CN101606227B - 载置台构造、以及用其的处理装置和该装置的使用方法 - Google Patents

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Abstract

所公开的载置台构造，是在对基板进行规定处理的可抽真空的处理容器内支撑基板的载置台构造，该载置台构造具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，并从载置台抬起基板；阶梯部，其形成在载置台主体上，使得载置在载置台主体上的基板的背面周缘部暴露于供给到处理容器中的处理气体中。

Description

载置台构造、以及用其的处理装置和该装置的使用方法
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等作用例如通过微波或高频产生的等离子体而实施处理时所使用的处理装置、其所使用的载置台构造以及该装置的使用方法。
背景技术
近年来，伴随着半导体制品的高密度化以及高微细化，在半导体制品的制造工序中，存在为了薄膜的沉积、蚀刻、退火等处理而使用等离子体处理装置的情况。特别是，具有使用如下等离子体处理装置的倾向，即，为了即使在0.1mTorr(13.3mPa)～数100mTorr(数10Pa)的比较低的压力下(高真空下)也能稳定使等离子体产生，而利用微波或高频，产生高密度等离子体的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置公开在专利文献1～5中。
在此，参照图1说明例如利用了微波的通常的等离子体处理装置。图1是表示利用了微波的现有通常的等离子体处理装置的概略结构图，图2是表示载置台构造的现有的其他一例的概略构成图。
在图1中，该等离子体处理装置2在可进行抽真空的处理容器4内设置有载置半导体晶片W的载置台构造6。该载置台构造6主要由从该处理容器4的底部立起的支柱8和该支柱8的上端所支撑的载置台主体10构成，在该载置台主体10的上表面载置晶片W。在该载置台主体10内埋入有作为加热部的电阻加热器12，并在上表面附近设置有利用静电力保持晶片W的静电吸盘14。
另外在载置晶片W的面的周边部安装有剖面形状呈近似L字状的的圆环状的导向环15。该导向环15的内径设定成比晶片W的外径稍大，由此，能够防止晶片W侧滑而偏离适当的位置。以与该载置台构造6对置的方式，相对处理容器4气密地设置有顶板16。顶板16由透射微波的圆板状的氮化铝或石英等制作。另外，在处理容器4的侧壁上设置有向容器内导入规定的气体的作为气体导入部的气体喷嘴18。
在顶板16的上表面设置有厚度数mm左右的圆板状的平面天线构件18和例如由电介质构成的慢波构件20。慢波构件20发挥缩短该平面天线构件18的半径方向上的微波的波长的功能。平面天线构件18上形成有例如作为贯通孔的上面形状细长的多个狭缝22。在平面天线构件18的中心部连接着同轴波导管24的中心导体26。通过这样的结构，将由微波发生器28产生的、例如2.45GHz的微波通过模式转换器30转换成规定的振动模式，导向平面天线构件18。被导向平面天线构件18的微波向平面天线构件18的半径方向呈放射状传播并且从平面天线构件18的狭缝22被放射出去，通过顶板16，向下方的处理容器4内被导入。通过该微波在处理容器4的处理空间S产生等离子体，对半导体晶片W进行蚀刻或薄膜的沉积等规定的等离子体处理。
另外，还公知有如下载置台构造，在其中，代替上述导向环15，如图2所示，在载置台10的载置了晶片W面的中央，设置具有比晶片W的直径稍大的圆形的收容凹部32，通过该收容凹部32的壁面34定位晶片W。
专利文献1：JP特开平3-191073号公报
专利文献2：JP特开平5-343334号公报
专利文献3：JP特开平9-181052号公报
专利文献4：JP特开2003-332326号公报
专利文献5：JP特开2005-142529号公报
发明内容
但是，最近，晶片W的上表面的平面部分自不用说，不仅晶片W的圆的边缘部(也将该部分称为“斜面部”)，到晶片的背面侧也要处理的要求日益高涨。例如，如图3(A)所示，在利用现有的一般的等离子体处理装置进行沉积处理时，薄膜36只沉积到晶片W的圆的边缘部38的中途程度。与此相对，如图3(B)所示，期望薄膜36不仅堆积到晶片W的圆的边缘部38，还到达晶片W的背面周缘部。其理由是因为薄膜36的基底层例如针对水分脆弱的情况下，薄膜36用作保护膜(钝化膜)，但此时，为了可靠地防止水分侵入到下层，薄膜36如图3(B)所示需要从圆的边缘部38沉积到晶片W的背面周缘部。
但是，上述现有的等离子体处理装置中，超过该边缘部38原料气体等处理气体迂回到晶片W的背面周缘部的情况几乎没有，由此沉积薄膜直到晶片W的背面周缘部非常困难。另外，因上述理由，还存在对该晶片W的背面周缘部蚀刻或退火等要求，但应对这样的要求很困难。
本发明按照上述情况而制，其目的在于提供不仅基板的边缘部，对晶片W的背面周缘部也能够进行等离子体处理的载置台构造、用此的处理装置以及该装置的使用方法。
本发明的第一技术方案提供一种载置台构造，在对基板进行规定的处理的构成为可抽真空的处理容器内支撑基板，具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，从载置台主体抬起基板；阶梯部，其形成于载置台主体，使得载置在载置台主体上的基板的背面周缘部暴露于被供给到处理容器的处理气体中。
这样，在将基板载置在载置台主体上时，将基板的背面周缘部通过阶梯部而被暴露在处理气体中，所以能够进行直到基板的背面周缘部的薄膜的沉积等处理。
此时，阶梯部可以是沿载置在载置台主体的基板的外周端的第一槽部的一部分，另外，也可以通过形成在载置台主体的中央部并且相对于载置台主体的周边部隆起的隆起部形成。
另外，载置台主体包括保持载置于载置台主体上的基板的静电吸盘。
另外，载置台主体具有多个凸部，在基板的下方形成有在基板与多个凸部接触时产生的水蒸气逃逸的空间。而且，载置台主体具有多个第二槽部，在基板的下方形成有在基板与载置台主体接触时产生的水蒸气逃逸的空间。
由此，在基板与载置台主体接触时，即使附着在基板背面的水分变为水蒸气，该水蒸气也会向空间内扩散，所以不会使基板上浮，由此防止了基板的侧滑等。
