CN1875453A - 等离子体处理衬底的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

提供用于等离子体处理衬底的设备。该设备具有腔体(2)和由在腔体内部流动的一种或多种气体形成等离子体的等离子体产生器(4)，从而产生一个或多个与置于腔体内的衬底(8)相互作用的物种。提供用于将含有物种的气流引导向衬底(8)的引导器(12)。在使用中，等离子体的宽度大于衬底的宽度，某个量通过该量限定离子体的外部区域。引导器适于将来自基本上整个外部区域的物种引导向衬底。也公开了相应的等离子体处理方法。

Description

等离子体处理衬底的设备和方法
本发明涉及一种等离子体处理衬底的设备和方法。
已知许多等离子体处理系统的设计方案，用于进行诸如蚀刻衬底或在衬底上沉积薄层的处理。这可以通过在低压气体内部形成等离子体实现。
可实现的最大蚀刻/沉积速率是实际中特别重要的，并调整各种设备和工艺参数来控制这些速率。这些参数包括反应腔体的尺寸、前体气体的选择、等离子体功率、气体流速、气体压力和施加至衬底的偏置电势。
在WO 02/056333中公开了一种现有技术的系统，其中使用RF线圈在较窄的上部子腔体内部产生等离子体。接着产生的活性物种(species)进入较大的下部腔体底部，其中放置目标衬底。
在远置的或下游的等离子体源也是公知的，其中，气态物种在远离工件的位置处离子化并激发。典型地，激发发生在管子或管道内部，活性物种沿管子流动然后与工件相互作用。为了处理大工件，该管子设置为通向容纳工件的较大的腔体。
在一些现有技术的系统中(例如WO 02/056333中公开的)，通过提供邻近等离子体产生区域的大腔体，提供扩展区域。该扩展腔体为等离子体内部产生的物种的均匀化做准备。同时这对于衬底表面处理的均匀性具有一些积极效果，其对于处理速率常常是有害的，增加了装置的成本并使与设备相关的设定过程复杂化。
因此有一种工业中的现有要求，即提供具有更高工艺速率的设备同时保持衬底上处理效果的均匀性。
根据本发明的第一方面，我们提供一种等离子体处理沉底的设备，包括：
腔体，在该腔体内可使一种或多种气体流动；
等离子体产生器，用于使在腔体内的气体形成等离子体，从而产生至少一个物种；和
引导器，用于将含有物种的气流引导向衬底；
其中，如此设置设备，使得使用的等离子体的宽度大于衬底的宽度，宽度之间的差限定了等离子体的外部区域，并且其中引导器适于将来自基本上整个外部区域的物种导向衬底引导。
而且，根据本发明的第二方面，我们还提供了一种等离子体处理衬底的方法，包含：
使一种或多种气体在腔体内流动；
使用等离子体产生器在腔体内从气体形成等离子体，从而产生至少一个物种；以及
将包含物种的气流引导向衬底；
其中使用的等离子体的宽度大于衬底的宽度，宽度之间的差限定了等离子体的外部区域，并且其中物种基本上从整个外部区域被引导向衬底。
相对于现有技术的系统，我们已经实现了，通过使用将设备内流动的气体引导至衬底上从而将等离子体内部产生的物种引导至衬底上的引导器，可以实现改善的处理速率。而在过去的等离子体处理中，速率依赖于扩散和低速大量传输效应(low velocity mass transporteffects)，本发明意识到物种直接流到衬底上能够产生更高的蚀刻速率，而不会对最后衬底处理的均匀性产生相应的有害影响。
本发明与已知系统的不同点在于该系统含有流动气体截面面积的扩展以处理更大衬底。本发明反之亦然。实际上本发明得到增大的工艺速率是由于物种从较大直径集中到较小直径。其它区别在于本发明的等离子体源优选设置为紧密接近工件。其不需要比由引导器存在引起的物理隔离更远地被设置。
这里要注意现有技术中已知的“聚焦环(focus rings)”(例如见US-A-5891348和EP-A-0676790)。这不应当与本发明的引导器混淆。提供聚焦环是为了改善衬底处理的均匀性，然而本发明的引导器具有增大处理速率的功能。我们已经实现了适当设计的等离子体源和引导器能够通过将反应物种从较大的产生区引导和集中至较小的消耗区从而显著增大处理速率。
