバッファ層形成チャンバ625に入る。そして、基板を取り外し、マスク2を基板から取り外して、マスク1アライメントチャンバ630においてマスク1(又はマスク3)を基板に配置してアライメントする。そして、マスクを有する基板は、これもプラズマ成膜チャンバであり得る無機層形成チャンバ635に入る。そして、基板は、マスクアライメントチャンバ630に戻るので、マスクは取り外されて、マスク保管チャンバ615に戻り、そして基板は出口ロードロックチャンバ640を使用してシステムを出る。
本発明の一特徴において、各層形成処理の後、マスクを有する基板はチャンバを出て、そしてマスクは基板なしでチャンバに戻り、プラズマをチャンバ内部で再び着火させる。一方、他の実施形態において、マスクを基板から持ち上げるために、プロセスチャンバ内部で設備が設けられているので、処理の終了時、基板のみがチャンバから取り外される一方、マスクはプラズマクリーニングサイクルのためにチャンバ内部に残る。プラズマクリーニングサイクルは、例えばNF3など、塩素又はフッ素又はその両方を含むガスを使用して行うことができる。これは、チャンバの内部とマスクとをともにクリーニングするのに利用される。これは、チャンバ610、625、及び/又は635のいずれかにおける各層形成処理の後に行うことができる。
他の特徴は、基板とマスクとがプロセスチャンバの外部だが真空においてアライメントされるアライメントチャンバにおいて、マスクのアライメントが行われることである。アライメント後、基板とマスクとは、プロセスチャンバにともに移動して成膜を行う。これにより、パーティクル発生のより少ない、簡易で確実なシステムが得らえる。また、マスクは真空内に残るので、基板が取り外されたとき、元の位置でのプラズマクリーニングのためにチャンバに戻るか又は単にチャンバ内に残ることができる。
図7は、OLED上に、例えば保護層などのCVD薄層を形成するためのシステムの他の実施形態を示す。図7のシステムは、真空移送バックボーンによってプロセスチャンバを接続するモジュラーシステムである。システムは、処理要件に応じて、1~「N」個のプロセスチャンバで構成可能である。システムは、プロセスチャンバ間で基板とマスクとを輸送するために直線状磁気結合移送システムを使用することができる。図6のシステムのように、マスクと基板とのアライメントはプロセスチャンバの外部だが真空で行われる。この特定の実施形態において、すべてのプロセスチャンバに利用される1つのマスクが存在する。自明のことであるが、ブランケット層が成膜される場合、マスクは必要とされない。
図7に示す実施形態において、x軸及びy軸における輸送は、独立した単軸キャリッジによって個別に行われる。ロードキャリッジ755及びアンロードキャリッジ757は排他的にx軸方向において基板及び/又はマスクを輸送する一方で、ローダー760は排他的にy軸方向において基板及び/又はマスクを輸送する。Zリフター765は、z方向に、すなわち上昇において、基板及び/又はマスクを持ち上げるために使用される。この3軸における運動の分離は、比較的コストを低くかつ標準的に実施して3軸すべてに輸送することができる多くの市販のクラスタロボットアームが利用可能であるので、当該技術分野における一般的なアプローチとはいくらか矛盾するものである。例として、図7の3つのチャンバの実施形態は、単一トラックロボットがx軸の運動を含む同じ機能を実施することができるところ、4つの個別のy軸ローダー760を必要とする。しかしながら、この特有の分離構成は、基板のより迅速な輸送を可能にして、プロセスチャンバ使用を増加させる。
具体的に、基板は入口ロードロック700内に搬送され、そしてロードロック700内部に真空を引く。また、マスクはマスク保管チャンバ703に保管される。マスクは以下のようにマスク保管チャンバ703に搬送することができる。例として、クリーニングしたマスクを入口ロードロック700にロード可能である。ロードロック700に真空を引くと、ロードキャリッジ755はマスクをロードロック700から取り外して、zリフター765aに移送する。y軸ローダー760aは、マスクをzリフター765aから取り外して、マスク保管チャンバ703に輸送する。この方法において、複数のマスクをマスク保管チャンバ703にロードすることができる。クリーニング又は交換のためマスクをシステムから取り外すために、逆のプロセスを行うことができる。
マスクが、例えばチャンバ710において、処理に必要とされるとき、y軸ローダー760aは、マスクをマスク保管部703から取り外して、zリフター765aに移送する。そして、ロードキャリッジ755がマスクをzリフター765bに移送する。y軸ローダー760bは、マスクをzリフター765bから取り外して、マスクアライメントチャンバ705に移送する。その一方で、ロードキャリッジ755は、基板をロードロック700から取り外して、zリフター765bに移送する。y軸ローダー760bは、基板をzリフター765bから取り外して、マスクアライメントチャンバ705に移送する。そして、マスクを基板にアライメントする。アライメントが完了すると、y軸ローダー760bは、マスクと基板とをともにマスクアライメントチャンバ705から取り外して、プロセスチャンバ710に移送する。他のチャンバのそれぞれに対して、同様のプロセスを行うことができる。
