CN103839744A - 一种用于晶片加工的装置 - Google Patents

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蔡辉
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Abstract

本发明公开了一种用于晶片加工的装置，包含加热板、安装在加热板上部的腔室，以及安装在腔室底端的导向环，该腔室充有等离子体，刻蚀时，晶片放置在加热板上，导向环内壁开设有导向口，该导向口对应在晶片边缘位置的上方，等离子体可以通过导向口吹向晶片的边缘。导向口设为弧形或为三角状或为阶梯状，该装置能够提高晶片定位的范围，改善晶片刻蚀的均匀度。

Description

一种用于晶片加工的装置
技术领域
本发明涉及半导体加工装置，具体涉及一种用于晶片加工的装置。
背景技术
刻蚀晶片是将晶片4’放置在加热板1’上，再向晶片4’吹等离子体5’，该晶片4’尺寸与导向环3’直径基本一样。现有技术中，由于石英管尺寸已经固定且无法移动，所采用导向环3’内壁边缘为直角，晶片刻蚀时，因为位于腔室中的晶片每次定位会有一定的偏差，即如图1所示，晶片4’向右稍微偏离，就会造成晶片边缘无法直接接触到等离子体，从而降低晶片边缘的刻蚀率，影响了晶片刻蚀的均匀度。
发明内容
本发明提供了一种用于晶片加工的装置，该装置能够提高晶片定位的范围及边缘刻蚀率，改善晶片刻蚀的均匀度。
为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种用于晶片加工的装置，包含加热板、安装在加热板上部的腔室，以及安装在腔室底端的导向环，该腔室充有等离子体，刻蚀时，晶片放置在加热板上，其特点是，所述的导向环内壁开设有导向口，该导向口对应在晶片边缘位置的上方，等离子体可以通过导向口吹向晶片的边缘。
所述的导向口设为弧形或为三角状或为阶梯状。
所述的导向环采用铝材料制成
本发明一种用于晶片加工的装置与现有技术相比具有以下优点：
本发明由于在导向环内壁开设有导向口，可以将等离子体通过导向口吹向晶片的边缘，提高晶片定位的范围，改善晶片刻蚀的均匀度。
附图说明
图1为现有技术中导向环结构示意图及等离子体流向示意图；
图2为本发明一种用于晶片加工的装置结构示意图；
图3为本发明导向环的结构示意图及等离子体流向示意图。
具体实施方式
以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。
如图2、图3所示，一种用于晶片加工的装置，包含加热板1、安装在加热板1上部的腔室2，安装在腔室2底端的导向环3，缠绕在腔室2外部的线圈7，贴在腔室2内壁上的石英管6，该腔室2充有等离子体5，所述的导向环3采用铝材料制成，刻蚀时，晶片4放置在加热板1上，所述的导向环3内壁开设有导向口31，该导向口31对应在晶片4边缘位置的上方，当线圈7通电后，产生等离子体5流向整块晶片的表面，并通过导向口吹向晶片4的边缘，即使在晶片定位出现小偏离的情况下，也能将等离子体5引入到晶片4的边缘，提高了晶片定位的范围，改善晶片刻蚀的均匀度。
所述的导向口31设为弧形或为三角状或为阶梯状，本实施例中，导向口31设为弧形（参见图3）。
  综上所述，本发明一种用于晶片加工的装置，该装置能够提高晶片定位的范围，改善晶片刻蚀的均匀度。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (3)

1.一种用于晶片加工的装置，包含加热板（1）、安装在加热板（1）上部的腔室（2），以及安装在腔室（2）底端的导向环（3），该腔室（2）充有等离子体（5），刻蚀时，晶片（4）放置在加热板（1）上，其特征在于，所述的导向环（3）内壁开设有导向口（31），该导向口（31）对应在晶片（4）边缘位置的上方，等离子体（5）可以通过导向口吹向晶片（4）的边缘。
2.如权利要求1所述的用于晶片加工的装置，其特征在于，所述的导向口（31）设为弧形或为三角状或为阶梯状。
3.如权利要求1所述的用于晶片加工的装置，其特征在于，所述的导向环（3）采用铝材料制成。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060144516A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Lam Research Inc., A Delaware Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
CN1851852A (zh) * 2005-12-07 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体刻蚀装置
CN1875453A (zh) * 2003-10-01 2006-12-06 牛津仪器血浆技术有限公司 等离子体处理衬底的设备和方法
CN101521150A (zh) * 2001-06-01 2009-09-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN101606227A (zh) * 2007-02-09 2009-12-16 东京毅力科创株式会社 载置台构造、以及用其的处理装置和该装置的使用方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101521150A (zh) * 2001-06-01 2009-09-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN1875453A (zh) * 2003-10-01 2006-12-06 牛津仪器血浆技术有限公司 等离子体处理衬底的设备和方法
US20060144516A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Lam Research Inc., A Delaware Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
CN1851852A (zh) * 2005-12-07 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体刻蚀装置
CN101606227A (zh) * 2007-02-09 2009-12-16 东京毅力科创株式会社 载置台构造、以及用其的处理装置和该装置的使用方法

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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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Application publication date: 20140604

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