例如US5891348中的聚焦环的效果是仅聚焦所有气体流的一小部分到衬底上。该聚焦环主要作用在新鲜气体供应上，其直接向下流过腔体到衬底上。相反，本发明明确将至少基本上所有有用的气体物种，即来自活性区域的，引导至衬底上。通过将引入的新鲜气体直接向活性区域供应然后导至衬底上来进一步增强该效果。
引导器使得等离子体的宽度(即其横向尺寸)大于衬底的宽度。等离子体和衬底之间的宽度差限定了等离子体的“外部区域”。引导器将至少来自该外部区域的物种引导至衬底上。其优点是，由于趋肤效应(在电磁产生的情形中)或等离子体护套效应(sheath effect)(在加电电极的情形中)，来自等离子体产生器的大部分能量耦合至外围“活性”区域中的等离子体。实际上该区域通常从等离子体的外围向内延伸几厘米。因此期望使用引导器将来自大部分活性区域(其中它们的浓度最高)的物种直接引导至衬底上。在从活性区域到衬底的运送中活性物种的特性可以改变；原始的或衍生的物种可以对衬底具有有用效果。这里的术语“物种”意味着包括原始的和/或衍生的物种。
等离子体产生器件的形式和内部包含相应的前体气体的体积限定了等离子体的宽度。根据该区域与衬底的相对宽度，活性区域可以全部或部分包含在上面提到的外部区域内。对于圆柱形腔体和圆形衬底表面，典型地活性区域约为环形。
因此引导器优选适用于至少将基本上在等离子体外围处或外围邻近处、即至少在上面提到的活性区域中产生的物种引导向(引导到)衬底。
典型地衬底与等离子体的活性区域间隔开，并可以置于腔体的上半部分内，邻近活性等离子体，或者远离腔体的下半部分。例如其可以置于子腔体内部或专用腔体内部。在任一情形中，将衬底和等离子体产生区域隔开的腔体部分的宽度比其内部产生等离子体的区域要窄。在此情况下，腔体壁自身可以包含引导器。这与许多现有技术的系统完全不同，其中腔体的等离子体区域的宽度相对于腔体的其它部分明显要窄。
引导器可以采取许多其它形式，例如作为漏斗。优选引导器的形状大致为空心锥形平截头体。在该情形中，在其中心轴的任一侧上典型地具有直线截面。在可选形式中，可以提供曲线截面。而且，引导器的截面可以部分是直线的，部分是曲线的。
典型地，引导器相对于衬底布置为使得气流在衬底表面对称流动。然而，引导器可以适于通过提供引导器自身内部不对称或引导器相对于衬底不对称放置以引起流过衬底的物种的纯净流(nett flow)。这避免了在衬底中心处产生低反应“停滞点”的可能性。
引导器典型直接放置在产生等离子体的区域和衬底之间。这提供了额外的优点：引导器可以适用于使衬底从等离子体产生的电磁辐射屏蔽。该屏蔽优选包括减小具有相对于等离子体活性区域的直接视线的衬底的量，还使得碰撞衬底的辐射热远离腔体最热的部分。
已知等离子体可以包含各种活性物种，包括离子、电子和反应性中性实体。一些情形中希望阻止带电物种到达衬底表面，该情形中优选引导器还包含等离子体终止器件，其可有效削弱供应至衬底的带电物种。这可以通过使用导电网状物作为引导器件中的气体流过的部分而实现。替换地或附加地，可以使用磁性系统来转移带电物种的流动。
方便地，也可提供可释放地连接到设备的形式的引导器，从而允许使用应用于不同特定工艺的不同引导器。
反应性物种与例如引导器表面的各种表面的接触，会导致与问题表面的有害反应和活性物种浓度的降低。因此优选设置选择用于至少与气流接触的引导器表面的材料，以减小活性物种的湮灭效应。仅采用铝引导器组件进行这里描述的实验。更严格的化学性质需要用于引导器和腔体不同材料(例如氧化铝、玻璃或用于金属组分，镍)、或不同涂层(例如金属上的矾土、或阳极电镀铝(anodised aluminium))。
还能够通过加热引导器到一定温度来减轻物种和引导器之间接触的有害效果，并优选设备还包含适合的加热系统来实现这一点。