処理が完了すると、y軸ローダー760bは、マスクと基板とをプロセスチャンバ710から取り外すことができる。しかしながら、一実施形態において。異なる手順が行われる。具体的に、処理が完了すると、y軸ローダー760bは、基板のみをプロセスチャンバ710から取り外して、zリフター765bに移送する。その一方で、クリーニングプラズマをプロセスチャンバ710において着火させて、チャンバとマスクとをともにクリーニングする。アンロードキャリッジ757は、基板をzリフター765bから取って、出口ロードロック740(基板の処理が完了した場合)又は次のプロセスチャンバにおいて処理が継続される場合は次のzリフターに移送する。その一方で、ロードキャリッジ755は、新しい基板をロードロック700からロードして、zリフター765bに移送する。そして、y軸ローダー760bは、基板をマスクアライメントチャンバ705に移送する。つまり、クリーニングがプロセスチャンバ710において完了したとき、新しい基板がすでにマスクアライメントチャンバ705に存在している。したがって、y軸ローダー760bは、マスクをプロセスチャンバ710から取り外して、マスクアライメントチャンバ705内部で基板にアライメントされるように移送する。そして、y軸ローダー760bは、ペアのマスクと基板とをプロセスチャンバ710にロードする。
他の実施形態において、各マスクアライメントチャンバは2つのマスクを有する。マスク-基板のペアがプロセスチャンバ710内部で処理されているとき、クリーンなマスクがマスクアライメントチャンバ705に保管されている。処理が完了すると、y軸ローダー760bは基板のみをプロセスチャンバから取り外し、クリーニングプラズマが着火されてマスクとともにプロセスチャンバをクリーニングする。処理した基板を次のマスクアライメントチャンバ又は出口ロードロックに移動させると、新しい基板がマスクアライメントチャンバ705に輸送されて、すでに内部にあるマスクにアライメントされる。つまり、クリーニングが完了すると、クリーニングしたマスクは、アライメントチャンバ705へと取り外されることができ、すでにアライメントした基板とマスクとをチャンバに挿入することができる。一実施形態において、y軸ローダー760bは、クリーニングしたマスクのアンロードとアライメントしたマスクを備えた新しい基板のロードとをともに行うことができるような、一方が他方の上方にある、2つのロードアームを有する「ダブルデッカー」ローダーである。
処理の終了時、大気ローダー750は、処理した基板を出口ロードロック740からカセットに移送することができる。
図7の実施形態に見受けられるように、基板上のOLED構造の封止を形成するシステムが提供される。システムは、ロードロックチャンバと、マスク保管チャンバと、少なくとも1つの成膜チャンバと、直線状輸送チャンバの長さを単一方向に排他的に移動するキャリッジを有する直線状輸送チャンバと、直線状輸送チャンバと成膜チャンバとの間に配置されたマスクアライメントチャンバと、直線状輸送チャンバ、マスクアライメントチャンバ、及び成膜チャンバにアライメントされた単一直線方向に排他的に移動するローダーとを含む。システムは、キャリッジとローダーとの間で基板の交換を可能にするzリフターをさらに含むことができる。マスクアライメントチャンバは、それぞれが1つのマスクの隅部でマスクを押すように構成された、3つのアクチュエータを含むことができる。また、マスクアライメントチャンバは、基板に対するマスクのアライメントを確認にするように構成されたカメラを含むことができる。
上述のように、有機LEDデバイス封止の改良のために、上部無機層が第1無機層及びバッファ層を完全に封止するように、第1無機層及びバッファ層の縁部を超えて延びる上部無機層を有することが有利である。一方で、バッファ層は、第1無機層の周囲部に到達していない。例えば図7などの複数のプロセスチャンバを有する実施形態において、これは、種々のサイズの開口部を備えたマスクを有することで達成される。しかしながら、図8に示す実施形態において、単一のプロセスチャンバのみが使用される。しかしながら、種々のマスクが使用される場合、チャンバがアイドル状態である間、各層に対して、基板を取り外すとともに次のマスクに再びアライメントする必要があり得る。チャンバのアイドル状態を回避するために、一実施形態において、以下の手順が行われる。
具体的に、図8の実施形態において、プロセスチャンバ810はマスクリフタ812を含む。新しい基板を入口ロードロックチャンバ800にロードする。前述のように、ロードキャリッジ855は、新しい基板をロードロック800からロードして、y軸ローダー860bは基板をマスクアライメントチャンバ805に移送する。マスクアライメントチャンバ805において、3つのアライメントアクチュエータ802、804及び806を使用して、マスクを移動及び/又は回転させて基板にアライメントする。マスクは、バッファ層、すなわち最小開口サイズの形成に必要とされるマスク開口部に対応するようにサイズをなす開口部を有する。カメラ808は、アライメントを検証するために使用することができ、これは基板に標的マークを設けることで支援することができる。