优选为，在载置台主体具有多个凸部时，凸部的上端部与基板的背面接触的接触面积相对于载置台主体的在阶梯部内侧的区域的面积的比例和、空间的深度设定为，由水蒸气施加给基板的压力小于基板的每单位面积的重量。另外，优选在载置台主体具有多个第二槽部的情况下载置台主体的在阶梯部内侧的区域的除去第二槽部的面积相对于该区域的面积的比例和、空间的深度被设定为，由水蒸气施加给基板的压力小于基板的每单位面积的重量。由此可以可靠地防止基板上浮。
另外，载置台构造还具有可升降的引导销机构，该引导销机构能够进行防止在使基板接触载置台主体时能产生的位移。由此，能够防止在基板与载置台主体接触时侧滑位移。
该引导销机构可以与升降销机构被一体化，也可以与升降销机构分别单独地构成。
另外，载置台主体还具有对基板加热的加热部。
本发明的第二技术方案提供一种处理装置，其具备：可抽真空的处理容器；为了支撑基板设置在处理容器内的第一技术方案所记载的载置台构造；向处理容器内导入气体的导入部。该处理装置还具有将等离子体发生用的电磁波向处理容器内导入的电磁波导入部。
本发明的第三技术方案提供一种使用方法，是使用还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置的方法，包括：支撑工序，在使升降销机构的升降销上升的位置，用该升降销支撑基板；接触工序，在该支撑工序后，在使引导销机构的引导销位于基板的外周端的外侧的同时，使升降销下降而使基板接触到载置台构造上；待机工序，在该接触工序后，待机从基板的背面产生的水蒸气逃逸的规定时间；销退避工序，在该待机工序后，使升降销和引导销向下方下降；初始气体导入工序，在该销退避工序后，以使载置台构造上的基板不会在气流的作用下侧滑的流量从气体导入部导入处理气体；等离子体点火工序，在该初始气体导入工序后，通过电磁波导入部在处理容器内对等离子体点火；吸盘接通工序，在该等离子体点火工序后，接通静电吸盘而保持基板；主要气体导入工序，在该吸盘接通工序后，向处理容器内流动比初始气体导入工序的流量大的预先设定的流量的处理气体。
本发明的第四技术方案提供一种使用方法，是使用还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置的方法，包括：支撑工序，在使升降销机构的升降销上升的位置，用该升降销支撑基板；接触工序，在该支撑工序后，在使引导销机构的引导销位于基板的外周端的外侧的同时，使升降销下降而使基板接触到载置台构造上；主要气体导入工序，在该接触工序后，将处理气体向处理容器内流动；等离子体点火工序，在该主要气体导入工序后，通过电磁波导入部在处理容器内对等离子体点火；吸盘接通工序，在该等离子体点火工序后，接通静电吸盘而保持基板；销退避工序，至少在主要气体导入工序后，使升降销和引导销向下方下降。
本发明的第五技术方案提供一种使用方法，是使用还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置的方法，包括：支撑工序，在使升降销机构的升降销上升的位置，用该升降销支撑基板；载置工序，将基板向处理容器内的载置台构造上载置；初始气体导入工序，在该载置工序后，以使载置台构造上的基板不会在气流的作用下侧滑的流量从气体导入部导入处理气体；等离子体点火工序，在该初始气体导入工序后，通过电磁波导入部在处理容器内对等离子体点火；吸盘接通工序，在该等离子体点火工序后，接通静电吸盘而保持基板；主要气体导入工序，在该吸盘接通工序后，向处理容器内流动比初始气体导入工序的流量大的预先设定的流量的处理气体。
本发明的第六技术方案提供一种使用方法，是使用还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置的方法，具有：支撑工序，在使升降销机构的升降销上升的位置，用该升降销支撑基板；主要气体导入工序，在该支撑工序后，将处理气体向处理容器内流动；等离子体点火工序，在该主要气体导入工序后，通过电磁波导入部在上述处理容器内对等离子体点火；吸盘接通工序，在该等离子体点火工序后，接通静电吸盘而保持上述基板；载置工序，至少在上述主要气体导入工序后，将上述基板向处理容器内的载置台构造上载置。在此的静电吸盘可以是单极型的静电吸盘。
本发明的第七技术方案提供一种使用方法，是使用还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置的方法，具有：支撑工序，在使升降销机构的升降销上升的位置，用升降销支撑基板；吸盘接通工序，将静电吸盘接通；主要气体导入工序，使处理气体向处理容器内流动；等离子体点火工序，通过电磁波导入部在处理容器内对等离子体点火；载置工序，至少在吸盘接通工序后，将基板向处理容器内的载置台构造上载置。在此的静电吸盘可以是双极型的静电吸盘。
本发明的第八技术方案提供一种计算机可读取记录介质，存储使第三技术方案的使用方法在还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置中执行的程序。
本发明的第九技术方案提供一种计算机可读取记录介质，存储使第四技术方案的使用方法在还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置中执行的程序。
本发明的第十技术方案提供一种计算机可读取记录介质，存储使第五技术方案的使用方法在还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置中执行的程序。
本发明的第十一技术方案提供一种计算机可读取记录介质，存储使第六技术方案的使用方法在还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置中执行的程序。
本发明的第十二技术方案提供一种计算机可读取记录介质，存储使第七技术方案的使用方法在还具有电磁波导入部的本发明的第二技术方案的处理装置中执行的程序。
发明的效果
根据本发明的实施方式的载置台构造、用其的处理装置以及该装置的使用方法，为了将在上述载置台主体上载置的基板的背面周缘部暴露于上述处理气体中而在上述载置台主体设置阶梯部，因此能够以从基板的上表面到背面周缘部为规定的处理对象。