在一些情形中引导器可设置为其外部尺寸恰好小于腔体自身的，从而在使用中引导器经受热膨胀并实现与腔体的热接触。这在更高的加电系统中特别有利，使得引导器的温度可以精确控制。
引导器还可以设置为使得提供引导器的下侧表面以控制等离子体的密度，例如当其在邻近衬底边缘的区域基本上径向流动时使其再压缩。
通过适于向腔体供应一种或多种气体并从腔体移出气体和物种的气流系统来形成和控制气流。该系统典型包含一个或多个真空泵、气体瓶、调节阀和管道。典型地在其中产生等离子体的区域或其附近的区域向腔体供应气体，并在衬底与该区域的相对侧上从系统排出。
为了使等离子体活性区域的有效使用最大化，优选设备还包含腔体内部的用于将引入腔体的气体直接朝着等离子体的最活跃区域引导的偏转器件。这保证了向区域提供新鲜的气体，最大化系统效率并还最大化产生的物种的浓度。
本发明不限于任何特定形式的等离子体产生器，该产生器的适合例子包括感应耦合等离子体产生器、微波等离子体产生器或基于电极的(电容性的)等离子体产生器。
使用合适的支撑体在气流内部支撑衬底。该支撑体的例子包括其上放置衬底的台子或台板(platten)、或者在一定位置安装和支持衬底的器件。优选地，支撑体(从而衬底)放置在腔体内。
可选择地，衬底可以放置单独的腔体中，引导器放置在其中产生等离子体的腔体和其中支撑衬底的腔体之间。
为了提供进一步的适用性，优选地支撑体相对于等离子体区域可移动，从而为用户提供等离子体和衬底之间便利的可控距离。支撑体的可移动性为使用不同的等离子体处理做准备。引导器还可以以静止的或移动的方式安装到支撑体。这在使用移动支撑体时特别有利，因为这允许利用更接近活性等离子体区域提供的增大的物种通量。
为了进一步控制物种与衬底的反应，优选地，设备还包含电源系统，其适于为支撑体供应电势差。该电势可以是DC信号，但更优选为RF信号。
优选在根据本发明的第二方面的方法进行期间，经由支撑体向衬底提供电势，从而控制物种与衬底的相互作用。
在结合低压工艺使用感应耦合等离子体的一个例子中，腔体内部的气压介于1和15帕斯卡之间。可以使用许多不同类型的前体等离子体气体(包括其混合物)，例子包括SF6、氯、氟碳化合物(例如CF4、CF8等)、氮、氧和硅烷。
因此可以在任意适合的等离子体处理中使用该方法，该处理典型包括蚀刻处理和沉积处理。
现在将参照附图描述根据本发明的等离子体处理设备和方法的一个例子，其中：
图1示出根据该例子的设备的部分截面侧视图；
图2是该方法的流程图；
图3示出设备内的气流；
图4示例用于低和中功率系统的引导器的例子；
图5示出气体经过引导器边缘下部的气体膨胀；
图6示出用于具有平行下侧的引导器的气流；
图7示出用于具有向下斜坡的下侧的引导器的气流；和
图8是示例使用不同引导器的反应性材料密度的效果曲线图。
根据本发明的例子的等离子体处理设备示于图1。该设备包含圆柱体形式的腔体2，该情形中圆柱体沿其轴线垂直导向并且腔体直径大约为380毫米。围绕腔体的上部提供一系列的感应线圈3，线圈形成感应耦合等离子体产生器4的一部分。围绕腔体上部的等离子体产生器4的位置限定了等离子体产生区域5。在腔体的下部提供衬底支撑体6，这采用关于圆柱体轴线对称设置的圆形台子形式，并具有在使用中其上放置衬底8的上表面7。
通过提供螺纹，衬底支持体6设置为如9示出可轴向移动。
在限定一般表示为10的衬底区域的腔体下部区域中提供衬底支撑体6。
中间区域11分隔开上部等离子体产生区域5和下部衬底区域10。截头圆锥体引导器12放置在中间区域11内部。这被有效配置作为具有提供在邻近等离子体产生区5的顶部并面朝其的较宽的漏斗“嘴”的漏斗。如图1中看到的，设置引导器12使得在引导器的下部提供孔13。该孔与衬底8(在该情形中是圆形衬底)的直径大致相同。
截头圆锥体引导器的上部嘴又具有与等离子体产生区5中的腔体大致相等的直径。
气体入口14提供于腔体2顶部中心。沿管道15从气体供应器16供应多种前体气体之一(由其产生等离子体)，管道和气体供应器形成设备的气流系统的一部分。
在腔体内部的入口14下方，在中央放置偏转器17，从而使进入腔体的气体朝向腔体外围偏转。