アライメントしたら、基板-マスクのペアをプロセスチャンバに輸送する。第1無機層を形成する前に、マスクリフタ812は、マスクを第1処理高さに持ち上げるように作動されて、マスクと基板との間に第1間隙を導入する。間隙のため、成膜した層は、マスクの下に少し延出して、マスク開口部を超えて延びる周囲部を有するようになる。これは、成膜試料がマスクと基板との間の間隙に流れ込むことが見受けられる、図8の吹き出しによって示される。
無機層の成膜が完了したら、マスクリフタ812はマスクを基板に下降させるように作動される。バッファ層の成膜が行われる。ここで、マスクは基板の上部に配置されているので、バッファ層の成膜はマスクの開口部に限定される。つまり、バッファ層は、第1無機層の周囲部に到達しない。バッファ層の成膜が完了すると、マスクリフタ812は、第1処理高さよりも高い第2処理高さにマスクを持ち上げるように作動され、第1間隙よりも大きい第2間隙を形成する。そして、第2無機層の成膜を開始する。第2間隙は第1間隙よりも大きいので、成膜試料はマスク開口部の下でより奥に到達して、第1無機層を完全に封止することになる。
図に見受けられるように、図8の実施形態によって、一連の薄層を成膜する方法が提供され、該方法は、マスクを基板にアライメントして、マスクを基板の上部に配置するステップと、マスクと基板とを成膜チャンバに挿入するステップと、第1成膜ステップを行うステップと、マスクと基板との間に間隙を形成するためにチャンバ内部でマスクを基板から持ち上げるステップと、第2成膜ステップを行うステップとを含む。
上述の開示はまた、基板上に封止層を形成する方法も提供し、成膜処理の完了後、該方法は、マスクを成膜チャンバ内部に残しておきながら基板をチャンバから取り外すステップと、フッ素ガスを成膜チャンバに流し込むステップと、プラズマを成膜チャンバ内部で着火させて、チャンバとマスクとをともにクリーニングするステップとを含む。該方法は、チャンバをクリーニングするとともに、新しい基板をマスクアライメントチャンバに輸送して、第2マスクを新しい基板にアライメントするステップをさらに含むことができる。
さらなる実施形態において、開示のシステムは、無機層を成膜するために使用することができる一方で、有機層を例えばインクジェット方法などの他のツールによって成膜可能である。そして、基板は最終の無機層を形成するために開示のシステムに戻る。
上述において、各実施形態が特定の特徴及び要素に関して記載される、種々の実施形態が記載されている。しかしながら、一実施形態の特徴及び要素は、他の実施形態の他の特徴及び要素と併せて使用することができ、説明はそうした可能性を網羅することが意図されるが、混乱を避けるためにすべての変更を明白に記載するわけではない。
本明細書に記載の処理や技術は本質的に任意の特定の装置に関するものではなく、任意の適切な構成要素の組合せによって実施することができる、ということが理解される必要がある。さらに、本明細書の記載に従って、種々のタイプの汎用デバイスを使用することができる。本発明は、特定の実施形態に関して記載されているが、これらはあらゆる点で限定ではなく例示を目的としている。本発明の実施に数多くの異なる組合せが適するということを当業者は理解するであろう。
さらに、本発明の他の態様は、本明細書を考慮し、本明細書に開示の本発明を実施することから、当業者には明らかになる。記載の実施形態の種々の態様及び/又は構成要素は単独で又は任意の組合せで使用することができる。明細書及び実施例は例示のみとして考慮され、本発明の真の範囲及び趣旨は以下の特許請求の範囲によって示されるということが意図されている。
Claims (11)
- それぞれがコンタクト層を有する複数のOLED構造を有する基板をコーティングする方法であって、
マスクを前記基板上に配置するステップと、
前記マスク及び前記基板を成膜チャンバ内に配置するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記複数のOLED構造上及び少なくとも部分的に前記コンタクト層のそれぞれの上に第1無機層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記第1無機層上にバッファ層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記バッファ層上に第2無機層を形成するステップと、を含み、
前記バッファ層を形成することは、前記第1無機層と接触する第1無機インターフェイス層を形成すること、前記第1無機インターフェイス層上に有機層を形成すること、及び前記有機層と接触する第2無機インターフェイス層を形成することを含み、
前記バッファ層形成後であるが前記第2無機層形成前に、前記マスクと前記基板との間の間隙を形成するために、前記成膜チャンバ内部において前記マスクを前記基板から持ち上げることをさらに含む、
方法。 - 前記第1無機インターフェイス層と前記第2無機インターフェイス層とを形成することは、SiOxを形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- それぞれがコンタクト層を有する複数のOLED構造を有する基板をコーティングする方法であって、