另外，如果在上述载置台主体上形成有形成在使基板接触时产生的水蒸气逃逸用的空间的多个凸部，则即使在使基板接触到载置台主体时附着在基板的背面的水分变为水蒸气，该水蒸气也会扩散在其空间内，所以防止了基板上浮而侧滑。
而且，如果在上述载置台构造上设置引导销机构，则在使基板接触到载置台主体时，防止了基板侧滑位移。
附图说明
图1是表示利用微波的现有通常的等离子体处理装置的概略结构图。
图2是表示载置台构造的现有的另一例的概略结构图。
图3(A)及(B)是表示晶片的边缘部中的薄膜的沉积的图。
图4是表示利用本发明的第一实施例的载置台构造的处理装置的结构图。
图5是表示图4所示的载置台构造的载置台主体的俯视图。
图6(A)至(C)表示载置台构造的升降销和引导销，是表示这些的动作的局部放大剖视图。
图7是表示本发明的第一实施例的方法的流程图。
图8是表示本发明的第二实施例的方法的流程图。
图9(A)以及(B)是表示阶梯部的变形例的局部放大剖视图。
图10是表示本发明的第二实施例的载置台构造的局部放大剖视图。
图11(A)以及(B)是表示图10所示的载置台构造的载置台主体的俯视图。
图12是表示本发明的第三实施例的方法的流程图。
图13是表示本发明的第四实施例的载置台构造的局部的概略图。
图14是表示本发明的第四实施例的方法的流程图。
图15是表示本发明的第五实施例的载置台构造的局部的概略图。
图16是表示本发明的第五实施例的方法的流程图。
附图标记的说明
38 边缘部
42 等离子体处理装置(处理装置)
44 处理容器
46 载置台构造
48 支柱
50 载置台主体
52 气体导入部
54 气体供给喷嘴
68 顶板
72 电磁波导入部
74 平面天线构件
86 微波发生器
92 电阻加热器(加热部)
100 静电吸盘
106 升降销机构
108 引导销机构
110 升降销
118 引导销
122 阶梯部
124 载置凸部
126 面
130 控制单元
132 存储介质
144 凸部
146 空间
146 槽部
W 半导体晶片(基板)
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的实施方式的载置台构造、用其的处理装置以及该装置的使用方法的优选的实施例。在后附的全部附图中，对于相同或者相应的构件或部件，标注相同或者相应的附图标记以省略重复的说明。另外，附图不以表示构件或部件间的对比为目的，因此，具体的尺寸，应参照下述的非限定性的实施例，由本领域的技术人员来决定。
图4是表示利用本发明的载置台构造的第一实施例的处理装置的结构图，图5是表示载置台构造的载置台主体的俯视图，图6是表示载置台构造的升降销和引导销的动作的局部放大剖视图。在此以利用等离子体处理装置作为处理装置对薄膜进行沉积的情况为例进行说明。
<载置台构造的第一实施例>
如图所示应用本发明的等离子体处理装置42具有处理容器44，该处理容器44例如侧壁和底部由铝等导体构成，整体形成为筒状、例如圆筒状。处理容器44的内部为密闭的处理空间S，在该处理空间S中生成等离子体。该处理容器44接地。
在该处理容器44内设置有载置作为处理对象即基板的例如半导体晶片W的、本发明的第一实施例的载置台构造46。该载置台构造46主要由从该处理容器44的底部立起的例如由绝缘性材料构成的支柱48、和被该支柱48的上端支撑的载置台主体50构成。对于该载置台构造46后述。
在处理容器44的侧壁，作为气体导入部52，设置有由石英管制的气体供给喷嘴54，该气体供给喷嘴54向处理容器44内供给例如等离子体形成所使用的等离子体形成气体或应沉积的薄膜的原料气体等处理气体。在该气体供给喷嘴54上连接包括未图示的流量控制器的气路，对处理气体进行流量控制并供给到处理容器44内。此外，气体导入部52可以为了单独的气体流动而包括多个气体导入部52，还可以例如包括石英制的喷头等以代替气体供给喷嘴。
另外，在处理容器44的侧壁，设置有用于向/从处理容器44的内部搬入/搬出晶片W的开口56，在该开口56设置有可开闭的闸阀58。此外，在处理容器44的底部设有排气口60，该排气口60连接包括真空泵62和压力调整阀64的排气路66。利用这些构件，根据需要，能够将处理容器44内维持在规定的减压压力下。
另外，处理容器44的上部被开口，在此隔着O形密封圈等密封部件70气密地设置有例如用石英或陶瓷材料等微波透射材料制作的顶板68。该顶板68的厚度考虑到耐压性可以设定成例如20mm左右。
在该顶板68的上表面侧设置有经由该顶板68向处理容器44内导入等离子体产生用的电磁波的电磁波导入部72。在此将微波用作电磁波。具体来说，该电磁波导入部72具有设置在顶板68的上表面的平面天线构件74。该平面天线构件74上设置有具有高介电常数特性的慢波构件76。该平面天线构件74是覆盖慢波构件76的侧面以及上表面的、由导电性的中空圆筒状容器构成的波导箱78的底板，隔着天线68，与处理容器44内的载置台主体50对置。此外，该波导箱78以及平面天线构件74接地。
波导箱78的上部的中心连接有同轴波导管80的外管80a，内部的内部导体80b通过慢波构件76中心的贯通孔而与平面天线构件74的中心部连接。而且，该同轴波导管80经由模式转换器82、矩形波导管84以及耦合电路85而与例如2.45GHz的微波发生器86连接，向平面天线构件74传播微波。
在此，从微波发生器86放射例如TE模式的微波，其通过模式转换器82被转换为例如TEM模式并在同轴波导管80内传播，由此，模式转换器82配置在由矩形波导管84和同轴波导管80构成的波导管的中途。该频率不限定在2.45GHz，也可以是其他的频率，例如8.35GHz等。另外，在波导箱78的上部设置有顶部冷却罩88。处于波导箱78内并设置在平面天线构件74的上表面的、具有高介电常数的慢波构件76，借助波长缩短效果，将微波的管内波长变短。该慢波构件76是由具有低介电损耗的材料、例如铝、石英、氮化铝等制作的。
平面天线构件74虽然根据晶片尺寸，但是在例如晶片W为8英寸晶片时，例如由直径为300～400mm、厚度1～数mm的导电材料构成、例如由表面镀银的铜板或铝板构成，且在该圆板上形成有例如具有细长的上表面形状的贯通孔即多个狭缝90。这些狭缝90不限于这些，但例如也可以配置成同心圆状、螺旋状或者放射状，还可以在天线构件整个面上均匀地分布。
在此，说明载置台构造46。该载置台构造46的载置台主体50，其主体由耐热材料、例如氮化铝等陶瓷构成，在该陶瓷中埋入有例如薄板状的电阻加热器92作为加热部。该电阻加热器92经由在支柱48内通过的布线94而与加热器电源96连接。