经过设置在腔体基底一侧的出口18排空腔体。提供排气管道19和相应的真空泵(涡轮分子旋转泵)20以实现这一点，这些组件也形成设备的气流系统的一部分。
可以任选提供导电网或磁性系统作为管道12的一部分或邻近其，这些示意性示为25。可以在期望其中在等离子体产生区域5的边缘处终止等离子体的情况下使用该器件，因此这些器件用作等离子体终止器件。也可提供电源31从而在必要时为这样的器件供电。附加的电源30连接到衬底支撑体6，从而向衬底8提供RF偏置。这允许对于前面提到的物种和衬底的相互作用的进一步控制。如图1中示出，当引导器还包含加热器件时，其它电源32也可以连接到引导器12，从而在使用期间将引导器加热到约100-200℃的温度。
这可以是活性加热系统，由此外部电源加热的引导器组件，如对腔体所做的。优选，使用等离子体以提供对于引导器12组件的加热。我们已经确定，对于由薄板金属构成的单元来说，等离子体加热效果是显著和快速的，在3kW超过300℃加热时十分钟左右即可获得。我们也已经确定，设计用于较高功率的单元能够利用热膨胀以控制单元温度。如果引导器截面构造为外部直径恰好小于腔体2的(例如1或2mm)，发现最初温度上升相对快，这是由于引导器12很少或未与作为温度控制表面的腔体壁热接触。当加热时单元膨胀直至它达到充分提供与腔体壁的良好热接触的尺寸。实验已经示出这是在超过250℃的温度。这提供了与温度控制壁的良好热接触，然后通过提供到作为散热器的腔体壁的热通路控制引导器单元的温度。以这种方式设想相对简单的构造，由此在晶片离开腔体但是具有流动等离子体的情况下，在加热阶段进行初始加热。一旦已经达到可接受的温度，然后在晶片上进行加工。假设引导器截面为充分大块，当加载晶片用于处理阶段时，对于几十分钟周期，温度衰减将最小化。
应当注意到在低ICP功率时加热可能不足以保持合适的温度。我们设想在此情形使用更轻的材料单元。此时，优选地，单元设计并实现为具有与温度控制物体(腔体)不好的热接触。温度上升会是快速的，直至其达到与辐射和对流热损失机制平衡。对于高功率运行的该单元，和对于以非常高功率运行的更健壮的单元，优选地，引导器并入附加的冷却装置，其可以采用以下形式：在机加工到引导器下侧的沟槽中流动的冷却流体，流体通道或沟道，或通过焊接或者一些形式的压缩器件粘贴至引导器的不面向等离子体的表面的含流体管子。
现在参照图2和3从大量气体流过使用中的设备的角度来描述设备的操作。将意识到，虽然以下描述了步骤，但是该方法在操作期间处于有效稳定状态。这些步骤之前，将衬底加载入腔体，排空腔体并形成处于预定压力的气流。
见图2，在步骤100中，问题气体首先离开气体供应器16并在经由进口14进入腔体之前向下经过引导器15。气流示意性表示为图3中的箭头60。在本例子中气体是六氟化硫(SF6)。
图4示出，左侧为引导器(包括支撑体结构70)的低功率形式，右侧为中功率形式。
在步骤101中，进入腔体的气体被偏转器17朝向腔体的侧壁向外偏转。由于等离子体产生器4在区域5内部激励气体，等离子体存在于腔体内部。在图1示出的系统中，在35示出的大致环形区域内赋予最大能量。要注意通过偏转器17使气体偏转进入该区域。
在步骤102中，气体前进并进入环形区域35。这里等离子体产生器4提供的能量处于最大并且这易于导致新到达的气体分离成为等离子体物种。结果在气相中形成各种高度反应性物种，并因此气流携带这些物种向下直至它们在步骤103中被引导器12改道。
在该阶段，如果存在等离子体终止器件25，任何带电物种在并入引导器12的等离子体终止器件25处偏转或者中和。
在步骤104中，气体流出孔13并撞击衬底8的上表面。接着在该阶段(步骤105)发生衬底表面与气体内部含有的物种的相互作用，从而根据使用的参数和气体产生蚀刻、沉积或修正。
如果在该工艺中向衬底表面施加电子偏置，那么该偏置具有短程效应并更改撞击表面的带电物种的能量。因此相应影响沉积或蚀刻效果。