マスクを前記基板上に配置するステップと、
前記マスク及び前記基板を成膜チャンバ内に配置するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記複数のOLED構造上及び少なくとも部分的に前記コンタクト層のそれぞれの上に第1無機層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記第1無機層上にバッファ層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記バッファ層上に第2無機層を形成するステップと、を含み、
前記バッファ層を形成することは、前記第1無機層と接触する第1無機インターフェイス層を形成すること、前記第1無機インターフェイス層上に有機層を形成すること、及び前記有機層と接触する第2無機インターフェイス層を形成することを含み、
前記バッファ層を形成することは、前記成膜チャンバに流れ込む、テトラメチルジシロキサン(TMDSO)ガスに対するO2の流量比を8以上になるように調節して第1インターフェイス層を形成すること、前記成膜チャンバに流れ込む、TMDSOガスに対するO2の流量比を2以下になるように調節して有機層を形成すること、そして、前記成膜チャンバに流れ込む、TMDSOガスに対するO2の流量比を8以上になるように調節して第2インターフェイス層を形成することを含む、
方法。 - それぞれがコンタクト層を有する複数のOLED構造を有する基板をコーティングする方法であって、
マスクを前記基板上に配置するステップと、
前記マスク及び前記基板を成膜チャンバ内に配置するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記複数のOLED構造上及び少なくとも部分的に前記コンタクト層のそれぞれの上に第1無機層を形成するステップと、
前記基板を前記成膜チャンバから取り外すステップと、
前記基板を有機層形成装置に移送し、前記第1無機層上に有機バッファ層を形成するステップと、
前記基板を成膜チャンバに移送し、前記マスクと前記基板との間に間隙を形成するために、前記成膜チャンバ内部において前記マスクを前記基板から所定の処理高さまで持ち上げるステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記有機バッファ層上に第2無機層を形成するステップと、を含む、方法。 - 有機バッファ層を形成することは、インクジェットプリンターを使用して前記有機バッファ層をプリントすることを含む、請求項4に記載の方法。
- 有機バッファ層を形成することは、室温加硫シリコーン(RTV)層を形成すること含む、請求項4に記載の方法。
- 有機バッファ層を形成することは、プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン(PP-HMDSO)を前記有機層形成装置内に維持することを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第2無機層を形成することは、前記有機バッファ層と前記第1無機層の周囲部を覆って、前記第1無機層と前記第2無機層との間の前記有機バッファ層を完全に被覆することを含む、請求項4に記載の方法。
- それぞれがコンタクト層を有する複数のOLED構造を有する基板をコーティングする方法であって、
マスクを前記基板上に配置するステップと、
前記マスク及び前記基板を成膜チャンバ内に配置するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記複数のOLED構造上及び少なくとも部分的に前記コンタクト層のそれぞれの上に第1無機層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記第1無機層上にバッファ層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記バッファ層上に第2無機層を形成するステップと、を含み、
前記バッファ層を形成することは、前記第1無機層と接触する第1無機インターフェイス層を形成すること、前記第1無機インターフェイス層上に有機層を形成すること、及び前記有機層と接触する第2無機インターフェイス層を形成することを含み、
前記バッファ層を形成することは、プラズマを前記成膜チャンバ内部で着火してプラズマ重合テトラメチルジシロキサン(pp-TMDSO)を形成することを含む、
方法。 - 前記第2無機層を形成することは、前記バッファ層と前記第1無機層の周囲部を覆って、前記第1無機層と前記第2無機層との間の前記バッファ層を完全に被覆することを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記バッファ層を形成することは、前記第1無機層の周囲領域を除いて前記第1無機層を覆うバッファ層を形成することを含む、請求項9に記載の方法。
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