JP5803822B2 - 積層膜の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態にかかるALD法を用いた積層膜の製造装置について図を参照して説明する。
上記第1実施形態では、電磁石4がマスク5の全面と対向配置されるようにしたが、電磁石4を限定的に配置することで、成膜範囲可変部7と基板6との接触圧力を部分的に変化させるようにしても良い。例えば、図6(a)、(b)に示すように、マスク5のうち開口部5aの外縁部と対向する位置にのみ電磁石4を配置した構成としても良い。この場合にも、電磁石4に対して異なる大きさの電流A1、A2を流すようにすることで、磁気吸引力を変化させられるため、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して成膜範囲可変部7を変形させる間隔制御手段を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第2実施形態では、ヒータ10をマスク5の全面と対向配置されるようにしたが、ヒータ10を限定的に配置することで、基板6のうち成膜範囲可変部7と対応する部分を部分的に加熱するようにしても良い。例えば、図15(a)、(b)に示すように、マスク5のうち開口部5aの外縁部と対向する位置にのみヒータ10を配置した構成としても良い。この場合にも、ヒータ10に対して異なる大きさの電流A1、A2を流すようにすることで、加熱量を変化させられるため、上記第2実施形態と同様の効果を得ることができる。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して成膜範囲可変部7を変形させる間隔制御手段を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第1〜第3実施形態では、成膜範囲可変部7を断面円形状となるOリングによって構成する場合を説明したが、第1実施形態の変形例で示したように、Oリング以外であっても構わない。ただし、Oリングのように断面円形状の場合、接触圧力の大きさに応じて基板6との接触面積が確実に広がっていくようにできる。したがって、Oリングによって成膜範囲可変部7を構成すると、よりマスク5と基板6との間隔を制御し易くすることが可能となる。
3 ポンプ
4 電磁石
5 マスク
5a 開口部
6 基板
7 成膜範囲可変部
8 積層膜
8a 第一バリア層
8b 第二バリア層
10 ヒータ
20 負圧形成用ポンプ
Claims (10)
- 半導体素子が形成された基板(6)上に、ガスの反応を用いて少なくとも異なる2種類の第一、第二層(8a、8b)の積層膜(8)を成膜する積層膜の製造方法であって、
前記基板のうちの前記積層膜を成膜する予定の位置に開口部(5a)が形成された一枚のマスク(5)を用意する工程と、
前記マスクを前記基板上に配置したのち、前記開口部を通じてガスを供給することで、前記マスク一枚のみを用いて前記積層膜を成膜する工程と、を含み、
前記マスクを用意する工程では、前記マスクとして、前記開口部の周囲を囲みつつ、前記基板に接触させられる成膜範囲可変部(7)を有するものを用意し、
前記積層膜を成膜する工程では、前記成膜範囲可変部を変形させることで該成膜範囲可変部と前記基板との接触部を変化させた状態で前記開口部を通じてガスを供給し、前記成膜範囲可変部と前記基板との接触部よりも内側を成膜範囲として前記第二層(8b)を成膜する工程と、前記成膜範囲可変部の変形量を前記第二層の成膜時と異ならせることで前記成膜範囲可変部と前記基板との接触部を前記第二層の成膜時と異ならせ、この状態で前記開口部を通じてガスを供給し、前記第二層の成膜時と異なる成膜範囲として前記第一層(8a)を成膜する工程とを有していることを特徴とする積層膜の製造方法。 - 前記積層膜を成膜する工程では、前記マスクにおける前記成膜範囲可変部と前記基板との接触圧力を変化させることにより、前記第二層を成膜する工程と前記第一層を成膜する工程それぞれでの前記成膜範囲可変部の変形量を制御することを特徴とする請求項1に記載の積層膜の製造方法。
- 前記積層膜を成膜する工程では、少なくとも前記成膜範囲可変部を加熱することで該成膜範囲可変部の変形量を制御し、この加熱量をを変化させることにより、前記第二層を成膜する工程と前記第一層を成膜する工程それぞれでの前記成膜範囲可変部の変形量を制御することを特徴とする請求項1に記載の積層膜の製造方法。
- 前記マスクを用意する工程では、前記マスクとして前記基板と同じ構成材料で構成されたものを用いることを特徴とする請求項3に記載の積層膜の製造方法。
- 前記積層膜を成膜する工程では、前記第一層を少なくとも1種類以上の無機膜とし、前記第二層を少なくとも1種類以上の有機膜とすることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の積層膜の製造方法。
- 前記積層膜を成膜する工程では、原子層蒸着法を用いて前記積層膜を成膜することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の積層膜の製造方法。
- 半導体素子が形成された基板(6)上に、ガスの反応を用いて少なくとも異なる2種類の第一、第二層(8a、8b)の積層膜(8)を成膜する積層膜の製造装置であって、
前記ガスが供給されることで前記積層膜の成膜を行う成膜チャンバ(2)と、
前記成膜チャンバ内に配置され、前記積層膜を成膜する予定の領域に開口部(5a)が形成されると共に、前記開口部の周囲を囲みつつ、前記基板に接触させられる成膜範囲可変部(7)を有したマスク(5)と、
前記基板上に前記成膜範囲可変部が前記基板に接するように前記マスクを配置した状態において、前記成膜範囲可変部の変形量を制御することにより前記マスクと前記基板との間を制御する間隔制御手段(4、10、20)と、を有していることを特徴とする積層膜の製造装置。 - 前記マスクは磁性材料で構成されており、
前記間隔制御手段は、前記基板の裏面側からの磁気吸引力によって前記マスクを前記基板側に吸引する磁石(4)であることを特徴とする請求項7に記載の積層膜の製造装置。 - 前記成膜範囲可変部を加熱量に応じて変形量が変わる材料によって構成し、
前記間隔制御手段は、前記成膜範囲可変部を加熱するヒータ(10)であることを特徴とする請求項7に記載の積層膜の製造装置。 - 前記間隔制御手段は、前記マスクと前記基板との間に形成される空間内の圧力を制御することで前記成膜範囲可変部の変形量を制御する負圧形成用ポンプ(20)であることを特徴とする請求項7に記載の積層膜の製造装置。
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