在步骤106中，接着，气体在衬底的外部边缘上流过并经由出口18、排气管道19和真空泵20向下从腔体抽出。
为了测试以上描述的设备和方法的功效，采用纯SF6在分别作为衬底8的多个空白100毫米直径硅晶片上进行硅蚀刻工艺实验。使用直径为380毫米的等离子体源(作为腔体2的直径)。使用100毫米的静电晶片支持体作为衬底支撑体6。使用在2MHz工作的功率为5kW的感应耦合等离子体产生器。而且，经由衬底支撑体向衬底施加RF电势，其具有25瓦特的功率并在13.56MHz工作。腔体中的500sccm(现有技术中公知的每分钟标准立方厘米)流率的SF6压力为35毫托(4.66帕斯卡)。
在使用和不使用截头圆锥体引导器12的相同设备中进行实验。在不具有引导器的设备中，气流不被改道至衬底表面，等离子体产生区域中产生的大部分物种经过衬底支撑体，并且不与衬底相互作用。在安装引导器的设备中，等离子体产生区域中产生的和气流中包含的所有物种被改道至衬底表面。
测得的蚀刻速率如下：
标准ICP380(“控制”)：6.73μm/min
设置引导器：            13.52μm/min
这些实验中观察到使用引导器12的蚀刻速率翻倍。还研究了使用引导器的设备的蚀刻均匀性，发现为±2.3％，并且工业实用需求良好。
在开发工作期间已经示范了格子(等离子体终止器件25)在减轻被处理晶片与等离子体离子成分的接触方面的有效性。如果离子存在，它们通过加速材料的腐蚀显示出其存在，该材料用于在晶片、掩模上提供蚀刻图案。测量掩模相对于要蚀刻的材料(例如硅)的腐蚀速率，给出对于具有和不具有如图1(标号25)安装的格子的等离子体离子组分的控制的测量。在该特定情形中，安装格子使得其与引导器电接触并由此处于与引导器相同的电势。
更高的离子含量将更快地腐蚀掩模材料从而减小蚀刻工艺的选择性，所述选择性测量为目标材料的蚀刻速率和掩模材料的蚀刻速率的比率。实验显示，不具有格子，选择性(Si：掩模(光刻胶))为58∶1，然而具有格子时该值增大为107∶1，提高为约1.9倍表示设置有格子的掩模比没有格子的掩模持续1.9倍时间长，并因此等离子体的离子含量已经被显著减小。
工艺的均匀性是处理的重点。作为引导器管颈下游的工艺气体的膨胀的结果，对于直径大于引导器管颈的衬底晶片，有可能降低中性密度。当材料从等离子体源向下流过引导器时，在传送经过引导器管颈和台子之间期间其被压缩。一旦经过该点，材料膨胀，半径增大并且沿轴向远离台子表面。这被示为图5的71。反应性材料密度相关联地减小，该反应性材料的半径与位于大于管颈的半径的晶片的边缘接触，这产生工艺的不均匀性。如果填充引导器后面的空隙，使得引导器的下侧平行于台子表面，则防止了轴向膨胀(图6)。为了补偿半径增大时气体的膨胀，优选地，引导器下侧倾斜使得当半径增大时间隙减小(见图7)。这具有当气流向外经过晶片和台子流向腔体外围并到达泵浦端口时再压缩气流的效果。
模拟表明能够维持经过台子表面的中性密度。它们显示出引导器下侧的平面具有改变紧密接触超出管颈尺寸(该例子中0.0675m)的晶片的材料密度的降低速率的效果。这能够通过比较图8中的曲线D和曲线C看出。由于该设计对于气体流动具有限制效果，整体密度也相关增大。随着倾斜下侧(B)该因素增大并当台子的平面表面增大(A)时进一步加剧。最佳位置为平衡压缩的益处与系统泵浦速度的限制，其当间隙减小时也减小。
因此这些实验表示出根据本发明的设备和方法提供对于衬底等离子体处理的显著改善。

Claims (38)

1、一种用于等离子体处理衬底的设备，包括：
腔体，在该腔体内可使一种或多种气体流动；
等离子体产生器，用于使在腔体内的气体形成等离子体，从而产生至少一个物种；和
引导器，用于将含有物种的气流引导向衬底；
其中，如此设置设备，使得使用的等离子体的宽度大于衬底的宽度，宽度之间的差限定了等离子体的外部区域，并且其中引导器适于将来自基本上整个外部区域的物种导向衬底引导。
2、根据权利要求1的设备，其中引导器适用于至少将基本上在等离子体外围处或外围附近产生的物种导向衬底。