另外，在载置台主体50的内部，载置台主体50的上表面和电阻加热器92之间，埋入有由例如形成为网眼状的导体线层98构成的薄的静电吸盘100。静电吸盘100借助静电力将载置于载置台主体50上的晶片W吸附在载置台主体50上。该静电吸盘100的导体线层98为了施展静电力经由布线102而与直流电源104连接。在本实施例中，静电吸盘100为单极型。
在该载置台主体50设置有升降销机构106和引导销机构108，其中，该升降销机构106构成为可升降，以便将晶片W向/从载置台主体50载置/抬起；该引导销机构108为了防止在将晶片W降下到载置台主体50时该晶片W的位置偏移而可升降地构成。此外，在此，引导销机构108与升降销机构106被一体化。具体来说，升降销机构106也如图5所示，具有多个(图示例中为3根)升降销110，该多个升降销110以与比晶片W背面的中心更接近周缘部的位置对应的方式大致等间隔地配置，且由耐热性材料构成。各升降销110的下端连接着圆弧状的升降板112。该升降板112在经可伸缩的波纹管113贯通处理容器44的底部设置的升降杆114的作用下可升降。此外，该升降杆114利用未图示的促动器而进行动作。
另外，在载置台主体50上形成有用于使升降销110插通的销插通孔116。利用升降杆114的升降动作，升降销110通过插通孔116而能够在载置台主体50的上表面上进出。
另外，引导销机构108，在此包括多个引导销118，该多个引导销118由耐热性部件构成，配置在距各升降销110规定距离的载置台主体50的半径方向外方。各引导销118的下部弯曲成例如L字形地与各升降销110连接。因此，各引导销118与升降销110一体地上下移动。然后，各引导销118插通到设置在载置台主体50的插通孔120内，可从载置台主体50的上表面向上方进出。由此，各引导销118能够以不与载置在适当的位置上的晶片W的边缘部38接触的方式，在从边缘部38最外端离开微小的距离H1的位置上下移动。
该距离H1相当于晶片W的可容许的位移量，例如为0.3～1mm左右(图6)。为了防止晶片W的侧滑，引导销118的长度优选从升降销110的上端起长于与晶片W的厚度相当的长度。此外，各销110、118也可以用石英或陶瓷等制作。
当参照图6时，在该载置台主体50的上表面上形成有阶梯部122，使得载置在载置台主体50上的晶片W的背面周缘部暴露于处理气体中。具体来说，在此阶梯部122通过圆形的凸部124而设置，该凸部124通过使载置晶片W的面的除去周边部的中央部比周边部高出规定的高度H2地隆起(参照图6)而形成。
因此，该凸部124的上表面成为实质上载置晶片W的上表面126，在将晶片W载置到载置台主体50上时，晶片W的背面直接与凸部124的上表面抵接。还如图6所示，在此圆形的凸部124的半径设定为比晶片W的半径稍微短长度H3。因此，处理气体会从晶片W的边缘部(斜面部)38向内侧迂回与该长度H3相当的距离，从而能够将晶片W的背面周缘部暴露于处理气体中。高度H2和长度H3根据需要设定，但例如分别在1～5mm左右的范围内。
再次参照图4，如上构成的等离子体处理装置42的整体的动作通过由例如计算机等构成的控制部130控制。等离子体处理装置42中执行规定动作的计算机的程序存储在软盘、CD(Compact Disk)、闪存、硬盘等的存储介质132中，并从记录介质132被下载到控制部130的存储器。然后，根据来自该控制部130的指令，控制各处理气体的供给和流量控制、微波的供给和电力控制、过程温度和过程压力的控制、静电吸盘100和加热部92的控制、升降销机构106和引导销机构108。
然后，针对利用如上那样构成的等离子体处理装置42的、例如沉积方法进行说明。
首先，说明一般的流程。闸阀58打开，晶片W经开口56由输送臂(未图示)输送到处理容器44内，到载置台主体50的上方。当升降销机构106或引导销机构108动作而使升降销110和引导销118上升时，晶片W通过升降销110被接收，输送臂从处理容器44退出之后，升降销110和引导销118降下，则晶片W被载置在载置台主体50的上表面126。在上表面126所载置的晶片W在规定的时刻利用静电吸盘100而被吸附，并被固定在上表面126。晶片W通过电阻加热器92升温到规定的过程温度，并维持在该温度。然后，从未图示的气源将处理气体、例如作为等离子体形成气体的氩气或应沉积的薄膜的原料气体等规定的气体，分别以规定的流量从气体供给喷嘴54向处理容器44内的处理空间S供给，通过控制压力控制阀64将处理容器44内维持在规定的过程压力。
与此同时，通过使电磁波导入部72的微波发生器86工作，从而由该微波发生器86产生的微波经由矩形波导管84和同轴波导管80向平面天线构件74被供给并被导入处理空间S。由此，在处理空间S生成等离子体，进行利用等离子体的规定的沉积处理。此外，导入到处理空间S的微波，因慢波构件76而具有比由微波发生器86产生的微波的波长短的波长。
参照图6以及图7详细说明以上一系列的程序。图7是表示本发明的第一实施例的方法的流程图。
首先，向预先被抽真空了的处理容器44内搬入晶片W时，使升降销机构106以及引导销机构动作，如图6(A)所示地使升降销110和引导销118上升，用升降销110接收并支撑由输送臂(未图示)向处理容器44内被搬入的晶片W的支撑工序(步骤S1)。此时，引导销118与升降销110一体地连接，所以实质上升降销机构106动作。
然后，进行使引导销118和升降销110一体地下降到中途，如图6(B)所示，在晶片W的背面接触到载置台主体50的上表面126上时将各销110、118的工作暂时停止的接触工序(步骤S2)。在此，载置台主体50由电阻加热器92预先被加热，设定为某一程度的温度以上，因此当晶片W的背面与上表面126接触的同时附着在晶片W的背面的水分会急剧蒸发，在该水蒸气从晶片W的背面与上表面126之间逃逸的数秒期间、例如23秒期间，维持各销110、118的停止状态进行待机的待机工序(步骤S3)。此时，产生的水蒸气对晶片W施加从上表面126上浮的作用，所以存在该晶片W稍上浮并侧滑位移的情况，但在晶片W的外侧，该晶片W的边缘部38非常接近引导销118，即横靠着，因此侧滑被引导销118阻止，能够防止晶片W的位移。
在现有的等离子体处理装置中，设置有例如导向环15(参照图1)，所以能够防止晶片的位移，但在本发明中，由于设置了用于将晶片W的背面周缘部暴露于处理气体的阶梯部122，所以不用设置上述这样的导向环15，而能够代替此设置引导销118来防止晶片W的位移。
将各销110、118停止数秒钟后，如图6(C)所示，进行使这些引导销118和升降销110进一步下降退避的销退避工序(步骤S4)。通过以上的程序，将晶片W载置在上表面126上。
然后，进行将处理气体、详细来说将等离子体形成气体以微小的流量从气体供给喷嘴54供给的初始气体导入工序(步骤S5)。该微小的流量也可以是在气流的作用下载置台主体50上的晶片W不侧滑的流量。因为如果从最初起就有大量的气体流动，则存在在该气流的作用下晶片W会侧滑的可能，所以为了防止这种情况，以微小的流量供给等离子体形成气体。此时的微小的气体流量虽然基于处理容器44的容积，但优选例如在100sccm以下。
另外，此时所供给的等离子体形成气体一般利用Ar或He等稀有气体，但也能够将原料气体用作等离子体形成气体。另外该初始气体导入工序的时间为10～40秒左右。然后，在将处理容器44内的压力上升到等离子体可点火的程度的压力时，进行使电磁波导入部72工作，将来自微波发生器86的微波从平面天线构件74向处理容器44内导入并使等离子体点火的等离子体点火工序(步骤S6)。
这样，在等离子体点火之后，由于通过气体电离产生的等离子体能够使静电吸盘100处于工作状态，所以然后，进行将静电吸盘100处于接通的吸盘接通工序(步骤S7)。由此，晶片W通过静电力可靠地被保持在上表面126上。
这样，在进行了吸盘接通工序之后，增加处理气体(薄膜沉积用的原料气体)，或者原料气体未流动的情况下开始原料气体的供给，以预先决定的大流量即过程流量进行供给，进行主要气体导入工序(步骤S8)。然后，执行规定时间的过程、即在此等离子体支援沉积处理(步骤S9)。
在此，也如图6(C)所示，由于在载置台主体50上形成有阶梯部122，所以处理气体、即原料气体也环绕在晶片W的背面周缘部，其结果，晶片W的背面周缘部被暴露在原料气体中，如图3(B)所示，能够使薄膜沉积到该晶片W的背面周缘部。这样，由于为了在将晶片W载置在载置台主体50上时将晶片W的背面周缘部暴露在处理气体中而做成了在载置台主体50上设置有阶梯部122的结构，所以不仅晶片W的边缘部38，还能够在晶片W的背面周缘部实施沉积等处理。
另外，在晶片W的外侧，引导销118非常接近该晶片W的边缘部38，即横靠着的位置，所以侧滑通过引导销118被防止，能够防止晶片W位移。
<本发明的第二实施例>
然后，对本发明的第二实施例进行说明。
在参照图7进行说明的方法中，进行了在供给处理气体时为了防止晶片在载置台主体50上侧滑而以微小的流量供给处理气体的初始气体导入工序，但是在该第二实施例中，通过利用引导销118而省略了该初始气体导入工序。图8是表示本发明的第二实施例的方法的流程图。此外，对于与图7所示的流程图表示的工序同样的工序，省略其说明。
首先，如图8所示，到步骤S11的支撑工序以及步骤S12的接触工序为止，与图7的步骤S1以及步骤S2分别相同。在进行了接触工序，将晶片W如图6(B)所示地载置在载置台126上后，不进行图7的步骤S3的待机工序，而立即进行以过程流量供给处理气体的主要气体导入工序(步骤S13，与图7中的S8相对应)。该处理气体至少包括等离子体形成气体。此外，在处理气体中，如上所述，包括等离子体形成气体和原料气体，在原料气体电离能够生成等离子体时，也存在稀有气体所代表的等离子体形成气体不流动，而使用原料气体作为等离子体形成气体的情况。
此时，即使开始大量的处理气体的导入，如图6(B)所示，引导销108也横靠在晶片W的边缘部38的外侧，所以晶片W不会侧滑产生位移。
然后，进行给等离子体点火的等离子体点火工序(步骤S14、与图7中的S6相对应)，而且，进行将静电吸盘接通的吸盘接通工序，用静电力保持晶片W(步骤S15，与图7中的S7相对应)。
然后，由于晶片W被保持着，所以使引导销118和升降销110进一步下降使各销退避(步骤S16，与图7中的S4相对应)。
然后，执行规定时间由该等离子体进行的薄膜的沉积过程(步骤S17，与图7中的S9相对应)。另外，使引导销118和升降销110退避的工序如果是在主要气体导入工序后，则由于不产生处理容器44内的压力变动，所以晶片W不会侧滑，因此至少在主要气体导入工序后即可。
根据该第二实施例的方法，不仅能够发挥与先前的第一实施例的方法同样作用效果，还能够省略与图7中的步骤S3和S5对应的各步骤，因此能够加快处理速度，提高生产能力。
<阶梯部的变形例>
然后，参照图9说明用于将晶片W的背面周缘部暴露于处理气体中的阶梯部122的变形例。图9是表示阶梯部的变形例的局部放大剖视图。
图4～图6所示的载置台构造中的阶梯部122是将载置台主体50的中央部侧增高一截设置载置凸部124，由其端面形成阶梯部122，但并不限定于此，也可以将载置台主体50的上表面整体设置在同一水平面上，如图9所示，与晶片W的边缘部38对应地沿载置台主体50的圆周方向形成环状的槽部140。此时，如图9(A)所示，槽部140可以形成为具有剖面矩形形状，例如如图9(B)所示，也可以形成为具有半椭圆和半圆这样的剖面曲线形状。另外，如果是晶片W的背面周缘部露出而暴露于处理气体这样的剖面形状，则不用管槽部140的剖面形状。
此外，在槽部140具有图9(A)所示的剖面形状时，槽部140的内周侧的垂直划分壁140a成为阶梯部122。另外，在槽部140具有图9(B)所示的剖面形状时，作为剖面曲线形状的槽部140的一部分的内周侧的曲面划分壁140b成为阶梯部122。此时，上述各槽部140的深度H4根据在晶片W的背面周缘部中根据应被处理的面积确定，但例如在1～5mm左右的范围内。这样，代替先前的载置凸部124而设置了槽部140的情况下，也能够发挥与利用先前的本发明的第一以及第二实施例说明的效果同样的效果。
此外，在图4～图6所示的载置台构造中，引导销118接合到升降销110，引导销机构108和升降销机构106被合并起来，但不限于此，也可以将引导销机构108和升降销机构106分别独立地各自设置。此时，引导销机构108当然构成为具有与升降销机构108的升降板112、升降杆114、波纹管113等对应的构件。另外，引导销118和升降销110如图6所示可以同步地升降，但是在接触工序(S2、S12)中将引导销118横靠在晶片W的边缘部38即可(参照图6(B)，所以在支撑工序(图6(A))中支撑晶片W时，引导销118也可以处于下降了的状态。另外，在晶片W接触到载置台主体50的上表面时，也可以使升降销110不停止而原样地继续下降。