3、根据权利要求1或2的设备，还包括位于腔体内部的偏转器件，其用于将引入到腔体中的气体朝向等离子体最活跃的区域引导。
4、根据前述任意一个权利要求的设备，其中至少部分引导器的截面基本上为曲线。
5、根据权利要求1-3任一的设备，其中引导器的截面基本上为直线。
6、根据权利要求5的设备，其中引导器基本上为中空圆椎形平截头体。
7、根据前述任意一个权利要求的设备，其中引导器适于引起流过衬底的物种的纯净流。
8、根据前述任意一个权利要求的设备，其中引导器适于使衬底从等离子体引起的电磁辐射屏蔽。
9、根据前述任意一个权利要求的设备，其中引导器还包含等离子体终止器件，以削弱向衬底供应带电的物种。
10、根据权利要求9的设备，其中等离子体终止器件是导电网格。
11、根据权利要求10的设备，还包含用于为导电网格供电的电源。
12、根据权利要求9的设备，其中等离子体终止器件是磁体。
13、根据前述任意一个权利要求的设备，其中至少包含用于接触气流的引导器的表面的材料被设置为防止气流内活性物种的湮灭。
14、根据前述任意一个权利要求的设备，还包含被设置为在使用中将引导器加热至预定温度的加热系统。
15、根据前述任意一个权利要求的设备，其中引导器是可拆卸的。
16、根据权利要求1-14任一的设备，其中引导器由腔体壁形成。
17、根据前述任意一个权利要求的设备，其中等离子体产生器至少包含感应耦合等离子体产生器、微波等离子体产生器或电极等离子体产生器之一。
18、根据前述任意一个权利要求的设备，还包括用于支撑衬底的支撑体。
19、根据权利要求18的设备，其中支撑体位于腔体内。
20、根据权利要求18或19的设备，其中支撑体是可移动的，以提供等离子体和衬底之间的可变距离。
21、根据权利要求18-20任一的设备，其中引导器安装在支撑体上。
22、根据权利要求18-21任一的设备，还包含适于向支撑体供应电能的电源系统。
23、根据前述任意一个权利要求的设备，其中引导器被设置为外部尺寸恰好小于腔体的，使得在使用中引导器经受热膨胀并实现与腔体的热接触。
24、根据前述任意一个权利要求的设备，其中引导器还包含被设置为当等离子体在邻近衬底的边缘的区域中基本上径向流动时再压缩等离子体的下侧表面。
25、一种用于等离子体处理衬底的方法，包含：
使一种或多种气体在腔体内流动；
使用等离子体产生器在腔体内从气体形成等离子体，从而产生至少一个物种；以及
将包含物种的气流引导向衬底；
其中使用的等离子体的宽度大于衬底的宽度，宽度之间的差限定了等离子体的外部区域，并且其中物种基本上从整个外部区域被引导向衬底。
26、根据权利要求25的方法，其中等离子体是感应耦合等离子体。
27、根据权利要求26的方法，其中向衬底提供电能以控制物种与衬底的相互作用。
28、根据权利要求27的方法，其中电势是RF电势。
29、根据权利要求25-28任一的方法，其中腔体内部的气压在1-15Pa的范围内。
30、根据权利要求25-29任一的方法，其中气体包含SF6、氯、氟碳化合物、氮、氧和硅烷的一个或多个。
31、根据权利要求25-30任一的方法，其中等离子体产生器的输入功率约为5kW。
32、根据权利要求25-31任一的方法，其中气体流率约为每分钟400标准立方厘米。
33、根据权利要求25-32任一的方法，其中等离子体处理包含蚀刻处理。
34、根据权利要求25-33任一的方法，其中等离子体处理包含沉积处理。
35、根据权利要求25-34任一的方法，其中至少基本上在等离子体外围处或外围附近产生的物种被引导至衬底上。
36、根据权利要求25-35任一的方法，还包含将引入腔体气体朝向等离子体最活跃的区域引导。
37、根据权利要求25-36任一的方法，还包含引起流过衬底的物种的纯净流。
38、根据权利要求25-37任一的方法，使用根据权利要求1-24任一的设备。
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