<载置台构造的第二实施例>
然后，对本发明的第二实施例的载置台构造进行说明。
图10是表示本发明的第二实施例的载置台构造的局部放大剖视图，图11是表示载置台构造的载置台主体的俯视图。
在图4所示的载置台构造中，设置具有引导销118的引导销机构108来防止晶片接触工序中晶片W的侧滑，但代替此，也可以如图10和图11所示的第二实施例这样地构成。此外，对于与先前的第一实施例相同或者相应的构成部分，标注相同或者相应的附图标记。
如图10以及图11(A)所示，在载置台主体50的上表面上形成有多个小的凸部144，该多个凸部144用于形成在与晶片W接触时产生的水蒸气逃逸用的空间146。具体来说，在此多个凸部144均等地分布在用于形成阶梯部122的载置凸部124的上表面上。晶片W在被载置成在晶片W的背面抵接于各凸部144的上表面时，从凸部124的底部被抬起凸部144的高度，从而在该晶片W的背面的下方形成空间146。由此，将在晶片W接触到加热状态的载置凸部124上时产生的水蒸气能够向空间146逃逸。
此时，各凸部144的上端面和晶片W的背面直接接触的面积相对于载置台主体50的上表面126的面积(若设半径为r则πr2)的比例由与空间146的深度之间的关系决定。若空间146的体积过小，则产生的水蒸气的蒸气压力变得比晶片W的重量大，因而晶片W会浮起而侧滑，所以需要增大空间146的体积来减小蒸气压力。为了该目的如果加深空间146则能够将与晶片W的接触面积的比例变大。另外，为了将空间146维持得比较浅并降低施加到晶片W的蒸气压力，也可以将接触面积的比例变小。但是，若一个凸部144的上端面的面积过大，则在该凸部144和晶片W的背面之间几乎没有空间，所以通过接触产生的水蒸气(气体)无法向空间146逃逸，该部分的压力会变得过大而有可能使晶片W浮起，故不优选。因此，优选，例如凸部144的上端面的面积小于4mm2左右。
在此，针对晶片W和载置台主体50的接触面积的比例和、空间146的深度(凸部144的高度)之间关系进行研究。基本的想法是如下地设定各值：水分以分子级别均匀地层状地附着在晶片背面，若该晶片与高温的上表面126(凸部144)接触，则仅接触部分的水分立即变为水蒸气，体积膨胀而向空间146整体扩散，此时的压力小于晶片W的重量。
在此，如下述进行定义。
a：晶片和凸部144的接触面积的比例(整个面接触的情况下为1)
b：附着在晶片的背面的水分子密度(个/cm2)
c：空间的深度(凸部144的高度)(cm)
T：载置台主体的温度(℃)
t：晶片的厚度(cm)
p：晶片密度(g/cm3)
首先，对晶片接触的部分的水分进行加热汽化，则每单位面积汽化的量如下式所示。
每单位面积汽化的量＝a×b
另一方面，每单位面积，空间146的体积如下。
空间的体积＝(1-a)×c
因此，空间146产生的压力P如下这样。
P＝[(a×b)·(273+T)/((1-a)·c)]/[6.02×1023×293/(22.4×103)]…(atm)
＝1.29×10-17×(a×b)·(273+T)/[(1-a)·c]…(Pa)
另一方面，晶片的单位面积的重量W如下这样。
W＝t×p/1000…(kgf/cm2)
＝98.1×t·p…(Pa)
在此晶片不会上浮的条件用
W＞P
来表示。
因此，能够理解为以满足上述“W＞P”的条件的方式，对接触面积比例a和空间146的深度c进行设定即可。此外，其他的b、T、t、p的值在设计时预先设定即可。
对上述这样求出的一例进行说明。对于各条件，设接触面积比例a＝0.05、吸附水分子密度b＝1.00×1015(个/cm2)、空间146的深度c＝0.03cm、载置台主体的温度T＝350℃、晶片厚度t＝0.075cm、晶片密度p＝2.2(g/cm3)。在此，吸附水分子密度是经验值，与在晶片背面附着一层水分子层的情况相当。
上述各式的计算结果为，压力P＝14.1(Pa)、晶片的每单位面积的重量W＝16.2(Pa)。即，此时，能够认为由于“W＞P”所以晶片不会上浮。此外，凸部144的剖面形状不限于圆形，也可以是三角形或方形，没有特别限定。
在该第二实施例的情况下，能够省略在晶片W接触到载置台主体50上时产生的水蒸气逃逸用的待机工序(图7的S3)等。
<本发明的第三实施例>
在此，针对利用了上述的带有凸部144的载置台构造的等离子体处理装置的使用方法进行说明。
图12是表示本发明的第三实施例的流程图。此外，在以下，对于与参照图7所示的流程图进行说明的工序相同的工序，省略其说明。
首先，如图12所示，使升降销110上升接收基板W的步骤S21的支撑工序，与图7的步骤S1相同。以升降销110接收晶片W之后，进行即使使升降销110下降，晶片W接触到载置台主体50的上表面也不使升降销110停止而原样地使其进一步下降退避的载置工序(步骤S22)。即，在本实施例中不进行待机工序。当步骤S22结束时，晶片W载置在载置台主体50上。
此时，在晶片W接触到加热状态的载置台主体50时，附着在晶片W的背面的水分蒸发而成为水蒸气，该水蒸气可以向通过设置在载置凸部124的上表面的多个凸部144在晶片W的下方形成的空间146内扩散逃逸。因此，即使不使用图6中使用的引导销118，也能够防止晶片W发生侧滑。另外，由于没有设置引导销118，所以即使晶片W接触载置台主体50也不使升降销110停止，能够使之原样地下降。
这样，若是进行了晶片W的载置，则然后与图7的步骤S5～S9的各工序同样地，进行为了防止晶片W因气流侧滑而以微小的流量供给处理气体的初始气体导入工序(步骤S23)，然后进行产生等离子体的等离子体点火工序(步骤S24)，然后进行将静电吸盘100接通而保持晶片W的吸盘接通工序(步骤S25)，然后进行将处理气体以过程流量供给的主要气体导入工序(步骤S26)，然后进行将过程执行规定时间(步骤S27)。
在该实施例的情况下，能够发挥与先前说明的各实施例同样的作用效果自不用说，而且由于不用进行图7中的步骤S3的待机工序就结束，因此能够提高生产能力。另外，由于可以取消引导销118，所以能够简化装置构造。
此外，在实施例中设置小的凸部144来形成空间146，但不限于此，也可以例如如图11(B)所示那样，在载置凸部124的上表面形成多个槽部148，将该槽部148内作为空间146。此时，如图(B)所示，槽部148可以纵横地呈格子状地设置多个，也可以单是沿一个方向设置多个，而不管其配置。此时也能够按照上述的计算公式来设定晶片W的背面相对于载置台主体50接触的面积的比例和、空间146的深度(槽部148的深度)。
另外，在该载置台构造的情况下，当然能够代替载置凸部124，而应用图9所示的槽部140的构造。
<本发明的第四实施例>
然后，对本发明的第四实施例进行说明。
图13是表示本发明的第四实施例的载置台构造的局部的概略剖视图，图14是表示本发明的第四实施例的方法的流程图。此外，以下，对于与参照图7以及图12所示的流程图来说明的工序相同的工序，省略其说明。
载置台构造的载置台主体50具有电极为一个的单极型的静电吸盘作为静电吸盘100。另外，如图13所示，在载置台主体50中，通过载置凸部124形成有阶梯部122。在本实施例中，在使晶片W接触到载置台主体50之前等离子体被点火，并且静电吸盘100被接通，从而在晶片接触时不利用引导销地防止侧滑。
首先，使升降销110上升接收晶片W的步骤S31的支撑工序与图7的步骤S1相同。然后，使升降销110下降到中途，晶片W在即将与载置台主体50接触之前使升降销110停止(步骤S32)。
这样，晶片W维持从载置台主体50浮起的状态，然后进行将处理气体以过程流量开始供给的主要气体导入工序(步骤S33，与图7的S8相对应)。
然后，进行给等离子体点火的点火工序(步骤S34，与图7的S6相对应)，接着进行接通静电吸盘的吸盘接通工序(步骤S35，与图7的S7相对应)。此时，如图13所示，晶片W被升降销110支撑。这样晶片W位于载置台主体50的上方，但静电力作用在该晶片W。
然后，进行使升降销110进一步下降在中途不停止而下降到最下部使升降销110退避的载置工序(步骤S36，与图12的S22相对应)。由此，晶片W被载置在载置台主体50上的同时已经作用有静电力，所以晶片W在与载置台主体50接触的同时，通过该静电力被保持。因此，即使不使用引导销，也能够在晶片W接触时防止该晶片W侧滑。
接下来，进行规定的时间过程(步骤S37，与图7的S9相对应)。另外，即使在此时，由于只要是在主要气体导入工序后则处理容器44内不会产生压力变动，所以晶片W不会侧滑，由此使引导销118和升降销110退避的工序只要至少在主要气体导入工序后即可。
在该实施例的情况下，不仅能够发挥与先前的第一～第三实施例同样的作用效果，由于处理速度变快了比先前的第一～第三实施例的工序数变少的部分，从而能够提高生产能力。
另外，在该载置台构造的情况下，当然也能够代替载置凸部124，而应用图9所示的槽部140的构造。
<本发明的第五实施例>
然后，对本发明的第五实施例进行说明。
图15是表示本发明的第五实施例的载置台构造的局部的概略剖视图，图16是表示本发明的第五实施例的方法的流程图。此外，对于与参照图7和图12来说明的工序相同的工序，省略其说明。
本发明的载置台构造的载置台主体50将具有包括电性分离的两个导体线层98a、98b的双极型的静电吸盘作为静电吸盘100。该静电吸盘100从电源104直接向这两个导体线层98a、98b间施加电压，由此在两个导体线层98a、98b之间产生电场，因此不用产生等离子体就能够对晶片W作用静电力。在本实施例中，在使晶片W接触到载置台主体50之前，通过将双极型的静电吸盘100接通，在晶片接触时不使用引导销就能够防止侧滑。
首先，使升降销110上升接收晶片W的步骤S41的支撑工序与图4的步骤S1相同。然后，进行将具有两个导体线层98a、98b的双极型的静电吸盘100接通的吸盘接通工序，使电场产生在两导体线层98a、98b之间，由此对晶片W作用静电力(步骤S42，与图7的S7相对应)。此时，如图15所示，晶片W被升降销110支撑。
然后，进行使升降销110下降在中途不停止而下降到最下部，使升降销110退避的载置工序(步骤S43，与图12的S22相对应)。由此，晶片W被载置在载置台主体50上，在接触的同时通过静电力被保持。
因此，即使不利用引导销，也能够在晶片W接触时防止该晶片W侧滑。
然后，进行以过程流量供给处理气体的主要气体导入工序(步骤S44，与图7中的S8相对应)。然后，进行对等离子体点火的等离子体点火工序(步骤S45，与图7中的S6相对应)，然后，进行规定的时间过程(步骤S46，与图7中的S9相对应)。
在该实施例中，不仅能够发挥与先前的第一～第三实施例同样的作用效果，还能够将处理速度加快比先前的第一～第三实施例工序数变少的部分，能够提高生产能力。
另外，在该载置台构造的情况下，也当然能够代替具有载置凸部124的载置台主体50，而利用形成有图9所示的槽部140的载置台主体50。
此外，在上述的各实施例中，以等离子体支援沉积处理为例进行说明，但不限定于此，也能够将本发明应用在等离子体蚀刻装置、等离子体退火装置等其他的等离子体处理装置中。
另外，在上述的实施例中，针对将微波用作电磁波导入部72，通过平面天线构件74将其导入处理容器44内的微波等离子体装置进行了说明，但微波等离子体装置不限于此，也可以是利用带有狭缝的波导管的等离子体处理装置、ECR(Electron Cyclotron Resonance：电子回旋共振)等离子体处理装置等利用微波的等离子体处理装置。
而且，作为电磁波导入部72也可以用微波以外的、例如13.56MHz等高频电压使等离子体发生，作为这种装置也可以应用于例如平行平板型等离子体处理装置、ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)型等离子体处理装置、MERLE(Magnetically Enhanced IonEtching：磁增强反应离子蚀刻)型等离子体处理装置。
还有另外，本发明不限定于利用使用来自电磁波导入部72的微波或高频使之生成的等离子体的处理装置，也能够应用于不利用等离子体的处理装置，例如进行热CVD和退火处理的热处理装置、清洁处理装置、蚀刻处理装置等。
此时，在上述的各方法中，不需要与等离子体的点火相关的工序和与静电吸盘相关的工序，但可以设置槽部140来处理晶片W的背面周缘部，或设置图10以及图11所示的空间146来防止晶片接触时侧滑。
另外，在此作为被处理体，例示了半导体晶片，但不限定于此，也能够将本发明应用于玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等。
虽然对本发明与上述的实施方式一起进行了说明，但本发明并不限定于具体公开的实施例，在不脱离所要求的本发明的范围内，能够考虑各种变形率和实施例。
本国际申请主张在2007年2月9日向日本特许厅申请的特许出愿第2007-031171号的优先权，在此引用其全部内容。

Claims (17)

1.一种载置台构造，在对基板进行规定的处理的构成为可抽真空的处理容器内支撑上述基板，其特征在于，具有：
载置台主体，其载置上述基板；
升降销机构，其构成为将上述基板降到上述载置台主体，从上述载置台主体抬起上述基板；
阶梯部，其形成于上述载置台主体，使得载置在上述载置台主体上的上述基板的背面周缘部暴露于被供给到上述处理容器的处理气体中，上述载置台构成为中央部分侧增高一截而由其端面形成上述阶梯部，或者中央部分侧与周边部侧的高度相同并形成有沿载置在上述载置台主体的上述基板的外周端的第一槽部，该阶梯部是上述第一槽部的一部分。
2.如权利要求1所记载的载置台构造，其特征在于，上述载置台主体包括保持载置于该载置台主体的上述基板的静电吸盘。
3.如权利要求1所记载的载置台构造，其特征在于，上述载置台主体具有多个凸部，在上述基板的下方形成有在上述基板与该多个凸部接触时从上述基板的背面产生的水蒸气逃逸的空间。
4.如权利要求1所记载的载置台构造，其特征在于，上述载置台主体具有多个第二槽部，在上述基板的下方形成有在上述基板与上述载置台主体接触时从上述基板的背面产生的水蒸气逃逸的空间。
5.如权利要求3所记载的载置台构造，其特征在于，上述凸部的上端部与上述基板的背面接触的接触面积相对于上述载置台主体的在上述阶梯部内侧的区域的面积的比例和、上述空间的深度设定为，由上述水蒸气施加给上述基板的压力小于上述基板的每单位面积的重量。
6.如权利要求4所记载的载置台构造，其特征在于，上述载置台主体的在上述阶梯部内侧的区域的除去上述第二槽部的面积相对于该区域的面积的比例和、上述空间的深度被设定为，由上述水蒸气施加给上述基板的压力小于上述基板的每单位面积的重量。
7.如权利要求1所记载的载置台构造，其特征在于，还具有可升降的引导销机构，该引导销机构防止在使上述基板接触上述载置台主体时能产生的位移。
8.如权利要求7所记载的载置台构造，其特征在于，上述引导销机构与上述升降销机构被一体化。
9.如权利要求7所记载的载置台构造，其特征在于，上述引导销机构与上述升降销机构分别单独地构成。
10.如权利要求1所记载的载置台构造，其特征在于，上述载置台主体还具有对上述基板加热的加热部。
11.一种处理装置，其特征在于，具备：
可抽真空的处理容器；
为了支撑基板而设置在上述处理容器内的、权利要求1所记载的载置台构造；
向上述处理容器内导入气体的气体导入部。
12.如权利要求11所记载的处理装置，其特征在于，还具有将等离子体发生用的电磁波向上述处理容器内导入的电磁波导入部。
13.一种处理装置的使用方法，是权利要求12所记载的处理装置的使用方法，包括：
支撑工序，在使升降销机构的升降销上升的位置，用该升降销支撑基板；
接触工序，在该支撑工序后，在使引导销机构的引导销位于上述基板的外周端的外侧的同时，使上述升降销下降而使上述基板接触到载置台构造上；
待机工序，在该接触工序后，待机从上述基板的背面产生的水蒸气逃逸的规定时间；
销退避工序，在该待机工序后，使上述升降销和上述引导销向下方下降；
初始气体导入工序，在该销退避工序后，以使上述载置台构造上的上述基板不会在气流的作用下侧滑的流量从气体导入部导入处理气体；
等离子体点火工序，在该初始气体导入工序后，通过电磁波导入部在上述处理容器内对等离子体点火；
吸盘接通工序，在该等离子体点火工序后，接通静电吸盘而保持上述基板；
主要气体导入工序，在该吸盘接通工序后，向上述处理容器内流动比上述初始气体导入工序的流量大的预先设定的流量的处理气体。
14.一种处理装置的使用方法，是权利要求12所记载的处理装置的使用方法，其特征在于，包括：
支撑工序，在使升降销机构的升降销上升的位置，用该升降销支撑基板；
接触工序，在该支撑工序后，在使引导销机构的引导销位于上述基板的外周端的外侧的同时，使上述升降销下降而使上述基板接触到载置台构造上；
主要气体导入工序，在该接触工序后，将处理气体向上述处理容器内流动；
等离子体点火工序，在该主要气体导入工序后，通过电磁波导入部在上述处理容器内对等离子体点火；
吸盘接通工序，在该等离子体点火工序后，接通静电吸盘而保持上述基板；
销退避工序，至少在上述主要气体导入工序后，使上述升降销和上述引导销向下方下降。
15.一种处理装置的使用方法，是权利要求12所记载的处理装置的使用方法，其特征在于，包括：
支撑工序，在使升降销机构的升降销上升的位置，用该升降销支撑基板；
载置工序，将上述基板向处理容器内的载置台构造上载置；
初始气体导入工序，在该载置工序后，以使上述载置台构造上的上述基板不会在气流的作用下侧滑的流量从气体导入部导入处理气体；
等离子体点火工序，在该初始气体导入工序后，通过电磁波导入部在上述处理容器内对等离子体点火；
吸盘接通工序，在该等离子体点火工序后，接通静电吸盘而保持上述基板；
主要气体导入工序，在该吸盘接通工序后，向上述处理容器内流动比上述初始气体导入工序的流量大的预先设定的流量的处理气体。
16.一种处理装置的使用方法，是权利要求12所记载的处理装置的使用方法，具有：
支撑工序，在使升降销机构的升降销上升的位置，用该升降销支撑基板；
主要气体导入工序，在该支撑工序后，将处理气体向处理容器内流动；
等离子体点火工序，在该主要气体导入工序后，通过电磁波导入部在上述处理容器内对等离子体点火；
吸盘接通工序，在该等离子体点火工序后，接通静电吸盘而保持上述基板；
载置工序，至少在上述主要气体导入工序后，将上述基板向处理容器内的载置台构造上载置。
17.如权利要求16所记载的处理装置的使用方法，其特征在于，上述静电吸盘是单极型的静电吸盘。
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